2024-03-29T07:35:31Z
https://met.misis.ru/jour/oai
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/518
2023-08-02T18:05:29Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/518
2023-08-02T18:05:29Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 2 (2023); 122-136
Тепловые и термоэлектрические свойства керамики из оксида цинка, легированной металлами
Array, Array Array; Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета; Белорусский государственный университет
Array, Array Array; Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета
Array, Array Array; Гомельский государственный технический университет имени П.О. Сухого
Array, Array Array; Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Array, Array Array; Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Array, Array Array; Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета
2023-07-07 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/518
керамика; оксид цинка; плотность; теплопроводность; рассеяние фононов; термоэлектрическая добротность
Исследование выполнено за счет Государственной программы научных исследований «Физматтех, новые материалы и технологии» (Беларусь) по гранту № 1.15.1.
ru
В работе изучаются тепловые, электрические и термоэлектрические свойства керамик ZnO-MexOy с 1 ≤ x, y ≤ 3, где Me = Al, Co, Fe, Ni, Ti. Образцы изготавливались на основе керамической технологии спекания порошковых смесей двух или более оксидов в открытой атмосфере с вариациями температуры и продолжительности отжига. Структурно-фазовые исследования керамик указывают на то, что добавление порошков легирующих агентов MexOy в порошок ZnO со структурой вюрцита после процесса синтеза приводит к выделению вторичных фаз типа шпинелей Znx(Mе)yO4 и росту пористости полученных керамик в 4 раза. Исследования теплопроводности при комнатной температуре указывают на преобладание решеточного вклада. Уменьшение теплопроводности при легировании обусловлено увеличением рассеяния фононов вследствие воздействия следующих факторов: (1) размерный фактор при замещении ионов цинка в кристаллической решетке ZnO (вюрцит) ионами металлов из добавляемых оксидов MexOy; (2) образование дефектов - точечных, границ зерен (измельчение микроструктуры); (3) рост пористости (снижения плотности); и (4) формирование частиц дополнительных фазы (типа шпинелей Znx(Mе)yO4). Действие перечисленных факторов при замещение ионов цинка металлами (Co, Al, Ti, Ni, Fe) приводит к увеличению термоэлектрической добротности ZT на 4 порядка (за счет уменьшения удельного электросопротивления и теплопроводности при относительно небольшом снижении коэффициента термоЭДС). Причиной снижения электросопротивления является, образующееся при увеличении продолжительности отжига, более равномерное перераспределение ионов легирующих металлов в решетке вюрцита, приводящее к росту числа донорных центров.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/19
2015-07-28T18:02:24Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/19
2015-07-28T18:02:24Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 1 (2014); 47-52
ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ
Array, Array Array; Белорусский государственный университет, 220030, Беларусь, Минск, пр. Независимости, д. 4
Array, Array Array; Белорусский государственный университет, 220030, Беларусь, Минск, пр. Независимости, д. 4
Array, Array Array; Белорусский государственный университет, 220030, Беларусь, Минск, пр. Независимости, д. 4
Array, Array Array; ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
Array, Array Array; ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
Array, Array Array; ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
Array, Array Array; ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
2015-03-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/19
мощные полевые транзисторы; эквивалентная схема; тепловое сопротивление; релаксационная спектрометрия; слой теплового промежуточного материала; тепловые параметры; КПД
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/284
2021-03-01T13:14:09Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/284
2021-03-01T13:14:09Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 3 (2017); 220-234
Особенности кристаллической структуры и текстуры изотропных и анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов BaFe12O19, полученных методом радиационно-термического спекания
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; АО «НПП «Исток им. Шокина»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; АО «НПП «Исток им. Шокина»
Array, Array Array; Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины
Array, Array Array; Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»;
АО «НПП «Исток им. Шокина»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»;
АО «НПП «Исток им. Шокина»
Array, Array Array; Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника
Array, Array Array; Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
Array, Array Array; Институт ядерной физики им. Будкера СО РАН
Array, Array Array; Институт ядерной физики им. Будкера СО РАН
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2017-12-09 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/284
гексагональный поликристаллический феррит BaFe12O19, изотропный и анизотропный гексаферрит, кристаллическая структура, кристаллическая текстура, магнитная текстура, параметр «pref.orient.o1», ферритизировання шихта, прессование в магнитном поле
Работа выполнена частично при финансовой поддержке Минобрнауки РФ в рамках соглашения о предоставлении субсидии № 14.575.21.0030 от 27 июня 2014 г. (RFMEFI57514X0030).
ru
Методами рентгеновской дифракции и рентгенофазового анализа изучена кристаллическая структура и текстура изотропных и анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов (гексаферритов) BaFe12O19, полученных методом радиационно-термического спекания (РТС). Сырые заготовки и изотропных, и анизотропных гексаферритов получены стандартным методом керамической технологии из одного сырья (Fe2O3 и BaCO3 марки «ч.д.а.») и на одном и том же оборудовании. Различие состояло в том, что прессование анизотропных заготовок проведено в магнитном поле Н = 10 кЭ. Для спекания сырых заготовок использовали линейный электронный ускоритель ИЛУ-6 (энергия электронов Ee = 2,5 МэВ) ИЯФ им. Г. И. Будкера СО РАН. Образцы спекали в воздушной атмосфере течение 1 ч при температуре 1200, 1250, 1300 и 1350 °С. Впервые показано, что с помощью технологии РТС, используя сырые заготовки из ферритизированной шихты, можно получать высококачественные однофазные изотропные и анизотропные гексаферриты BaFe12O19. Приведены данные об особенностях кристаллической структуры и текстуры полученных гексаферритов. Впервые установлено, что для поликристаллических бариевых гексаферритов типа М зависимость параметра преобладающей ориентации кристаллической текстуры «pref.orient.o1» от степени магнитной текстуры f описывается выражением «pref.orient.o1» = -0,005f + 0,6886.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/436
2023-07-12T07:10:09Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/436
2023-07-12T07:10:09Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 24, № 2 (2021); 131-137
Кинетика окисления алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей) с кадмием в твердом состоянии
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина Национальной академии наук Таджикистана
Array, Array Array; Дангаринский государственный университет
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина Национальной академии наук Таджикистана
Array, Array Array; Таджикский технический университет имени академика М.С. Осими
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина Национальной академии наук Таджикистана
2021-08-30 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/436
алюминиевый проводниковый сплав E-AlMgSi (алдрей); кадмий; термогравиметрия; окисление; скорость окисления; энергия активации
ru
При создании новых материалов, предназначенных для работы в особо жестких условиях, встает задача придания им коррозионной стойкости, практическое решение которой связано с уровнем знаний в области высокотемпературного окисления металлов и сплавов. При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, например обмоточного провода и т. д. могут возникнуть определенные сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. Решение многих задач современной техники связано с использованием материалов, обладающих высоким сопротивлением окислению. Поэтому изучение взаимодействия кислорода с металлами и сплавами приобрело большое значение в связи с широким применением новых материалов с особыми физико-химическими свойствами. В этом ряду особое место отводится алюминиевому проводниковому сплаву E-AlMgSi (алдрей). Процесс окисления сплавов исследовался на воздухе в изотермических условиях термогравиметрическим методом с непрерывной фиксацией массы образца в течение 1 ч при температурах 723, 773 и 823 К. На основании экспериментальных данных строились кинетические кривые окисления, а также зависимости величины удельного увеличения массы от количества кадмия в сплаве E-AlMgSi (алдрей), времени и температуры. Обработкой квадратичных кинетических кривых окисления сплавов при указанных температурах установлено, что окисление сплавов подчиняется гиперболической зависимости у = kхn где значение n изменяется от 1 до 4. Зависимость lgK от 1/T для сплава E-AlMgSi (алдрей) с кадмием показывает, что с ростом температуры и содержания кадмия скорость окисления растет.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/146
2015-07-28T18:03:50Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/146
2015-07-28T18:03:50Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 3 (2014); 217-223
ИЗУЧЕНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР АIIIВV В УСЛОВИЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049, Россия
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049, Россия
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049, Россия
Array, Array Array; Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно−исследовательский институт приборов» (ФГУП «НИИП»), промзона Тураево, стр. 8, Лыткарино, Московская обл., 140080, Россия
2015-06-26 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/146
солнечные элементы;GaAs;деградация;нейтронное излучение;электронное излучение
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/322
2020-09-18T21:42:44Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/322
2020-09-18T21:42:44Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 22, № 3 (2019); 219-227
Теплоемкость и термодинамические функции алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей), легированного галлием
Array, Array Array; Институт химии им. В. И. Никитина АН Республики Таджикистан,
ул. Садриддина Айни, д. 299/2, Душанбе, 734063, Таджикистан
Array, Array Array; Дангаринский государственный университет,
ул. Маркази, д. 25, Дангара, 735320, Таджикистан
Array, Array Array; Таджикский технический университет имени академика М.С. Осими,
ул. Раджабовых, д. 10, Душанбе, 734042, Таджикистан
Array, Array Array; Институт химии им. В. И. Никитина АН Республики Таджикистан,
ул. Садриддина Айни, д. 299/2, Душанбе, 734063, Таджикистан
Array, Array Array; Институт химии им. В. И. Никитина АН Республики Таджикистан,
ул. Садриддина Айни, д. 299/2, Душанбе, 734063, Таджикистан
2020-01-21 14:10:38
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/322
алюминий; сплав E-AlMgSi (алдрей); галлий; теплоемкость; коэффициент теплоотдачи; режим «охлаждения»; энтальпия, энтропия; энергия Гиббса
ru
Алюминий — металл, сфера применения которого постоянно расширяется. В настоящее время алюминий и его сплавы в ряде областей успешно вытесняют традиционно применяемые металлы и сплавы. Широкое использование алюминия и его сплавов обусловлено в первую очередь такими его свойствами, как малая плотность, высокая коррозионная стойкость и электропроводность, а также возможность нанесения защитных и декоративных покрытий. Все это в сочетании с тем, что запасы алюминия в земной коре велики, а его стоимость относительно невысока и в течение многих лет практически не меняется, постоянно расширяет область его применения. Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Так, проводниковый алюминиевый сплав типа E-AlMgSi (алдрей) отличается высокой прочностью и хорошей пластичностью. Этот сплав при соответствующей термической обработке приобретает высокую электропроводность. Изготовленные из него провода используются почти исключительно для воздушных линий электропередач. В работе представлены результаты исследования температурной зависимости теплоемкости, коэффициента теплоотдачи и термодинамических функций алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) с галлием. Исследования проведены в режиме «охлаждения».Показано, что с ростом температуры теплоемкость и термодинамические функции сплава E-AlMgSi (алдрей) с галлием увеличиваются, а значение энергия Гиббса уменьшается. Добавки галлия до 1 % (мас.) уменьшают теплоемкость, энтальпию и энтропию исходного сплава и увеличивают величину энергии Гиббса.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/246
2018-11-23T16:25:43Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/246
2018-11-23T16:25:43Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 1 (2017); 51-59
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА
Array, Array Array; АО «Государственный завод «Пульсар»».
Array, Array Array; АО «Государственный завод «Пульсар»».
Array, Array Array; АО «Государственный завод «Пульсар»».
Array, Array Array; АО «Государственный завод «Пульсар»».
Array, Array Array; АО «Государственный завод «Пульсар»».
2018-05-22 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/246
кремниевые кристаллы; мощные транзисторы; приборы; монтаж кристаллов; пайка сплавом; металлизация кремния; корпуса приборов; тепловое сопротивление
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/396
2022-05-03T13:25:23Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/396
2022-05-03T13:25:23Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 23, № 3 (2020); 229-240
Многофункциональная ионизационная камера и ее электронный тракт для применения на медицинском ускорителе «Прометеуc»
Array, Array Array; Физический институт им. П.Н.Лебедева, РАН
2021-01-04 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/396
зарядовочувствительный предусилитель; многофункциональная ионизационная камера; стриповые ионизационные камеры; падовые ионизационные камеры; пик Брэгга; цифровой детектор получения изображений
Автор выражает благодарность В.Е.Балакину за обсуждение предлагаемого варианта считывающей электроники камеры МИК и ее возможного применения на ускорителе “Прометеус”. Автор выражает благодарность А.И. Львову за консультации по проведению испытаний электронного тракта CЭ камеры МИК на ускорителе “Пахра” и за поддержку работы.
ru
В статье описывается предлагаемая новая многофункциональная ионизационная камера (МИК) предназначенная для измерения дозных профилей при работе медицинского ускорителя «Прометеуc» в режиме сканирующего «карандашного пучка». Цифровой детектор получения изображений (ЦДПИ) с тканеэквивалентным водным фантомом применяется для калибровки ускорителя перед сеансом лучевой терапии. Рассмотрено применение ЦДПИ на пучке протонного ускорителя, работающего в режиме дробления пучка на споты при сканирующем пучке. Детектор ЦДПИ позволяет за несколько импульсов ускорителя в режиме on-line увидеть, как энерговыделение каждого спота распределяется по области облучаемой мишени, что является фактической калибровкой ускорителя перед сеансом протонной терапии. В процессе проведения сеанса протонной терапии предполагается устанавливать МИК непосредственно перед пациентом. Камера МИК содержит в себе две ионизационные камеры работающие одновременно, — это падовая камера (ПК) работающая на газе или «теплой жидкости» и стриповая ионизационная камера (СК) работающая только на газе. На ускорителе «Прометеус» предлагается использование МИК, который будет применяться при режиме работы методом активного сканирования «карандашным» протонным пучком. Применение работы МИК предназначено для контроля плотности интенсивности пучка в процессе облучения «мишени» у пациента в процессе сеанса протонной терапии. В случае нарушения запланированного режима работы ускорителя и выхода пучка за заранее заданные перед сеансом параметры, система контроля обнаружения отклонений (СКОО) отключит ускоритель. Описывается устройство считывающей электроники (СЭ) камеры МИК и СКОО. Данный предлагаемый детектор включающий камеру МИК и СКОО и обслуживающую его считывающую электронику позволит повысить качество подведения терапевтического пучка, благодаря точному определению плотности поглощенной дозы, подводимой сканирующим пучком к каждому споту облучаемой мишени, и поэтому формируемое поле распределения высокой дозы будет соответствовать облучаемому объему у пациента и повысит безопасность и контроль облучения мишени у пациента. ПК входящая в МИК сконструирована на «теплой жидкости» (либо на газе) и представляет собой высокоточную ионизационную камеру с координатной чувствительностью по ширине облучаемой мишени. СК входящая в МИК работает на газе и контролирует направление падающего пучка на данный спот в мишени. Разработан вариант исполнения зарядовочувствительного предусилителя и системы СЭ предназначенной для экспериментальной проверки прототипа МИК. Схема СКОО работающая совместно с камерой МИК позволяет контролировать заранее заданные параметры облучения границ мишени пациента и отключает ускоритель в случае ухода этих параметров от первоначально заданных.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/409
2023-12-29T19:46:05Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/409
2023-12-29T19:46:05Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 4 (2017); 284-290
Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2021-01-27 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/409
электрическое поле;потенциал; p—i—n-переход; GaN
Работа выполнена при финансировании в рамках программы 5-100 повышения конкуренто-способности НИТУ "МИСиС".
ru
Получено дифференциальное уравнение второго порядка, включающее функцию распределения плотности подвижного заряда в компенсированном слое p—i—n-перехода диода на основе GaN. Решение уравнения выполнено численным методом с применением программы MathCad. Электрическое поле на границе легированного слоя и компенсированного слоя (КС) рассчитано из условия, что концентрация диффундировавших в КС электронов много больше концентрации неподвижных скомпенсированных ионов примеси. Электроны из сильно легированного слоя диффундируют в КС, оставляя в нем положительно заряженные ионы донорной примеси. Между слоями подвижных электронов и ионов создается электрическое поле e, которое дрейфовым потоком уравновешивает диффузионный поток. Заряженные слои подвижных носителей заряда экранируют внешнее электрическое поле. По результатам решения дифференциального уравнения построены диаграммы распределения электрического поля и потенциала в области пространственного заряда (ОПЗ) p—i—n-перехода на основе GaN с учетом влияния свободных носителей заряда. Показано, что на участке вольт-амперной характеристики, когда нарушается ее экспоненциальная зависимость, в компенсированном слое создается дрейфовое поле, ограничивающее рост прямого тока.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/116
2015-03-19T22:48:32Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/116
2015-03-19T22:48:32Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 1 (2012); 62-66
ДЕМОНСТРАЦИЯ БРЭГГОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА 2D–ФОТОННОЙ СТРУКТУРЕ
Array, Array Array; ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2015-03-16 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/116
фотонный кристалл; дифракция света; оптическая лауэграмма
ru
Приведено описание экспериментальной установки для демонстрации брэгговской дифракции света на 2D−фотонной структуре (двухмерном фотонном кристалле). Рассмотрены условия формирования оптической лауэграммы при отражении света от поверхности фотонного кристалла. Описана методика определения периода решетки фотонного кристалла по его оптической лауэграмме. Получены данные о значении периода решетки фотонного кристалла сгексагональной плотноупакованной структурой.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/317
2019-06-22T07:30:40Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/317
2019-06-22T07:30:40Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 1 (2018); 54-62
Нелокальная дисперсия и ультразвуковое туннелирование в материалах с градиентной структурой
Array, Array Array; Объединенный институт высоких температур Российской академии наук;
Институт космических исследований Российской академии наук
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2019-06-21 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/317
градиентные материалы; нелокальная дисперсия; пространственные распределения плотности и/или упругости; распространение ультразвуковых волн
Авторы выражают признательность за чрезвычайно полезные обсуждения профессорам Н. Энгете и О. Руденко.
