2024-03-28T17:14:39Z
https://met.misis.ru/jour/oai
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/41
2015-03-15T11:29:24Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Quantum efficiency simulation of InGaN/Si LED
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА
O. I. Rabinovich
V. P. Sushkov
О. И. Рабинович
В. П. Сушков
моделирование
InGaN, Si
degradation
simulation
моделирование
InGaN
кремний
деградация
моделирование
In this paper we investigated the effect of reducing the LED quantum efficiency at increasing the current density. Reasons influencing this effect are determined. We show methods to reduce this effect and the positive results of using the silicon substrates in nanoheterostructures for light−emitting diodes.
Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении плотности тока. Определены причины, влияющие на этот эффект. Показаны способыуменьшения падения квантового выхода и положительные результаты применения кремниевыхподложек в многокомпонентных наногетероструктурах для InGaN светоизлучающих диодов.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/41
10.17073/1609-3577-2012-3-50-53
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2012); 50-53
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2012); 50-53
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/41/37
Jhou, Y. D. Nitride−based light emitting diode and photodetector dual function devices with InGaN/GaN multiple quantum well structures / Y. D. Jhou, C. H. Chen, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, P. C. Chang,. P. C. Chen, H. Hung, S. M. Wang, C. L. Yu // Solid State Electronics − 2005. − V. 49. − P. 1347—1351.
Gao, F. Complexes, clustering, and native−defect−assisted diffusion of aluminum in silicon / F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber // Phys. Rev. B. − 2004. − V. 70. − P. 2452081—2452088.
Akasaki, I. Nitride semiconductors — impact on the future world / I. Akasaki // J. Cryst. Growth. − 2002. − V. 237–239.− P. 905—911.
Pankove, J. I. Photoemission from GaN / J. I. Pankove, H. Schade // Appl. Phys. Lett. − 1974. − V. 25, N 1. − P. 53—55.
Zukauskas, A. Quaternary AlInGaN MQWs for Ultraviolet LEDs / A. Zukauskas, M. S. Shur, R. Gaska // MRS Bulletin. – 2001. − V. 10. − P. 764—769.
Basic research needs for solid−state lighting. Report of the Basic Energy Sciences Workshop on Solid−State Lighting [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.sc.doe.gov/bes/reports/ files/SSL_rpt.pdf
Winston, D. W. Physical simulation of optoelectronic semiconductor devices. The thesis for the Doctor of Philosophy degree. / D. W. Winston // Department of Electrical and Computer Engineering of the University of Colorado, 1996.
Рабинович, О. И. Компьютерное моделирование InGaN светодиодов / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // 5−я Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб. : Политех. ун−т, 2007. − С. 81—82.
Rabinovich, O. I. New results of InGaN LED simulation / O. I. Rabinovich, S. G. Nikiforov, V. P. Sushkov // Proc. of SPIE V. 6468, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XV, San Jose, California, USA, 2007. − Р. 64680U−1—64680U−10.
Таблицы свойств материалов и сборник экспериментальных данных [Электронный ресурс] / Физико−Технический Институт им. А. Ф. Иоффе РАН – Режим доступа: http://www.matprop.ru.
Van de Walle, Ch. G. Small valence−band offsets at GaN/InGaN heterojunctions / Ch. G. Van de Walle, J. Neugebauer // Appl.Phys. Lett. − 1997. − V. 70. − P. 2577—2579.
Adyr, F. G. Organometallic vapor phase epitaxial growth of GaN on ZrN/AlN/Si substrates / F. G. Adyr, T. E. Simpsion// Appl. Phys. Lett. − 2008. − V. 93. − Р. 023109—023111.
Технические данные и характеристики СИД и МКНГ / Compound Semiconductors [Электронный ресурс] – Режим доступа: http://www.compoundsemiconductor.net/csc/details. php?cat=news&id=19734144.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/556
2023-12-29T07:30:54Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
Modeling the processes of formation of defects that form deep levels in SiON/AlGaN/GaN
Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN
K. L. Еnisherlova
I. A. Mikhaylov
L. A. Seidman
E. P. Kirilenko
Yu. V. Kolkovsky
К. Л. Енишерлова
И. А. Михайлов
Л. А. Сейдман
Е. П. Кириленко
Ю. В. Колковский
Оже-исследования
low-energy nitrogen plasma
polarization charge
connection of central electron channels
Auger studies
Оже-исследования
низкоэнергетическая азотная плазма
поляризационный заряд
глубокие центры канальные электроны
Оже-исследования
The effect on the electrical parameters of the SiON/AlGaN/GaN structures of treatment of different durations of low-energy nitrogen plasma was studied. The AlGaN surface was subjected to plasma treatment in the working chamber of the plasma-chemical deposition unit before starting the monosilane to form the SiON film. Changes in the transport properties (conductivity and mobility) of the canal and capacitive properties of the structures were evaluated. It has been experimentally shown that such treatment leads to a change in the magnitude of polarization charges both at the insulator-AlGaN interface and at the AlGaN/GaN interface. With the help of C–V measurements-in the hysteresis mode, it is shown that at the control voltage U > +4 — +5 V ), some of the channel electrons are captured at deep centers at the SiON-AlGaN interface, and with an increase in the duration of exposure to plasma time, a sharp increase is observed charge Qit, formed by electronic boundary states. The use of additional treatment with nitrogen plasma transfers work for nitride structures from the D-mode (Vth = –4 V) to the E-mode (Vth = +0.9 V).Using Auger-measurements, it was shown that plasma treatment leads to a change in the amount of oxygen in the SiON layer and in nano-regions of the barrier layer, and with an increase in the duration of plasma exposure, a sharp decrease in the amount of oxygen in these layers is observed. Also, when using plasma treatment, the redistribution of Ga and Al at the AlGaN–GaN interface i.e. in the channel area. Using Auger measurements near the SiON–AlGaN interface from the side of the insulator, the localization of nitrogen atoms chemically bonded with silicon N(Si) with the formation of a peak at the interface, the size of which increases with increasing duration of plasma exposure.
Исследовано влияние на электрические параметры структур SiON/AlGaN/GaN обработки разной продолжительности низкоэнергетической азотной плазмой. Обработки плазмой подвергалась поверхность AlGaN в рабочей камере установки плазмохимического осаждения перед запуском моносилана для формирования пленки SiОN. Изучено изменение транспортных свойств (проводимости и подвижности) слоя двумерного электронного газа и емкостных свойств структур. Экспериментально показано, что такая обработки приводит к изменению величины поляризационных зарядов как на границе «изолятор—AlGaN», так и на границе AlGaN/GaN. С помощью С—V-измерений в режиме гистерезиса установлено, что при управляющем напряжении (U > +4 ÷ +5 В) происходит захват части канальных электронов на глубоких центрах границы SiON/AlGaN, причем с увеличением продолжительности воздействия плазмой наблюдается резкий рост заряда, формируемого электронными граничными состояниями. Использование дополнительной обработки азотной плазмой переводит для нитридных структур работу из D-режима (Vth = –4 В) в Е-режим (Vth = +0,9 В).С помощью Оже-измерений показано, что обработка плазмой приводит к изменению количества кислорода в слое SiON и в нанообластях барьерного слоя, причем с увеличением продолжительности воздействия плазмой наблюдается резкое уменьшение количества кислорода в этих слоях. Обнаружено также, что при обработке азотной плазмой происходит перераспределение Ga и Al на границе AlGaN/GaN т. е. в области слоя двумерного электронного газа. С помощью Оже-измерений вблизи границы SiON/AlGaN со стороны изолятора обнаружена локализация атомов азота, химически связанных с кремнием N(Si), с образованием на границе раздела пика, размер которого растет с увеличением продолжительности воздействия плазмой.
MISIS
he authors express their deep gratitude to senior researcher E.M. Temper for assistance in conducting experimental work and for participation in the discussion of the results obtained, as well as engineer S.A. Kapilin for assistance in preparing the article.
Авторы выражают глубокую признательность за помощь в проведении экспериментальных работ и за участие в обсуждении полученных результатов старшему научному сотруднику Э.М. Темпер, а также за помощь в оформлении статьи инженеру С.А. Капилину.
2023-09-30
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
https://met.misis.ru/jour/article/view/556
10.17073/1609-3577j.met202306.556
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 26, № 3 (2023); 204
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 26, № 3 (2023); 204
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2023-3
Morkoç H. Handbook of nitride semiconductors and devices: materials properties, physics and growth. In 3 vol. Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.; 2009. Vol. 1. P. 111—812. http://dx.doi.org/10.1002/9783527628438
Lyons J.L., Wickramaratne D., Van de Walle C. A first-principles understanding of point defects and impurities in GaN. Journal of Applied Physics. 2021; 129(11): 111101. http://doi.org/10.1063/5.0041506
Asubar J., Yatabe Z., Gregusova D., Hashizume T. Controlling surface / interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation. Journal of Applied Physics. 2021; 129(12): 121102. http://doi.org/10.1063/5.0039564
Chan Ch.-Y., Hsu Sh.S.H., Lin Y.-S., Chen L. Impacts of gate recess and passivation on AlGaN/GaN high electron mobility transistor. Japanese Journal of Applied Physics. 2007; 46(2): 478—484. http://doi.org/10.1143/JJAP.46.478
Zhang A., Zhang S.L., Tang Z., Cheng X., Wang Y., Chen K.J., Chan M. Modeling of capacitances for GaN HEMTs, including parasitic components. IEEE Transactions on Electron Devices. 2014; 61(3): 755—761. http://doi.org/10.1109/TED.2014.2298255
Енишерлова К.Л., Сейдман Л.А., Темпер Э.М., Концевой Ю.А. Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021; 24(2): 107—118. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-107-118
Ganguly S., Verma J., Li G., Zimmermann T., Xing H., Jena D. Presence and origin of interface charges at atomic-layer deposited Al2O3/III-nitride heterojunctions. Applied Physics Letters. 2011; 99(24): 193504. https://doi.org/10.1063/1.3671324
Cai Y., Zhou Y., Lau K.M., Chen K.J. Control of threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs by fluoride-based plasma treatment: From depletion mode to enhancement mode. IEEE Transactions on Electron Devices. 2006; 53(9): 2207—2215. https://doi.org/0.1109/TED.2006.881054
Yamaji K., Noborio M., Suda J., Kimoto T. Improvement of channel mobility in inversion-type n-channel GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor by high-temperature annealing. Japanese Journal of Applied Physics. 2008; 47(10): 7784—7787. https://doi.org/10.1143/JJAP.47.7784
Enisherlova K.L., Seidman L.A., Bogolyubova S.Yu. Effect of treatment in nitrogen plasma on the electrical parameters of AlGaN/GaN heterostructures. Russian Microelectronics. 2022; 51(8): 686—695. https://doi.org/10.1134/S1063739722080133
Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. М.: Мир; 1987. 598 с.
Hofmann S. Auger- and X-ray photoelectron spectroscopy in materials science: a user-oriented guide. Springer Science & Business Media; 2013. Vol. 49. 528 p. https://doi.org/10.1007/978-3-642-27381-0
Matsunaga F., Kakibayashi H., Mishima T., Kawase S. Influence of ion sputtering on Auger electron spectroscopy depth-profiling of GaAs/AlGaAs superstructure. Japanese Journal of Applied Physics. 1988; 27(1R): 149—150. https://doi.org/10.1143/JJAP.27.149
Mroczkowski S., Lichtman D. Calculated Auger sensitivity factors compared to experimental handbook values. Surface Science. 1983; 131(1): 159—166.
Монахова Ю.Б., Муштакова С.П. Математическая обработка спектров при анализе смесей методом независимых компонент: идентификация и количественный анализ. Журнал аналитической химии. 2012; 67(12): 1044—1051. https://elibrary.ru/pddpip
Enisherlova K.L., Temper E.M., Kolkovskij Yu.V., Medvedev B.K., Kapilin S.A. The ALD films of Al2O3, SiNx, and SiON as passivation coatings in AlGaN/GaN HEMT. Russian Microelectronics. 2020; 49(8): 603—611. https://doi.org/10.1134/S106373972008003X
Greco G., Giannazzo F., Frazzetto A., Raineri V., Roccaforte F. Near-surface processing on AlGaN/GaN. Nanoscale Research Letters. 2011; 6(1): 132. https://doi.org/10.1186/1556-276X-6-132
Liu X., Wang X., Zhang Y., Wei K., Zheng Y., Kang X., Jiang H., Li J., Wang W., Wu X., Wang X.P., Huang S. Insight into the near-conduction band states at the crystallized interface between GaN and SiNx grown by low-pressure chemical vapor deposition. ACS Applied Materials & Interfaces. 2018; 10(25): 21078—21103. https://doi.org/10.1021/acsami.8b04694.s001
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/132
2015-06-25T19:02:26Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Processes During Annealing of Ti—Al—Ni and Ti—Al—Ni—Au Contact Metallization Systems
ПРОЦЕССЫ ВО ВРЕМЯ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Ti—Al—Ni И Ti—Al—Ni—Au
K. D. Vanyukhin
R. V. Zakharchenko
N. I. Kargin
M. V. Pashkov
L. A. Seidman
К. Д. Ванюхин
Р. В. Захарченко
Н. И. Каргин
М. В. Пашков
Л. А. Сейдман
термический отжиг металлизации
contact metallizations
GaN
multilayer metallizations
thermal evaporation
thermal annealing of metallization.
термический отжиг металлизации
контактная металлизация
нитрид галлия
многослойная металлизация
термическое испарение
термический отжиг металлизации
The Ti/Al/Ni/Au metallization system which is widely used in the technology of GaN based devices has a very important disadvantage: after annealing in nitrogen atmosphere for 30 sec. at temperature 850 оС it has rough surface with 300 nm hillocks. This creates troubles for lithographic processes. The aim of this work is to investigate the mechanism that generates the roughness of this surface and ways to minimize this disadvantage. We have studied the formation of rough surface in Ti/Al/Ni and Ti/Al/Ni/Au multilayer metallization systems. The resistivity of the metallization sheet increases with an increase of annealing temperature. This can be attributed to the mutual diffusion of metals and their active interaction with the formation of intermetallic phases. X−ray analysis proved the appearance of the following basic intermetallic phases: NiTi, Al3Ti, и Ni2Al3 in the metallization systems. After annealing the surface of metallization system Ti/Al/Ni becomes rougher; however, large hemispherical convexes (as in the Ti/Al/Ni/ Au metallization system) are not generated. Thus, the hypothesis of balling−up of molten Al−Ni alloy on the surface of metallization system Ti/Al/Ni has not been confirmed. To decrease the amount of Au–Al liquid phase that causes the rough surface of Ti/Al/Ni/Au metallization we reduced the thickness of the Au layer to 50 nm. At this Au layer thickness the surface morphology of metallization became much better: roughness reduced from 300 nm to 80 nm and the surface became specular.
MISIS
2015-06-25
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/132
10.17073/1609-3577-2014-2-122-127
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2014); 122-127
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2014); 122-127
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2014-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/132/125
Jacobs, B. Towards integrated AlGaN/GaN based X−band high−power amplifiers. Proefschrift / B. Jacobs. − Eindhoven : Technische Universiteit Eindhoven, 2004. − 204 p.
Jacobs, B. Optimisation of the Ti/Al/Ni/Au ohmic contact on AlGaN/GaN FET structures / B. Jacobs, M. C. J. C. M. Kramer, E. J. Geluk, F. Karouta // J. Cryst. Growth. − 2002. − V. 241. − P. 15—18.
Xin, H. P. Optimization of AlGaN/GaN HEMT Ohmic contacts for improved surface morphology with low contact resistance. / H.P.Xin,S.Poust,W.Sutton,D.Li,D.Lam,I.Smorchkova,R. Sandhu, B. Heying, J. Uyeda, M. Barsky, M. Wojtowicz, R. Lai // CS MANTECH Conf. − Portland (Oregon, USA), 2010. − P. 149—152.
Васильев, А. Г. СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой. − М. : Техносфера, 2011. − 416 с.
Boudart, B. Comparison between TiAl and TiAlNiAu. Ohmic Contacts to n−type GaN / B. Boudart, S. Trassaert, X. Wallart, J. C. Pesant, O. Yaradou, D. Théron, Y. Crosnier, H. Lahreche, F. Omnes // J. Electron. Mater. − 2000. − V. 29, N 5. − P. 603—606.
Ванюхин, К. Д. Исследование структуры и морфологии поверхности двухслойной контактной металлизации Ti/Al / К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2013.−No 3.−С.60—65.
Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. − М. : Мир, 1982. − 576 с.
Feng, Q. The improvement of ohmic contact of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMT by multi−step annealing method / Q. Feng, L. M. Li, Y. Hao, J. Y. Ni, J. C. Zhang // Solid−State Electronics. − 2009. − V. 53, N 9. − P. 955—958.
Roccaforte, F. Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) / F. Roccaforte, F. Iucolano, F. Giannazzo, A. Alberti, V. Raineri // Appl. Phys. Lett. − 2006. − V. 89, Iss. 2. − P. 022103 1−3.
Bright, A. N. Correlation of contact resistance with microstructure for Au/Ni/Al/Ti/AlGaN/GaN ohmic contacts using transmissionelectronmicroscopy/A.N.Bright,P.J.Thomas,M. Weyland, D. M. Tricker, C. J. Humphreys, R. Davies // J. Appl. Phys. − 2001. − V. 89, N 6. − P. 3144—3150.