ru
Показано, что в материалах с пространственным распределением (градиентом) плотности и/или упругости имеет место нелокальная дисперсия продольных ультразвуковых волн. Эта дисперсия приводит к возникновению ультразвуковых спектров, таких как широкодиапазонное плато полного отражения, туннельные спектральные области и области полного пропускания. В рамках точно решаемых моделей сред с непрерывно распределенными плотностью и упругостью исследованы ультразвуковые волны в градиентных материалах, сформированные интерференцией прямых и обратных волн, а также затухающими и незатухающими модами. Приведены примеры спектров пропускания как для металлических, так и для полупроводниковых градиентных структур, а также рассмотрена общая концепция искусственной нелокальной дисперсии для градиентных композитных материалов. Необходимо заметить, что волновое уравнение для акустических волн в градиентных средах с постоянным модулем упругости и определенным заданным распределением плотности сводится к уравнению, описывающему распространение электромагнитных волн в прозрачных диэлектрических средах. Это формальное сходство свидетельствует о том, что концепция нелокальной дисперсии является общей как для оптических, так и для акустических явлений, что позволяет напрямую использовать разработанные для градиентной оптики физические принципы и точные математические решения при реализации соответствующих акустических задач.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/514
2023-08-02T18:06:23Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/514
2023-08-02T18:06:23Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 2 (2023); 137-147
Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3
https://met.misis.ru/jour/article/download/514/1441
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС"
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС"
Array, Array Array; Национальный исследовательский Томский государственный университет
Array, Array Array; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС"
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС"
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС"
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС"
Array, Array Array; Национальный исследовательский Томский государственный университет
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС"
2023-07-07 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/514
оксид галлия; солнечно-слепые фотодетекторы; ультрафиолетовые фотопреобразователи; замедленный фотоэффект; растянутые экспоненты
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 22-72-00010).
ru
Ga2O3 — широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недостатков, которые в настоящее время препятствуют использованию данного материала в солнечно-слепых фотодетекторах, является аномально большое время нарастания и спада фотопроводимости, которое может достигать сотен секунд. Такая «замедленная» фотопроводимость существенно ограничивает область применения этих материалов. Проведены исследования природы этого эффекта. Выполнены измерения времени нарастания и спада фотоиндуцированного тока в диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной волны 259 и 530 нм. При засветке ультрафиолетовым излучением рост тока через фоточувствительную структуру из двух встречных диодов происходил в три этапа: достаточно быстрое нарастание с характерным временем 70 мс, медленный рост с характерным временем 40 с и затянутый спад с характерным временем порядка 300 с. При последующей засветке излучением зеленого цвета рост тока с характерным временем 130 мс и 40 с накладывался на стимулируемый засветкой медленный спад амплитуды максимального тока с характерным временем порядка 1500 с. Анализ релаксации тока показал наличие глубоких центров с энергией (EC – 0,17 эВ). Существенное замедление релаксации фотоиндуцированного тока можно связать с флуктуациями потенциала вблизи барьера Шотки.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/391
2021-08-31T09:56:00Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/391
2021-08-31T09:56:00Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 23, № 2 (2020); 151-161
Коррозия алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей), легированного индием
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина АН Республики Таджикистан
Array, Array Array; Дангаринский государственный университет
Array, Array Array; Таджикский технический университет имени М.С. Осими
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина АН Республики Таджикистан
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина АН Республики Таджикистан
2020-08-08 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/391
алюминиевой сплав E-AlMgSi (алдрей), термогравиметрический метод, потенциостатический метод; скорость окисления; кажущаяся энергия активации; электролит NaCl; потенциалы коррозии и питтингообразования; скорость коррозии
ru
Экономическая целесообразность применения алюминия в качестве проводникового материала объясняется благоприятным соотношением его стоимости и стоимости меди. Немаловажным является и то, что стоимость алюминия в течение многих лет практически не меняется.При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, обмоточного провода и т. д. могут возникнуть определенные сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны алюминиевые сплавы, которые даже в мягком состоянии обладают прочностными характеристиками, позволяющими использовать их в качестве проводникового материала.Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Проводниковые алюминиевые сплавы типа E-AlMgSi (алдрей) являются представителями данной группы сплавов. В работе представлены результаты исследования температурной зависимости теплоемкости, коэффициента теплоотдачи и термодинамических функций алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) с висмутом. Исследования проведены в режиме «охлаждения».Показано, что с ростом температуры теплоемкость и термодинамические функции сплава E-AlMgSi (алдрей) с висмутом увеличиваются, а значение энергия Гиббса уменьшается. Добавки висмута до 1 % (мас.) уменьшают теплоемкость, коэффициент теплоотдачи, энтальпию и энтропию исходного сплава и увеличивают энергию Гиббса.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/82
2015-03-15T21:14:10Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/82
2015-03-15T21:14:10Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 3 (2013); 60-65
ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
2015-03-15 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/82
омические контакты; контактная металлизация; нитрид галлия; металлизация титан—алюминий; электронно−лучевое испарение; термический отжиг металлизации
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/265
2020-04-29T13:44:54Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/265
2020-04-29T13:44:54Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 2 (2018); 122-128
Анализ диффузионных профилей фосфора в легированном галлием германии методом координатно-зависимой диффузии
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2019-06-20 19:44:58
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/265
коэффициент диффузии фосфора и галлия в германии; координатно-зависимая диффузия; вакансионная модель диффузии
ru
В связи с развитием технологии многокаскадных солнечных элементов (МК СЭ) возрос интерес к германию как к подложке и материалу первого каскада МК СЭ на основе соединений АIIIВV. Фосфор и галлий являются основными легирующими элементами в германии, поэтому интерес к процессам их диффузии проявлялся с момента начала разработок технологии изготовления p—n-переходов в германии. Дан анализ профилей распределения фосфора в германии в структуре In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge в условиях содиффузии с галлием, полученные при формировании первого каскада МК СЭ. Диффузия фосфора проходила из слоя In0,56Ga0,44P вместе с диффузией галлия в сильно легированную галлием подложку германия, что определило особенности процесса диффузии. В первую очередь совместная диффузия галлия и фосфора приводит к формированию не одного, а двух p—n-переходов. Диффузионные профили фосфора не могут быть описаны законами Фика. Распределение коэффициента диффузии фосфора DP по глубине образца определяли двумя методами: Больцмана—Матано в варианте Зауэра—Фрейзе и методом координатно-зависимой диффузии. Показано, что учет дрейфовой компоненты в методе координатно-зависимой диффузии дает значения DP, более соответствующие известным литературным данным. Тенденция увеличения DP у границы гетероструктуры и уменьшения при приближении к основному переходу наблюдается для обоих методов расчета. Поле приповерхностного p—n-перехода, направлено к границе раздела гетероструктуры, а поле основного p—n-перехода — в противоположную сторону, также, как и наблюдаемый рост DP с концентрацией электронов. Увеличение DP в области приповерхностного p—n-перехода и уменьшение в области основного p—n-перехода позволяют сделать вывод, что диффузия в гетероструктуре идет в составе отрицательно заряженных комплексов VGeP, как и в случае диффузии одного компонента.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/495
2023-07-22T11:13:44Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/495
2023-07-22T11:13:44Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 1 (2023); 46-55
Усовершенствованная технология изготовления частотно-селективных электромагнитных экранов СВЧ-диапазона, содержащих спиралевидные элементы
Array, Array Array; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Array, Array Array; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
2023-04-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/495
алюминиевая фольга; усовершенствованная технология; частотно-селективный электромагнитный экран
ru
Рассмотрена усовершенствованная технология изготовления частотно-селективных электромагнитных экранов. Усовершенствование этой технологии было обеспечено за счет включения в объем изготавливаемых экранов элементов в виде классических спиралей Архимеда, сформированных из фольгированных материалов, для обеспечения частотно-селективных свойств таких экранов и фиксирования указанных элементов в объеме изготавливаемых экранов путем термопрессования. Эти особенности обуславливают основное преимущество усовершенствованной технологии по сравнению с ее аналогами, а именно: более низкие временные затраты, требуемые для ее реализации. Усовершенствование технологии было реализовано по следующим двум направлениям: 1) установление параметров спиралевидных элементов, которым соответствуют максимальные значения потерь энергии взаимодействующего с ними электромагнитного излучения в СВЧ-диапазоне; 2) определение порядка расположения в объеме экранов спиралевидных элементов, которому соответствуют наименьшие значения коэффициентов передачи и отражения электромагнитного излучения в СВЧ-диапазоне этих экранов. Усовершенствование технологии, реализованное по первому направлению, базировалось на результатах анализа научных работ, посвященных математическому моделированию и исследованию характеристик передачи электромагнитного излучения в СВЧ-диапазоне плоских спиральных антенн. Усовершенствование, реализованное по второму направлению, базировалось на полученных экспериментальных данных. Были изготовлены экспериментальные образцы экранов, в объем которых включены ориентированные определенным образом спиралевидные элементы, а затем проведен сравнительный анализ характеристик передачи и отражения электромагнитного излучения в СВЧ-диапазоне таких экранов. Экраны, изготовленные в соответствии с предложенной усовершенствованной технологией, представляются перспективными для использования в целях защиты приборов электронной техники от воздействия электромагнитных помех.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/227
2017-12-15T06:41:05Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/227
2017-12-15T06:41:05Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 18, № 4 (2015); 279-284
ФОРМИРОВАНИЕ ЗАРЯДОВЫХ НАСОСОВ В СТРУКТУРЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
Array, Array Array; ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Array, Array Array; ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Array, Array Array; ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2017-12-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/227
фотоэлектрические преобразователи; зарядовые насосы; солнечные элементы; локальная фотонная обработка
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/562
2024-03-05T08:33:44Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/562
2024-03-05T08:33:44Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 4 (2023)
Влияние термообработки на структуру и механические свойства кристаллов диоксида циркония, частично стабилизированных оксидом самария
https://met.misis.ru/jour/article/download/562/1628
https://met.misis.ru/jour/article/download/562/1630
https://met.misis.ru/jour/article/download/562/1631
https://met.misis.ru/jour/article/download/562/1632
https://met.misis.ru/jour/article/download/562/1633
https://met.misis.ru/jour/article/download/562/1634
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Array, Array Array; Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва
Array, Array Array; Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
2023-11-17 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/562
диоксид циркония; ZrO2—Sm2O3; рост кристаллов; микротвердость; вязкость разрушения; оптическая спектроскопия; спектроскопия комбинационного рассеяния света
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ 22-29-01220.
ru
Проведено исследование влияния высокотемпературной термообработки в разных средах на фазовый состав, микротвердость и вязкость разрушения кристаллов (ZrO2)1-х(Sm2O3)х при x = 0,02÷0,06. Кристаллы выращены методом кристаллизации из расплава в холодном контейнере. Термообработку кристаллов проводили при температуре 1600 °С в течение 2 ч на воздухе и в вакууме. Исследования фазового состава выполнены методами рентгеновской дифрактометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Показано, что катионы самария входят в решетку ZrO2 преимущественно в трехвалентном зарядовом состоянии и не меняют своего зарядового состояния после отжига на воздухе и в вакууме. Изменение фазового состава после отжига наблюдали во всех кристаллах, кроме состава (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06. После отжига на воздухе и в вакууме кристаллы (ZrO2)1-x(Sm2O3)x при 0,002 ≤ x ≤ 0,05 содержали моноклинную фазу. В кристаллах (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06 присутствовали две тетрагональные фазы t и t´ с разной степенью тетрагональности. После отжига кристаллов (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06 на воздухе и в вакууме изменение параметров решетки фаз t и t´ имеет разнонаправленный характер, что приводит к увеличению степени терагональности t-фазы и уменьшению степени тетрагональности t´-фазы. Изменение микротвердости и вязкости разрушения кристаллов связано с изменениями фазового состава кристаллов после отжига и зависит от концентрации Sm2O3 в твердых растворах. Образование моноклинной фазы в кристаллах (ZrO2)1-х(Sm2O3)х при 0,037 ≤ x ≤ 0,05 обуславливает существенное уменьшение значений микротвердости и вязкости разрушения кристаллов. Для кристаллов (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06 отжиг приводит к более эффективному действию механизмов упрочнения и, таким образом, к увеличению вязкости разрушения. Показано, что для кристаллов (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06 отжиг на воздухе и в вакууме приводит к увеличению значений вязкости разрушения кристаллов в 1,5 раза по сравнению с ростовыми кристаллами.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/20
2015-07-28T18:02:25Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/20
2015-07-28T18:02:25Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 1 (2014); 53-57
МИКРОСПЕКТРАЛЬНОЕ РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ НА УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЯХ БАЛКИ КАНТИЛЕВЕРА
Array, Array Array; Региональный центр нанотехнологий, 305040, Россия, Курск, ул. 50 лет Октября
Array, Array Array; Региональный центр нанотехнологий, Юго−Западный государственный университет, 305040, Россия, Курск, ул. 50 лет Октября
2015-03-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/20
спектроскопия ра- мановского рассеяния, монокристаллический кремний; изгибные напряжения; картирование распределений рамановских сдвигов
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/296
2019-04-09T13:12:27Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/296
2019-04-09T13:12:27Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 19, № 4 (2016); 271-278
Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»; ФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
Array, Array Array; ФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
2016-12-30 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/296
двумерный электронный газ; омический контакт; GaAs; гетероструктура; кристаллографическая ориентация
ru
Проведен анализ литературы, посвященной особенностям создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью носителей заряда. Рассмотрен процесс вжигания контактов на основе системы Ni/Au/Ge. Приведены рекомендуемые в литературе параметры напыляемых слоев и режимы их вжигания, которые позволяют получить омические контакты, обладающие низким электрическим сопротивлением до температур ниже 4 К. Рассмотрено несколько механизмов, которые могут приводить к экспериментально наблюдаемой зависимости характеристик контактов от их кристаллографической ориентации. Описан метод создания контактов с использованием металлизации Au/Ge/Pd, при котором формирование контакта происходит за счет взаимной диффузии и взаимодействия металлов и полупроводника в твердой фазе при температурах менее 200 °C. Это обеспечивает большую однородность контакта по составу, гладкую границу раздела металл—полупроводник и может привести к снижению влияния эффектов ориентации на электрические характеристики контакта.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/465
2022-10-31T07:47:17Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/465
2022-10-31T07:47:17Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 25, № 2 (2022); 164-174
Глубокая очистка теллура, цинка и кадмия для применения в электронике
Array, Array Array; ООО «АДВ-Инжиниринг»
Array, Array Array; ООО «АДВ-Инжиниринг»
Array, Array Array; ООО «АДВ-Инжиниринг»
Array, Array Array; ООО «АДВ-Инжиниринг»
Array, Array Array; ООО «АДВ-Инжиниринг»
2022-07-21 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/465
кадмий; цинк; теллур; примесной состав; методы очистки; фильтрация; вакуумная дистилляция; масс-спектрометрия
Исследование выполнено за счет средств гранта Фонда содействия инновациям, проект № 63431.
ru
Рассмотрен разработанный авторами комбинированный способ глубокой очистки Cd, Zn и Te, позволивший получать высокочистые материалы на устройстве с вертикальным расположением реактора. Способ включает в себя следующие процессы: фильтрационное рафинирование расплава металла с возможностью его вакуумной дегазации и дополнительной очистки через оксидный слой; первую дистилляцию с возможностью использования геттерных добавок в расплаве и применением геттерных фильтров; дегазацию расплава с удалением легколетучих примесей на конденсатор в условиях низкого вакуума; вторую дистилляцию и розлив металла на необходимые навески. Авторами разработана и изготовлена опытная модель установки, с помощью которой проведены экспериментальные процессы глубокой очистки металлов по предложенному способу. Проведены физические эксперименты, позволившие получить Cd, Zn и Te чистотой более 99,9999 % (мас.) по 30 основным остаточным примесям со сквозным выходом готового продукта не менее 55 %.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/159
2015-06-30T09:34:11Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/159
2015-06-30T09:34:11Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 18, № 1 (2015); 69-74
МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03
Array, Array Array; Институт ядерных исследований НАН Украины, просп. Науки, д. 47, Киев, 03680, Украина
Array, Array Array; Институт ядерных исследований НАН Украины, просп. Науки, д. 47, Киев, 03680, Украина
Array, Array Array; Дрогобычский государственный педагогический университет имени Ивана Франко, ул. Ивана Франко, д. 24, Дрогобыч, 82100,Украина
Array, Array Array; Дрогобычский государственный педагогический университет имени Ивана Франко, ул. Ивана Франко, д. 24, Дрогобыч, 82100,Украина
Array, Array Array; Национальный университет «Львовская политехника», ул. С. Бандеры, д. 12, Львов, 79013, Украина
Array, Array Array; Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, ул. Гайовицкая, д. 95, Вроцлав, 53−421, Польша
2015-06-27 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/159
нитевидные кристаллы, кремний−германий, протонное облучение, сопротивление, магнитное поле, магнетосопротивление, подвижность.