Selvanathan, D. Comparative study of Ti/Al/Mo/Au, Mo/Al/ Mo/Au, and V/Al/Mo/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures / D. Selvanathan, F. M. Mohammed, A. Tesfayesus, I. Adesida // J. Vac. Sci. Technol. B. − 2004. − V. 22. − P. 2409—2416.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/16
2015-07-28T18:02:20Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
BOUNDARY PROCESSES IN ELECTROLYTE — SILICON INTERFACE AREA DURING SELF–ORGANIZATION OF MOSAIC STRUCTURE OF 3D–ISLANDS OF POROUS SILICON NANOCRYSTALLITES AT LONG–TERM ANODE ETCHING OF P–SI (100) IN ELECTROLYTE WITH AN INTERNAL SOURCE OF CURRENT
О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА
K. B. Tynyshtykbayev
Y. A. Ryabikin
S. Z. Tokmoldin
B. A. Rakymetov
T. Aytmukan
H. A. Abdullin
К. Б. Тыныштыкбаев
Ю. А. Рябикин
С. Ж. Токмолдин
Б. А. Ракыметов
Т. Айтмукан
Х. А. Абдуллин
самоорганизация
interphase border
self−organization
самоорганизация
межфазная граница
самоорганизация
The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has been considered. We show that the formation of 3D islets of mosaic structure nanocrystallites of por-Si occurs with the participation of the adsorbed deposited silicon atoms formed as a result of disproportioning reactions at etching of silicon single crystals, as is the case for epitaxial growth of nanocrystallites with molecular beam deposition of silicon atoms on А3В5 and Si semiconductor surface and their further spontaneous self−organization. We note the significant role of oxidation of the silicon surface in the formation and self−organization of a mosaic structure of por-Si during long-term anodic etching of p-Si (100) in HF : H2O2 electrolyte quantum−size and effects occurring in local areas of atomic rough surfaces real crystal silicon.
Рассмотрен процесс образования и самоорганизации мозаичной структуры поверхности пористого кремния (por-Si) при длительном анодном травлении Si (100) p-типа проводимости (p-Si) в электролитах с внутренним источником тока. Показано, что образование 3D-островков нанокристаллитов мозаичной структуры por-Si происходит с участием осажденных адсорбированных атомов кремния, образующихся в результате реакций диспропорционирования при травлении монокристалла кремния, как это имеет место в случае эпитаксиального роста нанокристаллитов при молекулярно-лучевом осаждении атомов кремния на поверхности полупроводников АIIIВV и Si и их дальнейшем спонтанном самоупорядочении. При этом учтены квантово-размерные эффекты, имеющие место на локальных участках атомно-шероховатой поверхности реального кристалла кремния. Отмечена существенная роль окисления поверхности кремния в процессе образования и самоорганизации мозаичной структуры por-Si при длительном анодном травлении p-Si (100) в электролите HF : Н2О2.
MISIS
Work is performed within the program of basic researches of MOHPK (No. grant 3.8.2/257)
Работа выполнена в рамках программы фундаментальных иссле- дований МОНРК (грант № 3.8.2/257)
2015-03-13
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/16
10.17073/1609-3577-2014-1-31-36
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2014); 31-36
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2014); 31-36
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2014-1
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/16/12
Андреев, А. Ф. Стрикционные сверхструктуры в двумерных фазовых переходах / А. Ф. Андреев // Письма в ЖЭТФ. – 1980. – Т. 32. – С. 654—656.
Марченко, В. И. Возможные структуры и фазовые переходы на поверхности кристаллов / В. И. Марченко // Там же. – 1981. – Т. 33. – С. 397—399.
Андреев, А. Ф. О равновесной форме и колебаниях поверхности квантовых кристаллов / А. Ф. Андреев, А. Я. Паршин // ЖЭТФ. – 1978. – Т. 75. – С. 1511.
Марченко, В. И. Об упругих свойствах поверхности кристаллов / В. И. Марченко, А. Я. Паршин // Там же. – 1980. – Т. 79. – С. 257.
Марченко, В. И. К теории равновесной формы кристаллов / В. И. Марченко // Там же. – 1981. – Т. 81. – С. 1141.
Андреев, А. Ф. Капиллярные явления в теории упругости / А. Ф. Андреев, Ю. А. Косевич // Там же. – 1981. – Т. 81. – С. 1435.
Леденцов, Н. Н. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах / Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алферов // УФН. – 1996. – Т. 166, № 10. – С. 423—428.
Леденцов, Н. Н. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг // ФТП. – 1998. – Т. 32, № 4. – С. 385—410.
Кукушкин, С. А. Процессы конденсации тонких пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // УФН. – 1998. – Т. 168, № 10. – С. 1083—1116.
Емельянов, В. И. Самоорганизация упорядоченных ансамблей наночастиц при лазерно-управляемом осаждении атомов / В. И. Емельянов // Квантовая электроника. – 2006. – Т. 36. – С. 489—507.
Емельянов, В. И. Нелинейная динамика самоорганизации гексагональных ансамблей пор при окислении и травлении металлов и полупроводников / В. И. Емельянов, В. В. Старков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. – Т. 36, № 11. – С. 53—68.
Valance, A. Porous sisicon formation: Stability analysis of the silicon-electrolyte interface / A. Valance // Phys. Rev. B. − 1995. −V. 52. −P. 8323—8336.
Климов, А. В. О нелинейном капиллярно-флук туационном периодическом волновом движении в тонкой пленке жидкости на твердой подложке / А. В. Климов, А. И. Григорьев // ЖТФ. – 2009. – Т. 79, № 10. – С. 14—21.
Горячев, Д. Н. Электролитический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели // ФТП. – 2003. – Т. 37, вып. 4. – С. 494—498.
Тыныштыкбаев, К. Б. Морфология пористого кремния при длительном анодном травлении в электролите с внутренним источником тока / К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Т. Айтмукан, Б. А. Ракыметов, Р. Б. Верменичев // Письма в ЖТФ. – 2010. – Т. 36, № 11. – С. 104—110.
Тыныштыкбаев, К. Б. Динамика формирования мозаичной структуры пористого кремния при длительном анодном травлении в электролитах с внутренним источником тока / К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, К. А. Мить, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан // ФТТ. – 2011. – Т. 53, № 8. – С. 1498—1504.
Беляков, Л. В. Роль синглетного кислорода при образовании нанопористого кремния / Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М Сресели // ФТП. – 2007. – Т. 41, вып. 12. – С. 1473—1476.
Ельцов, К. Н. Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллитов графита в фотолюминесценцию // К. Н. Ельцов, В. А. Караванский, В. В. Мартынов // Письма в ЖЭТФ. 1996. – Т. 63. – С. 106—111.
Дерягин, Б. В. Теория устойчивости коллоидов и тонких пленок / Б. В. Дерягин. – М. : Наука, 1986. – 405 с.
Леньшин, А. С. Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния / А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, С. Ю. Турищев, М. С. Смирнов, Э. П. Домашевская // Письма в ЖТФ. – 2011. – Т. 37, вып. 17. – С. 1—8.
Пчеляков, О. П. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства // О. П. Пчеляков, Ю. Б. Болховитянов, А. В. Двуреченский, Л. В. Соколов, А. И. Никифоров, А. И. Якимов, Б. Фойхтлендер // ФТП. – 2000. Т. 34, вып. 11. – С. 1281—1299.
Bolkhovityanov, Yu. B. The initial stages of heteroepitaxy from the liquid phase at a low misfit: InGaAsP on GaAs / Yu. B. Bolkhovityanov, V. I. Yudaev, A. K. Gutakovsky // Thin solid films. – 1986. – V. 137. – P. 111—121.
Тимохов, Д. Ф. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления // Д. Ф. Тимохов, Ф. П. Тимохов / ФТП. – 2009. Т. 43, № 1. – С. 95—99.
Eaglesham, D. J. Equilibrium shape of Si / D. J. Eaglesham, A. E. White, L. C. Feldman, N. Moriya, D. C. Jacobson // Phys. Rev. Lett. – 1993. V. 70, iss. 11. – P. 1643.
Шкляев, А. А. Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния / А. А. Шкляев, М. Ичикава // УФН. – 2008. – Т. 178. – С. 139—169.
Киселев, В. Ф. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках / В. Ф. Киселев, О. В. Крылов. – М. : Наука, 1979. – 232 c.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/387
2021-08-31T09:46:47Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Optimization of passivation in AlGaN/GaN heterostructure microwave transistor fabrication by ICP CVD
Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD
A. A. Sleptsova
S. V. Chernykh
D. A. Podgorny
I. A. Zhilnikov
А. А. Слепцова
С. В. Черных
Д. А. Подгорный
И. А. Жильников
нитрид кремния, плазмохимическое осаждение, ICP CVD, AlGaN/GaN HEMT, пассивация, вольт-амперные характеристики
нитрид кремния, плазмохимическое осаждение, ICP CVD, AlGaN/GaN HEMT, пассивация, вольт-амперные характеристики
In present study is considered the influence of the regimes of passivating dielectric silicon nitride SiNx films deposition by the chemical vapor deposition in an inductively coupled plasma (ICP CVD) on the parameters of the high electron mobility transistors (HEMT) based on AlGaN/GaN heterostructures. By the investigation of dielectric material layers’ parameters was revealed the influence of RF and ICP generators power, working gases flows ratio on the films growth rate and perfection, also their effect on the CVC of passivated HEMT. With RF power increasing the deposition rate did not change, while its growth was observed with ICP power increasing. The transistor slope strongly decreases with RF power increasing, its maximum was achieved with a minimum RF power of 1 W. At the initial moment of deposition even at low values of RF power (at 3 W already) the transistor structure becomes completely inoperative. Shown, that the deposition process of dielectrics for the HEMT passivation must begin at the lowest possible RF power. An AlGaN/GaN UHF HEMT structure passivation process has been developed, allowing the deposition of conformal films and obtaining low drain-source currents in turn-off transistors without deterioration in the open state — at no more than 15 and 100 μA for 1,25 and 5 mm Т-gate width respectively (UG = –8 V and USD = 50 V).
Рассмотрено влияние режимов нанесения пассивирующих диэлектрических пленок нитрида кремния SiNx методом плазмохимического осаждения из газовой фазы в индуктивно-связанной плазме (ICP CVD) на параметры транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур AlGaN/GaN. На основании результатов исследования параметров полученных слоев диэлектрического материала определено влияние RF и ICP мощностей, соотношения потоков рабочих газов на скорость роста пленок и их совершенство, а также их влияние на вольт-амперные характеристики пассивируемых HEMT. Скорость осаждения при увеличении RF мощности практически не менялась, однако при увеличении ICP мощности наблюдался ее рост. При этом крутизна транзистора сильно снижалась с ростом RF мощности, ее максимум достигался при минимальной мощности RF = 1 Вт. В начальный момент роста, даже при невысоких значениях RF мощности (уже при 3 Вт), структура транзистора становилась полностью неработоспособной. Показано, что процесс осаждения диэлектрика для пассивации HEMT необходимо начинать при максимально низких значениях RF мощности. Отработан технологический процесс пассивации AlGaN/GaN СВЧ HEMT, позволяющий осаждать конформные пленки и получать низкие токи сток—исток транзисторов в закрытом состоянии без ухудшения характеристик в открытом состоянии — на уровне не более 15 и 100 мкА соответственно для общей ширины Т-образного затвора 1,25 и 5 мм (Uз = –8 В и Uс-и = 50 В).
MISIS
2020-08-08
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/387
10.17073/1609-3577-2020-2-127-133
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 23, № 2 (2020); 127-133
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 23, № 2 (2020); 127-133
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2020-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/387/315
Арендаренко А. А., Орешкин В. А., Свешников Ю. Н., Цыпленков И. Н. Тенденции развития эпитаксиальной технологии нитридных соединений // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18, № 1. С. 5—15. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-1-5-15
Sun H., Liu M., Liu P., Lin X., Cui X., Chen J., Chen D. Performance optimization of lateral AlGaN/GaN HEMTs with cap gate on 150-mm silicon substrate // Solid-State Electronics. 2017. V. 130. P. 28—32. DOI: 10.1016/j.sse.2017.01.006
Sleptsov E. V., Chernykh A. V., Chernykh S. V., Dorofeev A. A., Gladysheva N. B., Kondakov M. N., Sleptsova A. A., Panichkin A. V., Konovalov M. P., Didenko S. I. Investigation of the thermal annealing effect on electrical properties of Ni/Au, Ni/Mo/Au and Mo/Au Schottky barriers on AlGaN/GaN heterostructures // J. Phys.: Conf. Series. 2017. V. 816. P. 012039. DOI: 10.1088/1742-6596/816/1/012039
Kaushik J. K., Balakrishnan V. R., Mongia D., Kumar U., Dayal S., Panwar B. S., Muralidharan R. Investigation of surface related leakage current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors // Thin Solid Films. 2016. V. 612. P. 147—152. DOI: 10.1016/j.tsf.2016.06.003
Huang H., Sun Z., Cao Y., Li F., Zhang F., Wen Z., Zhang Z., Liang Y. C., Hu L. Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with Schottky gate structures // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51, N 34. P. 345102. DOI: 10.1088/1361-6463/aad455
Huang H., Liang Yu. C., Samudra G. S., Chang T.-F., Huang C.-F. Effects of gate field plates on the surface state related current collapse in AlGaN/GaN HEMTs // IEEE Transactions On Power Electronics. 2014. V. 29, N 5. P. 2164—2173. DOI: 10.1109/TPEL.2013.2288644
Енишерлова К. Л., Медведев Б. К., Темпер Э. М., Корнеев В. И. Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2018. Т. 21, № 3. С. 182—193. DOI: 10.17073/1609-3577-2018-3-182-193
Абгарян К. К. Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2016. Т. 19, № 2. С. 108—114. DOI: 10.17073/1609-3577-2016-2-108-114
Chander S., Gupta S., Ajay, Gupta M. Enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMT using passivation technique for microwave application // Superlattices and Microstructures. 2018. V. 120. P. 217—222. DOI: 10.1016/j.spmi.2018.05.039
Zhu G., Liang G., Zhou Y., Chen X., Xu X., Feng X., Song A. Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electronmobility transistors // J. Phys. Chem. Solids. 2019. V. 129. P. 54—60. DOI: 10.1016/j.jpcs.2018.12.021
Zhu G., Wang H., Wang Y., Feng X., Song A. Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109, N 11. P. 113503. DOI: 10.1063/1.4962894
Arulkumaran S., Egawa T., Ishikawa H., Jimbo T., Sano Y. Surface passivation effects on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with SiO2, Si3N4, and silicon oxynitride // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84, N 4. P. 613—615. DOI: 10.1063/1.1642276
Kim H.-S., Han S.-W., Jang W.-H., Cho C.-H., Seo K.-S., Oh J., Cha H.-Y. Normally-off GaN-on-Si MISFET using PECVD SiON gate dielectric // IEEE Electron Device Lett. 2017. V. 38, Iss. 8. P. 1090—1093. DOI: 10.1109/LED.2017.2720719
Karouta F., Krämer M. C. J. C. M., Kwaspen J. J. M., Grzegorczyk A., Hageman P., Hoex B., Kessels W. M. M., Klootwijk J., Timmering E., Smit M. K. influence of the structural and compositional properties of PECVD silicon nitride layers on the passivation of AlGaN/GaN HEMTs // ECS Transactions. 2008. V. 16, N 7. P. 181—191. DOI: 10.1149/1.2983174
Сейдман Л. А. Формирование трехмерных структур в подложках карбида кремния плазмохимическим травлением // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18, № 3. С. 157—171. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-3-157-171
Lee J. J. Application of inductively coupled plasma to CVD and PVD // Surface & Coatings Technology. 2005. V. 200, Iss. 1–4. P. 31—34. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2005.02.113
Dutta G., DasGupta N., DasGupta A. Low-temperature ICP-CVD SiNx as gate dielectric for GaN-based MIS-HEMTs // IEEE Transactions On Electron Devices. 2016. V. 63, Iss. 12. P. 4693—4701. DOI: 10.1109/TED.2016.2618421
Lee J. W., Mackenzie K. D., Johnson D., Sasserath J. N., Pearton S. J., Ren F. Low temperature silicon nitride and silicon dioxide film processing by inductively coupled plasma chemical vapor deposition // J. Electrochem. Soc. 2000. V. 147, N. 4. P. 1481—1486. DOI: 10.1149/1.1393382
Thomas O. Inductively coupled plasma chemical vapour deposition (ICP-CVD) // Oxford Instruments Plasma Technology. 2010. URL: https://plasma.oxinst.com/campaigns/technology/icpcvd (дата обращения: 24.07.2020)
Cho H.-J., Her J.-C., Lee K., Cha H.-Y., Seo K.-S. Low damage SiNx surface passivation using remote ICP-CVD for AlGaN/GaN HEMTs // Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials. Tsukuba (Japan), 2008. P. 504—505.
Кондаков М. Н., Черных С. В., Черных А. В., Подгорный Д. А., Гладышева Н. Б., Дорофеев А. А., Диденко С. И., Капров Д. Б., Жукова Т. А. Влияние режимов отжига на электрические параметры, морфологию и микроструктуру омических контактов на основе Mo/Al/Mo/Au к гетероструктурам AlGaN/GaN // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2018. № 2. С. 40—47. URL: http://j.pulsarnpp.ru/images/journal/issues/2018/2_249/kondakov.pdf (дата обращения: 24.07.2020).
Gereth R., Scherber W. Properties of ammonia-free nitrogen - Si3N4 films produced at low temperatures // J. Electrochem. Soc. 1972. V. 119, N 9. P. 1248—1254. DOI: 10.1149/1.2404452
Han I. K., Lee Y. J., Jo J. W., Lee J. I., Kang K. N. Growth and characterization of silicon-nitride films by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Appl. Surf. Sci. 1991. V. 48–49. P. 104—110. DOI: 10.1016/0169-4332(91)90313-9
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/92
2018-11-23T16:27:37Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
STATISTICAL ANALYSIS OF GE INFLUENCE ON RADIATION AND THERMAL STABILITY OF THE ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF CZ–SI BASED DEVICE N—P—N—P–STRUCTURES
СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si
S. V. Bytkin
T. V. Kritskaya
S. P. Kobeleva
С. В. Быткин
Т. В. Критская
С. П. Кобелева
критериальные параметры
silicon
germanium doping
thyristor
γ−radiation
criterial parameters
критериальные параметры
кремний
легирование германием
тиристор
γ−облучение
критериальные параметры
The characteristics of low−power and high−power thyristors basen of dislocation−free single crystal silicon doped with ger- manium to the concentration range NGe ~ (0.05—1.5) • 1020 cm−3 have been investigated. The criterial parameters of thyristors exposed to radiation and high temperature gradients have been estimated using experimental data processing methods in the STATISTICA and MathCAD environments. We show the appropriateness of using germanium doped silicon for increasing the thermal stability and radiation strength of the devices exposed to γ−radiation in the range of doses of up to 2.94 • 106 mSv.
Исследованы характеристики мало- мощных и силовых тиристоров на основе бездислокационных монокристаллов кремния, легированных германием в диапазоне концентраций NGe ~ (0,05÷1,5) ⋅ 1020 см−3. С использованием методов обработки экспериментальных данных в среде STATISTICA и MathCAD оценены критериальные параметры тиристоров при действии облучения и высоких температурных градиентов. Показана целесообразность использования кремния, легированного германием, для повышения термической стабильности и радиационной стойкости приборов, подвергнутых действию γ−облучения в диапазоне доз до 2,94⋅ 106 мЗв.
MISIS
2015-03-16
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/92
10.17073/1609-3577-2013-4-42-48
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2013); 42-48
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2013); 42-48
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-4
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/92/85
Catrene scientific committee eorking group: Integrated power & energy efficiency [Elektronnyi document] (http://www. catrene.org/web/downloads/IPEE_Report_by _Catrene%20Sci._ Comm.pdf).
Weigel , W. −D. Moderne drehstromantriebstechn ik — stand und perspektiven / W.−D. Weigel // ZEVrail Glasers Annalen (Tagungsband SFT Graz). − 2002. − P. 112—125.
Kaminski, N. Vozdeistvie kosmicheskogo izlucheniya na intensivnost‘ otkazov IGCT [Elektronnyi document] / N. Kaminski, A. Chekmarev, I. Korzina, T. Styasni // Silovaya elektronika. − 2008. − N 1. − P. 30—32 (http://www.power−e.ru/2008_1_30.php).
O Federal‘noi celevoi programme «Nacional‘naya tehnologicheskaya baza» na 2007—2011 gody (v red. Postanovleniya Pravitel‘stva RF ot 26.11.2007 N 809). [Elektronnyi document] (http:// www.intpark.noolab.ru/uploads/1245030251.doc).
Kritskaya, T. V. Upravlenie svoistvami i razrabotka pro- myshlennoi tehnologii monokristallicheskogo kremniya dlya elektroniki i solnechnoi energetiki: Diss. d−ra. tehn. n. − Zaporozh’e, 2006. − 375 p.
Bytkin, S. V. Silicon doped with germanium (n−Si<Ge>) usage for manufacturing of radiation hardened devices and integrated circuits. / S. V. Bytkin // Fourth Europ. Conf. on Radiation and Its Effects on Components and Systems Proceedings. − Cannes (France), 1997. − P. 141—146.
Bytkin, S. V. Materialy i processy v tehnologii kremnievyh priborov, ustoichivyh k deistviyu ioniziruyushih izluchenii: analiz effektivnosti primeneniya / S. V. Bytkin, O. V. Bytkina − Zaporozh’e : Izd−vo ZGIA, 1997. − 84 p.
Bytkin, S. V. Radiacionnaya stoikost’ planarnyh n—p— n−struktur, izgotovlennyh iz monokristallov kremniya s razlichnoi koncentraciei germaniya / S. V. Bytkin, T. V. Kritskaya // Skladni sistemi i procesi − 2003. − N 2. − P. 90—96.
Barabash L. I. Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / L. I. Barabash, I. M. Vishnevs'kii, A. A. Groza, A. Ya. Karpenko, P. G. Litovchenko, M. I. Starchik // Voprosy atomnoi nauki i tehniki. Ser. 90: Fizika radiacionnyh povrezhdenii i radiacionnoe materialovedenie. − 2007. − N 2. − P. 182—189.
Defense technology strategy for the demands of the 21st century [Elektronnyi document] (http://www.science.mod.uk/mod- www/content/dts_complete.pdf).
Borovikov, V. STATISTICA. Iskusstvo analiza dannyh na komp‘yutere. Dlya professionalov / V. Borovikov. − SPb. : Piter, 2003. − 688 p.
Kudryavcev, V. M. Mathcad 11: Polnoe rukovodstvo po russkoi versii. / V. M. Kudryavcev −M. : DMK Press, 2005. − 592 p.
Gerlah, V. Tiristory / V. Gerlah − M. : Energoatomizdat, 1985. − 345 p.
Kritskaya, T. V. Uprugie napryazheniya v kremnii s vnu- trennimi getterami / T. V. Kritskaya, V. E. Kustov, N. A. Tripachko, V. I. Shahovcov // Elektronnaya tehnika. Ser. Materialy. − 1989. − Iss. 4 (241). − P. 41—43.
Kritskaya, T. V. Osobennosti spektrov IK−poglosheniya termodonorov v kristallah Si : Ge / T. V. Kritskaya, L. I. Hirunenko, V. I. Shahovcov, V. I. Yashnik // FTP. − 1990. − T. 24, Iss. 6. − P. 1129— 1132.
Kustov, V. E . Vnutrennie uprugie deformacii v kremnii / V. E.Kustov, T. V. Kritskaya, N. A. Tripachko, L. I. Hirunenko, V. I. Shahovcov, V. I. Yashnik // Neorgan. materialy. − 1991. − N 6. − P. 1116—1118.
Khirunenko, L . I. Oxygen in silicon doped with isovalent impurities. / L. I. Khirunenko, Yu. V. Pomozov, M. G. Sosnin, V. K. Shinkarenko // Physica B. − 1999. − V. 273−274. − P. 317—321.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/59
2015-03-15T17:39:52Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Hydrogen–Induced Cleavage of Silicon Wafers by Electrochemical Etching
ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ
K. B. Tynyshtykbaev
Yu. A. Ryabikin
S. Zh. Tokmoldin
B. A. Rakhmetov
T. Aitmukan
К. Н. Тыныштыкбаев
Ю. А. Рябикин
С. Ж. Токмолдин
Б. А. Рахметов
Т. Айтмукан
водород
silicon
electrochemical anodic etching
point defects
водород
скрытые слои
упругие напряжения
точечные дефекты
водород
This paper presents the method for obtaining hidden layers of porous and nonporous silicon and the results of a study of their structure depending on the conditions of electrochemical anodic etching and the parameters of the samples. We show that the formation of hidden layers during high voltage etching may occur as a result of the establishment of avalanche breakdown in the local area of the clamping contact at the beginning of etching, wherein etching occurs during the avalanche ionization of the major carriers as a result of the breakdown at the sample edges. The separating upper layer is not disturbed and retains the initial crystalline structure.The critical role in the formation of hidden defect layers belongs to the point defects and electrolytic hydrogen which form during silicon etching.
Представлены метод получения скрытых дефектных слоев кремния с помощью электрохимического анодного травления и результаты исследования их структуры в зависимости от условий травления и параметров образцов. Показано, что создание скрытых дефектных слоев возможно в результате установления режима лавинного пробоя в локальной области прижимного контакта, когда при лавинной ионизации основных носителей заряда происходит травление по периметру образца. При этом верхний отделяющийся слой остается ненарушенным, сохраняя исходную кристаллическую структуру. Решающую роль в механизме формирования скрытых дефектных слоев кремния играют образующиеся при травлении точечные дефекты и электролитический водород.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/59
10.17073/1609-3577-2012-4-40-44
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2012); 40-44
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2012); 40-44
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-4
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/59/54
Turner, D. R. The Electrochemistry of Semiconductors. / D. R. Turner. − London : Academic Press, 1962. − P. 179.
Solanki, C. S. New approach for the formation and separation of a thin porous silicon layer / C. S. Solanki, R. R. Bilyalov, H. Bender, J. Poortmans / Phys. status solidi (a). − 2000. − V. 182, N 1. − P. 97—101.
Горячев, Д. Н. Свободные люминесцирующие слои пористого кремния / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели // ФТП. − 2010. − Т. 44, вып. 12. − С. 1636—1639.
Горячев, Д. Н. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели // Там. же. − 2004. − Т. 38, вып. 6. − С. 739—744.
Емельянов, В. И. Квазиодномерное распределение макропор при анодном травлении одноосно−напряженной пластины кремния / В. И. Емельянов, К. И. Еремин, В. В. Старков, Е. Ю. Гаврилин // Письма в ЖТФ. − 2003. − Т. 29, вып. 6. − С. 19—25.
Ратников, В. В. Рентгеновская дифрактометрия и электронная микроскопия слоев пористого Si на разных стадиях окисления на воздухе / В. В. Ратников, Л. М. Сорокин, В. И. Соколов, А. Е. Калмыков // ФТТ. − 2009. − Т. 51, вып. 12. С. 2289—2295.
Астрова, Е. А. Исследование деформаций и дефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния / Е. А. Астрова, В. В. Ратников, А. Д. Ременюк, И. Л. Шульпина // ФТП. − 2002. Т. 36, вып. 9. − С. 1111—1121.
Гусаков, В. Е. Формирование и диффузия собственных межузельных атомов в кристаллах кремния при гидростатическом давлении: квантово−химическое моделирование / В. Е. Гусаков, В. И. Белько, Н. Н. Дорожкин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2009. − № 8. − С. 71—75.
Старков, В. В. Перераспределение макропор и их структура при анодном травлении одноосно−напряженной поверхности кремния / В. В. Старков, Е. Ю. Гаврилин, А. Ф. Вяткин, В. И. Емельянов, К. И. Еремин // Перспективные материалы. − 2003. − № 6. − С. 25—32.
Bilyalov, R. Role of hydrogen in the separation of a porous Si layer in a layer transfer process / R. Bilyalov, C. S. Solanki, J. Poortmans, A. Ulyashin, R. Job and W. Fahrner // Phys. status solidi (a). − 2003. − V. 197, N 1. − P. 128—131.
Soltanovich, O. A. Hydrogen−related defects in high−resistivity silicon / O. A. Soltanovich, O. V. Feklisova, E. B. Yakimov / Solid State Phenomena. − 2002. − V. 82–84. − P. 150—154.
Феклисова, О. В. Образование электрически активных дефектов при химическом травлении высокоомного кремния/О. В. Феклисова, О. А. Солтанович. // Тез. докл. 3−й Росс. конф. По материаловедению «Кремний−2003». − М., 2003. − Ч. 1, С. 149.
Феклисова, О. В. Проникновение водорода в кремний р−типа в процессе жидкостного химического травления: экспериментальное исследование и моделирование / О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов. / Там же. − М., 2003. − Ч. 1. − С. 150.
Ярыкин, Н. Взаимодействие водорода с радиационными дефектами / Н. Ярыкин // Там же. − М., 2003. − Ч. 1. − С. 172.
Киланов, Д. В. Водородно−индуцированное скалывание в кремнии по заглубленному слою, сильнолегированному бором / Д. В. Киланов, В. П. Попов, Л. Н. Сафронов, А. И. Никифоров, Р. Шольц // ФТП. − 2003. − Т. 37, вып. 6. − С. 644—648.
Valance, A. Porous silicon formation: Stability analysis of the silicon−electrolyte interface / A. Valance // Phys. Rev. B. − 1995. − V. 52, N 11.− P. 8323—8336.
Компан, М. Е. О механизме самоформирования наноразмерных структур пористого кремния при бестоковом водном травлении / М. Е. Компан, И. Ю. Шабанов // ФТП. − 1995. −Т. 29, твып. 10. − С. 1859—1869.
А. С. РК № 65010. Способ получения скрытых слоев пористого кремния. / К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, Ж. С. Токмолдин. Инновационный патент РК № 22831 от 06.03.2009.
А. С. РК № 66418. Способ получения тонких пластин кремния. / К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, Ж. С. Токмолдин. Инновационный патент РК № 23446 от 08.05.2009.
А. С. СССР № 980562. Способ изготовления скрытых слоев. / Н. Н. Герасименко, Л. С. Смирнов, В. Ф. Стась, К. Б. Тныштыкбаев. от 13.04.1981 г.
А. С. СССР № 1282757. Способ изготовления тонких пластин кремния. / В. Ф. Реутов, Ш. Ш. Ибрагимов. от 30.12. 1983 г.
Герасименко, H. H. Образование радиационных дефектов в кремнии р−типа, содержащем атомы водорода / H. H. Герасименко, К. Б. Тныштыкбаев // ФТП. − 1980. − Т. 14, вып. 9. − С. 1673—1676.
Герасименко, H. H. Свойства дефектных центров в кремнии, облученном протонами / H. H. Герасименко, Л. C. Смирнов, В. Ф. Стась, К. Б. Тныштыкбаев // ФТП. − 1981. − Т. 15, вып. 10. − С. 1934—1938.
Реутов, В. Ф. Влияние плотности ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута, криптона и ксенона на развитие водородных блистеров в кремнии /В. Ф. Реутов, А. Г. Залужный, А. П. Кобзев, А. С. Сохацкий // ЖТФ. − 2009. − Т. 79, вып. 9. − С. 63—70.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/238
2019-02-21T14:59:11Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Nanoscale characterization of Cr, Cu, Al and Ni metallic magnetron nanofilm multilayers on sitall
Наноразмерная характеризация металлических магнетронных нанопленочных мультислоев из Cr, Cu, Al, Ni на ситалле
A. P. Kuzmenko
Naw Dint
A. E. Kuzko
Myo Min Than
Thant Sin Win
A. I. Kolpakov
А. П. Кузьменко
Нау Динт
А. Е. Кузько
Мью Мин Тан
Тант Син Вин
А. И. Колпаков
критерий оптимизации качества поверхности
DC (direct current)
magnetron metal nanofilms
roughness
surface quality optimization criterion
критерий оптимизации качества поверхности
магнетронные металлические нанопленки
шероховатость
критерий оптимизации качества поверхности
Results of nanoscale study (by atomic force microscopy and X−ray diffraction) of single−, two− and three−layered Cr, Cu, Al and Ni metallic nanofilms formed on a ceramic sital substrate on MVU TM−Magna T magnetron equipment (NIITM, Zelenograd) have been reported. The growth rates and the structure of the nanofilms were determined while varying of power/current ratio from 200/0.7 to 800/2 Wt/A and magnetron sputtering time from 30 to 360s at an operating pressure of 0.5 Pa Ar. The criterion for optimization quality based on the minimum roughness was as follows: Ra = min{Rai} and/or Rq → min{Rqi} (i is the number of varies modes used). The mean roughness Ra and RRMS = Rq have been determined from the scan of the vertical profile (resolution 20 pm) of the atomic force microscopic image. We found that the nanofilm–forming nanocluster structure size for the modes when Ra and Rq were the smallest had a close–to–Gaussian grain size distribution. The film growth rates have been determined based on the atomic force images of the nanofilm structure in the form of either a single step or steps obtained at different time intervals. The mode and parameters of magnetron sputtering and the composition of the Cr, Cu, Al and Ni targets affect the size of clusters which form the surface of the metallic nanofilms. X−ray phase and structural analyses have been carried out in order to determine the texture and the change in the distances between the lattice planes. The correctness of the optimization criterion correlating the nanolayer deposition parameters and their quality has been corroborated by the coincidence of the magnetron sputtering modes which provided for the lowest roughness and the smallest average size of the X−ray coherence region as using the Debye− Scherrer equation.
MISIS
2018-03-06
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/238
10.17073/1609-3577-2016-3-195-203
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 3 (2016); 195-203
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 3 (2016); 195-203
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2016-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/238/203
Рогов, А. В. Факторы, определяющие эффективность магнетронного распыления. Критерии оптимизации / А. В. Рогов, Ю. В. Капустин, Ю. В. Мартыненко // Журн. тех. физики. − 2015. − Т. 85, вып. 2. − С. 126—134.
Каштанов, П. В. Магнетронная плазма и наотехнология / П. В. Каштанов, Б. М. Смирнов, Р. Хипплер // Успехи физ. наук. − 2007. − Т. 177, № 5. − С. 473—510. DOI: 10.3367/UFNr.0177.200705a.0473
Smirnov, B. M. Formation of clusters through generation of free atoms / B. M. Smirnov, I Shyjumon., R. Hippler // Phys. Scr. − 2006. − V. 73, N 3. − P. 288—295. DOI: 10.1088/0031-8949/73/3/009
Manova, D. Thin film deposition using energetic ions / D. Manova, J. W. Gerlach, S. Mändl // Materials. − 2010. − V. 3, N 8. − P. 4109—4141. DOI: 10.3390/ma3084109
Кукушкин, C. А. Процессы конденсации тонких пленок / C. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Успехи физ. наук. − 1998. − Т. 168, № 10. − С. 1083—1116. DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810b.1083
Ekpe, S. D. Theoretical and experimental determination of the energy flux during magnetron sputter deposition onto an unbiased substrate / S. D. Ekpe, S. K. Dew // J. Vac. Sci. Technol. A. − 2003. − V. 21, iss. 2. − P. 476—483. DOI: 10.1116/1.1554971
Xie, L. Molecular dynamics simulations of clusters and thin film growth in the context of plasma sputtering deposition / L. Xie, P. Brault, J.−M. Bauchire, A.−L. Thomann, L. Bedra // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2014. − V. 47, N 22. − P. 224004(1–36). DOI: 10.1088/00223727/47/22/224004
Асеев, А. Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / А. Л. Асеев // Вестник Российской Академии Наук. − 2006. − № 76, вып. 7. − С. 603—611.