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/348
2020-09-18T18:25:12Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/348
2020-09-18T18:25:12Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 22, № 3 (2019); 228-236
Детектор на «теплой жидкости» для измерения дозных профилей от ионизирующих излучений
Array, Array Array; Физический институт имени П. Н. Лебедева РАН, Ленинский просп., д. 53, Москва, 119991
2020-01-30 21:19:50
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/348
электроотрицательные примеси, «теплые жидкости», выход свободных электронов, тетраметилсилан, жидкостные ионизационные камеры, пик Брэгга, детектор телевизионного типа
Автор благодарит А. И. Львова за консультации по проведению разработки электронного тракта детектора КИДП на ТМС.
ru
Актуальным является применение «теплой жидкости» тетраметилсилана (TMС) в ионизационных камерах для измерения дозных профилей в водных фантомах для подготовки ускорителя к сеансу протонной терапии. Одно из перспективных направлений лучевой терапии — протонная терапия. Для повышения конформности процедуры важно точно знать дозные распределения от энерговыделения протонного пучка в водном фантоме перед проведением сеанса протонной терапии. Повысить точность дозного распределения помогает внедренный на ускорителе «Прометеус» детектор телевизионного типа (ДТеТ), измеряющий профили пика Брэгга по глубине пучка в водном фантоме. Предлагается совместное использование многоканальной «пиксельной» ионизационной камеры на теплой жидкости — калибраторе измерителе дозного поля (КИДП), который будет применяться на ускорителе «Прометеус» при режиме работы методом активного сканирования «карандашным» протонным пучком. Применение совместной работы КИДП и ДТеТ, предназначено для моделирования облучения «мишени» в водном фантоме сканирующим «карандашным» протонным пучком для контроля перед сеансом лучевой терапии.Данная приставка к ДТеТ позволит повысить качество подведения терапевтического пучка, благодаря точному знанию поглощенной дозы подводимой сканирующим пучком к каждому вокселю облучаемой мишени, и поэтому формируемое поле распределения высокой дозы будет соответствовать облучаемому объему у пациента и повысит конформность облучения. Дополнительная приставка к ДТеТ сконструирована на кремнийорганической «теплой жидкости» и представляет собой высокоточную ионизационную камеру с координатной чувствительностью по ширине водного фантома. Полностью отработанная технология получения «теплой жидкости» ТМС, позволяет создать «пиксельную камеру» КИДП работающую совместно с ДТеТ. Рассматриваемая приставка к детектору ДТеТ, КИДП может использоваться независимо от ДТеТ и с большой точность измерять в водном фантоме дозные профили пика Брэгга, как по глубине так и по ширине. Также КИДП может применяться для измерения выходов вторичных «мгновенных» нейтронов и гамма-квантов вылетающих из водного фантома ортогонально направлению протонного пучка.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/247
2018-11-23T16:25:43Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/247
2018-11-23T16:25:43Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 1 (2017); 60-66
РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН
Array, Array Array; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова.
Array, Array Array; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова.
2018-05-22 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/247
кремний; неравновесные носители заряда; время жизни; скорость поверхностной рекомбинации; солнечные элементы
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/432
2022-12-19T08:25:51Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/432
2022-12-19T08:25:51Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 24, № 1 (2021); 57-62
Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора
Array, Array Array; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2021-04-21 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/432
транзистор; кремний на изоляторе; полевой датчик Холла; зарядовая связь; магнитное поле
ru
Работа посвящена изучению влияния эффекта зарядовой связи на характеристики полевого элемента Холла, изготовленного на основе тонкопленочного МОП транзистора. Анализ развития современной микроэлектроники показал необходимость развития элементной базы датчиков внешних воздействий на основе кремниевой технологии с повышенной функциональностью. Одним из способов значительного улучшения характеристик чувствительных элементов различных воздействий, в том числе и магнитного поля, является создание тонкопленочных транзисторов на основе структуры «кремний на изоляторе» (КНИ). Показано, что полевой датчик Холла (ПДХ) может стать основой высокочувствительных датчиков магнитного поля, использующих эффект зарядовой связи, возникающей в двухзатворной вертикальной топологии такого элемента. Проведены электрофизические исследования ПДХ при различных режимах включения затворов и питания. Полученные результаты показывают, что эффект зарядовой связи между затворами наблюдается в ПДХ при толщине рабочего слоя между ними равным 200 нм. Этот эффект приводит к росту эффективной подвижности носителей, и следовательно к росту магнитной чувствительности. Таким образом, полевые элементы Холла на основе тонкопленочных транзисторов, изготовленных по кремниевой технологии, позволяют значительно повысить магнитную чувствительность и использовать их в датчиках магнитного поля повышенной надежности.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/135
2015-06-25T19:02:29Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/135
2015-06-25T19:02:29Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 2 (2014); 143-147
СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ
Array, Array Array; Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Array, Array Array; Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Array, Array Array; Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Array, Array Array; Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Array, Array Array; SOITEC, Parc Technologique des Fontaines, Bernin, 38190, France
2015-06-25 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/135
соединенные пластины кремния;просвечивающая электронная микроскопия;фотолюминесценция;рекомбинация;дефекты;нестационарная спектроскопия глубоких уровней;дислокационная сетка.
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/318
2019-06-25T10:16:40Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/318
2019-06-25T10:16:40Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 1 (2018); 63-64
Отзыв о книге «Легирование полупроводников методом ядерных реакций» (2-е издание, дополненное) под ред. В. А. Харченко
Array, Array Array; Университет Авейро
2019-06-22 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/318
ru
Харченко В. А., Смирнов Л. С., Соловьев С. П., Стась В. Ф. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. LAP LAMBERT Academic Publishing, 2017. 262 с. ISBN 978-620-2-01287-4
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/515
2023-08-02T18:07:06Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/515
2023-08-02T18:07:06Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 2 (2023); 148-156
Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si
https://met.misis.ru/jour/article/download/515/1444
https://met.misis.ru/jour/article/download/515/1445
https://met.misis.ru/jour/article/download/515/1446
https://met.misis.ru/jour/article/download/515/1447
https://met.misis.ru/jour/article/download/515/1448
https://met.misis.ru/jour/article/download/515/1449
Array, Array Array; АО «НПО «Орион»;
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Array, Array Array; АО «НПО «Орион»
Array, Array Array; АО «НПО «Орион»
Array, Array Array; АО «НПО «Орион»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
2023-04-10 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/515
инверсионный слой; пассивация; граница раздела SiO2/p-Si; диэлектрическая пленка Al2O3
ru
Исследовано влияние пленок оксида алюминия, полученных методом ВЧ-катодного распыления мишени Al2O3 в среде аргона, на зарядовые свойства границы раздела SiO2/p-Si. Проведены измерения высокочастотных C—V-характеристик МДП-структур с однослойными диэлектрическими пленками: SiO2 толщиной 0,10 и 0,36 мкм, Al2O3 толщиной 0,14 мкм и двухслойными композициями на их основе. В качестве исходного материала были выбраны пластины марок КДБ-4,5 и КДБ-5000. Рассчитаны электрофизические параметры пленок, такие как UFB и Qss. Экспериментальные результаты подтвердили, что отрицательный встроенный заряд в пленке Al2O3 способен предотвратить образование инверсионного слоя на поверхности кремния р-типа проводимости, компенсируя положительный встроенный заряд в пленке SiO2 и обогащая поверхность полупроводника основными носителями, и таким образом позволяет стабилизировать зарядовые свойства границы раздела SiO2/p-Si. На примере многоплощадочного p—i—n-фоточувствительного элемента (ФЧЭ) подтверждена применимость пленки Al2O3 в качестве дополнительного диэлектрического покрытия в технологиях изготовления фотодиодов на основе высокоомного кремния p-типа проводимости. Установлено, что пассивация диоксида кремния пленкой Al2O3 на периферии и между элементами ФЧЭ позволяет улучшить вольт-амперные характеристики и сопротивление изоляции Rиз, что ведет к повышению процента выхода годных фотодиодов.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/228
2017-12-15T06:41:05Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/228
2017-12-15T06:41:05Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 18, № 4 (2015); 285-290
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ СОПРОВОЖДЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ОКСИДНО−НИКЕЛЕВОГО КАТОДА МАГНЕТРОНА
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; ОАО «Плутон»
Array, Array Array; ОАО «Плутон»
Array, Array Array; ОАО «Плутон»;
Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники
Array, Array Array; ОАО «Плутон»;
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
2017-12-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/228
оксидные катоды; оксид бария; диссоциация карбоната бария; полиморфные переходы в BaCO3
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/351
2021-08-31T09:57:58Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/351
2021-08-31T09:57:58Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 23, № 2 (2020); 142-150
Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН;
Новосибирский государственный университет
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Array, Array Array; Новосибирский государственный университет
Array, Array Array; School of Physics, University of New South Wales
2020-08-08 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/351
нелегированные структуры; затворно-индуцированные двумерные системы; поверхностный заряд; температура замораживания беспорядка
Работа выполнена в рамках гранта 19-72-30023 Российского научного фонда. Расчеты выполнялись с использованием вычислительных ресурсов МСЦ РАН. Мы благодарны сотрудникам университета Нового Южного Уэльса (Австралия) A.R. Hamilton, O. Klochan и D.Q. Wang за возможность сравнения расчетов и теории с экспериментальными данными.
ru
Предложена простая модель для описания самоорганизации локализованных зарядов и квантового рассеяния в нелегированных структурах GaAs/AlGaAs, в которых двумерный газ электронов, либо дырок создается соответствующим напряжением на затворе. Предполагается, что в такой структуре металл—диэлектрик—нелегированный полупроводник доминирует рассеяние носителей на локализованных поверхностных зарядах, которые могут находиться в любой точке плоскости, имитирующей интерфейс между GaAs и диэлектриком. Предложенная модель рассматривает эти поверхностные заряды и соответствующие заряды изображения в металлическом затворе как замкнутую систему в термостате. Электростатическая самоорганизация для данной системы в состояниях термодинамического равновесия исследована численно с помощью алгоритма Метрополиса в широком диапазоне температур. Показано, что при T > 100 К простая формула, выведенная из теории двумерной однокомпонентной плазмы дает почти такое же поведение структурного фактора при малых волновых числах, как алгоритм Метрополиса. Времена рассеяния затворно-индуцированных носителей описываются формулами, в которых структурный фактор характеризует замороженный беспорядок в данной системе. В этих формулах определяющим является поведение структурного фактора при малых волновых числах. Расчет по этим формулам при беспорядке, отвечающем бесконечной T, дал в два-три раза меньшие времена рассеяния, чем в соответствующих экспериментах. Мы нашли, что теория согласуется с экспериментом при температуре замерзания беспорядка T ≈ 1000 К в случае образца с двумерным электронным газом и T ≈ 700 К для образца с двумерным дырочным газом. Найденные величины являются оценкой сверху температуры замерзания в изучаемых структурах, поскольку модель игнорирует другие источники беспорядка кроме температуры.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/95
2018-11-23T16:27:37Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/95
2018-11-23T16:27:37Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 4 (2013); 58-62
ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2015-03-16 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/95
глубокие уровни запрещенной зоны полупроводника; метод исследования глубоких уровней; математическая модель метода; температурное сканирование; температурный спектр уровней
ru
Предложен принципиально новый метод измерения параметров энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводников от 0,07 до 0,4 эВ, основанный на интегрировании релаксирующего заряда этих уровней и дифференцировании интеграла заряда модулированием ширины временного окна импульса напряжения смещения малой амплитуды. Представлен мате- матический аппарат предложенного метода, позволяющий моделировать температурный спектр энергетических уровней. Показано, что определение энергетического положения глубокого уровня возможно при одном проходе температурного сканирования, что снижает трудоемкость эксперимента. Проведено экспериментальное исследование энергетических уровней в светодиодной структуре зеленого свечения на основе AlGaN/InGaN/GaN. Выявлены уровни ∆Et = 0,14 ± 0,01 и ∆Et = 0,2 ± 0,015 эВ предположительно принадлежащие VGa и Mg соответственно.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/281
2020-04-29T13:44:54Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/281
2020-04-29T13:44:54Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 2 (2018); 112-121
Контактные и бесконтактные методы измерения параметров пористого кремния
Array, Array Array; Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Array, Array Array; Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2019-06-20 19:45:09
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/281
пористый кремний; удельное электросопротивление; бесконтактный метод; четырехзондовый метод; электрохимическое травление
ru
Бесконтактные методы измерения параметров представляют особый интерес для наноматериалов, к которым относится и пористый кремний, так как при измерении их параметров контактными методами наноструктура может быть необратимо нарушена. Актуальным вопросом является интерпретация результатов измерений параметров наноматериалов бесконтактными методами и сопоставление их с результатами, полученные с помощью традиционных контактных методов. Контактным и бесконтактным методами проведены измерения удельного электросопротивления (УЭС) образцов монокристаллических пластин кремния с созданным на их поверхности пористым слоем различной толщины. Пористый слой создавали на поверхностях монокристаллических пластин с хорошо выраженным микрорельефом: текстурированных и шлифованных. В качестве контактного был выбран классический четырехзондовый метод с линейным расположением зондов, в качестве бесконтактного — резонаторный СВЧ-метод, основанный на явлении поглощения СВЧ-излучения свободными носителями заряда. По результатам измерений построены карты распределения УЭС по площади образцов. Показано качественное совпадение картин распределения УЭС, полученных контактным и бесконтактным методом. Для анализа картины разброса значений удельного сопротивления по площади образцов проведено моделирование распределения поля в электролите при формировании пористого слоя в ячейке с непланарным анодом. Особенности пространственного распределения УЭС для каждого типа образцов объясняются особенностями механизма порообразования, которые, в свою очередь, задаются исходным микрорельефом поверхности и картиной распределения поля в электролите в данном конкретном случае.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/502
2023-05-21T20:22:23Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/502
2023-05-21T20:22:23Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 25, № 4 (2022); 312-322
Влияние условий вакуумного спекания на свойства люминесцентной керамики Y3Al5O12: Ce
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1383
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1384
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1385
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1386
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1387
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1388
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1389
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1390
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1391
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1392
https://met.misis.ru/jour/article/download/502/1393
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук;
Казанский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Array, Array Array; АО «НИИ НПО «ЛУЧ»
2023-01-10 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/502
YAG:Ce; люминесценция; керамика; вакуумное спекание; концентрация активатора; оптические свойства
Работа выполнена в рамках государственного задания Северо-Кавказского федерального университета № 075-01281-22-05 с использованием ресурсов центра коллективного пользования Северо-Кавказского федерального университета.
ru
В данном исследовании были изучены оптические и люминесцентные свойства керамики иттрий-алюминиевого граната, легированного церием (Y3-хСехAl5O12) с различным содержанием активатора. Концентрация церия варьировалась в пределах 0,01—0,025 ф. ед. Была исследована морфология керамических порошков. Показано, что концентрация активатора не оказывает влияния на гранулометрический состав керамических порошков. По результатам исследования оптических свойств керамики Y3-хСехAl5O12 были выявлены зависимости оптического пропускания света от концентрации активатора и от температуры вакуумного спекания. Были исследованы зависимости температуропроводности керамических образцов от концентрации церия и температуры вакуумного спекания. Исследования люминесцентных свойств керамики показали, что изменение концентрации церия в твердом растворе Y3-хСехAl5O12 приводит к смещению максимума полосы люминесценции, в то время как увеличение температуры вакуумного спекания с 1675 до 1800 °С приводит к сужению полосы люминесценции.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/519
2023-12-29T07:58:03Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/519
2023-12-29T07:58:03Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 3 (2023)
Источник нейтронов для исследования биологических объектов сформированный из поверхностно соприкасающихся конусов, выполненных из борированных сферопластиков
Array, Array Array; Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук
Россия
2023-10-30 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/519
композитный нейтронопоглощающий материал; эпитепловые и надэпитепловые нейтроны; проверка эффективности радиосенсибилизаторов; нейтронный «биологический» канал
Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках Соглашения № 075-15-202. Автор выражает благодарность В.А. Рябову и И.Н. Завестовской за обсуждение аспектов технического решения по проектированию исследовательского канала на нейтронах, для возможностей применения нейтронного канала на ускорителе «Прометеус». Автор выражает благодарность В.Е. Балакину за обсуждение аспектов технического решения по проектированию исследовательского канала на нейтронах, для биологических экспериментов на ускорителе «Прометеус». втор выражает благодарность А.И. Львову за обсуждение испытания электронных компонентов детектора нейтронов камеры МИК на ускорителе «Прометеус» (6 июня 2023 г.) и ускорителе «Пахра» на сеансе в марте 2023 г.