Lin, J.−P. Structural, optical and electrical properties of chromium thin films prepared by magnetron sputtering / J.−P. Lin, L.−M. Lin, G.−Q. Guan, Y.−W. Wu, F.−Ch. Lai // Acta Photonica Sinica. − 2012. − V. 41, N 8. − P. 922—926. DOI: 10.3788/gzxb20124108.0922
Le, M.−T. Effect of sputtering power on the nucleation and growth of Cu films deposited by magnetron sputtering / M.−T. Le, Y.−U. Sohn, J.−W. Lim, G.−S. Choi // Materials Transactions. − 2010. − V. 51, N 1. − P. 116—120. DOI: 10.2320/matertrans.M2009183
Persson, B. N. J. On the fractal dimension of rough surfaces / B. N. J. Persson // Tribol. Lett. − 2014. − V. 54, iss. 1. − P. 99—106. DOI: 10.1007/s11249-014-0313-4
Muralidhar, S. M. Studies on nanostructure aluminium thin film coatings deposited using DC magnetron sputtering process / S. M. Muralidhar, G. Vijaya, M. S. Krupashankara, B. K. Sridhara, T. N. Shridhar // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. − 2016. − V. 149, N 1. − P. 012071. DOI: 10.1088/1757899X/149/1/012071
Priyadarshini, B. G. Structural and morphological investigations on DC−magnetron−sputtered nickel films deposited on Si (100) / B. G. Priyadarshini, S. Aich, M. Chakraborty // J. Mater. Sci. − 2011. − V. 46, N 9. − P. 2860—2873. DOI: 10.1007/s10853-010-5160-6
Джумалиев, А. С. Формирование текстурированных пленок Ni(200) и Ni(111) методом магнетронного распыления / А. С. Джумалиев, Ю. В. Никулин, Ю. А. Филимонов // Журн. техн. физики. − 2016. − Т. 86, вып. 6. − С. 126—131.
Burgstaller, W. Copper−nickel oxide thin film library reactively co−sputtered from a metallic sectioned cathode / W. Burgstaller, M. Hafner, M. Voith, A. I. Mardare, A. W. Hassel // J. Mater. Res. − 2014. − V. 29, iss. 1. − P. 148—157. DOI: 10.1557/jmr.2013.336
Burinskas, S. Synthesis of Cu/Cr multilayer thin films deposited by unbalanced magnetron sputtering / S. Burinskas, J. Dudonis // Materials science. − 2009. − V. 15, N 3. − P. 220—223.
Bizhou, Shen. Morphology structure and electrical properties of NiCr thin film grown on the substrate of silicon prepared by magnetron sputtering / Bizhou Shen, Liping Peng, Xuemin Wang, Jianjun Wei, Weidong Wu // J. Wuhan Univ. of Technology−Mater. Sci. Ed. − 2015. − V. 30, iss. 2. − P. 380—385. DOI: 10.1007/s11595-0151156-z
Джумалиев, А. С. Магнетронное осаждение тонких пленок Cu(200) на подложки Ni(200)/SiO2/Si / А. С. Джумалиев, Ю. В. Никулин, Ю. А. Филимонов // Журн. тех. физики. − 2014. − Т. 84, вып. 7. − С. 152—155.
Jing, Xu. The influence of sputtering argon pressure on LaB6 films characetristics / Jing Xu, Guang Hui Min, Hua Shun Yu, Jing Li // Adv. Mater. Res. − 2011. − V. 287–290. − P. 2244—2247. DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.287-290.2244
Кузьменко, А. П. Температурные изменения структуры магнетронных медных пленок на ситалловой подложке / А. П. Кузьменко, Нау Динт, Мьо Мин Тан // Изв. Юго−Западного гос. ун−та. Сер. техника и технологии. − 2015. − Т. 16, № 3. − С. 60— 71.
Кузьменко, A. П. Процессы деградации при нагревании на воздухе в магнетронных нанопленках Ni и Cr / A. П. Кузьменко, А. Е. Кузько, Нау Динт, Мьо Мин Тан, Р. Т. Кануков // Изв. Юго− Западного гос. ун−та. Сер. техника и технологии. − 2016. − Т. 19, № 2. − С. 153—165.
Liu, Y. H. Deposition of multicomponent metallic glass films by single−target magnetron sputtering / Y. H. Liu, T. Fujita, A. Hirata, S. Li, H. W. Liu, W. Zhang, A. Inoue, M. W. Chen // Intermetallies. − 2012. − V. 21, iss. 1. − P. 105—114. DOI: 10.1016/j.intermet.2011.10.007
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/43
2015-03-15T12:03:26Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
INFLUENCE OF CONDITIONS OF GROWTH ON STRUCTURAL PERFECTION OF LAYERS OF ALN RECEIVED BY METHOD MOS-GIDRIDNOY OF AN EPITAXY
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ
A. V. Mazalov
D. R. Sabitov
V. A. Kureshov
A. A. Padalitsa
A. A. Marmalyuk
R. Kh. Akchurin
А. В. Мазалов
Д. Р. Сабитов
В. А. Курешов
А. А. Падалица
А. А. Мармалюк
Р. Х. Акчурин
сапфир
AlN
MOCVD
Metal−organic chemical vapor deposition
V/III ratio
buffer layer
sapphire
Al2O3
сапфир
МОС−гидридная эпитаксия
отношение V/III
буферный слой
сапфир
In present work the influence of growth conditions on structural quality of AlN layers grown by МОСVD have been investigated. The influence of buffer layers grown with different temperatures and V/III ratio on crystalline quality of AlN were explored. We have reported that the high temperature buffer layer with low V/III ratio is most efficient way to improve the structural quality of AlN. Further improvement was achieved by minimizing the parasitic reactions between NH3 and TMAl. It was carried out by optimization the total flow through the reactor. Applying these methods, it was possible to obtain a high-quality AlN layers (FWHM for (0002), (0004) and (101–3) reflections were 50, 97 and 202 arc seconds respectively) with good root-mean-square roughness of surface 0.7 nm.
Рассмотрено влияние буферных слоев, формируемых при различных температурах и отношениях элементов V и III групп (V/III), на кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев AlN, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках a-Al2O3. Показано, что наиболее эффективным способом повышения структурного совершенства эпитаксиальных слоев является использование высокотемпературного буферного слоя при низком отношении V/III. Дальнейшее улучшение качества слоев AlN возможно благодаря снижению паразитных реакций между аммиаком и триметилалюминием в газовой фазе путем оптимизации потока газа через реактор. Установленные значения ростовых параметров, позволили получить слои AlN высокого кристаллического совершенства (полуширина рентгеновских кривых качания для отражений (0002), (0004) и (101-3) составила 50, 97 и 202 угл. с соответственно) с хорошей среднеквадратической шероховатостью поверхности 0,7 нм, пригодные для создания приборов на их основе.
MISIS
Авторы благодарят К. Д. Щербачева (НИТУ «МИСиС) за проведение из- мерений образцов на трехкристальном рентгеновском дифрактометре и В. В. Азарову за помощь в проведении измерений на интерферометре белого света.
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/43
10.17073/1609-3577-2013-1-45-48
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2013); 45-48
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2013); 45-48
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-1
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/43/39
Amano, H. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer / H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, T. Toyoda // Appl. Phys. Lett. – 1986. – V. 48. – P. 353—355.
Nakamura, S. GaN growth using GaN buffer layer / S. Nakamura // Jap. J. Appl. Phys. – 1991. – V. 30. – P. L1705—L1707.
Paduano, Q. S. Effect of initial process conditions on the structural properties of AlN films / Q. S. Paduano, D. W. Weyburne, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber // J. Cryst. Growth. – 2004. – V. 261. – P. 259—265.
Thapa, S. B. Structural and spectroscopic properties of AlN layers grown by MOVPE / S. B. Thapa, C. Kirchner, F. Scholz, G. M. Prinz, K. Thonke // Ibid. – 2007. – V. 298. – P. 383—386.
Okada, N. Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification / N. Okada, N. Kato, S. Sato, T Sumii, T. Nagai, N. Fujimoto // Ibid. – 2007. – V. 298. – P. 349—353.
Imura, M. Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio / M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya // Ibid. – 2007. – V. 300. – P. 136—140.
Лундин, В. В. Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе / В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, П. Н. Брунков, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников // Письма в ЖТФ. – 2010. – Т. 36, вып. 24. – C. 33—39.
Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. – СПб. : Наука, 2002. – 274 с.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/142
2015-07-28T18:03:48Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Determination of Indium Arsenide Autoepitaxial Layer Thickness by Fourier–Transform Infrared Spectroscopy
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ
O. S. Komkov
D. D. Firsov
E. A. Kovalishina
A. S. Petrov
О. С. Комков
Д. Д. Фирсов
Е. А. Ковалишина
А. С. Петров
показатель преломления.
показатель преломления.
арсенид индия
эпитаксиальные слои
оптические методы исследования
инфракрасная Фурье− спектроскопия
измерение толщины
показатель преломления.
A method of non−destructive contactless control of thickness of undoped autoepitaxial InAs layers on heavily−doped substrates by Fourier−transform infrared spectroscopy (FTIR) has been realized. The studied layers were grown by chloride−hydride epitaxy method in a vertical reactor. The thickness control method was based upon an analysis of interference patterns observed in infrared reflectance spectra. Recommendations on the choice of measurement spectral range optimal for the InAs structures have been made. The factors in consideration included minimal dispersion of the InAs refraction index, and specifics of the heavily−doped substrates’ reflectance. A good correlation between the results of the measurements and the data of metallographic analysis has been observed.
Реализована методика неразрушающего бесконтактного контроля толщины нелегированного автоэпитаксиального слоя InAs на сильнолегированной подложке методом инфракрасной Фурье−спектроскопии. Исследуемые слои были выращены методом хлоридно−гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе. В основе методики лежит анализ интерференционной картины, наблюдаемой в инфракрасных спектрах отражения. Выработаны рекомендации по выбору спектрального диапазона измерений, оптимального для структур InAs. Выбор обусловлен минимальным изменением показателя преломления InAs и особенностями отражения сильнолегированной подложки. Показано хорошее совпадение результатов измерений по развитой методике с данными металлографического анализа.
MISIS
2015-06-26
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/142
10.17073/1609-3577-2014-3-194-198
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2014); 194-198
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2014); 194-198
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2014-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/142/134
Ковтонюк, Н. Ф. Видиконы, чувствительные в средней инфракрасной области спектра, с фотомишенями на структурах полупроводник—диэлектрик / Н. Ф. Ковтонюк, В. П. Мисник, А. В. Соколов // Прикладная физика. − 2005. − No 6. − C. 134— 140.
Грама, Д. М. Автоэпитаксиальные структуры арсенида индия для ИК ФПУ. / Д. М. Грама, А. С. Петров, С. Д. Попов, Р. М. Степанов, Е. В. Чилаева // Изв. СПбГЭТУ ЛЭТИ. − 2008. −No 7.−C.13—18.
Ковалишина,Е.А.Химико−механическаяполировкаподложекавтоэпитаксиальныхструктурарсенидаиндия/Е. А. Ковалишина,Е.А.Нечаев,А.С.Петров//Физикаихимияобработки материалов. − 2013. − No 1. − C. 47—51.
Борн,М.Основыоптики/М.Борн,Э.Вольф.−М.:Наука, 1973. − 720 с.
Пихтин,А.Н.Рефракциясветавполупроводниках:Обзор / А. Н. Пихтин, А. Д. Яськов // Физика и техника полупроводников. − 1988. − Т. 22, вып. 6. − С. 969—991.
Пихтин, А. Н. Квантовая и оптическая электроника / А. Н. Пихтин. − М. : Абрис, 2012. − 656 с.
Батавин,В.В.Измерениепараметровполупроводниковых материаловиструктур/В.В.Батавин,Ю.А.Концевой,Ю. В. Федорович. − М. : Радио и связь, 1985. − 264 с.
Комков, О. С. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев AlxIn1−xSb из спектров отражения / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, С. И. Трошков, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов // Физика и техника полупроводников. − 2013. − Т. 47, вып. 2. − С. 264—269.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/17
2015-07-28T18:02:21Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
MAGNETIC STRUCTURAL EFFECT (MSE) IN EPITAXIAL FILMS OF CERIUM OXIDE AND LANTHANUM ZIRCONATE
МАГНИТНЫЙ СТРУКТУРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДА ЦЕРИЯ И ЦИРКОНАТА ЛАНТАНА
F. K. Chibirova
G. V. Kotina
E. A. Bovina
A. V. Klochikhina
G. V. Tarasova
V. R. Khalilov
A. A. Polysan
Y. N. Parkhomenko
Ф. Х. Чибирова
Г. В. Котина
Е. А. Бовина
А. В. Клочихина
Д. В. Тарасова
В. Р. Халилов
А. А. Полисан
Юрий Николаевич Пархоменко
буфер
magnetic structural processing
critical current
texture
buffer
буфер
магнитная структурная обработка
критический ток
текстура
буфер
An increase of the critical current density in the second generation high−temperature superconducting wires (2G HTS) is the major challenge for researchers and manufacturers of 2G HTS wires all over the world. We proposed a new approach to increasing the number of percolation paths for superconducting current, i.e. increasing the number of low angle grain boundaries (<5°) in the epitaxial superconducting YBCO layer by magnetic structural processing (MSP) of buffer layers. New experimental results have been presented on the application of MSP for improving the structure and increase the texture sharpness of buffer in electrical conducting element of 2G HTS wire. The influence of MCO on the structural and textural properties has been investigated in a buffer consisting of epitaxial films of cerium oxide СеО2 and lanthanum zirconate La2Zr2O7 in the СеО2/4La2Zr2O7architecture. The influence of the magnetic processing of the epitaxial La2Zr2O7 buffer film on the shape of grains has been found. A study under an atomic force microscope has shown that after magnetic processing the shape of grains improved significantly. A multilayer CeO2/4La2Zr2O7 buffer each layer of which was processed in a magnetic field, has a high degree of orientation: only one diffraction peak with (200) indexes is observed in the X-ray spectrum. X-ray settings of diffraction peak (200) indicate a well developed epitaxial structure of CeO2 and La2Zr2O7 layers. The texture of the buffer is by more than two degrees sharper than that of the Ni−5 at.% W substrate.
MISIS
This work was financially supported by the Ministry of Education and Science (State contract No. 14.513.11.0005 of March 11, 2013)
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки (Государственный контракт № 14.513.11.0005 от 11 марта 2013 г.).
2015-03-13
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/17
10.17073/1609-3577-2014-1-37-41
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2014); 37-41
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2014); 37-41
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2014-1
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/17/13
Chibirova, F. Kh. Magnetic structural effect in nonequilibrium defective solids // Modern Physi. Lett. B. – 2005. – V. 19. – P. 1119—1130.
Khalilov, V. R. Effect of a constant magnetic field on an electron bound into a singular potential / V. R. Khalilov, F. Kh. Chibirova // Inter. J. Modern Phys. A. – 2006. – V. 21. – P. 3171—3179.
Chibirova, F. Kh. Effect of cross uniform electromagnetic field on loosely localized electron states / F. Kh. Chibirova, V. R. Khalilov // Modern Phys. Lett. A. – 2005. – V. 20, N 9. – P. 663—671.
Khalilov, V. R. Electron bound by a potential well in the presence of a constant uniform magnetic field / V. R. Khalilov, F. Kh. Chibirova // J. Phys. A. – 2007. – V. 40. – P. 6469—6480.
Чибирова, Ф. Х. Особенности перестройки дефектной структуры магнетита в вихревом магнитном поле по данным месс бауэровской спектроскопии // ЖФХ. – 2008. – Т. 82, № 9. – С. 1—3.
Чибирова, Ф. Х. Патент RU 2387050 C1. – 2009.
Тарасова, Д. В. Синтез золей диоксида церия ионообменным методом / Д. В. Тарасова, Е. А. Бовина, А. М. Сергеев, М. М. Содержинова, Р. С. Дулина, Ф. Х. Чибирова // Коллоидный журнал. – 2007. – Т. 69, № 1. – С. 3—7.
Bovina, E. A. Synthesis of lanthanum zirconate hydrosols by the ion exchange method / E. A. Bovina, J. V. Tarasova, F. Kh. Chibirova // J. Phys.: Conf. Ser. – 2011. – V. 291. – P. 012037—01241.
Knoth, K. Detailed investigations on La2Zr2O7 buffer layers for YBCO-coated conductors prepared by chemical solution deposi tion / K. Knoth, R. Huёhne, S. Oswald, L. Schultz, B. Holzapfel // Acta Mater. – 2007. – V. 55. – P. 517—529.
Даринская, E. В. О влиянии концентрации точечных дефектов в кристаллах NaCl и LiF на поле насыщения магнитопластического эффекта / E. В. Даринская, E. Хартманн // ФТТ. – 2003. – Т. 45, № 11. – С. 2013—2016.
Головин, Ю. И. In situ исследование влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах KCl : Ca / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов, В. E. Иванов // Там же. – 1997. – Т. 39. № 4. – С. 630—633.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/382
2021-10-28T08:15:44Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Stresses modeling in multilayer semiconductor structures of automobile regulators and predicting the reliability of their operation
Моделирование напряжений в многослойных полупроводниковых структурах автомобильных регуляторов и прогнозирование надежности их работы
S. A. Adarchin
V. G. Kosushki
V. M. Gurin
L. V. Kozhitov
M. S. Vasyutin
V. G. Bybenin
С. А. Адарчин
В. Г. Косушкин
В. М. Гурин
Л. В. Кожитов
М. С. Васютин
В. Г. Бебенин
моделирование
моделирование
электронные регуляторы
моделирование
The problems of increasing the reliability of microelectromechanical systems are considered on the example of an automobile voltage regulator. A model of the process is proposed and a study of the effect of temperature on the formation of stress fields in semiconductor structures of active elements of the controller is carried out. The studies assumed of a possible reason for the change in the parameters of the regulator due to the appearance of defects in the crystal structure of the semiconductor material in the structures of integrated voltage regulators. For the study, a mathematical model was proposed that describes the behavior of a semiconductor element of a real car voltage regulator. It was found that the distribution of stresses in the structures is uneven and the maximum value of stresses reaches the edges., An increase in temperature gradients in the structures of regulators leads to the formation of dislocations that change the electrical characteristics of devices. As a result of modeling, it has been established that thermoelastic stresses arising in the process of manufacturing and functioning of semiconductor structures of a regulator in regulators of this type can cause a change in the structure of a semiconductor device due to relaxation of elastic stresses at dislocations. in cars. Measures are proposed, including thermostating of the sensitive elements of microelectromechanical structures, which will increase their service life.
Автомобильная и силовая электроника — это одна из самых инновационных и динамичных областей современного производства электронных компонентов. К наиболее важным элементам автомобильных систем относится регулятор напряжения — часть генераторной установки, предназначенная для стабилизации напряжения, как важнейшего фактора отказоустойчивости и безопасности автомобиля. Рассмотрены проблемы повышения надежности микроэлектромеханических систем на примере автомобильного регулятора напряжения. Предложена модель процесса и проведено исследование влияния температуры на формирование полей напряжений в полупроводниковых структурах активных элементов регулятора. Исследования построены на основе предположения о возможной причине изменения параметров регулятора из-за возникновения дефектов кристаллической структуры полупроводникового материала, используемого в структурах интегральных регуляторов напряжения. Для исследования была предложена математическая модель, описывающая поведение полупроводникового элемента реального регулятора напряжения автомобиля. В результате моделирования в системе Comsol Multiphysics установлено, что распределение напряжений в структурах неравномерно и максимума значение напряжений достигает у краев. Увеличение градиентов температуры в структурах регуляторов приводит к формированию дислокаций, которые изменяют электрические характеристики приборов. В результате моделирования установлено, что возникающие в процессе изготовления и функционирования полупроводниковых структур регулятора термоупругие напряжения в регуляторах данного типа могут вызывать изменение структуры полупроводникового прибора за счет релаксаций упругих напряжений на дислокациях. Результаты расчетов получили экспериментальное подтверждение при металлографических исследованиях структур реальных регуляторов напряжения, проработавших разное время в автомобилях. Предложены меры, включающие термостатирование чувствительных элементов микроэлектромеханических структур, что позволит увеличить ресурс их работы.
MISIS
2020-08-08
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/382
10.17073/1609-3577-2020-2-134-141
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 23, № 2 (2020); 134-141
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 23, № 2 (2020); 134-141
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2020-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/382/345
Bai H., Pekarek S., Tichenor J., Eversman W., Buening D., Holbrook G., Hull M., Krefta R., Shields S. Analytical derivation of a coupledcircuit model of a claw-pole alternator with concentrated stator windings // IEEE Trans. Energ. Convers. 2002. V. 17, Iss. 1. P. 32—38. DOI: 10.1109/60.986434
Zhang Y., Rajagopalan S., Salman M. A practical approach for beltslip detection in automotive electric power generation and storage system // Aerosp. Conf. Big Sky (MT, USA): IEEE, 2010. DOI: 10.1109/AERO.2010.5446832
Caliskan V. Modeling and simulation of a claw-pole alternator: Detailed and average models. Tech. Rep. 00-009. Cambridge: Massachusetts Institute of Technology, Laboratory for Electromagnetic and Electronic Systems, 2000.
Ruf F., Barthels A., Walla G., Winter M., Kohler T. P., Michel H.-U., Froeschl J., Herzog H.-G. Autonomous load shutdown mechanism as a voltage stabilization method in automotive power nets // Vehicle Power and Propulsion Conference. Seoul: IEEE, 2012. P. 1261—1265. DOI: 10.1109/VPPC.2012.6422712
Scacchioli A., Rizzoni G., Pisu P. Model-based fault diagnosis design for an electrical automotive system // Proc. Int. Mech. Eng. Congr. Expo (ASME 2006). Chicago (IL, USA), 2006. P. 315—324. DOI: 10.1115/IMECE2006-14504
Абгарян К. К., Харченко В. В. Типовая модель гетероструктуры для СВЧ-устройств. Известия вузов. Материалы электронной техники. 2016. Т. 19, № 1. С. 43—49. DOI: 10.17073/1609-3577-2016-1-43-49
Абгарян К. К. Применение оптимизационных методов для проектирования многослойных полупроводниковых наносистем // Труды Института системного анализа Российской академии наук. Динамика неоднородных систем. 2010. Т. 53, № 3. С. 6—9.
Харченко В. А. Проблемы надежности электронных компонентов. Известия вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18, № 1. С. 52—57. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-1-52-57
Петухов Б. В. Влияние динамического старения дислокаций на деформационное поведение примесных полупроводников // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, Вып. 2. С. 129—133.
Власов Н. М., Зазноба В. А. Влияние атомов примеси на процесс размножения краевых дислокаций // Журнал технической физики. 2001. Т. 71, Вып. 1. С. 53—56. URL: journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/38691
Петухов Б. В. Статистическая теория движения дислокаций при наличии спонтанных процессов блокирования — деблокирования // Физика твердого тела. 2001. Т. 43, Вып. 5. С. 813—817.
Глотова О. Н., Адарчин С. А. Влияние качества тонких пленок на надежность интегральных микросхем // Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т. 21, № 5. С. 3—7.
Адарчин С. А., Бережанский B. Р., Косушкин В. Г., Кожитов Л. В., Червяков Л. М. Дислокации, как один из факторов, определяющих параметрическую надежность полупроводниковых датчиков физических величин // Труды XIII Международной конференции «Технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов». Курск, 2016. С. 106—114.
Адарчин С. А., Бережанский B. Р., Косушкин В. Г., Кожитов Л. В., Червяков Л. М. Влияние механических напряжений на электрофизические свойства микроэлектромеханических датчиков давления // Труды XIII Международной конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов». Курск, 2016. С. 127—132.
Адарчин С. А., Бережанский B. Р., Косушкин В. Г. Особенности деградации чувствительных элементов датчиков // Сб. трудов XXXV Всероссийской научно-технической конференции «Проблемы эффективности и безопасности функционирования сложных технических и информационных систем». Ч. 6. Серпухов: Военная акад. РВСН им. Петра Великого (фил. в г. Серпухове Московской обл.), 2016. C. 125—129.
Адарчин С. А., Косушкин В. Г., Бережанский И. Р., Кулагина Н. С., Емельянов С. Г., Кожитов Л. В. Формирование наноразмерных дефектов в упругих элементах полупроводниковых датчиков давления // Сб. научн. статей 3-й Международной научно-практической конференции «Физика и технология наноматериалов и структур». В 2-х т. Курск: ЗАО “Университетская книга”, 2017. С. 170—174.
Шиляев И. А., Белоножкин П. А., Алешин А. Е. Моделирование механических напряжений в структурах Ge/Si // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. 2014. № 1–2. С. 116—121.
Кравченко Н. И. Математическая модель образования погрешностей обработки плоских поверхностей, вызываемых упругими деформациями технологической системы // Машиностроение и компьютерные технологии. 2018. № 9. С. 1—14.
Шестеркин А. Н. Система моделирования и исследования радиоэлектронных устройств Multisim 10. М.: ДМК Пресс, 2012. 360 с.
Горохов Д. А. Моделирование регулятора напряжения автомобильной генераторной установки // Научные труды Кубанского государственного технологического университета. 2017. № 3. С. 57—62.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/93
2018-11-23T16:27:37Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
EFFECTS OF THE FORMATION METHOD OF EARLY GAP BUFFER MONOLAYERS ON THE STRAIN STATE OF GAAS FILMS ON VICINAL SI(001) SUBSTRATES
ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP
I. D. Loshkarev
A. P. Vasilenko
E. M. Trukhanov
A. V. Kolesnikov
A. S. Ilin
M. A. Putyato
B. R. Semyagyn
V. V. Preobrazhensky
И. Д. Лошкарев
А. П. Василенко
Е. М. Труханов
А. В. Колесников
А. С. Ильин
М. А. Путято
Б. Р. Семягин
В. В. Преображенский
вицинальные границы раздела
heterosystem
vicinal interfaces
вицинальные границы раздела
гетеросистемы
вицинальные границы раздела
A significant dependence of the strain state of GaAs film lattice grown by molecular−beam epitaxy (MBE) on the nucleation method of early GaP buffer layers (50 nm) on the vicinal substrate Si(001) 4° around the <011> axis was discovered. GaP growth started layer−by−layer with a gallium or a phosphorus sublayer. If GaP nucleated with a gallium sublayer, the GaAs film has a significant lattice rotation around the <011> axis. If the buffer starts forming with a phosphorus layer the GaAs film evidently rotates around the <001> axis. The film relaxation degree ex- ceeds 100%, and the film is in a laterally strained state. Analysis was carried out using the triclinic distortion model. A reciprocal space scattering map was obtained using X−ray diffraction in a three−axis low resolution setup. The map clearly shows that the GaAs film lattice is rotated.
Выявлена существенная зависимость деформационного состояния кристаллической решетки пленок GaAs, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии от способа зарождения первых слоев прослойки GaP (50 нм) на вицинальной подложке Si(001) 4° вокруг оси <011>. Рост GaP начинался послойно с галлиевого или фосфорного подслоя. Установлено, что в случае зарождения GaP с галлия, пленка GaAs имеет значительный поворот кристаллической решетки вокруг направления <011>. При фор- мировании прослойки с фосфорного подслоя заметен поворот пленки GaAs вокруг <001>. Степень релаксации пленки составляет более 100 %, она находится в латерально растянутом состоянии. Анализ проведен с использованием модели триклинных искажений. Представлена карта рассеяния в обратном пространстве, полученная с помощью рентгеновской дифрактометрии в трехосевой схеме малого разрешения. На карте явно виден факт поворота кристаллической решетки пленки GaAs.
MISIS
2015-03-16
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/93
10.17073/1609-3577-2013-4-48-51
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2013); 48-51
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2013); 48-51
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-4
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/93/86
Bolhovityanov, Yu. B. Epitaksiya GaAs na kremnievyh podlozhkah: sovremennoe sostoyanie issledovanii i razrabotok / Yu. B. Bolhovityanov, O. P. Pchelyakov // UFN. − 2008. − T. 178, N 5. − P. 459—480
Fewster, P. F. X−ray scattering from semiconductors / P. F. Fewster. − L. : Imperial College Press, 2003. − 299 p.
Nagai, H. Structure of vapor−deposited GaxIn1−xAs crystals / H. Nagai // J. Appl. Phys. − 1974. − V. 45. − P. 3789.
Kolesnikov, A. V. Rentgenodifrakcionnyi analiz iskazhenii epitaksial’noi plenki na otklonennyh podlozhkah / A. V. Kolesnikov, A. S. Il’in, E. M. Truhanov, A. P. Vasilenko, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin // Izv. RAN. ser. fiz. − 2011. − T. 75, N 5. − P. 652—655.
Bouen, D. K. Vysokorazreshayushaya rentgenovskaya difraktometriya i topografiya / D. K. Bouen, B. K. Tanner. − Sb.P. : Nauka, 2002. − 276 p.
Bringans, R . D. Surface bands for single − domain 2 × 1 reconstructed Si(100) and Si(100) : As. Photoemission results for off-axis crystals / R. D. Bringans, R. I. G. Uhrberg, M. A. Olmstead, R. Z. Bachrach // Phys. Rev. B. − 1986. − V. 34, N 10. − P. 7447—7450.
Bringans, R. D. Atomic−step rearrangement on Si(100) by interaction with arsenic and the implication for GaAs−on−Si epitaxy / R. D. Bringans, D. K. Biegelsen, L.−E. Swartz // Phys. Rev. B. − 1991. − Т. 44, N 7. − P. 3054—3063.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/70
2015-03-15T18:22:47Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
RESEARCH OF ACCEPTOR IMPURITY THERMAL ACTIVATION IN GAN : MG EPITAXIAL LAYERS
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg
A. V. Mazalov
D. R. Sabitov
V. A. Kureshov
A. A. Padalitsa
A. A. Marmalyuk
R. Kh. Akchurin
А. В. Мазалов
Д. Р. Сабитов
В. А. Курешов
А. А. Падалица
А. А. Мармалюк
Р. Х. Акчурин
p−тип
GaN
MOCVD
Metal−organic chemical vapor deposition
rapid thermal annealing
magnesium bis−cyclopentadienyl
(Cp2Mg)
doping
p−type
p−тип
, GaN
МОС−гидридная эпитаксия
быстрый термический отжиг
бисциклопентадиенил магния
легирование
p−тип
The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been investigated. Hole concentration increased and mobility decreased with an increase in thermal annealing temperature. The sample annealed at 1000 oC demonstrated the lowest value of resistivity. Rapid thermal annealing (annealing with high heating speed) considerably improved the efficiency of Mg activation in the GaN layers. The optimum time of annealing at 1000 oC has been determined. The hole concentration increased by up to 4 times compared to specimens after conventional annealing.
Исследовано влияние условий термического отжига эпитаксиальных слоев GaN : Mg на активацию атомов акцепторной примеси. По результатам измерений методом Холла установлено, что с увеличением температуры отжига концентрация дырок возрастает, а подвижность уменьшается. Наименьшее значение удельного электрического сопротивления получено на образцах, отожженных при температуре 1000 oC. Быстрый термический отжиг (отжиг с высокой скоростью нагрева) позволяет существенно повысить эффективность процесса активации атомов магния в эпитаксиальных слоях GaN. Оптимальное время указанного процесса при температуре 1000 oC составило 1 мин. Показано, что концентрация дырок возросла в 4 раза по сравнению с образцами, подвергнутыми стандартному термическому отжигу.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/70
10.17073/1609-3577-2013-3-43-46
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2013); 43-46
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2013); 43-46
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/70/63
Wide bandgap semiconductors. Fundamental properties and modern photonic and electronic devices / Ed. by K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sndhu. − Springer−Verlag, 2007. − 460 p.
Akchurin, R. H. Nitrid galliya — perspektivnyi material elektronnoi tehniki. III. Tehnologicheskie priemy uluchshenya strukturnyh i elektrofizicheskih harakteristik epitaksial’nyh sloev / R. H. Akchurin, A. A. Marmalyuk.// Materialovedenie. − 2001. − N 10. − S. 21—29.
Liday, J. Ohmic contacts to p−GaN using Au/Ni−Mg−O met-allization / J. Liday, A. Bonanni, H. Sitter, G. Vanko, J. Breza, G. Ecke. // J. Electrical Eng. − 2010. − V. 61, N 6. − P. 378—381.
Nakamura, S. Thermal annealing effects on p−type Mg−doped GaN films / S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa // Jap. J. Appl. Phys. − 1992. − V. 31. − P. L139.
Nagamori, M. Optimum rapid thermal activation of Mg−doped p−type GaN / M. Nagamori, S. Ito, H. Saito, K. Shiojima,
S. Yamada, N. Shibata, M. Kuzuhara. // Jap. J. Appl. Phys. − 2008. − V. 47, N 4. − P. 2865—2867.
Protzmann, H. Uniformity control of group−III nitrides grown on 5×3 inch Al2O3 substrates in planetary reactors / H. Protzmann, M. Luenenbuerger, M. Bremser, M. Heuken, H. Juergensen. // J. Cryst. Growth. − 2000. − V. 221. − P. 629—634.
Christiansen, K. Advances in MOCVD technology for re-search, development and mass production of compound semicon-ductor devices / K. Christiansen, M. Luenenbuerger, B. Schineller, M. Heuken, H. Juergensen.// Opto−Electronics Rev. − 2002. − V. 10, N 4. − P. 237—242.
Pearton, S. J. GaN: Processing, defects, and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren // J. Appl. Phys. − 1999. − V. 86. − P. 1.
Matsuoka, T. Growth and properties of a wide−gap semiconductor InGaN / T. Matsuoka, T. Sasaki, A. Katsui. // Optoelectronics − Dev. and Tecnnol. − 1990. − V. 5, N 1. − P. 53—64.
Mastro, M. A. Thermal Stability of MOCVD and HVPE GaN layers in H2, HCl, NH3 and N2 / M. A. Mastro, O. M. Kryliouk, M. D. Reed, T. J. Anderson, A. Davydov, A. Shapiro // Phys. status. solidi. (a). − 2001. − V. 188. − P. 467.
Kumara, M. S. Thermal stability of GaN epitaxial layer and GaN/sapphire interface / M. S. Kumara, G. Soniaa, V. Rama-krishnand, R. Dhanasekarana, J. Kumar // Physica. B. − 2002. − V. 324. − P. 223.