ru
На медицинском ускорителе «Прометеус» при энергии пучка протонов 225 МэВ был сконструирован источник быстрых и эпитепловых нейтронов, а также проведены измерения дозных профилей нейтронов на выходе нейтронного канала с помощью детектора БДМН-100. Для получения быстрых нейтронов применялась тяжелая мишень NaI. Совместно с исследовательской лабораторией ЦЗЛ АО «Авангард» разработан новый защитный материал от нейтронов c разным процентным соотношением 10B под названием wikineutron. На его основе формировалась теневая защита, выполненная в виде поверхностно соприкасающихся конусов, конструирующая канал быстрых и эпитепловых нейтронов. Разработанный нейтронный канал может использоваться для проведения медицинских работ по созданию новых радиофармпрепаратов, содержащих бор и другие сильнопоглощающие элементы. Возможно также применение нейтронного источника от ускорителя «Прометеус» для терапии поверхностно расположенных опухолей. Основной целью работы было формирование на основе разработанных нейтронопоглощающих материалов нейтронного канала, который обладает простой конструкцией и может быть применен для борнейтронзахватной и «надэпитепловой» терапии, а также создание на нейтронном канале пучка эпитепловых и надэпитепловых нейтронов для оценки эффективности применения радиофармпрепаратов. Разработанные нейтронопоглощающие материалы позволили создать нейтронный канал эпитепловых и надэпитепловых нейтронов для терапии и разработки радиосенсибилизаторов на основе золота.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/30
2015-03-14T23:02:46Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/30
2015-03-14T23:02:46Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 1 (2013); 28-34
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ
Array, Array Array; Физико−технический институт РАН им. А. Ф. Иоффе, 194021, г. Санкт−Петербург, Политехническая ул., д. 26
Array, Array Array; НПО «ФИД−Техника», 195220, г. Санкт−Петербург, Гжатская ул., д. 27, Лит. А
ООО «Силовые полупроводники», 195220, г. Санкт−Петербург, Гжатская ул., д. 27, Лит. А
2015-03-15 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/30
рентгеновская топография; кремний; дефекты; многослойные эпитаксиальные слои; силовые приборы; электрические характеристики
ru
Методами рентгеновской дифракционной топографии исследованы дефекты в многослойных эпитаксиальных структурах на основе кремния, предназначенных для использования в качестве исходного материала для изготовления силовых эпитаксиально-диффузионных полупроводниковых приборов. Показано, что основными дефектами в исходных эпитаксиальных слоях являются сетки дислокаций с неравномерным распределением дислокаций как по толщине, так и по площади слоев в виде плотных рядов (дислокационных стенок) или полос скольжения, оказывающих влияние на электрические характеристики силовых приборов.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/297
2019-04-09T13:12:27Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/297
2019-04-09T13:12:27Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 19, № 4 (2016); 279-283
Кристаллохимические особенности простейших и смешанно–слоистых оксидов висмута
Array, Array Array; Смоленская государственная сельскохозяйственная академия
2016-12-30 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/297
сегнетоэлектрики; висмутсодержащие слоистые соединения; кристаллохимическая формула; перовскитоподобные слои
ru
Семейство висмутсодержащих сегнетоэлектриков со слоистой структурой уже более полувека вызывает устойчивый интерес исследователей как с теоретической, так и с практической точки зрения. Теоретический интерес обусловлен своеобразной структурой соединений, имеющих высокую температуру размытого сегнетоэлектрического перехода, практический — возможностью получения многофункциональных материалов. Дан кристаллохимический анализ наименее изученных разновидностей семейства, а именно: простейшим составам типа «Bi2O3 — второй оксид» и сложным структурам прорастания — соединениям с так называемым смешанно− слоистым строением решеток. Для описания составов рассмотренных типов структур предложены кристаллохимические формулы, которые должны способствовать более целенаправленному синтезу новых соединений семейства. Показано, что образование смешанно−слоистых структур срастания (прорастания) определяется условиями синтеза и не представляет исключительного явления. Вопрос об устойчивости (степени неустойчивости) таких сложных структурных образований остается открытым. Существование подобных соединений вызывает интерес, который обусловлен очевидной возможностью синтеза новых составов семейства с многофункциональными свойствами. Кроме того, подобные системы представляют интерес и для физики твердого тела в целом как объекты исследования и получения дополнительной информации, касающейся размытых фазовых переходов.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/479
2022-10-31T07:48:18Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/479
2022-10-31T07:48:18Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 25, № 2 (2022); 154-163
Возможности многоугловой спектрофотометрии для определения параметров пленок на однослойных структурах
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2022-07-21 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/479
многоугловые методы спектрофотомерии; спектральный коэффициент пропускания; спектральный коэффициент отражение; показатель поглощения; коэффициент преломления
Исследования проводились при финансовой поддержке госзадания FSME-2020-0031 (0718-2020-0031). Измерения проведены в МУИЛ Полупроводниковых материалов и диэлектриков «Монокристаллы и заготовки на их основе» (ИЛМЗ) НИТУ «МИСиС».
ru
Методом магнетронного распыления постоянного тока изготовлены однослойные пленки Ta—Si—C—N на подложках из плавленого кварца. Структурное совершенство пленок исследовано методами рентгеноструктурного анализа, сканирующей электронной микроскопии и оптической эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда. Оптические параметры пленок определены методом многоугловой спектрофотомерии. Получены спектральные зависимости коэффициентов пропускания подложек и структур при нормальном падении света в диапазоне длин волн 200—2500 нм. Показано, что спектр коэффициентов пропускания образца имеет осциллирующий характер, который обусловлен интерференционными явлениями, характерными для слоистых структур. Измерены спектральные зависимости коэффициентов отражения пленок и подложек в диапазоне длин волн 200—2500 нм при малых углах падения света. По величине разницы между коэффициентом отражения в максимуме интерференции пленки и соответствующим коэффициентом отражения подложки при этой же длине волны показано, что поглощение в пленке мало. Получена формула для определения коэффициента поглощения пленки по измеренным параметрам. На основании экспериментальных и расчетных данных построены спектральные зависимости коэффициентов поглощения подложки, структуры и пленки. Методом отражения при двух углах падения, основанном на определении положения интерференционных экстремумов на спектральных зависимостях коэффициентов отражения, рассчитаны дискретные значения коэффициентов преломления в диапазоне длин волн 400—1200 нм. Полученные величины аппроксимированы уравнением Коши. Рассчитана толщина пленки, которая составила dпл. = 1046 нм ± 13 %. Построены спектральные зависимости показателей ослабления пленки с учетом и без учета отражения. Представлена сводная таблица с полученными значениями коэффициентов преломления и показателей поглощения с учетом и без учета отражения.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/184
2016-11-15T10:58:37Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/184
2016-11-15T10:58:37Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 4 (2014); 290-296
ПИРОЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ КОМПОЗИТА ФЕРРИТ/ТИТАНАТ БАРИЯ
Array, Array Array; Пермский национальный исследовательский политехнический университет, Комсомольский просп., д. 29, Пермь, 614600, Россия
2016-06-08 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/184
пьезокомпозит;краевая задача электромагнитоупругости;эффективные пироэлектрические свойства
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/328
2020-04-11T13:10:36Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/328
2020-04-11T13:10:36Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 22, № 2 (2019); 112-117
Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si
Array, Array Array; ИПТМ РАН, 142432, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6
Array, Array Array; ИПТМ РАН, 142432, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6
Array, Array Array; ИПТМ РАН, 142432, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6
2020-02-13 12:41:41
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/328
оксид кремния, низкоэнергетичный электронный пучок, МДП структура, C-V характеристики
Работа была поддержана грантом РФФИ №18-32-00323.
ru
Проведено исследование влияния облучения электронами с энергией 2.5 кэВ на вольт-фарадные (C-V) характеристики металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) структуры Al/SiO2/Si. При выбранной энергии пучка глубина проникновения электронов меньше толщины диэлектрика, что позволяет выявить вклад переноса неравновесных носителей заряда в формирование ловушек на границе раздела SiO2/Si. Установлено, что воздействие низкоэнергетичного электронного пучка приводит существенному изменению наклона C-V характеристик, т.е. к образованию ловушек на границе раздела. Проведено исследование влияния приложенного к исследуемой структуре напряжения как до облучения электронным пучком, так и во время облучения. Было установлено, что, напряжение обеих полярностей, приложенное к исследуемой МДП структуре, до ее облучения низкоэнергетичным электронным пучком практически не влияет на C-V характеристики исследуемой МДП структуры. При этом положительное напряжение, приложенное к металлизации в процессе облучения низкоэнергетичным электронным пучком, оказывает существенное влияние на характер изменений C-V кривых, а отрицательное практически не оказывает влияния на C-V характеристики. Исследование стабильности изменений, вызванных облучением электронным пучком, показало, что C-V кривые исследуемой структуры медленно восстанавливаются даже при комнатной температуре. При этом приложенное отрицательное напряжение замедляло процесс релаксации накопленного заряда.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/248
2018-11-23T16:25:44Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/248
2018-11-23T16:25:44Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 1 (2017); 67-76
РОСТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СВИНЦОВО−КИСЛОТНОГО АККУМУЛЯТОРА ПОД ВЛИЯНИЕМ МИКРОУГЛЕРОДНЫХ ДОБАВОК
Array, Array Array; Юго−Западный государственный университет.
Array, Array Array; Юго−Западный государственный университет.
Array, Array Array; Юго−Западный государственный университет.
Array, Array Array; Юго−Западный государственный университет.
2018-05-22 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/248
свинцово−кислотная батарея; электродные материалы; технический углерод; гибридный углерод; активная масса; циклический режим
ru
Исследованы особенности и изменения микроструктуры электродного материала отрицательного электрода свинцово−кислотных стартерных аккумуляторных батарей, возникающие при добавлении двух различных образцов углерода: технического или гибридного. Проведен рентгенофазовый и электронно− микроскопический анализ материала электрода. Установлено, что использование технического или гибридного углерода в качестве добавки к материалу отрицательного электрода оказывает влияние на его структуру, вызывая изменения в процессах его пропитывания и формирования. На основании структурных исследований предложено качественное описание, в соответствии с которым гибридный углерод повышает дисперсность отрицательной активной массы, затрудняет диффузию сульфат−ионов. Проведены типовые испытания путем интенсивного циклирования в не полностью заряженном состоянии свинцово−кислотных стартерных батарей в режиме «заряд—разряд». Батареи изготовлены с использованием отрицательных пластин с добавками технического или гибридного углерода. Определено влияние каждого типа углеродной добавки на электрические характеристики стартерных батарей. Так, показано, что добавка гибридного углерода способствует увеличению срока службы стартерных батарей при эксплуатации в не полностью заряженном состоянии. Такая добавка повышает прием заряда в среднем на 9 % и устойчивость батареи к глубокому разряду, когда падение емкости составляет не более 4,4 %, а в случае использования технического углерода падение емкости составляет 7,2 %.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/441
2023-07-12T07:10:09Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/441
2023-07-12T07:10:09Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 24, № 2 (2021); 119-130
Исследование влияния кратковременного воздействия кислородной и водородной плазмы на состав и структуру тонких пленок диоксида олова
Array, Array Array; Казахский национальный исследовательский технический университет имени К. И. Сатпаева
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2021-08-30 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/441
тонкие пленки олова; сопротивление пленок; обработка плазмой; оптические свойства пленок
ru
Современные технологии не обходятся без производства тонких пленок диоксида олова, которые наиболее широко применяются в основном в трех областях: в качестве прозрачных электродов, катализаторов и твердотельных сенсоров различных газов. Применение их в качестве прозрачных электродов связано с высоким коэффициентом пропускания слоев диоксида олова в оптическом диапазоне, а также с их низким удельным электрическим сопротивлением. Рассмотрено влияние кратковременного воздействия плазмы на состав и структуру тонких пленок диоксида олова, полученных из раствора пятиводного тетрахлорида олова в 97%-ном этаноле с различной концентрацией ионов олова. Выявлен линейный характер зависимости толщины пленок диоксида олова SnO2 от концентрации раствора и количества нанесенных слоев. Обнаружено уменьшение электрического сопротивления пленок с повышением концентрации исходного раствора и увеличением количества слоев. Показано, что обработка пленок SnO2 водородной плазмой позволяет снизить их электрическое сопротивление без уменьшения прозрачности. Обработка кислородной плазмой снижает прозрачность пленок SnO2, а сопротивление пленок увеличивается с увеличением длительности такой обработки.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/136
2015-06-25T19:02:30Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/136
2015-06-25T19:02:30Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 2 (2014); 148-151
ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001)
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
2015-06-25 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/136
кремний;германий;рентгеновская дифрактометрия;дислокации несоответствия.
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/334
2019-11-01T13:31:38Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/334
2019-11-01T13:31:38Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 3 (2018); 182-193
Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT
Array, Array Array; АО «НПП «Пульсар»
Array, Array Array; АО «НПП «Пульсар»
Array, Array Array; АО «НПП «Пульсар»
Array, Array Array; АО «НПП «Пульсар»
2019-10-31 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/334
гетероструктура;СВЧ−транзистор;HEMT;вжигаемый омический контакт;микрорельеф;ток утечки;удельное сопротивление
ru
Аннотация. Рассмотрено влияние микрорельефа, дислокационной структуры и других дефектов эпитаксиальных слоев в областях истока и стока нитридных транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на параметры формируемых омических контактов. Исследования проведены непосредственно на кристаллах мощных СВЧ−транзисторов, изготовленных на гетероструктурах GaN/AlGaN/GaN/SiC. Омические вжигаемые контакты сформированы с использованием композиций Ti—Al—Mo—Au и Ti—Al—Ni—Au. Для оценки структурных особенностей контактных областей исследован микрорельеф поверхности на границе раздела «вжигаемый контакт/AlGaN» и сформированные на ней дефекты. Установлено, что сопротивление областей исток и сток в значительной мере определяются микроструктурой поверхности на границе. Экспериментально показано формирование проводящего слоя в AlGaN под вжигаемым омическим контактом. Продемонстрирована возможность образования нового вида структурных дефектов с высоким аспектным отношением в контактных и активных областях приборов при формировании омических вжигаемых контактов. Показано, что появление высоких плотностей такого рода дефектов приводит к увеличению токов утечки приборов.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/402
2023-06-03T12:34:33Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/402
2023-06-03T12:34:33Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 24, № 4 (2021); 267-274
Влияние добавок кальция на анодное поведение проводникового алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей), в среде электролита NaCl
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина Национальной академии наук Таджикистана
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина Национальной академии наук Таджикистана
Array, Array Array; Дангаринский государственный университет
Array, Array Array; Таджикский технический университет имени академика М.С. Осими
2022-01-15 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/402
проводниковый алюминиевый сплав E-AlMgSi (алдрей); кальций; потенциостатический метод; электролит NaCl; скорость коррозии; потенциалы свободной коррозии и питтингообразования
ru
При создании новых материалов, предназначенных для работы в особо жестких условиях, встает задача придания им коррозионной стойкости. Практическое решение проблемы связано с уровнем знаний в области противокоррозионной защиты металлов и сплавов. При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки могут возникнуть определенные сложности. Это связано с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны новые алюминиевые сплавы, которые в мягком состоянии обладают удовлетворительными прочностными характеристиками, что позволяет использовать их в качестве проводникового материала. Одним из известных проводниковых сплавов является алюминиевый сплав E-AlMgSi (алдрей). Этот сплав относится к термоупрочняемым сплавам. Данный сплав отличается хорошей пластичностью и высокой прочностью. При соответствующей термической обработке сплав приобретает высокую электропроводность. Провода, изготовленные из него, используются почти исключительно для воздушных линий электропередач.В данной работе представлены результаты исследования коррозионного поведения алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей) с кальцием, в среде электролита 0,03, 0,3 и 3,0 % NaCl. Исследование анодного поведения сплавов проводились потенциостатическим методом на потенциостате ПИ-50-1.1 при скорости развертки потенциала 2 мВ/с. Легирование алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) кальцием повышает его коррозионную устойчивость на 15—20 %. Потенциалы коррозии, питтингообразования и репассивации сплавов, содержащих кальций смещаются в положительную область значений. От концентрации электролита хлорида натрия указанные потенциалы уменьшаются.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/229
2017-12-15T06:41:05Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/229
2017-12-15T06:41:05Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 18, № 4 (2015); 291-296
РАДИАЦИОННО–ИНДУЦИРОВАННАЯ ДЕГРАДАЦИЯ КМОП–ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МОЩНОСТИ ДОЗЫ И ТЕМПЕРАТУРЫ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ
Array, Array Array; ФГУП «Научно−исследовательский институт приборов»;
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; ФГУП «Научно−исследовательский институт приборов»
Array, Array Array; ФГУП «Научно−исследовательский институт приборов»
2017-12-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/229
операционные усилители; дозовые ионизационные эффекты; эффекты низкоинтенсивного облучения
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/388
2022-05-03T13:25:23Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/388
2022-05-03T13:25:23Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 23, № 3 (2020); 222-228
Влияние щелочноземельных металлов на теплоемкость и изменение термодинамических функций сплава АК1М2 на основе особо чистого алюминия
Array, Array Array; Таджикский технический университет имени академика М.С. Осими
Array, Array Array; Худжандский государственный университет им. академика Б. Гафурова
Array, Array Array; Худжандский государственный университет им. академика Б. Гафурова
Array, Array Array; Таджикский технический университет имени академика М.С. Осими
Array, Array Array; Институт химии им. В. И. Никитина АН Республики Таджикистан
2020-11-18 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/388
алюминиевый сплав АК1М2; кальций; стронций; барий; теплоемкость; энтальпия; энтропия; энергия Гиббса
ru
В последние годы наметился поворот в производстве интегральных микросхем — переход от использования однокомпонентных металлических материалов к высокочистым сплавам. Использование чистых металлов в качестве проводникового материала приводит к ряду технологических отклонений. Микролегирование металла основы позволяет устранить эти недостатки. Особо чистый алюминий с минимальным содержанием примесей широко используется в электронной технике для изготовления токопроводящих дорожек интегральных микросхем. Поэтому разработка составов новых сплавов на основе этого металла является актуальной задачей. Одним из представителей данной группы сплавов на основе особо чистого алюминия является сплав АК1М2 (Al + 1 % Si + 2 % Cu). Последний сплав был принят в качестве модельного и подвергнут модифицированию щелочноземельными металлами (ЩЗМ).В режиме «охлаждения» по известной теплоемкости эталонного образца из меди определена теплоемкость сплава АК1М2 с ЩЗМ. При этом получены полиномы, описывающие скорости охлаждения образцов из сплава АК1М2 с ЩЗМ и из эталона. По экспериментально найденным значениям скоростей охлаждения образцов из сплавов и эталона (с учетом их массы) установлены полиномы температурной зависимости теплоемкости сплавов. Температурная зависимость теплоемкости сплавов описывается четырехчленным уравнением. Используя интегральную зависимость удельной теплоемкости сплавов, построены модели температурной зависимости изменений их термодинамических функций.С помощью полученных зависимостей установлено, что с ростом температуры теплоемкость и термодинамические функции сплавов увеличиваются. Добавки ЩЗМ незначительно уменьшают теплоемкость, энтальпию и энтропию исходного сплава АК1М2 и увеличивают значение энергии Гиббса. В пределах подгруппы ЩЗМ теплоемкость сплавов уменьшается, что коррелирует с теплоемкостью чистых ЩЗМ в пределах подгруппы.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/96
2018-11-23T16:27:37Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/96
2018-11-23T16:27:37Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 4 (2013); 63-66
СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ
Array, Array Array; Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Array, Array Array; Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Array, Array Array; Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Array, Array Array; Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Array, Array Array; Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Array, Array Array; Открытое акционерное общество «Государственный научно–исследовательский и проектный нститут редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»
Array, Array Array; Открытое акционерное общество «Государственный научно–исследовательский и проектный нститут редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»
2015-03-16 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/96
раздельное определение; сопротивление объема образца; сопротивление контактов; высокоомный полупроводник; образец−двухполюсник, засветка приконтактных областей
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/283
2023-12-29T22:22:40Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/283
2023-12-29T22:22:40Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 4 (2018); 227-232
Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs
Array, Array Array; Фрязинский филиал института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Фрязинский филиал института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Array, Array Array; Фрязинский филиал института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
2019-06-20 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/283
гетероструктура GaAs/AlGaAs; атомно-силовой микроскоп; двумерный электронный газ; наноструктура; импульсная силовая нанолитография; метод локального анодного окисления; квантовая проводимость канала
ru
При исследовании транспорта электронов в низкоразмерных структурах часто применяются полупроводниковые гетероструктуры с двумерным электронным газом, в которых тем или иным способом сформированы изолирующие области, отделяющие проводящий канал от затворов. Особенностями таких структур является высокое качество исходных пластин и необходимость изменения топологии в процессе исследования, что делает применение фотолитографии неэффективным.В настоящей работе рассматривается технология формирования изолирующих канавок при помощи атомно-силового микроскопа – метод импульсной силовой нанолитографии, позволяющий как работать с отдельными образцами, так и формировать на поверхности полупроводника узкие и глубокие канавки, обеспечивающие хорошие изоляционные характеристики. Измеренные транспортные характеристики созданных таким методом наноструктур подтверждают наличие квантования проводимости канала и отсутствие заметного количества вносимых дефектов.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/498
2023-05-21T20:07:43Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/498
2023-05-21T20:07:43Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 25, № 4 (2022); 323-336
Методы исследования дислокационной структуры полупроводниковых монокристаллов группы AIIIBV
https://met.misis.ru/jour/article/download/498/1373
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
2023-01-11 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/498
полупроводниковые монокристаллы; материалы электроники; плотность дислокаций; световая цифровая микроскопия; рентгеновская и электронная микроскопия
ru
Темпы развития современной электроники, помимо повышения спроса на полупроводниковые монокристаллы, приводят к возрастанию требований по их структурному совершенству. Плотность дислокаций и характер их распределения являются важнейшими характеристиками полупроводниковых монокристаллов, определяющими дальнейшую эффективность их применения в качестве элементов интегральных систем. В связи с этим изучение механизмов возникновения, скольжения и распределения дислокаций — одна из актуальных задач, которая ставит ученных перед выбором метода исследования. В данной работе приведен обзор современных методик исследования и подсчета плотности дислокаций в монокристаллах. Дан краткий анализ основных преимуществ и недостатков каждого метода, а также приведены экспериментальные результаты. Метод избирательного травления (световой оптической микроскопии) получил наибольшее распространения и в своем классическом варианте является очень эффективным при решении задач обнаружения дефектов, приводящих к браку, и оценки плотности дислокаций по числу ямок травления, пересчитанных на площадь поля зрения. С использованием цифровой световой микроскопии, за счет перехода от анализа изображений к матрице значений интенсивности отдельного пикселя и автоматизации процесса измерений, становится возможным количественный анализ по всему поперечному сечению монокристаллической пластины и анализ характера распределения структурных несовершенств. Метод рентгеновской дифракции традиционно используется для определения кристаллографической ориентации, но также позволяет оценить величину плотности дислокаций по уширению кривой качания в случае двухкристальной геометрии. Методы растровой электронной микроскопии во вторичных электронах и атомно-силовой микроскопии позволяют дифференцировать фигуры травления по природе их возникновения и детально изучить их геометрию.Просвечивающая электронная микроскопия и метод наведенных токов позволяют получать микрофотографию отдельных дислокаций, но требуют трудоемкой предварительной подготовки экспериментальных образцов. Рентгеновская топография дает возможность работать с массивными образцами и также обладает высокой разрешающей способностью, но в связи с высокой энергоемкостью процесса измерений слабо применима в условиях производства.Цифровая обработка изображений позволяет расширить спектр возможностей основных материаловедческих методов исследования дислокационной структуры и повысить объективность получаемых результатов.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/568
2024-03-05T10:48:59Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/568
2024-03-05T10:48:59Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Принято в печать
Механические свойства среднетемпературных термоэлектрических материалов на основе теллуридов олова и свинца
https://met.misis.ru/jour/article/download/568/1652
https://met.misis.ru/jour/article/download/568/1653
https://met.misis.ru/jour/article/download/568/1654
https://met.misis.ru/jour/article/download/568/1655
https://met.misis.ru/jour/article/download/568/1656
https://met.misis.ru/jour/article/download/568/1657
Array, Array Array; ООО «РМТ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
Array, Array Array; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
Array, Array Array; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Array, Array Array; Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Array, Array Array; ООО «РМТ»
2024-03-05 13:48:59
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/568
термоэлектрические материалы; теллурид свинца; теллурид олова; динамическое сжатие; теплопроводность; термоэлектрическая эффективность
Работа проведена в рамках выполнения государственного задания НИЦ «Курчатовский институт».
ru
Проведено исследование прочностных характеристик и термоэлектрических свойств среднетемпературных поликристаллических образцов р- и n-типа проводимости PbTe и Sn0,9Pb0,1Te соответственно. Образцы получали методами экструзии и искровым плазменным спеканием. Изучение прочностных характеристик материала проведено методом одноосного сжатия при температуре от 20 до 500 °С. Структура полученных материалов исследована методами рентгеновской дифрактометрии и электронной микроскопии. Электропроводность и коэффициент Зеебека измерены одновременно с использованием четырехзондового и дифференциального методов. Температуропроводность и удельная теплоемкость определены методами лазерной вспышки и дифференциальной сканирующей калориметрии. Методом экструзии и искровым плазменным спеканием получены однофазные и однородные по составу образцы PbTe и Sn0,9Pb0,1Te. При сопоставимых методах получения плотность дислокаций в образцах Sn0,9Pb0,1Te была на порядок меньше, чем в образцах PbTe. Исследование механических характеристик образцов n- и р-типа проводимости в широком диапазоне температур от 20 до 500 °С показало, что деформация является пластической без признаков хрупкого разрушения. Для таких пластичных материалов за критерий прочности принимали условный предел текучести, соответствующий напряжению при деформации 0,2 %. Для PbTe и Sn0,9Pb0,1Te предел текучести при 20 °С был значительно выше у образцов, полученных методом экструзии. Независимо от температуры и метода получения образцы Sn0,9Pb0,1Te были прочнее, чем PbTe. Образцы PbTe и Sn0,9Pb0,1Te, полученные методом экструзии, обладают более высокими термоэлектрическими свойствами, чем образцы, полученные искровым плазменным спеканием. При этом теплопроводность образцов PbTe и Sn0,9Pb0,1Te практически не зависела от способа компактирования.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/34
2015-03-15T10:06:08Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/34
2015-03-15T10:06:08Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 1 (2013); 35-37
ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА IN SITU РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ
Array, Array Array; Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3
Array, Array Array; Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3
Array, Array Array; Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3
Array, Array Array; «Научно−исследовательский институт перспективных материалов и технологий», 115054, г. Москва, М. Пионерская ул., д. 12
2015-03-15 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/34
кремний; магнетронное напыление; рентгеновская рефлектометрия
ru
В настоящее время особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования — in situ методы. Применение этих методов способствует получению пленок с заданными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса. Рассмотрены возможности метода in situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процессе их формирования. Приведены результаты экспериментов по магнетронному напылению наноразмерных пленок кремния и других материалов на кремниевые подложки.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/309
2019-06-17T16:31:39Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/309
2019-06-17T16:31:39Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 2 (2017); 122-128
Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках
Array, Array Array; Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Array, Array Array; Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Array, Array Array; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
Array, Array Array; Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
Array, Array Array; Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
2019-06-17 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/309
полупроводник; сферический кристаллит; изгиб энергетических зон; потенциальный барьер; электронный транспорт; электрические свойства; газовые сенсоры
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты № 16−32−60060 мол_а_дк и № 15−29−01185 офи_м).
ru
Проведен численный расчет распределения потенциала и параметров потенциального барьера для электронов в полупроводниковом кристаллите. Расчет выполнен в кристаллите сферической формы с равномерно распределенными поверхностными состояниями и равномерно распределенными донорами. При расчете учтено, что экранировка поверхностного заряда происходит на ионизованных донорах, а также на свободных электронах, экранировкой на которых нельзя пренебрегать в полупроводниках с высокой концентрацией свободных электронов. Показано, что высота потенциального барьера немонотонно зависит от концентрации доноров в кристаллите. При этом на зависимости высоты потенциального барьера от концентрации доноров можно выделить два участка, соответствующих случаям полного и частичного истощения кристаллита. На первом участке высота потенциального барьера возрастает с ростом концентрации доноров, а на втором — падает. Установлено, что высота потенциального барьера возрастает при увеличении концентрации поверхностных состояний. Оценена возможность появления поверхностных потенциальных барьеров в нано− и поликристаллических металлооксидных полупроводниках, применяемых в качестве чувствительного слоя газовых сенсоров. Сделан вывод о том, что в случае, когда радиус кристаллитов в металлооксидных полупроводниках не превышает 10 нм, объяснение чувствительности сенсора к газу с помощью часто используемой барьерной модели представляется маловероятным. Продемонстрирована необходимость учета формы кристаллита и экранирования поверхностного заряда свободными носителями для расчета ширины потенциального барьера.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/492
2023-07-13T13:20:14Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/492
2023-07-13T13:20:14Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 25, № 3 (2022); 238-244
Механизм образования пленкообразующей среды при высокочастотном напылении сегнетокерамики состава BaxSr1-xTiO3
Array, Array Array; Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
2022-09-22 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/492
тонкопленочная сегнетокерамика; высокочастотная кислородная плазма; спектр излучения; пленкообразующая среда; энергия иона; механизм распыления
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 22-19-00493).
ru
Рассмотрен механизм образования пленкообразующей среды при высокочастотном напылении пленок титаната бария стронция (BaxSr1-xTiO3) в кислороде. Исследование пленкообразующей среды методом масс-спектрометрии показало, что при распылении BaxSr1-xTiO3 в кислородной плазме энергия ионов кислорода 10-17—10-16 Дж достаточна для перевода многоатомных молекул с поверхности в газовую фазу и недостаточна для разрушения молекулы на составные компоненты как в веществе мишени, так и в газовой фазе. Анализ масс-спектров показал, что в диапазоне напряжений 450—550 В, в газовой фазе регистрируются ионизированные частицы с массовым числом 190—200, близкие к молярной массе соединения Ва0,8Sr0,2TiO3±х. Выращенные поликристаллические пленки по химическому составу аналогичны составу мишени Ва0,8Sr0,2TiO3. При увеличении напряжении смещения в пленкообразующей среде вместе с Ва0,8Sr0,2TiO3±х регистрируются ионы с более низкими массами, причем концентрация числа ионов с низкой массой увеличивается с возрастанием напряжения смещения, а сформированные поликристаллические пленки, наряду с Ва0,8Sr0,2TiO3, содержат соединения ВаTiO3, SrTiO3, ВаO и SrO. Показана динамика образования пленкообразующей среды при напылении пленок Ba0,8Sr0,2TiO3. Установлены параметры высокочастотного разряда, условия и режимы, необходимые для воспроизводимого выращивания пленок BaxSr1-xTiO3.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/195
2018-11-23T16:29:04Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/195
2018-11-23T16:29:04Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 18, № 3 (2015); 205-211
СВОЙСТВА ДИФЕНИЛ–2;2';4;4'–ТЕТРААМИНА И ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МИШЕНЬ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРОННО–ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ЕГО ОСНОВЕ
Array, Array Array; Российская корпорация ракетно−космического приборостроения и информационных систем, АО, Москва
Array, Array Array; Инфрасистемс, ЗАО, Москва
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва
Array, Array Array; Московский государственный университет, Научно–исследовательский вычислительный центр, Москва
Array, Array Array; Инфрасистемс, ЗАО, Москва
2016-10-22 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/195
дифенил−2;2';4;4'− тетраамин; квантово−химическое моделирование; пироэлектрический материал; тонкопленочная структура; тепловой приемник инфракрасного излучения; пироэлектрический электронно− оптический преобразователь
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/369
2021-08-30T12:58:46Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/369
2021-08-30T12:58:46Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 23, № 1 (2020); 71-77
Электропроводность монокристаллов YBa2Cu3O7-δ в условиях анионного упорядочения в слоях Cu(1)O1-δ
Array, Array Array; Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению НАН Беларуси
2020-04-30 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/369
высокотемпературная сверхпроводимость; монокристаллы YBa2Cu3O7-d, кислородная нестехиометрия, электропроводность, параметр порядка
Программа ЕС "Горизонт-2020"(проект H2020-MSCA-RISE-2017-778308 – SPINMULTIFILM); задание 1.02 ГПНИ Республики Беларусь «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Материаловедение и технологии материалов»
ru
Изучено влияние термоциклирующих отжигов на степень кислородного упорядочения (параметр порядка) в монокристаллах YBa2Cu3O7-δ. Установлено, что увеличение значений критической температуры начала перехода в сверхпроводящее состояние при этапных отжигах согласуется с уменьшениями параметра σс/σаb, что указывает на перераспределение электронной плотности между структурно–неоднородными плоскостями Cu2O2 и Cu1O1–δ за счет формирования длинноцепочечного упорядочения кислорода в линейных группах O4-Cu1-O4 вдоль кристаллоструктурной оси (b) элементарной ячейки, и устранению кислородных дефектов в квадратных сетках плоскостей Cu(2)O2. Доказано, что существует критическая величина анизотропии электропроводности σс/σаb, ниже которой ее поведение не коррелирует с изменением Тс. В этом случае увеличение Тс и орторомбического искажения кристаллической структуры при изотермических отжигах является результатом усиления «межслойного» взаимодействия между плоскостями Cu(2)О2 и Cu(1)О1-δ. В результате увеличивается вклад в электронную плотность состояния на уровне Ферми цепочечных слоев Cu(1)О1-δ, которые могут быть сверхпроводящими за счет туннелирования куперовских пар из плоскостей Cu2О2, формируя в них наведенную сверхпроводимость.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/271
2019-02-19T07:45:31Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/271
2019-02-19T07:45:31Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 19, № 2 (2016); 115-123
Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе
Array, Array Array; АО «НПП» Пульсар»
Array, Array Array; АО «НПП» Пульсар»
Array, Array Array; АО «НПП» Пульсар»
Array, Array Array; АО «НПП» Пульсар»
2016-06-16 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/271
гетероструктуры AlGaN/GaN; барьеры Шотки; НЕМТ- транзисторы; вольт-фарадные характеристики; последовательная и параллельная схемы замещения; годограф импеданса цепи; генерационно- рекомбинационный вклад
ru
Проведен комплекс исследований частотных зависимостей вольт- фарадных характеристик гетероструктур AlGaN/GaN, а также барьеров Шотки областей затвор—исток и затвор—сток кристаллов AlGaN/GaN/ SiC НЕМТ-транзисторов с целью выяснения причин появления в ряде случаев нестабильности емкости.Исследованы кристаллы мощных AlGaN/GaN/SiC СВЧ-транзисторов Х-диапазона с длиной затвора 0,25 мкм и гетероструктуры, выращенные МОСVD-эпитаксией. Для уточнения распределения эпитаксиальных слоев по глубине гетероструктур проведен послойный элементный анализ (Al, Ga и Si) методом масс-спектрометрии вторичных ионов. По явление пика возрастания емкости на С—V-характеристиках гетероструктур AlGaN/GaN при низкочастотных измерениях зафиксировано на структурах с частично легированным кремнием барьерным слоем AlGaN и на гетероструктурах с «толстым» верхним слоем i-GaN. Появление аналогичного характерного пика на низких частотах наблюдалось и на С—V-кривых барьеров Шотки систем затвор—сток и затвор— исток ряда НЕМТ-транзисторов.Проведен анализ изменения сопротивления Rs при измерении на разных частотах и разном напряжении смещения с построением годографа импеданса последовательной RC- цепи. Анализ годографов для ряда исследованных транзисторов показал, что в большинстве случаев появление пика нестабильности на частотах 20—500 кГц связано в большей степени со сквозными токами утечки в барьерном слое, а на частотах 1—20 кГц с генерационно-рекомбинационными центрами в барьерном слое или на границе AlGaN—GaN.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/444
2022-06-01T18:20:03Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/444
2022-06-01T18:20:03Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 24, № 3 (2021); 190-198
Выращивание монокристаллов антимонида индия диаметром 100 мм модифицированным методом Чохральского
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский
и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский
и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский
и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Государственный научно-исследовательский
и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
2021-09-21 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/444
метод Чохральского, антимонид индия, диаметр 100 мм, монокристалл, технология, тепловой узел, плотность дислокаций, однородность
ru
Сегодня во всем мире наблюдается тенденция к увеличению диаметров монокристаллов как элементарных полупроводников, так и полупроводниковых соединений. Согласно литературным данным, речь уже идет об использовании монокристаллов соединений AIIIBV диаметром от четырех до шести дюймов. До настоящего времени в России были получены монокристаллы антимонида индия диаметром до 75 мм. Антимонид индия является элементной базой наиболее широкой области твердотельной электроники — оптоэлектроники. На его основе изготавливаются линейные и матричные фотоприемники, работающие в спектральном диапазоне длин волн 3—5 мкм, которые используются в качестве светочувствительный материал в системах тепловидения элемента в системах тепловидения.Проведен подбор тепловых условий выращивания и получены монокристаллы антимонида индия диаметром 100 мм в кристаллографическом направлении [100]. Монокристаллы диаметром 100 мм выращивали методом Чохральского в двухстадийном процессе. Конструкция графитового теплового узла была увеличена и подобрана под рабочий тигель диаметром 150 мм и загрузку 4,5—5 кг. Решение поставленной задачи позволило существенным образов увеличить выход годных фотоприемных устройств.Методом Ван-дер-Пау были измерены электрофизические свойства полученных монокристаллов, которые соответствовали стандартным параметрам нелегированного антимонида индия. С помощью оптического микроскопа проводился подсчет ямок травления по методу 9 полей. Плотность дислокаций в кристаллах диаметром 100 мм составляла ≤ 100 см-2 и соответствовала значениям для кристаллов диаметром 50 мм.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/144
2015-07-28T18:03:49Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/144
2015-07-28T18:03:49Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 3 (2014); 206-210
МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН
Array, Array Array; Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого, Китайгородский проезд, д. 9/5, Москва, 103074, Россия
Array, Array Array; Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого, Китайгородский проезд, д. 9/5, Москва, 103074, Россия
2015-06-26 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/144
лазерная обработка, пластина, квазистатическая задача термоупругости, неразрушающие режимы, диэлектрические и полупроводниковые материалы.