Götz, W. Activation of acceptors in Mg−doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition / W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, R. A. Street // Appl. Phys. Lett. − 1996. − V. 68, Iss. 5. − P. 667.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/244
2018-11-23T16:25:43Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
MULTILAYERED PERIODICAL STRUCTURES WITH ELASTICALLY STRAINED GESISN LAYERS AND GESISN NANOISLANDS
УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ
V. A. Timofeev
A. I. Nikiforov
A. R. Tuktamyshev
A. A. Bloshkin
V. I. Mashanov
S. A. Teys
I. D. Loshkarev
N. A. Baidakova
В. А. Тимофеев
А. И. Никифоров
А. Р. Туктамышев
А. А. Блошкин
В. И. Машанов
С. А. Тийс
И. Д. Лошкарев
Н. А. Байдакова
зонная диаграмма
nanoislands
epitaxy
diffraction
scanning tunnel microscopy
X−ray diffractometry
photoluminescence
band diagram
зонная диаграмма
наноостровки
эпитаксия
дифракция
сканирующая туннельная микроскопия
рентгеновская дифрактометрия
фотолюминесценция
зонная диаграмма
This work deals with elastically strained GeSiSn films and GeSiSn islands. Kinetic diagram of GeSiSn growth at different lattice mismatches between GeSiSn and Si has been established. Multilayer periodic structures with pseudomorphic GeSiSn layers and GeSiSn island array have been obtained. The density of the islands in the GeSiSn layer reaches 1.8 ⋅ 1012 cm−2 at an average island size of 4 nm. Analysis of the rocking curves showed that the structures contain smooth heterointerfaces, and strong changes of composition and thickness from period to period have not been found. Photoluminescence has been demonstrated and calculation of band diagram in the model solid theory approach has been carried out. Luminescence for the sample with pseudomorphic Ge0.315Si0.65Sn0.035 layers in narrow range of 0.71—0.82 eV is observed with the maximum intensity near 0.78 eV corresponding to a 1.59 µm wavelength. Based on a band diagram calculation for Si/ Ge0.315Si0.65Sn0.035/Si heterocomposition, one can conclud that luminescence with a photon energy of 0.78 eV corresponds to interband transitions between the X−valley in the Si and the heavy hole subband in the Ge0.315Si0.65Sn0.035 layer.
MISIS
2018-05-21
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/244
10.17073/1609-3577-2017-1-38-44
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 1 (2017); 38-44
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 1 (2017); 38-44
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2017-1
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/244/211
Soref R. A., Perry C. H. Predirect bandgap of the new semiconductor SiGeSn // J. Appl. Phys. − 1991. − V. 69, N 1. − P. 539—541. DOI: 10.1063/1.347704
Moontragoon P., Ikonić Z., Harrison P. Band structure calculation of Si—Ge—Sn alloys: achieving direct bandgap materials // Semicond. Sci. Technol. − 2007. − V. 22, N 7. − P. 742—748. DOI: 10.1088/0268−1242/22/7/012
Du W., Ghetmiri S. A., Conley B. R., Mosleh A., Nazzal A., Soref R. A., Sun G., Tolle J., Margetis J., Naseem H. A., Yu S.−Q. Competition of optical transitions between direct and indirect bandgaps in Ge1−xSnx // Appl. Phys. Lett. − 2014. − V. 105, N 5. − P. 051104−1—4. DOI: 10.1063/1.4892302
Senaratne C. L., Gallagher J. D., Aoki T., Kouvetakis J., Menéndez J. Advances in light emission from group−IV alloys via lattice engineering and n−type doping based on custom−designed chemistries // Chem. Mater. − 2014. − V. 26, N 20. − P. 6033—6041. DOI: 10.1021/cm502988y
Wirths S., Buca D., Mantl S. Si—Ge—Sn alloys: From growth to applications // Progress in crystal growth and characterization of materials. − 2016. − V. 62, N 1. − P. 1—39. DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2015.11.001
Wirths S., Geiger R., von den Driesch N., Mussler G., Stoica T., Mantl S., Ikonic Z., Luysberg M., Chiussi S., Hartman J. M., Sigg H., Faist J., Buca D., Grützmacher D. Lasing in direct−bandgap GeSn alloy grown on Si // Nature Photonics. − 2015. − V. 9. − P. 88—92. DOI: 10.1038/nphoton.2014.321
Asano T., Terashima T., Yamaha T., Kurosawa M., Takeuchi W., Taoka N., Nakatsuka O., Zaima S. Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1−x−ySixSny on Ge(001) substrates // Solid−State Electronics. − 2015. − V. 110. − P. 49—53. DOI: 10.1016/j.sse.2015.01.006
Esteves R. J. A., Hafiz S., Demchenko D. O., Özgur Ü., Arachchige I. U. Ultra−small Ge1−xSnx quantum dots with visible photoluminescence // Chem. Commun. − 2016. − V. 52, N 78. − P. 11665—11668. DOI: 10.1039/c6cc04242b
Wirths S., Tiedemann A. T., Ikonic Z., Harrison P., Holländer B., Stoica T., Mussler G., Myronov M., Hartmann J. M., Grützmacher D., Buca D., Mantl S. Band engineering and growth of tensile strained Ge/(Si)GeSn heterostructures for tunnel field effect transistors // Appl. Phys. Lett. − 2013. − V. 102, N 19. − P. 192103−1—4. DOI: 10.1063/1.4805034
von den Driesch N., Stange D., Wirths S., Mussler G., Holländer B., Ikonic Z., Hartmann J. M., Stoica T., Mantl S., Grützmacher D., Buca D. Direct bandgap group IV epitaxy on Si for laser applications // Chem. Mater. − 2015. − V. 27, N 13. − P. 4693—4702. DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b01327
Kato K., Asano T., Taoka N., Sakashita M., Takeuchi W., Nakatsuka O., Zaima S. Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1−xSnx on Ge(001) // Jpn. J. Appl. Phys. − 2014. − V. 53, N 8S1. − P. 08LD04−1—8. DOI: 10.7567/JJAP.53.08LD04
Taoka N., Asano T., Yamaha T., Terashima T., Nakatsuka O., Costina I., Zaumseil P., Capellini G., Zaima S., Schroeder T. Non− uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation // Appl. Phys. Lett. − 2015. − V. 106, N 6. − P. 061107−1—5. DOI: 10.1063/1.4908121
van de Walle C. G. Band lineups and deformation potentials in the model−solid theory // Phys. Rev. B. − 1989. − V. 39, N 3. − P. 1871—1883. DOI: 10.1103/PhysRevB.39.1871
El Kurdi M., Sauvage S., Fishman G., Boucaud P. Band− edge alignment of SiGe/Si quantum wells and SiGe/Si self−assembled islands // Phys. Rev. B. − 2006. − V. 73, N 19. − P. 195327−1—9. DOI: 10.1103/PhysRevB.73.195327
Jaros M. Simple analytic model for heterojunction band offsets // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 37, N 12. − P. 7112—7114. DOI: 10.1103/PhysRevB.37.7112
Moontragoon P., Soref R., Ikonic Z. The direct and indirect bandgaps of unstrained SixGe1−x−ySny and their photonic device applications // J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112, N 7. − P. 073106−1—8. DOI: 10.1063/1.4757414
Fischer I. A., Wendav T., Augel L., Jitpakdeebodin S., Oliveira F., Benedetti A., Stefanov S., Chiussi S., Capellini G., Busch K., Schulze J. Growth and characterization of SiGeSn quantum well photodiodes // Optics Express. − 2015. − V. 23, N 19. − P. 25048—25057. DOI: 10.1364/OE.23.025048
Attiaoui A., Moutanabbir O. Indirect−to−direct band gap transition in relaxed and strained Ge1−x−ySixSny ternary alloys // J. Appl. Phys. − 2014. − V. 116, N 6. − P. 063712−1—15. DOI: 10.1063/1.4889926
Тимофеев В. А., Никифоров А. И., Туктамышев А. Р., Есин М. Ю., Машанов В. И., Гутаковский А. К., Байдакова Н. А. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn // Физика и техника полупроводников. − 2016. − Т. 50, № 12. − С. 1610—1614.
Nikiforov A. I., Mashanov V. I., Timofeev V. A., Pchelyakov O. P., Cheng H.−H. Reflection high energy electron diffraction studies on SixSnyGe1−x−y on Si(100) molecular beam epitaxial growth // Thin Solid Films. − 2014. − V. 557. − P. 188—191. DOI: 10.1016/j. tsf.2013.11.128
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/47
2015-03-15T12:51:33Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
PREDICTION THE INFLUENCE OF TECHNOLOGICAL PARAMETERS OF FORMATION OF GAS-SENSING MATERIALS BASED ON POLYACRYLONITRILE ON RESISTANCE
ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА НА ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ
S. P. Konovalenko
T. A. Bednaya
T. V. Semenistaya
A. N. Korolev
С. П. Коноваленко
Т. А. Бедная
Т. В. Семенистая
А. Н. Королев
ИК-отжиг
QSPR
gas−sensing materials
metal− containing organic polymers
IR−pyrolize
ИК-отжиг
QSPR
газочувствительные материалы
металлсодержащие органические полимеры
ИК-отжиг
Samples of polyacrylonitrile (PAN) films and cobalt-containing PAN films have been fabricated by method of not coherent IR-radiation. It is constructed QSPR model, allowing to relate values of resistance of PAN films and Co-containing PAN films with parameters of technological process of formation of gas-sensing materials based on them. It is established that resistance of the obtained materials depends on temperature and time of the second stage of IR-pyrolize and on dopant concentration.
Изготовлены образцы пленок полиакрилонитрила (ПАН) и пленок кобальтсодержащего ПАН методом некогерентного ИК-излучения. Построена QSPR-модель, позволяющая связать значения электросопротивления пленок ПАН и кобальтсодержащего ПАН с параметрами технологического процесса формирования газочувствительного материала на их основе. Установлено, что электросопротивление полученных материалов зависит от температуры и времени второго этапа ИК-отжига и концентрации модифицирующей добавки.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
https://met.misis.ru/jour/article/view/47
10.17073/1609-3577-2013-1-48-52
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2013); 48-52
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2013); 48-52
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-1
ru
Chen, I. H. Fabrication and characterization of magnetic cobalt ferrite/polyacrylonitrile and cobalt ferrite/carbon nanofibers by electrospinning / I. H. Chen, C. C. Wang, C. Y. Chen // Carbon. – 2010. – V. 48. – P. 604—611.
Аль-Хадрами, И. С. Исследование электропроводности ИК-пиролизованного медьсодержащего полиакрилонитрила / И. С. Аль-Хадрами, А. Н. Королев, Л. М. Земцов, Г. П. Карпачева, Т. В. Семенистая // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2008. – № 1. – С. 14—17.
Jing, M. Chemical structure evolution and mechanism during Pre-carbonization of PAN-based stabilized fiber in the temperature range of 350—600 – C / M. Jing, C. Wang, Q. Wang, Y. Bai, B. Zhu // Polymer Degradation and Stability. – 2007. – V. 92. – P. 1737—1742.
Zefirov, N. S. Fragmental approach in QSPR / N. S. Zefirov, V. A. Palyulin // J. Chem. Inf. Comput. Sci. – 2002. – V. 42, N 5. – P. 1112—1122.
Жохова, Н. И. Фрагментные дескрипторы в QSPR: применение для расчета магнитной восприимчивости / Н. И. Жохова, И. И. Баскин, В. А. Палюлин, А. Н. Зефиров, Н. С. Зефиров // Журн. структурной химии. – 2004. – Т. 45, № 4. – С. 660—669.
Аль-Хадрами, И. С. Исследование газочувствительных свойств медьсодержащего полиакрилонитрила / И. С. АльХадрами, А. Н. Королев, Т. В. Семенистая, Т. Н. Назарова, В. В. Петров // Изв. вузов. Электроника. – 2008. – № 1. – С. 20—25.
Химмельблау, Д. Анализ процессов статистическими методами / Д. Химмельблау. – М. : Мир, 1973. – 957 с.
Коноваленко, С. П. Прогнозирование гидрофобных свойств биофармацевтических препаратов / С. П. Коноваленко, П. П. Исаев // Изв. ЮФУ. Техн. науки. Темат. вып. Медицинские информационные системы. – 2010. – № 9. – С. 131—135.
Королев, А. Н. Нанокомпозитные пленки медьсодержащего полиакрилонирила: состав, структура, морфология поверхности / А. Н. Королев, Т. В. Семенистая, И. С. Аль-драми, Т. П. Логинова, M. Брунс // Перспективные материалы. – 2010. – № 5. – С. 52—56.
Коноваленко, С. П. Разработка технологии изготовления газочувствительных элементов сенсора диоксида азота и хлора на основе пленок кобальтсодержащего полиакрилонитрила / С. П. Коноваленко, Т. А. Бедная, Т. В. Семенистая // Материалы 14-й научной молодежной школы «Физика и технология микро- и наносистем». – СПб, 2011. – С. 67.
Макеева, Н. А. Прогнозирование величины отклика на диоксид азота газочувствительного материала на основе полиакрилонитрила с помощью методов теории самоорганизации / Н. А. Макеева, Пин Лу, В. А. Иванец, Т. В. Семенистая, Н. К. Плуготаренко, А. Н. Королев // Изв. ЮФУ. Техн. науки. – 2011. – Т. 117, № 4. – С. 149—156.
Ковальчук, Е. П. Электросинтез полимеров на поверхности металлов / Е. П. Ковальчук, Е. И. Аксиментьева, А. П. Томилов. – М. : Химия, 1991. – 224 с.
Земцов, Л. М. Химические превращения полиакрилонитрила под действием некогерентного инфракрасного излучения / Л. М. Земцов, Г. П. Карпачева // Высокомолекул. соед. – 1994.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/143
2015-07-28T18:03:48Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Trimethyl(phenyl)silane — a Precursor for Gas Phase Processes of SiCx : H Film Deposition: Synthesis and Characterization
СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H
E. N. Ermakova
S. V. Sysoev
L. D. Nikulina
I. P. Tsyrendorzhieva
V. I. Rakhlin
M. L. Kosinova
F. A. Kuznetsov
Е. Н. Ермакова
С. В. Сысоев
Л. Д. Никулина
И. П. Цырендоржиева
В. И. Рахлин
М. Л. Косинова
Ф. А. Кузнецов
триметил(фенил) силан, PECVD, диэлектрические пленки, гидрогенизированный карбонитрид кремния.
триметил(фенил) силан, PECVD, диэлектрические пленки, гидрогенизированный карбонитрид кремния.
The technique of synthesis and purification of trimethyl(phenyl)silane PhSiMe3, allowing to obtain the product with high yield. Individuality of the product was confirmed by elemental analysis for C, H, Si. IR, UV and 1H NMR–spectroscopic studies, defined its spectral characteristics. Complex thermal analysis and thermogravimetric defined thermoanalytical behavior effects of PhSiMe3 in an inert atmosphere. Tensimetric studies have shown that the compound has sufficient volatility and thermal stability for use as a precursor in the process of chemical vapor deposition (CVD). The composition and temperature limits of the possible crystalline phase complexes in equilibrium with the gas phase of different composition has been determed by method of thermodynamic modeling. Calculated CVD diagrams allow us to select the optimum conditions of film deposition. The possibility of using trimethyl(phenyl)silane in CVD processes for producing dielectric films of hydrogenated silicon carbide has been demonstrated.
MISIS
2015-06-26
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/143
10.17073/1609-3577-2014-3-199-205
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2014); 199-205
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2014); 199-205
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2014-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/143/135
Shoji, Y. Hydrogenated amorphous silicon carbide optical waveguide for telecommunication wavelength applications / Y. Shoji, K. Nakanishi, Y. Sakakibara, K. Kintaka, H. M. Kawashima, M. Mori, T. Kamei // Appl. Phys. Express. − 2010. − V. 3, N 12. − P. 122201.
Cech,V.Mechanicalpropertiesofindividuallayersina−SiC : H multilayer film / V. Cech, R. Trivedi, D. Skoda // Plasma Process. Polym. − 2011. − V. 8. − P. 1107—1115.
Fanami, T. Electrical characterization of amorphous silicon carbide thin films deposited via polymeric source chemical vapor deposition / T. Fanami, N. Camire, C. Akcik, S. Gujrathi, M. Lessard, Y. Awad, E. Oulachgar, M. Scarlete // Thin Solid Films. − 2008. − V. 516. − P. 3755—3760.
Jeong,C.Preparationofborn−dopeda−SiC:Hthinfilmsby ICP−CVD method and to the application of large−area heterojunction solar cells / C. Jeong, Y. B. Kim, S. H. Lee, J. H. Kim // J. Nanosci. Nanotechnol. − 2010. − V. 10. − P. 3321—3325.
Wrobel, A. M. Thin a−SiC : H films formed by remote hydrogen microwave plasma CVD using dimethylsilane and trimethylsilane precursors / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski // Chem. Vap. Deposition. − 2014. − V. 20. − P. 112—117.
Wrobel, A. M. a−SiC : H films by remote hydrogen microwave plasma CVD from ethylsilane precursors / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski, B. Glebocki // Chem. Vap. Deposition. − 2013. − V. 19. − P. 242—250.
Wrobel, A. M. Hard a−SiC : H films formed by remote hydrogen microwave plasma chemical vapor deposition using a novel single−source precursor / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski, B. Glebocki // Thin Solid Films. − 2012. − V. 520. − P. 7100—7108.
Jones, A. C. Chemical vapour deposition: precursors, processes and applications / A. C. Jones, M. L. Hitchman. − London : RSC Publishing, 2009. − 582 p.
Рахлин, В. И. Характеризация некоторых триметил(органиламино)силанов — предшественников для получения пленок карбонитрида кремния / В. И. Рахлин, И. П. Цырендоржиева, М. Г. Воронков, Л. Д. Никулина, С. В. Сысоев, М. Л. Косинова // Физика и химия стекла. − 2010. − Т. 36, No 3. − С. 463—469.
Bellamy, L. J. The infrared spectra of complex molecules. Vol. 2. Advances in infrared group frequencies / L. J. Bellamy − London : Chapman and Hall, 1980. − 299 c.
Smith, A. L. Applied infrared spectroscopy fundamentals, techniques and analytical problem−solving / A. L. Smith. − Chichester (UK) : John Wiley and Sons, 1979. − 322 p.
Socrates, G. Infrared and raman characteristic group frequencies: tables and charts / G. Socrates. − Chichester ; New York ; Weinheim ; Brisbane ; Singapore ; Toronto : John Wiley and Sons, 2004. − 366 p.
Larkin, P. J. Infrared and raman spectroscopy; principles and spectral interpretation / P. J. Larkin. − San−Diego (CA, USA) : Elsevier, 2011. − 230 p.
Кузнецов, Ф. А. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов, М. Г. Воронков, В. О. Борисов, И. К. Игуменов, В. В. Каичев, В. Г. Кеслер, В. В. Кириенко, В. Н. Кичай, М. Л. Косинова, В. В. Кривенцев, М. С. Лебедев, А. В. Лис, Н. Б. Морозова, Л. Д. Никулина, В. И. Рахлин, Ю. М. Румянцев, Т. П. Смирнова, В. С. Суляева, С. В. Сысоев, А. А. Титов, Н. И. Файнер, И. П. Цырендоржиева, Л. И. Чернявский, Л. В. Яковкина. − Новосибирск : Изд−во СО РАН, 2013. − 175 с.
Kuznetsov,F.A.Databankofpropertiesofmicroelectronic materials / F. A. Kuznetsov, V. A. Titov, A. A. Titov, L. I. Chernyavskii // Proc. Inter. Symp. on Adv. Mater. − Jap., 1995. − P. 16—32.
Термодинамическиесвойстваиндивидуальныхвеществ. − М. : Наука, 1982. − Т. IV, кн. I. − 622 с.
Baklanov, M. Advanced Interconnects for ULSI Technology / M. Baklanov, P. S. Ho, E. Zschech (Eds.) − New York : John Wiley andSons,2012.−579p.
Wang, T. C. Comparison of characteristics and integration of copper diffusion−barrier dielectrics / T. C. Wang, Y. L. Cheng, Y. L. Wang, T. E. Hsieh, G.J. Hwang, C. F. Chen // Thin Solid Films. − 2006. − V. 498. − P. 36—42.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/36
2015-03-15T10:30:33Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
ELECTRO-PHYSICAL AND PHOTOELECTRICAL CHARACTERISTICS OF MIS-STRUCTURES BASED ON HETERO-EPITAXIAL HGCDTE MBE WITH NON-UNIFORM DISTRIBUTION OF COMPOSITION
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА
A. V. Voitsekhovskii
S. N. Nesmelov
S. M. Dzyadukh
А. В. Войцеховский
С. Н. Несмелов
С. М. Дзядух
гетероэпитаксиальная структура
mercury cadmium telluride
composition
graded− gap layer
гетероэпитаксиальная структура
теллурид кадмия ртути
состав
варизонный слой
барьерный слой
потенциальная яма
гетероэпитаксиальная структура
The electro-physical and photoelectrical properties of MIS structures based on HgCdTe MBE with non-uniform distribution of composition were experimentally investigated. It is shown that near-surface graded-gap layers with elevated composition strongly affect on dependencies of the capacitance and the photo-emf versus the bias voltage and frequency for the MIS structures based on n-Hg1-xCdxTe (x = 0.21—0.23). The characteristics of MIS structures based on n-Hg0.7Cd0.3Te with periodically located regions with high composition were investigated and it is shown that these regions are most strongly affect the characteristics of MIS structures when their location near the boundary of the insulator−semiconductor. The electrical properties of MIS structures based on n-Hg1-xCdxTe (x = 0.62—0.73) with region with lower composition were experimentally studied.
Экспериментально исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с неоднородным распределением состава. Показано, что для МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) приповерхностные варизонные слои с увеличенным содержанием СdTe на поверхности сильно влияют на зависимости емкости и фотоЭДС от напряжения смещения и частоты. Исследованы характеристики МДП-структур на основе n-Hg0,7Cd0,3Te с периодически расположенными областями резко повышенного содержания CdTe барьерного типа и показано, что эти области оказывают влияние на характеристики МДП-структур при их расположении вблизи границы раздела диэлектрик—полупроводник. Экспериментально изучены электрические свойства МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,62-0,73) с областями пониженного содержания CdTe в приповерхностной области типа потенциальных ям.
MISIS
Работа выполнена в рамках реализации ФЦП «Научные и научно
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/36
10.17073/1609-3577-2013-1-38-45
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2013); 38-45
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2013); 38-45
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-1
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/36/32
Овсюк, В. Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. / В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров и др. – Новосибирск : Наука, 2001. – 376 с.
Войцеховский, А. В. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x = 0,22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников. – 1997. – 7. – С. 774—776.
Войцеховский, А. В. Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев // Там же. – 2008. – № 11. – С. 1327—1332.
Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-HgCdTe (x = 0,21-0,23) / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев, Т. И. Захарьяш, Ю. П. Машуков // Изв. вузов. Физика. – 2006. – № 10. – С. 70—80.
Goodwin, M. W. Metal-insulator-semiconductor properties of HgTe—CdTe superlattices» / M. W. Goodwin, M. A. Kinch, R. J. Koestner // J. Vacuum Sci. and Technol. – 1988. – V. 6, Iss. 4. – P. 2685—2692.
Мынбаев, К. Д. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe / К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, А. В. Шиляев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров // Письма в ЖЭТФ. – 2010. – Т. 36, № 23. – С. 70—77.
Пат. 2373606 РФ, МПК H01L 31/0296. Фоточувствительная структура / Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов; заявитель и патентообладатель ИФП СО РАН. – № 2008138804/28; Заявл. 29.09.2008; Опубл. 20.11.2009.
Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников / А. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов. – Томск : Радио и связь, 1990. – 327 с.
Voitsekhovskii, A. Influence of near-surface graded-gap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe / A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh, V. Varavin, S. Dvoretskii, N. Mikhailov, Y. Sidorov, M. Yakushev // Opto-Electronics Rev. – 2010. – V. 18, N 3. – P. 259—262.
Войцеховский, А. В. Влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт-фарадные характеристики МДП-ст – № 6. – С. 31—37.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/410
2023-12-29T19:46:05Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
Dislocation structure of the AlGaN/GaN/α-Al2O3 heterostructures epitaxial layers at doping GaN with С and Fe
Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом
T. F. Rusak
K. L. Enisherlova
A. V. Lutzau
V. V. Saraykin
V. I. Korneev
Т. Ф. Русак
К. Л. Енишерлова
А. В. Лютцау
В. В. Сарайкин
В. И. Корнеев
кристаллографическая плоскость
GaN buffer layer
dislocation
secondary ion mass spectroscopy
spherical section
selective chemical etching
single-crystal diffractometry
mosaic structure
crystallographic plane
кристаллографическая плоскость
буферный слой GaN
дислокация
масс-спектроскопия вторичных ионов
сферический шлиф
селективное химическое травление
однокристальная дифрактометрия
блочность
кристаллографическая плоскость
The aim of this work was to study the influence of the iron and carbon doping of the epitaxial GaN layer on sapphire on the growth features of epitaxial films and their dislocation structure. Investigation methods used were: mass spectroscopy of secondary ions, selective chemical etching on spherical sections, and also single-crystal diffractometry.It is shown that doping during growth of an epitaxial GaN layer with carbon can lead to a significant decrease in the dislocation density in epitaxial layers.It has been shown that for samples doped with iron, a decrease in the number of short dislocations located in the bulk of the structure is characteristic, but a large number of extended dislocations are generated contributing to the diffusion of iron into the working regions of heterostructures, which can adverselyinfluence on the electrical parameters of the structures. In the course of the work, a technique for determining the density of dislocations in epitaxial films was proposed using two schemes of selective etching of spherical thin sections, which makes it possible to determine the dislocation density distribution over the depth of epitaxial films.
В работе исследовано влияние процесса легирования железом и углеродом эпитаксиального слоя GaN на сапфире на особенности роста эпитаксиальных пленок и их дислокационную структуру. При исследовании использовались методы: масс-спектроскопия вторичных ионов, селективное химическое травление на сферических шлифах, а также однокристальная дифрактометрия. Показано, что легирование в процессе роста эпитаксиального слоя GaN углеродом может приводить к значительному уменьшения плотности дислокаций в эпитаксиальных слоях. Показано, что для образцов, легированных железом, характерно уменьшение количества коротких дислокаций, расположенных в объеме структуры, но образуется большое количество протяженных дислокаций, способствующих диффузии железа в рабочие области гетероструктур, что может отрицательно влиять на электрические параметры структур. В ходе работы предложена методика определения плотности дислокаций в эпитаксиальных пленках с использования двух схем селективного травления сферических шлифов, которая позволяет определять распределение плотности дислокаций по глубине эпитаксиальных пленок.
MISIS
2021-01-27
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
https://met.misis.ru/jour/article/view/410
10.17073/1609-3577-2017-4-272-283
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 4 (2017); 272-283
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 4 (2017); 272-283
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2017-4
ru
Liliental-Weber Z., dos Reis R., Weyher J. L., Staszczak G., Jakieła R. The importance of structural in homogeneity in GaN thin films // J. Crystal Growth. 2016. V. 456. P. 160—167. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.08.059
Morkoç H. Handbook of nitride semiconductors and devices. Vol. 1. Materials properties, physics and growth. Weinhiem: Wiley-VCH Verlag GmbH& Co. KGaA, 2008. P. 817—1191. DOI: 10.1002/9783527628438
Polyakov A. Y., Lee I.-H. Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices // Materials Science and Engineering: R: Reports. 2015. V. 94. P. 1—56. DOI: 10.1016/j.mser.2015.05.001
Dong-Seok Kim, Chul-Ho Won, Hee-Sung Kang, Young-Jo Kim, Yong Tae Kim, In Man Kang, Jung-Hee Lee. Growth and characterization of semi-insulating carbon-doped/undoped GaN multiple-layer buffer // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30, N 3. P. 035010 (6 p). DOI: 10.1088/0268-1242/30/3/035010
Li X., Bergsten J., Nilsson D., Danielsson Ö., Pedersen H., Rorsman N., Janzén E., Forsberg U. Carbon doped GaN buffer layer using propane for high electron mobility transistor applications: Growth and device results // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 107, Iss. 26. P. 26105 (15 p). DOI: 10.1063/1.4937575
Feng Z. H., Liu B., Yuan F. P., Yin J. Y., Liang D., Li X. B., Feng Z., Yang K. W., Cai S. J. Influence of Fe-doping on GaN grown on sapphire substrates by MOCVD // J. Cryst. Growth. 2007. V. 309, Iss. 1. P. 8—11. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.08.032
Manmohan Agrawal, Shreyash Pratap Singh, Nidhi Chaturvedi. Concept of buffer doping and backbarrier in GaN HEMT // International Journal of ChemTech Research. 2014–2015. V. 7, N 2. P. 921—927. URL: http://sphinxsai.com/2015/ch_vol7_no2_ICONN/7/NE26%20(921-927).pdf
Cui Lei, Yin Haibo, Jiang Lijuan, Wang Quan, Feng Chun, Xiao Hongling, Wang Cuimei, Gong Jiamin, Zhang Bo, Li Baiquan, Wang Xiaoliang, Wang Zhanguo. The influence of Fe doping on the surface topography of GaN epitaxial material // Journal of Semiconductors. 2015. V. 36, N 10. P. 103002. DOI: 10.1088/1674-4926/36/10/103002
Lipski F. Semi-insulating GaN by Fe-doping in hydride vapor phase epitaxy using a solid iron source // Annual Report. Ulm University, Institute of Optoelrctronucs, 2010. P. 63—70. URL: https://pdfs.semanticscholar.org/befe/2434893df4f74d14ca62dc740f709a13190d.pdf
Fariza A., Lesnik A., Neugebauer S., Wieneke M., Hennig J., Bläsing J., Witte H., Dadgar A., Strittmatter A. Leakage currents and Fermi-level shifts in GaN layers upon iron and carbon-doping // J. Appl. Phys. 2017. V. 122, Iss. 2. P. 025704-1—025704-6. DOI: 10.1063/1.4993180
Polyakov A. Y., Smirnov N. B., Dorofeev A. A., Gladysheva N. B., Kondratyev E. S., Shemerov I. V., Turutin A. V., Ren F., Pearton S. J. Deep traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on SiC // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2016. V. 5, Iss. 10. P. Q260—Q265. DOI: 10.1149/2.0191610jss
Simpkins B. S., Yu E. T., Waltereit P., Speck J. S. Correlated scanning Kelvin probe and conductive atomic force microscopy studies of dislocations in gallium nitride // J. Appl. Phys. 2003. V. 94, Iss. 3. P. 1448—1453. DOI: 10.1063/1.1586952
Енишерлова К. Л., Русак Т. Ф., Корнеев В. И., Зазулина А. Н. Влияние качества подложек SiC на структурное совершенство и некоторые электрические параметры пленок AlGaN/GaN» // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2015. Т. 18, № 3. С. 221—228. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-3-221-228
Говорков А. В., Поляков А. Я., Югова Т. Г., Смирнов Н. Б., Петрова Е. А., Меженный М. В., Марков А. В., Ли И. Х., Пиртон С. Д. Идентификация дислокаций и их влияние на процессы рекомбинации носителей тока в нитриде галлия // Поверхность, Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 7. C. 18—20.
Енишерлова К. Л., Горячев В. Г., Сарайкин В. В., Капилин С. А. Нестабильность емкости ВФ-характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ-транзисторов на их основе // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2016. Т. 19, № 2. C. 114—122. DOI: 10.17073/1609-3577-2016-2-114-122
Енишерлова К. Л., Лютцау А. В., Темпер Э. М. Однокристальная рентгеновская дифрактометрия гетероструктур. М.: ОАО НПП «Пульсар», 2016. С. 144.
Lei Zhang, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao, Xiufang Chen, Shuang Qu, Xiangang Xu. Characterization of dislocation etch pits in HVPE-grown GaN using different wet chemical etching methods // J. Alloys and Compounds. 2010. V. 504, Iss. 1. P. 186—191. DOI: 10.1016/j.jallcom.2010.05.085
Zhang H., Miller E. J., Yu E. T. Analysis of leakage current mechanisms in Schottky contacts to GaN and Al0.25Ga0.75N∕GaN grown by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 2006. V. 99, Iss. 2. P. 023703. DOI: 10.1063/1.2159547
Choi Y. C., Pophristic M., Peres B., Spencer M. G., Eastman L. F. Fabrication and characterization of high breakdown voltage AlGaN∕GaN heterojunction field effect transistors on sapphire substrates // J. Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 2006. V. 24, Iss. 6. P. 2601—2605. DOI: 10.1116/1.2366542
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/102
2015-03-16T20:06:51Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
SOLAR CELLS WITH THE CHARGE PUMPING: THEORETICAL PERSPECTIVES AND TECHNOLOGICAL ASPECTS OF THE APPLICATION
СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ЗАРЯДОВОЙ ПОДКАЧКОЙ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ
V. A. Gusev
V. V. Starkov
A. V. Tetersky
В. А. Гусев
В. В. Старков
А. В. Тетерский
солнечные элементы
charges pumps
solar cells
солнечные элементы
зарядовые насосы
солнечные элементы
The analysis of the inertial mechanisms of separating photoexcited carriers in conventional silicon converters structure with charges pumps (SCSCP) is lead. Charges pumps represented local n+-areas in Si base of p-type of conductivity. The equivalent circuit of such converters like multyemitters bipolar transistor is proposed. The results of experimental investigations converters light current-voltage diagrams are presented. Technological aspects of SCSCP formation is regarded.
Рассмотрены первые результаты применения концепции зарядовой подкачки в структуре электрических фотопреобразователей (ФЭП). Проведен анализ скорости процессов разделения и коллектирования фотогенерированных носителей заряда в традиционной структуре кремниевых солнечных элементов с зарядовыми насосами. Зарядовые насосы представляли собой локальные n+-области в Si-базе p-типа проводимости. Предложена эквивалентная схема замещения в виде многоэмиттерного биполярного транзистора. Представлены экспериментальные результаты влияния зарядовых насосов на световую вольт-амперную характеристику ФЭП. Рассмотрены технологические аспекты формирования структуры ФЭП с зарядовыми насосами.
MISIS
2015-03-16
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/102
10.17073/1609-3577-2013-2-49-54
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2013); 49-54
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2013); 49-54
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/102/95
Наумов, А. В. Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 2006—2010 гг. / А. В. Наумов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2006. – № 2. – С. 29—35.
Woodhouse, M. An economic analysis of photovoltaics versus traditional energy sources. / M. Woodhouse // IEEE Photovoltaic Specialist Conf. (PVSC). – Seattle ; Washington, 2011. – P. NREL/PR-6A20-52311.