ru
В рамках квазистатической несвязанной задачи термоупругости рассмотрен односторонний нагрев пластины со свободной поверхностью импульсным лазерным излучением. Получено аналитическое соотношение, являющееся критерием термопрочности пластины и позволяющее определять неразрушающие режимы лазерной обработки диэлектрических и полупроводниковых пластин. Модель расчета получена при допущении о независимости теплофизических, механических и оптических свойств материалов от температуры. Проведена экспериментальная проверка адекватности модели расчета, показавшая вполне удовлетворительное согласование расчетных и экспериментальных данных.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/321
2020-04-24T10:58:27Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/321
2020-04-24T10:58:27Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 22, № 2 (2019); 128-134
Коррозионно-электрохимическое поведение алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей) с оловом в среде электролита NaCl
Array, Array Array; Таджикский технический университет им М.С. Осими
Array, Array Array; Дангариский государственный университет
Array, Array Array; Институт химии им. В. И. Никитина АН Республики Таджикистан
Array, Array Array; Дангариский государственный университет
Array, Array Array; Институт энергетики Таджикистана
2020-01-18 17:20:55
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/321
алюминиевый сплав E-AlMgSi (алдрей); олово; потенциостатический метод; электролит NaCl; потенциал свободной коррозии; потенциал коррозии; потенциал питтингообразования; скорость коррозии
ru
Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Экономическая целесообразность применения алюминия в качестве проводникового материала объясняется благоприятным соотношением его стоимости и стоимости меди. Кроме того следует учесть и тот фактор, что стоимость алюминия в течение многих лет практически не меняется.При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, обмоточного провода и т. д. могут возникнуть определенные сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны алюминиевые сплавы, которые даже в мягком состоянии обладают прочностными характеристиками, позволяющими использовать их в качестве проводникового материала. Проводниковые алюминиевые сплавы типа E-AlMgSi (алдрей) являются представителями данной группы сплавов и относится к термоупрочняемым сплавам. Они отличается высокой прочностью и хорошей пластичностью. Данные сплавы при соответствующей термической обработке приобретают высокую электропроводность. Изготовленные из них провода используются почти исключительно для воздушных линий электропередач.В работе представлены результаты исследования анодного поведения алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) с оловом, в среде электролита 0,03, 0,3 и 3,0%-ного NaCl. Коррозионно-электрохимические исследования сплавов проведены потенциостатическим методом на потенциостате ПИ-50-1.1 при скорости развертки потенциала 2 мВ/с. Показано, что легирование сплава E-AlMgSi (алдрей) оловом повышает его коррозионную устойчивость на 20 %. Основные электрохимические потенциалы сплава E-AlMgSi (алдрей) при легировании оловом смещаются в положительную область значений, а от концентрации хлорида натрия — в отрицательном направлении оси ординат.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/480
2023-07-22T11:08:42Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/480
2023-07-22T11:08:42Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 1 (2023); 76-84
Влияние кальция на удельную теплоемкость и изменение термодинамических функций алюминиевого проводникового сплава AlTi0.1
Array, Array Array; Таджикский технический университет имени академика М.С. Осими
Array, Array Array; Институт энергетики Таджикистана
Array, Array Array; Таджикский технический университет имени академика М.С. Осими
Array, Array Array; Физико–технический институт им. С.У. Умарова национальной академии наук Таджикистана
2023-04-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/480
алюминиевый проводниковый сплав AlTi0.1; кальций; режим «охлаждения»; теплоемкость; энтальпия; энтропия; энергия Гиббса
ru
Среди всех известных металлов, таких как серебро, золото, медь, алюминий по электропроводности занимает четвертое место. Электропроводность меди при 20 °C принимается за 100 % IACS, алюминия в отожженном состоянии она составляет 62 % IACS. Однако, если учесть удельный вес алюминия, то на единицу массы его проводимость в 2 раза больше, чем у меди. Из этого следует, на сколько выгодно применение алюминия в качестве материала для проводников. При одинаковой проводимости (одна и та же длина) проводник из алюминия имеет площадь поперечного сечения на 60 % больше, чем медь. При этом его масса составляет всего 48 % массы меди. Из-за низкой механической прочности в ряде случаев в электротехнике использование в качестве проводника алюминия затруднено или просто невозможно. Легированием другими металлами алюминия можно повысить его механическую прочностью, несмотря на заметное снижение электропроводности. В статье представлены результаты исследования теплоемкости алюминиевого проводникового сплава AlTi0.1 (Al + 0,1 % (мас.) Ti) с кальцием. Исследование проведены в режиме «охлаждения» с использованием в качестве эталона алюминия марки А5N (99,999 % Al). Получены полиномы, описывающие скорости охлаждения образцов из сплавов и эталона. По рассчитанным значениям скоростей охлаждения образцов из исследуемых сплавов сформированы уравнения, описывающие температурную зависимость термодинамических функций (энтальпия, энтропия, энергия Гиббса) сплавов путем интегрирования зависимостей их теплоемкостей. Установлено, что термодинамические функции и теплоемкость сплавов с ростом температуры увеличиваются, а от концентрации кальция уменьшаются.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/240
2019-02-21T14:26:53Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/240
2019-02-21T14:26:53Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 19, № 3 (2016); 210-216
К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» ; ООО «РИИС».
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» ; ООО «РИИС».
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС».
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» ; ООО «РИИС».
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС».
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС».
2018-03-06 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/240
рекомбинационное время жизни; неравновесные носители заряда; спад фотопроводимости; монокристаллический Si; непассивированные образцы; бесконтактные СВЧ− измерения
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/386
2022-05-03T13:25:23Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/386
2022-05-03T13:25:23Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 23, № 3 (2020); 213-221
Фотолюминесценция CaGa2O4, активированного редкоземельными ионами Yb3+, Er3+
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
2020-10-21 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/386
инфракрасные (ИК) люминофоры; люминесценция; твердофазный синтез; редкоземельные элементы; галлат кальция
ООО НПФ "ЛЮМ"
ru
В работе представлены результаты исследования люминесцентных свойств галлата кальция, активированного трехвалентными редкоземельными ионами Yb3+ и Er3+. Изучены спектры ИК-люминесценции образцов с одним активатором Ca1‑хYbxGa2O4,Ca1‑хErxGa2O4 при возбуждении источниками излучения с длиной волны 940 и 790 нм соответственно. Получена зависимость интенсивности люминесценции образцов от концентрации редкоземельных ионов. При возбуждении двухактиваторного состава Ca1‑х‑yYbxEryGa2O4 полупроводниковым лазерным диодом с длиной волны 940 нм зарегистрирована ИК-люминесценция в областях 980-1100 нм и 1450-1670 нм. Излучение в этих полосах соответствует электронным переходам в ионах Yb3+ и Er3+ соответственно. Для полосы люминесценции с максимумом на длине волны 1538 нм измерены спектры возбуждения, максимум интенсивности приходится на длины волн: 930, 941, 970, 980 нм. Исследована зависимость интенсивности ИК-люминесценции твердого раствора Ca1‑х‑yYbxEryGa2O4 от концентрации ионов Er3+. С увеличением концентрации ионов Er3+ в спектрах люминесценции наблюдается перераспределение в интенсивностях полос, принадлежащих ионам Yb3+ и Er3+, что указывает наналичии процессов переноса энергии между этими ионами. Исследована кинетика затухания ИК-люминесценции для серий с одним и двумя активаторами: Ca1‑хYbxGa2O4,Ca1‑хErxGa2O4, Ca1‑х‑yYbxEryGa2O4. Установлено, что затухание люминесценции происходит преимущественно по экспоненциальному закону, что указывает на преобладание внутрицентрового механизма люминесценции в исследуемых структурах. На основании анализа спектров возбуждения и спектров люминесценции экспериментальных образцов сделаны выводы о взаимодействии ионов активаторов Yb3+ и Er3+ в кристаллической решетке галлата кальция.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/405
2023-12-29T22:40:57Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/405
2023-12-29T22:40:57Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 4 (2018); 233-241
Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be
Array, Array Array; Университет короля Абдул-Азиза
Array, Array Array; Университет короля Абдул-Азиза
Array, Array Array; Университет короля Абдул-Азиза
Array, Array Array; Университет Синда
Array, Array Array; Ноттингемский университет
2021-01-25 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/405
высота барьера Шоттки; влияние концентрации легирующей примеси; вольт-амперные характеристики; уравнение Чанга; гауссово распределение высоты барьеров
ru
AlxGa1-xAs p-типа проводимости является одним из наиболее часто применяемых материалов для создания активных слоев в гетероструктурах на основе двумерного дырочного газа с высокой подвижностью и окон в p—i—n-гегероструктурах благодаря его способности к улавливанию альфа-частиц. С использованием бериллия в качестве акцепторной легирующей примеси в AlxGa1-xAs, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитакции, можно легко достичь высокой концентрации дырок на уровне 1019 см-3 без нарушения морфологии поверхности. Исследовано влияние изменения концентрации акцепторов на электрофизические параметры Au/Ti на контактах Шотки p-типа проводимости на основе Al0.29Ga0.71As, легированных Be, в температурном интервале 100—400 К. Для трех приборов с разными уровнями легирования оценены высота барьера ΦB, коэффициент идеальности n и последовательное сопротивление RS каждого диода с использованием модели термоионной эмиссии и метода Чанга. Показано, что образец со средней концентрацией легирующей примеси 3 × 1016 см-3 обладает наилучшими рабочими характеристиками, включая коэффициент идеальности, равный 1,25 и коэффициент выпрямления, 2,24 × 103 при комнатной температуре. У всех образцов наблюдалось аномальное поведение, выраженное в уменьшении ΦB и увеличении n с ростом температуры. В случае образцов с низкой концентрацией легирующей примеси данное поведение объяснено неоднородностью барьера и описано в предположении гауссова распределения высоты барьеров на границе раздела. В то же время для высоколегированного образца подобное неидеальное поведение объяснено эффектом туннелирования по механизму полевой эмиссии.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/99
2015-03-16T18:58:56Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/99
2015-03-16T18:58:56Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 2 (2013); 39-43
ДАТЧИК ПЕРЕМЕЩЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Array, Array Array; Южный научный центр РАН
Array, Array Array; Южный научный центр РАН
Array, Array Array; Южный научный центр РАН
Array, Array Array; Южный научный центр РАН
2015-03-16 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/99
датчик; поверхностные акустические волны; беспроводной дистанционный контроль
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант №10−08−00700−а).
ru
Разработан и изготовлен датчик перемещения на поверхностных акустических волнах (ПАВ), в котором перемещения измеряются по задержке сигнала, отраженного от валика, который движется вдоль поверхности распространения ПАВ. Датчик может работать в режиме отражения опрашивающего электромагнитного сигнала, т. е. быть пассивным и беспроводным. Максимальное измеряемое перемещение в таком датчике составляет 14 мм с точностью ±0,1 мм.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/288
2020-04-18T13:17:27Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/288
2020-04-18T13:17:27Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 22, № 1 (2019); 53-66
Структура и газочувствительные свойства оксидных композиций WO3—In2O3 и WO3—Co3O4
Array, Array Array; Белорусский государственный университет
Array, Array Array; Институт тепло- и массообмена им А. В. Лыкова Национальной Академии наук Беларуси
Array, Array Array; Белорусский государственный университет, Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко
Array, Array Array; Белорусский государственный университет
2019-06-20 19:51:32
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/288
оксид вольфрама; оксид индия; оксид кобальта; полупроводниковый газовый сенсор
ru
Создание оксидных композиций является одним из перспективных способов увеличения чувствительности и селективности полупроводниковых газовых сенсоров на основе SnO2, In2O3, WO3 и других оксидов. Исследовали нанокристаллические оксид вольфрама (WO3), оксид индия (In2O3), оксид кобальта (Co3O4) и смешанные композиты с различными соотношениями WO3—In2O3 и WO3—Co3O4, полученные золь-гель методом после прокаливания ксерогелей при 400—600 °C. Морфологию, фазовый состав и особенности структуры полученных материалов изучали методами рентгеновской дифракции, инфракрасной спектроскопии, сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии. Установлена возможность получения стабильной микроструктуры в наногетерогенных композициях WO3—In2O3, WO3—Со3O4. Рост размера зерен WO3 и In2O3, WO3 и Co3O4 при термической обработке в смешанных композициях замедляется по сравнению с индивидуальными оксидами. Рост газовой чувствительности композиций по сравнению с исходными оксидами может быть объяснен снижением размеров кристаллитов и увеличением удельной поверхности, а также зависимостью поверхностного состояния зерен от состава композиции. Наиболее высокий сенсорный отклик к диоксиду азота в обеих композициях лежит в интервале 130—150 °С, к оксиду углерода — выше 230 °С. Изготовлены маломощные планарные сенсоры диоксида азота с чувствительностью << 1 ppm и потребляемой мощностью ≤ 85 мВт.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/496
2023-07-22T11:12:53Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/496
2023-07-22T11:12:53Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 1 (2023); 36-45
К вопросу о корректном определении концентрации электронов в n-GaSb по данным электрофизических измерений
Array, Array Array; АО Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»;
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; АО Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
Array, Array Array; АО Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
Array, Array Array; АО Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»;
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; АО Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»;
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; АО Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»;
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2023-04-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/496
концентрация электронов проводимости; антимонид галлия; “легкие” и “тяжелые электроны”
ru
Проведены расчеты концентраций электронов проводимости в n-GaSb при температуре 295 и 77 К с учетом непараболичности зоны проводимости. Показано, что при температуре Т = 295 К концентрация «тяжелых» электронов в L-долине зоны проводимости превосходит концентрацию «легких» электронов в Г-долине. Наоборот, при Т = 77 К электроны проводимости сосредоточены, в основном, в Г-долине. Представлены результаты холловских измерений на легированных теллуром образцах n-GaSb, полученных методом Чохральского. Показано, что при анализе этих данных, полученных при Т = 295 К, необходимо учитывать наличие двух типов электронов (легких и тяжелых), причем концентрации их определить невозможно. Кажущееся увеличение концентрации электронов при переходе от 295 к 77 К на самом деле отсутствут. Концентрации электронов проводимости при Т = 77 К из холловских данных определяется корректно.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/78
2015-03-15T20:46:24Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/78
2015-03-15T20:46:24Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 2 (2013); 32-39
ОПТИЧЕСКИЙ МОНИТОРИНГ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО
Array, Array Array; Институт автоматики и электрометрии СО РАН
2015-03-15 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/78
оптический мониторинг; метод Чохральского; уровень расплава; диаметр кристалла; изображение мениска; лазерная триангуляция; параллакс
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/310
2019-06-17T16:31:39Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/310
2019-06-17T16:31:39Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 2 (2017); 129-133
О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя
Array, Array Array; ООО «Технологические системы защитных покрытий»
Array, Array Array; ОАО «Швабе−Фотосистемы»
Array, Array Array; Национальный исследовательский университет «МЭИ»;
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН «ИНМЭ РАН»
Array, Array Array; ОАО «Швабе−Фотосистемы»
Array, Array Array; ОАО «Швабе−Фотосистемы»
Array, Array Array; Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский университет «МЭИ»;
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН «ИНМЭ РАН»
2019-06-17 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/310
арсенид индия; анодное окисление; анодный оксидный слой; эффективный поверхностный заряд; встроенный заряд; плотность поверхностных состояний; профиль концентрации
ru
Изучена динамика изменения распределения атомов фтора по толщине выращенных слоев анодного оксида и эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs под такими слоями. Анодное окисление проведено в щелочном электролите с добавкой фторосодержащего компонента в гальваностатическом режиме при плотностях анодного тока 0,05 или 0,5 мА · см−2. Толщину слоев в пределах 32—51 нм варьировали, задавая конечное напряжение на электродах при выращивании в пределах значений 15—25 В. Толщина и коэффициент преломления слоев измерены методом эллипсометрии, а распределение атомов фтора по толщине — методом фотоэлектронной спектроскопии в сочетании с ионным травлением. Параллельно на основе выращенных слоев изготовлены МДП−структуры, из расчета вольт−фарадных характеристик которых определены значения эффективного поверхностного заряда и плотности поверхностных состояний, соответствующие различным толщинам слоя.Установлено, что по мере роста слоев независимо от плотности тока анодирования происходит их уплотнение. Профиль распределения атомов фтора смещается в сторону InAs, а положительный эффективный поверхностный заряд постепенно уменьшается от 3,6 · 1011 до 2,0 · 1011 см−2 при плотности поверхностных состояний в пределах (6—7) · 1011 эВ−1 · см−2 для всех случаев. На основе сопоставления полученных данных с теоретическими представлениями о зарядовом строении МДП−структуры сделан вывод о постепенном отдалении встроенного заряда от границы с InAs в процессе выращивания анодного оксидного слоя. Это объясняет наблюдаемое уменьшения эффективного поверхностного заряда с ростом толщины слоя. Полученный результат свидетельствует о том, что скорость роста слоя превышает скорость смещения встроенного заряда в сторону InAs.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/488
2023-07-13T13:20:14Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/488
2023-07-13T13:20:14Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 25, № 3 (2022); 245-255
Создание композиционной теневой защиты для цифрового детектора получения изображений и терапевтического канала на основе нейтронного генератора
Array, Array Array; Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук
2022-09-28 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/488
многослойная композиционная теневая защита; водный фантом; цифровой детектор получения изображения; композитный защитный материал; коэффициент ослабления; мощность амбиентного эквивалента дозы; тиваробор; нейтронный генератор
Автор выражает благодарность А.И. Львову за консультации по проведению испытаний электронного тракта камеры МИК на ускорителе “Пахра”.
ru
Проведены теоретические расчеты для многослойной защиты цифрового детектора получения изображений. При конструировании интегрирующих электродов и сенсорных ячеек многофункционалной ионизационной камеры (МИК), были применены материалы и способы применяемые для создания микроэлектронных технологий. Рассмотрен принцип работы МИК для регистрации профилей импульсных условных спотов от нейтронного генератора. В основе принципа работы камеры МИК лежит взаимодействие интегрирующих электродов и сенсорных ячеек. Сенсорные ячейки состоят из 16 падов, сигналы с которых поступают в импульсном режиме синхронно с поступающим триггерным сигналом. 16-и канальная плата интегратора (16КПИ) обрабатывает поступающие на вход сигналы и отправляет их на схему контроля обнаружения отклонение (СКОО). При обнаружении отклонений от заданных параметров, СКОО немедленно отключает нейтронный генератор. Рассмотрена принципиальная схема 16 канального зарядовочувствительного усилителя производящего обмен информацией между камерой МИК и компьютером. Приводятся временные диаграммы прохождения сигналов на примере одного канала 16КПИ. Камера МИК вместе с каналом нейтронного пучка и многослойной защитой предназначена для нейтронной терапии. Предложены варианты композиционной многослойной защиты терапевтического канала на основе источника нейтронов на базе нейтронного генератора НГ-24. Конструкция канала построена на основе расчетов Монте-Карло на примере подобранных защитных материалов — воды, тиваробора и вольфрама. Предложено использовать камеру МИК для контроля дозных профилей нейтронных пучков.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/196
2018-11-23T16:29:04Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/196
2018-11-23T16:29:04Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 18, № 3 (2015); 212-220
ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО И ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ЛЕНТ КАТОДНЫХ СПЛАВОВ Pd—Ba и Pt—Ba
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва
Array, Array Array; Научно-производственное предприятие «Исток» имени А.И. Шокина; Фрязино; Московская область
Array, Array Array; Научно-производственное предприятие «Исток» имени А.И. Шокина; Фрязино; Московская область
Array, Array Array; Научно-производственное предприятие «Исток» имени А.И. Шокина; Фрязино; Московская область
Array, Array Array; Научно-производственное предприятие «Исток» имени А.И. Шокина; Фрязино; Московская область
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва
2016-10-22 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/196
металлосплавные катоды; сплавы Pd—Ba; Pt—Ba; эмиссионные свойства; металлы платиновой группы; интерметаллид; просвечивающая электронная микроскопия; примесный состав
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/362
2021-01-14T01:36:22Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/362
2021-01-14T01:36:22Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 23, № 1 (2020); 86-93
Влияние добавок висмута на теплофизические и термодинамические свойства алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей)
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина АН Республики Таджикистан
Array, Array Array; Дангариский государственный университет
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина АН Республики Таджикистан
Array, Array Array; Институа химии им. В.И. Никитина АН Республики Таджикистан
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина АН Республики Таджикистан
Array, Array Array; Институт химии им. В.И. Никитина АН Республики Таджикистан
2020-04-30 14:35:29
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/362
алюминий сплав E-AlMgSi (“алдрей”), висмут, теплоёмкость, коэффициент теплоотдачи, режим «охлаждения», энтальпия, энтропия, энергия Гиббс
ru
Экономическая целесообразность применения алюминия в качестве проводникового материала объясняется благоприятным соотношением его стоимости и стоимости меди. Немаловажным является и то, что стоимость алюминия в течение многих лет практически не меняется.При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, обмоточного провода и т.д. могут возникнуть определённые сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны алюминиевые сплавы, которые даже в мягком состоянии обладают прочностными характеристиками, позволяющими использовать их в качестве проводникового материала.Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Проводниковые алюминиевые сплавы типа E-AlMgSi (алдрей) являются представителями данной группы сплавов. В работе представлены результаты исследования температурной зависимости теплоемкости, коэффициента теплоотдачи и термодинамических функции алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) с висмутом. Исследования проведены в режиме «охлаждения».Показано, что от температуры теплоемкость и изменений термодинамический функции сплава E-AlMgSi (“алдрей”) с висмутом увеличиваются, а значение энергия Гиббса уменьшается. Добавки висмута до 1мас.% уменьшают теплоемкость, коэффициент теплоотдачи, энтальпию и энтропию исходного сплава и увеличивают величину энергии Гиббса.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/529
2023-12-06T09:54:38Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/529
2023-12-06T09:54:38Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 3 (2023)
Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук;
ООО«АИР»
Array, Array Array; Институт ядерной физики имени Г.И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук;
Новосибирский государственный университет
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук;
Новосибирский государственный технический университет
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Array, Array Array; Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук
Array, Array Array; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
2023-09-09 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/529
кремний; оксид индия; эрбий; тонкие пленки; гетеропереход; зонная структура; разрыв зон; барьер; инжекция; термоэмиссия; электроны; дырки
Оптические измерения выполнены в рамках гос. задания FWGW-2022-00005. Работа выполнена при финансовой поддержке ФСИ (грант 4235ГС1/70543 от 27.10.2021), а также при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (проект № 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)). Электрические измерения выполнены с использованием оборудования ЦКП «ВТАН» НГУ. Оптические измерения были частично выполнены на оборудовании ЦКП «Высокоразрешающая спектроскопия газов и конденсированных сред» ИАиЭ СО РАН. Напыление пленок выполнено в ЦКП «СЦСТИ» на базе УНУ «Комплекс ВЭПП-4 – ВЭПП-2000» в ИЯФ СО РАН. Мишень для напыления была изготовлена Phildal Holding Co., Ltd., Китай. Авторы благодарят Э.Д. Жанаева и Н.В. Дудченко за химическую обработку и термообработку образцов.
ru
Пленки In2O3 : Er были напылены на подложки кремния с помощью ВЧ-магнетронного распыления-осаждения. Для подложек кремния как n-, так и p-типа проводимости токи через полученные МОП-структуры (Si/In2O3 : Er/In-контакт) были описаны в рамках модели термоэмиссии основных носителей через барьер с коррекцией приложенного напряжения на потенциал, падающий в кремнии. С помощью измерения температурной зависимости прямых токов при малом, подбарьерном смещении были найдены барьеры для инжекции электронов и дырок из кремния в пленки, равные 0,14 и 0,3 эВ, соответственно. Полученный невысокий барьер для дырок объясняется наличием плотности дефектных состояний, которые простираются от края зоны валентности в запрещенную зону In2O3 : Er и создают там канал проводимости для дырок. Наличие плотности дефектных состояний в запрещенной зоне In2O3 : Er подтверждается данными фотолюминесценции в соответствующем интервале энергий 1,55—3,0 эВ. Выполнен анализ зонной структура гетероперехода Si/In2O3 : Er. На его основе установлен энергетический интервал между электронами в зоне проводимости In2O3 : Er и дырками в канале проводимости в запрещенной зоне, равный 1,56 эВ.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/18
2015-07-28T18:02:23Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/18
2015-07-28T18:02:23Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 1 (2014); 42-46
СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА
Array, Array Array; Белорусский государственный университет, 220030, Беларусь, Минск, пр. Независимости, д. 4
Array, Array Array; Белорусский государственный университет, 220030, Беларусь, Минск, пр. Независимости, д. 4
Array, Array Array; ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
Array, Array Array; ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
Array, Array Array; ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
Array, Array Array; ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
Array, Array Array; Белорусский государственный университет, 220030, Беларусь, Минск, пр. Независимости, д. 4
Array, Array Array; Белорусский государственный университет, 220030, Беларусь, Минск, пр. Независимости, д. 4
Array, Array Array; Объединенный институт ядерных исследований, 141980, Россия, Дубна, ул. Жолио−Кюри, д. 6
Array, Array Array; Ruhr−Universitaet Bochum, D−44780, Universitaetsstrasse 150, Bochum, Germany
2015-03-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/18
нестационарная спектроскопия глубоких уровней; радиационные дефекты; кремний; диод; высокоэнергетическая ионная имплантация
This work was supported BRFFR (contract F12D−003) and GPNI “Electronics and Photonics” (reference 1.1.04)
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/272
2019-02-19T07:45:31Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/272
2019-02-19T07:45:31Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 19, № 2 (2016); 124-132
Функциональные 2D–наноматериалы для оптоэлектронной техники на основе ленгмюровских пленок бактериородопсина
Array, Array Array; Учреждение Российской академии наук «Институт общей физики им. А. М. Прохорова»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2016-06-30 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/272
2D-наноматериалы; пленки Ленгмюра—Блоджетт; бактериородопсин; поверхностные плазмон- поляритонные волны; генерация второй гармоники; биосенсоры
Министерство образования и науки РФ (грант РПН.2.1./1552)
ru
Протестированы возможности создания на основе мономолекулярных слоев бактериородопсина (БР) высокочувствительных и высокоселективных биосенсоров, основанных на генерации второй гармоники и возбуждении поверхностных плазмон-поляритонных волн. Для этой цели использованы различные оптические и нелинейно-оптические методы исследования пленок Ленгмюра—Блоджетт с тем, чтобы сохранить все специфические свойства, присущие молекулам БР, при переносе их с водной поверхности на твердую подложку. Показано, что метод генерации второй гармоники может быть эффективно использован для анализа ориентации молекул БР и качества пленок Ленгмюра—Блоджетт. Измеренное значение нелинейной оптической восприимчивости второго порядка молекул БР составило 3,4 · 10-11 м/В. Относительное изменение резонансного значения волнового вектора — (3,6 ± 0,1) · 10-2 при длине волны возбуждающего света 630 нм. Получен спектр БР, вызванный возбуждением поверхностных плазмон- поляритонных волн падающим излучением. По результатам проведенных исследований предложены оригинальные схемы биосенсоров, использующих генерацию второй гармоники и поверхностно-плазмонный резонанс при отражении сигнала основной частоты от монослоев БР. Схема апробирована на макете прибора. Показана возможность получения чувствительности порядка 1011 мол/см3.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/451
2022-06-01T21:17:27Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/451
2022-06-01T21:17:27Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 24, № 3 (2021); 199-210
Влияние контактных явлений на измерение электропроводности восстановленного ниобата лития
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»;
АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»
2021-11-12 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/451
сегнетоэлектрик; ниобат лития; монодоменный кристалл; восстановительный отжиг; электропроводность; контактные явления; хром; оксид индия-олова; импеданс
Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 21-19-00872, https://rscf.ru/project/21-19-00872/) в части подготовки образцов и измерения электрофизический свойств восстановленного НЛ. Авторы благодарят Министерство образования и науки Российской Федерации за поддержку в рамках Государственного задания (фундаментальные исследования, проект № 0718-2020-0031 «Новые магнитоэлектрические композитные материалы на основе оксидных сегнетоэлектриков с упорядоченной доменной структурой: производство и свойства»). Исследование импедансной спектроскопии проводились на оборудовании Центра коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» НИТУ «МИСиС» при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (№. 075-15-2021-696).
ru
Ниобат лития (НЛ) — сегнетоэлектрический материал, обладающий широким спектром применения в оптике и акустике. Отжиг кристаллов НЛ в бескислородной среде приводит к появлению черной окраски и сопутствующему росту электропроводности за счет химического восстановления. В литературе представлено большое количество работ по изучению электрофизических свойств восстановленных кристаллов НЛ, однако, контактным явлениям, возникающим при измерении электропроводности, а также вопросам взаимодействия материала электродов с исследуемыми образцами практически не уделяется внимания. Исследовано влияние электродов из хрома и оксида индия-олова на результаты измерений при комнатной температуре электрофизических параметров образцов НЛ, восстановленного при температуре 1100 °С. Обнаружено, что существенные нелинейности на вольт-амперных характеристиках при напряжении менее 5 В не позволяют получить корректные значения удельного сопротивления НЛ. Это приводит к необходимости проводить измерения при более высоких напряжениях. С помощью метода импедансной спектроскопии установлено, что сильное влияние на результаты измерений оказывают емкости, в том числе образовавшиеся, вероятно, в приконтактных областях. Показано, что полученные результаты адекватно описываются моделью, предполагающей наличие приконтактных емкостей, подключенных параллельно собственной емкости образца. Описан возможный механизм образования таких емкостей, сделано предположение о существовании значительной плотности электронных состояний на границе раздела «электрод — образец», способных захватывать носители заряда, причем с увеличением времени отжига концентрация захваченных носителей возрастает.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/145
2015-07-28T18:03:50Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/145
2015-07-28T18:03:50Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 3 (2014); 211-216
ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ
Array, Array Array; Институт физики твердого тела Российской академии наук, ул. Академика Осипьяна, д. 2, Черноголовка, 142432, Россия
Array, Array Array; Институт физики твердого тела Российской академии наук, ул. Академика Осипьяна, д. 2, Черноголовка, 142432, Россия
Array, Array Array; Институт физики твердого тела Российской академии наук, ул. Академика Осипьяна, д. 2, Черноголовка, 142432, Россия
2015-06-26 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/145
германий;дислокации;фотолюминесценция;метод DLTS;глубокие уровни;примеси;медь;золото
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/343
2020-07-30T10:59:34Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/343
2020-07-30T10:59:34Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 22, № 2 (2019); 118-127
Пилотная установка по очистке «теплой жидкости» тетраметилсилана и проведения «неускорительных экспериментов»
Array, Array Array; Физический институт им. П.Н.Лебедева, РАН
2020-01-18 18:53:59
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/343
ФЭУ с усилителем, электроотрицательные примеси, «теплые жидкости», выход свободных электронов, тетраметилсилан (ТМС), жидкостные ионизационные камеры, «неускорительные эксперименты»
Авторы выражают благодарность А.И. Львову за консультации по проведению разработки электронного тракта ДЭНД калориметра на ТМС.
ru
Применение «теплой жидкости» тетраметилсилана (TMС) является актуальным в больших массивных калориметрах (с объемом несколько сот литров) для поиска процессов с очень малыми энерговыделениями. Это направление называется «неускорительные» эксперименты с низкофоновыми детекторами. С помощью этих экспериментов можно проверить стандартную модель электрослабых взаимодействий. Поэтому полностью отработанная технология получения в больших количествах «теплой жидкости» ТМС, позволяет провести такие эксперименты.Совместно с ГНИИХТЭОС разработана пилотная установка для очистки ТМС до степени 24 ррв , при которой возможно наполнение калориметров и микродозиметров ТМС. Очистка состоит их четырех этапов — начиная с первого этапа, где концентрат ТМС так называемый «легкий погон» получают с завода.Рассматривается создание на большом количестве высокоочищенной «теплой жидкости» ТМС — нового класса детекторов с рекордной чувствительностью к редким и слабоионизирующим частицам — так называемые детекторы “без стенок”. Предлагаемый двухфазный эмиссионный низкофоновый детектор (ДЭНД) — в котором одновременно находится две фазы ТМС — жидкость-газ, позволяет проводить эксперименты, в том числе по поиску W-частиц.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/245
2018-11-23T16:25:43Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/245
2018-11-23T16:25:43Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 1 (2017); 45-50
СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ
Array, Array Array; ФГАОУ ВО «Северо−Кавказский федеральный университет».
Array, Array Array; ФГАОУ ВО «Северо−Кавказский федеральный университет».
Array, Array Array; ФГАОУ ВО «Северо−Кавказский федеральный университет».
2018-05-21 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/245
люминесценция; инфракрасные люминофоры; твердофазный синтез; редкоземельные элементы
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/390
2022-05-09T12:01:48Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/390
2022-05-09T12:01:48Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 24, № 1 (2021); 48-56
Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия
Array, Array Array; АО «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Гиредмет»
Array, Array Array; АО «Гиредмет»
Array, Array Array; МИРЭА – Российский технологический университет
2021-01-04 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/390
антимонид индия; метод Чохральского; тонкие пластины; предел прочности; механическая обработка; химическая полировка; кристаллографическая ориентация; шероховатость пластин
ru
Методом плоско-поперечного изгиба проведены измерения прочности тонких монокристаллических пластин нелегированного InSb с кристаллографической ориентацией (100). Установлено, что прочность пластин (толщиной ≤ 800 мкм) зависит от их обработки. Использование полного цикла обработки (шлифовки и химической полировки) позволяет увеличить прочность пластин InSb в 2 раза (от 3,0 до 6,4 кг/мм2). Показано, что зависимость прочности от обработки для пластин с ориентацией (100) аналогична этой зависимости для пластин (111), при этом величина прочности пластин (111) в 2 раза выше. Методом контактной профилометрии измерена шероховатость тонких пластин, также прошедших последовательные этапы обработки. Установлено, что при проведении полного цикла обработки шероховатость пластин InSb уменьшается (Ra от 0,6 до 0,04 мкм), приводя к общему выравниванию шероховатости на поверхности. Проведено сравнение прочности и шероховатости пластин (100) InSb и GaAs. Установлено, что прочность резаных пластин GaAs в 2 раза выше прочности резаных пластин InSb и незначительно увеличивается после полного цикла их обработки. Показано, что шероховатость пластин GaAs и InSb после полного цикла обработки поверхности значительно уменьшается: в 10 раз для InSb за счет общего выравнивания поверхности и в 3 раза для GaAs (Rz от 2,4 до 0,8 мкм) за счет снижения пиковой составляющей. Проведение полного цикла обработки пластин InSb позволяет повысить их прочность, удаляя нарушенные слои последовательными операциями и снижая риск развития механических повреждений.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/406
2023-12-29T22:47:57Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/406
2023-12-29T22:47:57Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 4 (2018); 242-256
Синтез и исследование характеристик тонких, легированных железом пленок ZnO, осажденных методом химического спрей-пиролиза
Array, Array Array; Университет Шри Венкатешвары
Array, Array Array; Университет Шри Венкатешвары
Array, Array Array; Университет Шри Венкатешвары
2019-01-25 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/406
легированные Fe тонкие пленки ZnO; химический состав; структурные; оптические; магнитные свойства
Авторы выражают благодарность проф. Марко Топичу, университет г. Любляна (Словения), за техническую поддержку при исследовании оптических свойств в рамках исследовательского проекта DST – Slovenia (DST/INT/Slovenia/P-13/2014).
ru
Полупроводниковый оксид цинка ZnO обладает уникальными оптическими свойствами и широкими возможностями применения в различных областях техники. Высокие энергия связи экситона, оптическая пропускная способность, подвижность электронов, теплопроводность, а также сильная люминесценция при комнатной температуре создают большие перспективы применения ZnO в качестве материала для производства жидкокристаллических дисплеев, прозрачных проводящих электродов для солнечных батарей, светодиодов, тонкопленочных транзисторов, газовых сенсоров и спинтронных устройств. Эффективным способом улучшения физических свойств ZnO как многофункционального материала является легирование. Для устройств оптической связи и оптоэлектроники Ti, Fe и Co считают эффективными легирующими примесиями в ZnO. Из перечисленных легирующих металлов железо химически стабильно и существует в двух зарядовых состояниях Fe2+ и Fe3+, ионные радиусы которых близки к ионному радиусу цинка. За счет этого железо может свободно встраиваться в узлы Zn кристаллической решетки путем замещения или в междоузлия без нарушения кристаллической структуры ZnO, тем самым увеличивая количество носителей заряда и повышая проводимость. В работе для осаждения легированных железом пленок ZnO использовали простой, экономичный и не требующий создания вакуума метод спрей-пиролиза с концентрацией легирующего вещества в диапазоне 0–6 % (ат.) при постоянной температуре подложки 400 °С. Проанализировано и обсуждено влияние концентрации железа на физические свойства тонких пленок ZnO. Проведены подробные исследования свойств полученных пленок методами: рентгеновской дифрактометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, инфракрасной Фурье-спектроскопии, спектрофотометрии, а также с помощью измерений магнитных характеристик. На основе полученных результатов можно сделать вывод о том, что концентрация легирующего Fe = 1 % (ат.) является оптимальной для пленок ZnO, обеспечивающей наилучшие физические свойства для создания приборных структур.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/100
2015-03-16T19:21:50Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/100
2015-03-16T19:21:50Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 2 (2013); 44-48
ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Array, Array Array; ФГУП «НИФХИ им. Л. Я. Карпова»
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Array, Array Array; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
2015-03-16 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/100
тонкие пленки; карбид кремния; импульсное лазерное осаждение; эпитаксиальные пленки; морфология поверхности
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и образова- ния РФ с применением оборудования центра коллективного пользова- ния «Гетероструктурная СВЧ−электроника и физика широкозонных полупроводников» НИЯУ МИФИ.
ru
Методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены субмикронные эпитаксиальные пленки карбида кремния на кремнии. Исследовано влияние температуры подложки на структурные свойства и морфологию поверхности экспериментальных образцов.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/316
2019-06-22T07:30:40Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/316
2019-06-22T07:30:40Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 21, № 1 (2018); 48-53
Термостимулированная десорбция кислорода в Sr2FeMoO6-δ
Array, Array Array; Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
2019-06-21 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/316
ферромолибдат стронция; кислородная нестехиометрия; дефектообразование; десорбция кислорода
Авторы работы признательны за поддержку в рамках проекта фонда фундаментальных исследований ФРГ («DFG») № SE 2714/2-1 и проекта программы ЕС «Горизонт-2020» (H2020-MSCA-RISE-2017- 778308-SPINMULTIFILM).
ru
Методом твердофазного синтеза из частично восстановленных прекурсоров SrFeO2,52 и SrMoO4 получали поликристаллические образцы Sr2FeMoO6-δ. Установлено, что в процессе выделения кислорода из соединения Sr2FeMoO6-δ в политермическом режиме в потоке газовой смеси 5%Н2/Ar при различных скоростях нагрева величина кислородного индекса «6-δ» зависит от скорости нагрева и при Т = 1420 К не выходит на насыщение. При расчете энергии активации диффузии кислорода методом Мержанова обнаружено, что на начальном этапе десорбции кислорода из Sr2FeMoO6-d энергия активации имеет минимальное значение Еа = 76,7 кДж/моль при δ = 0,005. По мере увеличения концентрации кислородных вакансий она увеличивается до значения Еа = 156,3 кДж/моль при δ = 0,06. Замечено, что зависимости dδ/dt = f(Т) и dδ/dt = f(δ) претерпевают характерный излом, который позволяет условно разделить процесс десорбции кислорода на две стадии развития. Сделано предположение, что с увеличением концентрации кислородных вакансий V ·· происходит взаимодействие между ними с последующим протеканием процессов их упорядочения в кристаллографических плоскостях Fe/Mo-O1 с образованием ассоциатов различного типа.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/517
2023-07-06T08:47:37Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/517
2023-07-06T08:47:37Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 1 (2023); 66-75
Влияние послеростовых отжигов в кислородсодержащей атмосфере на микротвердость монокристаллического молибдата кальция CaMoO4
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Array, Array Array; АО "ФОМОС-Материалы"
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
2023-04-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/517
монокристаллы; одноосные монокристаллы; молибдат кальция; отжиг в кислородсодержащей атмосфере; механические свойства; микротвердость; твердость по Виккерсу; коэффициент анизотропии; хрупкость; ионность связей
Исследования проводились при финансовой поддержке госзадания FSME-2023-0003. Измерения проведены в МУИЛ Полупроводниковых материалов и диэлектриков «Монокристаллы и заготовки на их основе» (ИЛМЗ) НИТУ МИСИС.
ru
Монокристаллический молибдат кальция CaMoO4 — известный материал. Тем не менее последнее время наблюдается всплеск интереса к CaMoO4 в связи с рядом востребованных применений, в том числе использованием его в качестве рабочего материала для криогенного сцинтилляционного болометра. Монокристаллы CaMoO4 в процессе выращивания приобретают синюю окраску, обусловленную наличием дефектных центров, типа центров окраски, что неприемлемо для оптических применений. Для устранения окраски применяют отжиги в кислородсодержащей атмосфере, а затем из кристаллов изготавливают необходимые элементы путем механических воздействий (резка, полировка и др.). Поэтому для рационального решения вопросов, возникающих при изготовлении изделий из них и дальнейшем практическом использовании, оценка механических свойств этих кристаллических материалов является актуальной задачей. Результатов исследования механических свойств CaMoO4 мало, кроме того, они представлены без учета анизотропии. Наблюдается существенный разброс данных по значению твердости по Моосу у разных авторов: от 3,5 до 6. В данной работе приведены результаты исследования образцов монокристаллов молибдата кальция в исходном состоянии и после высокотемпературных отжигов разной продолжительности в кислородсодержащей атмосфере. Показано, что продолжительный отжиг приводит к обесцвечиванию кристаллов. Установлено, что кристаллы молибдата кальция являются чрезвычайно хрупкими, балл хрупкости Zp кристаллов в исходном состоянии максимален и составляет 5, отжиг приводит к снижению балла хрупкости до 4. Рассчитаны параметрами «вязкости» по методу Пальмквиста S. Установлены нагузки полного разрушения отпечатков Fпр, показано, что отжиг в кислородсодержащей атмосфере приводит к увеличению Fпр в 2,5 раза для Z-среза и в 10 раз для Х-среза. Показано, что микротвердость кристаллов характеризуется анизотропией II рода: для всех образцов микротвердость грани Z выше, чем микротвердость грани X. Оценены коэффициенты анизотропии микротвердости KH образцов. На основании измеренных значений микротвердости рассчитаны степени ионности связей I.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/79
2015-03-15T20:55:51Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/79
2015-03-15T20:55:51Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
№ 3 (2013); 54-59
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ, ИНДУЦИРОВАННЫХ СЛАБЫМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ В ПОРОШКАХ ЖЕЛЕЗА
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
2015-03-15 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/79
порошки железа; обработка в магнитном поле; структурные характеристики; химический состав; оксидная оболочка
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (государственный контракт № 14.513.11.0006)
ru
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/311
2019-06-17T16:31:39Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/311
2019-06-17T16:31:39Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 20, № 2 (2017); 134-141
Синтез и магнетосопротивление кристаллов (Cd1−x Znx)3As2 (x = 0,007)
Array, Array Array; Юго−Западный государственный университет
Array, Array Array; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»;
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Array, Array Array; Курский монтажный техникум
Array, Array Array; Юго−Западный государственный университет
Array, Array Array; Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Array, Array Array; Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Array, Array Array; Белгородский национальный исследовательский университет
Array, Array Array; Белгородский национальный исследовательский университет
Array, Array Array; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»;
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Array, Array Array; Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»;
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
2019-06-17 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/311
арсенид кадмия; арсенид цинка; твердый раствор; синтез из паровой фазы; дираковский полуметалл; анизотропное магнетосопротивление; эффект Шубникова—де Газа
Работа была поддержана Российским научным фондом (грант № 17−12−01345). А. П. Кузьменко благодарит Министерство образования и науки РФ за поддержку исследований комбинационного рассеяния света (грант № 16.2814.2017/ПЧ).
ru
Описана процедура синтеза твердых растворов Cd3As2—Zn3As2 (в дальнейшем, (Cd1−x Znx)3As2 из паровой фазы. Синтезированы монокристаллы твердого раствора (Cd0,993 Zn0,007)3As2. Результаты сканирующей электронной микроскопии и дифракции электронов свидетельствуют о высоком кристаллическом совершенстве изученного образца. Исследована его структура и морфология поверхности, содержащей ростовые зародыши и плоскости скола. В области низких температур выявлены гигантское анизотропное магнетосопротивление, а также осцилляции Шубникова—де Гааза. Полученные результаты указывают на сохранение особенностей фазы дираковского полуметалла для твердого раствора (Cd1−x Znx)3As2 с низким содержанием цинка. В то же время присутствуют указания на возможные отличия от свойств исходного материала Cd3As2.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/494
2023-07-22T11:14:30Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/494
2023-07-22T11:14:30Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 26, № 1 (2023); 56-65
Конвертер терагерцового излучения на основе метаматериала
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Array, Array Array; Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
2023-04-14 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/494
метаматериал; терагерцовое излучение; инфракрасное излучение; конвертер излучения; частотно-избирательная поверхность
Авторы благодарят Малееву Н.А. за помощь в оформлении результатов данного исследования в научную статью. Исследование выполнено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках государственного задания НИТУ «МИСиС» (код научной темы 0718-2020-0025).
ru
С начала восьмидесятых годов XX века терагерцовый диапазон (от 0,1 до 10 ТГц) привлекает неослабевающее внимание как с фундаментальной, так и с прикладной точки зрения. Благодаря своим уникальным свойствам терагерцовое излучение используется для решения широкого спектра задач в спектроскопии, дефектоскопии и обеспечения безопасности. Создание эффективных поглотителей и преобразователей терагерцового излучения является сейчас основой для развития терагерцовых технологий. В настоящей работе рассматривается использование частотно-избирательного высокодобротного метаматериала для создания конвертера терагерцового излучения в инфракрасный диапазон длин волн. Предложен конвертер, состоящий из метаматериального поглотителя терагерцового излучения, покрытого микрометровым слоем графита, переизлучающим поглощенную метаматериалом энергию в инфракрасном диапазоне. Произведен численный электродинамический и сопряженный с ним тепловой расчет предлагаемого конвертера излучения. Результаты численного моделирования метаматериала на частоте 96 ГГц (окно прозрачности атмосферы) показали коэффициент поглощения электромагнитного излучения равный 99,998 %, а аналитически рассчитанный коэффициент полезного действия разработанного конвертера составил 93,8 %. Благодаря этому разработанный нами конвертер терагерцового излучения может найти применение в области досмотрового контроля в сфере транспортной безопасности и дефектоскопии.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/197
2018-11-23T16:29:04Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/197
2018-11-23T16:29:04Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 18, № 3 (2015); 221-228
ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN
Array, Array Array; Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва
Array, Array Array; Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва
Array, Array Array; Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва
Array, Array Array; Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва
2016-10-22 00:00:00
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/197
эпитаксиальные слои; нитридные гетероструктуры; пластинчатые включения; примесь
ru
Дан анализ влияния объемных и поверхностных дефектов подложек SiC на структуру и некоторые электрофизические параметры выращенных на них эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN нитридных гетероструктур. В подложках из карбида кремния обнаружено наличие областей с внутренними напряжениями, источниками которых, как правило, являются пластинчатые включения, обогащенные углеродом. Экспериментально показано, что наличие внутренних напряжений в SiC может влиять на микрорельеф эпитаксиальных пленок в областях над напряженными участками. Установлено, что в областях эпитаксиальных пленок, выращенных над областями с внутренними напряжениями в объеме подложек SiC, наблюдается резкое ухудшение электрических параметров. В слоях AlGaN/GaN обнаружено наличие ряда примесей, попадающих в них в процессе эпитаксии.
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/371
2021-02-11T20:06:50Z
jour:%D0%98%D0%A1%D0%A1%D0%9B
driver
v2
https://met.misis.ru/jour/article/view/371
2021-02-11T20:06:50Z
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Том 23, № 1 (2020); 78-85
ИК-люминесценция CaGa2O4:Yb3+ при возбуждении излучением с длиной волны 940 и 980 нм
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
Array, Array Array; Северо-Кавказский федеральный университет
2020-05-18 12:37:58
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
url:https://met.misis.ru/jour/article/view/371
люминофоры; галлаты; CaGa2O4; редкоземельные элементы; Yb3+
ООО НПФ "ЛЮМ"
ru; en
Представлен обзор известных люминесцентных материалов на основе галлата кальция CaGa2O4, излучающих в видимой и инфракрасной (ИК) области спектра. На сегодняшний день ИК-люминофоры исследованы мало, но их практическое применение представляет интерес. Твердофазным методом получены образцы CaGa2O4, активированные редкоземельными ионами Yb3+. Исследованы структурные и люминесцентные свойства состава CaGa2O4 : Yb3+. При возбуждении CaGa2O4 : Yb3+ излучением с длиной волны 940 и 980 нм зарегистрирована люминесценция в диапазоне 980—1100 нм. На основании данных о строении электронных уровней в ионах Yb3+ сделан вывод о том, что возбуждение и излучение происходят непосредственно в ионах Yb3+ при пассивном участии решетки основания. В спектрах люминесценции имеется три максимума на длинах волн 993, 1025 и 1080 нм. Излучение в этих полосах обусловлено оптическими переходами электронов из возбужденного в основное состояние в ионах Yb3+. Изучена зависимость интенсивности люминесценции в полосе 993 нм от концентрации ионов активатора Yb3+. Установлено, что введение в состав люминофора ионов Na+ повышает интенсивность ИК-люминесценции. Предложен оптимальный состав люминофора (Ca1-x-yYbxNay)Ga2O4, при котором интенсивность люминесценции в полосе 993 нм максимальна.