Гусев, В. А. Солнечные элементы с зарядовой подкачкой / В. А. Гусев, В. В. Старков // Матер. XII Междунар. научн.-практ. конф. «Фундаментальные и прикладные исследования, разработка и применение высоких технологий в промышленности». – СПб, 2011. – Т. 2, С. 157—158.
Алферов, Ж. И. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. Д. Румянцев // ФТП. – 2004. – Т. 38, вып. 8. – С. 937—948.
Гусев, В. А. Фотопреобразователи на основе зарядовых насосов / В. А. Гусев // Вестн. СевНТУ. Сер. Информатика, электроника, связь. – 2011. – Вып. 114. – С. 199—203.
Кравченко, В. А. Диффузионное легирование кремния бором и фосфором в условиях быстрого термического отжига / В. А. Кравченко, В. В. Старков, Н. В. Абросимов, В. Н. Абросимова // Электронная техника. Сер. Материалы – 1989. – Вып. 4(241). – С. 20—23.
Reiss, H. Solubility of lithium in doped and undoped silicon, evidence for compound formation / H. Reiss, C. S. Fuller, Pietruszkiewicz. // J. Chem. Phys. – 1956. – V. 25, N 4. – P. 650—655.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/75
2015-03-15T20:10:36Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
PHOTOCONVERTERS IN SOLAR SPLITTING SYSTEM
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
S. Yu. Kurin
V. D. Doronin
A. A. Antipov
B. P. Papchenko
H. Helava
M. I. Voronova
A. S. Usikov
Yu. N. Makarov
K. V. Eidel’man
С. Ю. Курин
В. Д. Доронин
А. А. Антипов
Б. П. Папченко
Х. И. Хелава
М. И. Воронова
А. С. Усиков
Ю. Н. Макаров
К. Б. Эйдельман
дихроичный фильтр
spectral splitting
gallium nitride
gallium arsenide
photoconverter
Fresnel lens
dichroic filter
дихроичный фильтр
спектральное расщепление
нитрид галлия
арсенид галлия
фотоэлектрический преобразователь
линза Френеля
дихроичный фильтр
This paper presents results on the simulation of photo converters in a spectral splitting system where solar radiation is separated into three spectral ranges (∆λ1<500 nm, ∆λ2 = 500−725 nm and ∆λ3>725 nm) by means of dichroic filters and then converted to electrical energy by photoconverters based on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special attention is paid to the absorption spectrum spreading due to more efficient conversion of the ultraviolet part of the spectrum. The total efficiency of the system varies from 21% to 37% depending on the design of heterostructures.
Представлены результаты моделирования фотоэлектрических преобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечной энергии, в которой солнечное излучение разделяется с помощью дихроичных фильтров на три спектральных диапазона (∆λ1 < 500 нм, ∆λ2 = 500÷725 нм, ∆λ3 > 725 нм) и затем преобразуется в электроэнергию фотоэлектрическими преобразователями на основе однопереходных гетероструктур InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs и монокристаллического кремния c−Si. Особое внимание уделено исследованию расширения спектрального диапазона поглощения системы за счет более эффективного преобразования ультрафиолетовой части спектра. Суммарный КПД системы на всем спектре варьируется от 21 до 37 % в зависимости от дизайна гетероструктур однопереходных фотоэлектрических пре-образователей и вариантов оптических систем.
MISIS
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Министерства науки и образования Российской Федерации (государственныйконтракт от 16 марта 2012 г. № 12.527.12.3001)
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/75
10.17073/1609-3577-2013-3-46-50
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2013); 46-50
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2013); 46-50
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/75/68
Guter, W. W. Current−matched triple junction solar cell reaching 41,1 % conversion efficiency under contrated sunlight / W. W. Guter, J. Schone, S. P. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A. W. Bett, F. Dimroth // Appl. Phys. Lett. − 2009. − V. 94, Iss. 22. − P. 223504.
Law, D. C. Future technology pathways of terrestrial III–V multijunction solar cells for concentrator photovoltaic systems / D. C. Law, R. R. King, H. Yoon, M. J. Archer, A. Boca, C. M. Fetzer, D. Mesropian, T. Isshiki, M. Haddad, K. M. Edmondson, D. Bhusari, J. Yen, R. A. Sherif, H. A. Atwater, N. H. Karam // Sol. Energy Mater. and Sol. Cells. − 2010. − V. 94, N 8. − P. 1314—1318.
Newman, F. D. Optimization of inverted metamorphic multijunction solar cells for field−deployed concentrating PV systems/ F. D. Newman, D. J. Aiken, P. M. Patel, D. R. Chumney, I. Aeby, R. W. Hoffman, P. R. Sharps // Proc. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. − Philadelphia (PA), 2009. − P. 001611.
Lantratov, V. M. Vysokoeffektivnye dvuhperehodnye GaInP/GaAs solnechnye elementy, poluchennye metodom MOS−gidridnoi epitaksii / V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyi, S. A. Mintairov, N. H. Timoshina, M. Z. Shvarc, V. M. Andreev // FTP. − 2007. − T. 41, Iss. 6. − P. 751—755.
Fraas, I. Demonstration of a 33 % efficient Cassegrainian solar modul / I. Fraas, J. Avery, H. Huang, L. Minkin, E. Shifman // Proc. IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion. − Hawaii, 2006.
Barnett, A. Very high efficiency solar cell modules / A. Barnett, D. Kirkpatrick, C. Honsberg, D. Moore, M. Wanlass, K. Emery, R. Schwartz, D. Carlson, S. Bowden, D. Aiken, A. Gray, S. Kurtz, L. Kazmerski, M. Steiner, J. Gray, T. Davenport, R. Buelow, L. Takacs, N. Shatz, J. Bortz, O. Jani, K. Goossen, F. Kiamilev, A. Doolittle, I. Ferguson, B. Unger, G. Schmidt, E. Christensen, D. Salzman // Progr. Photovolt.: Res. Appl. − 2009. − V. 17, N 1. − P. 75.
Groβ, B. Highly efficient light splitting photovoltaic receiver / B. Groβ, G. Peharz, G. Siefer, M. Peters, J. S. Goldschmidt, M. Steiner, W. Guter, V. Klinger, B. George, F. Dimroth // Proc. 24th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. − Hamburg, 2009. − P. 130.
Wang, X. Outdoor Measurements for High Efficiency Solar Cell Assemblies / X. Wang, N. Wait, P. Murcia, K. Emery, M. Steiner, F. Kiamilev, K. Goossen, C. Honsberg, A. Barnett // Ibid. − Hamburg, 2009. − P. 811.
Hvostikov, V. P. Vysokoeffektivnyi (eta = 39,6 %, AM 1.5D) kaskad fotopreobrazovatelei v sisteme so spektral’nym rasshepleniem solnechnogo izlucheniya / V. P. Hvostikov, A. S. Vlasov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, N. H. Timoshina, M. Z. Shvarc, V. M. Andreev // FTP. − 2011. − T. 45, Iss. 6. − P. 810—815.
Barnett, A. Initial test bed for very high efficiency solar cells / A. Barnett, X. Wang, N. Waite, P. Murcia, C. Honsberg, D. Kirkpatrick, D. Laubacher, F. Kiamilev, K. Goossen, M. Wanlass, M. Steiner, R. Schwartz, J. Gray, A. Gray, P. Sharps, K. Emery, L. Kaz merski // Proc. IEEE Photovoltaic Specialists Conf. − San Diego, 2008. − P. 1563.
Khvostikov, V. P. Single−junction solar cells for spectrum splitting PV system / V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, A. S. Vlasov, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev // Proc. 25th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. − Valencia, 2010. − P. 167—171.
Brown, G. F. Finite element simulations of compositionally graded InGaN solar cells / G. F. Brown, J. W. Ager, W. Walukiewicz, J. Wu // Sol. Energy Materials and Sol. Cells. − 2010. − V. 94, Iss. 3. − P. 478—483.
Shen, X. Simulation of the InGaN-based tandem solar cells / X. Shen, S. Lin, F. Li, Y. Wei, S. Zhong, H. Wan, J. Li // Proc. SPIE 7045. Photovoltaic Cell and Module Technologies II, 70450E. − 2008.
Semiconductors on NSM // http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/315
2019-06-22T07:30:40Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
The effect chemical treatment of the substrate cadmium telluride on the quality of epitaxial structures
Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур
V. V. Paramonov
O. V. Novikova
V. G. Kosushkin
В. В. Парамонов
О. В. Новикова
В. Г. Косушкин
эпитаксиальные структуры
of the substrate of cadmium telluride
bromine
isobutyl alcohol
epitaxial structures
эпитаксиальные структуры
подложки теллурида кадмия
бром
изобутиловый спирт
эпитаксиальные структуры
The etching of wafers of cadmium telluride in aqueous and nonaqueous solutions before the epitaxial process of building structures CdxHg1-xTe and its influence on the surface quality of epitaxial layers. As the etchants investigated 2—20 % solution of bromine in isobutyl alcohol, 5 % solution of bromine in methanol, dimethylsulfoxide, ethylene glycol, solutions of bromine in hydrobromic acid and mixed with glycerin, a saturated solution of potassium dichromate in sulfuric acid. The speed of etching was varied from 0.2 to 9 µm/min. Polishing Set nature of the etching substrate of cadmium telluride in 5 % solution of bromine in i-butanol, the dissolution process is diffusion in nature and is limited by the mass transfer of the reactants in the temperature range of 10—60 °C, depending on the concentration of bromine and the viscosity of the solution. Studied the morphology and surface finish of epitaxial layers of CdxHg1-xTe, depending on the method of etching the original substrate. Found the optimal compositions of etchants for precipitaciones processing of obtaining structures with a height of asperities of the surface at 0.1 atm.
Исследовано травление подложек теллурида кадмия в водных и неводных растворах перед процессом эпитаксиального наращивания структур CdxHg1-xTe и его влияние на качество поверхности эпитаксиальных слоев. В качестве травителей использовали 2—20%-ные растворы брома в изобутиловом спирте, 5%-ные растворы брома в метаноле, диметилсульфоксиде, этиленгликоле, растворы брома в бромистоводородной кислоте и смеси с глицерином, насыщенный раствор бихромата калия в серной кислоте.Скорости травления изменялись от 0,2 до 9 мкм/мин. Установлен полирующий характер травления подложек теллурида кадмия в 5%-ном растворе брома в изобутаноле. Процесс растворения носит диффузионный характер, лимитирован массопереносом реагентов в интервале температур 10—60 °С и зависит от концентрации брома и вязкости раствора.Исследованы морфология и высота микронеровностей эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe в зависимости от способа травления исходной подложки. Найдены оптимальные составы травителей для предэпитаксиальной обработки с целью получения структур с высотой микронеровностей поверхности на уровне 0,1 мкм.
MISIS
2019-06-21
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/315
10.17073/1609-3577-2018-1-43-47
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 21, № 1 (2018); 43-47
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 21, № 1 (2018); 43-47
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2018-1
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/315/252
Пономаренко В. П. Теллурид кадмия-ртути и новое поколение приборов инфракрасной фотоэлектроники // Успехи физических наук. 2003. Т. 173, № 6. С. 649—665. DOI: 10.3367/UFNr.0173.200306c.0649
Кожитов Л. В., Косушкин В. Г., Крапухин В. В., Пархоменко Ю. Н. Технология материалов микро- и наноэлектроники. М.: МИСиС, 2007. 544 с.
Atuchin V. V., Borisov S. V., Magarill S. A., Pervukhina N. V. Crystal structural premises to epitaxial contacts for a series of mercury-containing compounds // J. Crystal Growth. 2011. V. 318, Iss. 1. P. 1125—1128. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.08.059
Jiang Q., Mullins J. T., Toman J., Hase T. P., Cantwell B. J., Lloyd G., Basu A., Brinkman A. W., Hetero-epitaxial crystal growth of CdTe on GaAs substrates // J. Crystal Growth. 2008. V. 310, Iss. 7–9. P. 1652—1656. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.171
Nouruzi-Khorasani A., Lunn M. A., Jones I. P., Dobson P. S., Williams D. J., Astles M. G. Surface damage of CdTe by mechanical polishing investigated by cross-sectional TEM // J. Crystal Growth. 1990. V. 102, Iss. 4. P. 1069—1073. DOI: 10.1016/0022-0248(90)90877N
Косушкин В. Г., Кожитов Л. В., Головатый Ю. П., Емельянов С. Г., Червяков Л. М., Муратов Д. Г. Модели и алгоритмы решения задач технологии материалов микро- и наноэлектроники. Курск: Юго-Зап. гос. ун-т., 2018. 359 с.
Кольтгоф И. М., Сендэл Е. Б. Количественный анализ. М.: Госхимиздат, 1948. C. 635—657.
Иваницкая В. Г., Томашик З. Ф., Томашик В. Н., Фейчук П. И., Моравец П., Франц Я. Влияние кристаллографической ориентации CdTe на его травление иодвыделящими смесями Н2О2-HI-С6Н8О7/этиленгликоль // Конденсир. среды и межфаз. границы. 2007. Т. 9, № 1. С. 47—52. URL: http://www.kcmf.vsu.ru/resources/t_09_1_2007_008.pdf
Изобретение № 0002542894. Способ полирующего травителя для теллурида кадмия ртути / А. С. Кашуба, Е. В. Пермикина, 2015. URL: https://edrid.ru/rid/216.013.2ca2.html
Изобретение № 0002611211. Способ пассивации поверхности теллурида кадмия ртути / А. С. Кашуба, С. В. Головин, 2017. URL: https://edrid.ru/rid/217.015.a8db.html
Изобретение № 0002619423. Способ селективного травителя для теллурида кадмия ртути / А. С. Кашуба, Е. В. Пермикина, П. Р. Петрова, 2017.
Парамонов В. В., Новикова О. В., Косушкин В. Г. Химическое травление и термообработка структур теллурида кадмия- ртути // Нелинейный мир. 2017. Т. 15, № 4. C. 64—68.
Пат. 2004130554А (РФ). Способ химического травления теллурида кадмия / Н. Н. Колесников, В. В. Кведер, Е. Б. Борисенко, Д. Н. Борисенко, В. К. Гартман, 2006.
Томашик З. Ф., Денисюк Р. А., Томашик В. Н., Чернюк А. С., Раренко И. М. Химическое травление монокристаллов твердых растворов Cd1-xMnxTe растворами иода в метаноле // Журнал неорганической химии. 2009. Т. 54, № 6. С. 945—949.
Положева А. В., Головин С. В., Лакманова М. Р., Захаров Э. Ф., Кашуба А. С. Химико-механическая обработка поверхности теллурида кадмия-цинка с использованием травителя на основе серной кислоты // Прикладная физика. 2015. № 5. C. 80—83.
Воротынцев В. М., Скупов В. Д. Базовые технологии микро- и наноэлектроники : уебное пособие. Москва: Проспект, 2017. 520 с. (С. 156).
Ivanits’ka V. G., Moravec P., Franc J., Tomashik Z. F., Feychuk P. I., Tomashik V. M., Shcherbak L. P., Mašek K., Höschl P. Chemical etching of CdTe in aqueous solutions of H2O2 - HF - citric acid // J. of Electronic Materials. 2007. V. 36, Iss. 8. P. 1921—1024. DOI: 10.1007/s11664-007-0166-9
Gangash P., Milnes A. G. Etching of Cadmium Telluride // J. of Electrochem. Soc. 1981. V. 128, N 4. P. 924— 926. DOI: 10.1149/1.2127534
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/55
2015-03-15T17:38:42Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Influence of Ge Ion Implantation into Silicon Dioxide/Silicon Structure on Charge Accumulation under Low–Energy Stationary Radiation
ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
O. P. Guskova
V. M. Vorotynthev
E. L. Shobolov
N. D. Abrosimova
О. Г. Гуськова
М. В. Воротынцев
Е. Л. Шоболов
Н. Д. Абросимова
имплантация примесных атомов
dielectric layer
foreign atom implantation
имплантация примесных атомов
диэлектрические слои
имплантация примесных атомов
Results on the influence of Ge ion implantation into pyrogenic SiO2 on radiation charge accumulation are presented. Ge embedding in the silicon dioxide/ silicon system has been analyzed theoretically. We show that Ge ion embedding in the stoichiometric silicon dioxide at the silicon dioxide/ silicon interface or forming Ge nanoclusters in the SiO2 bulk provide an energetic advantage.
Представлены результаты исследования влияния имплантации германия в пирогенный оксид на процессы накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Проведен теоретический анализ процессов встраивания германия в систему «диоксид кремния на кремнии». Показано, что германию энергетически выгодно встраиваться в насыщенный кремнием нестехиометрический оксид (на границе «кремний — диоксид кремния») и формировать нанокластеры в объеме SiO2.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/55
10.17073/1609-3577-2012-4-3-8
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2012); 28-32
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2012); 28-32
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-4
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/55/50
Никифоров, А. Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС /А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков − М. : Радио и связь, 1994. − 165 с.
Barnaby, H. J. Total−ionizing−dose effects in modern CMOS technologies/ H. J. Barnaby // IEEE Transactions on Nuclear Sci. − 2006. − V. 53, N 6. − P. 3103—3121.
Николаев, Д. В. Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний−на−изоляторе при облучении электронами и gamma−квантами/ Д. В. Николаев, И. В. Антонова, О. В. Наумова, В. П. Попов, С. А. Смагулова // Физика и техника полупроводников. − 2003. − Т. 37, вып. 4. − С. 443—449.
Пат. США 5.795.813.
Гуртов, В. А. Твердотельная электроника / В. А. Гуртов − Петрозаводск : Петр. ГУ, 2004. − 312 с.
Frisch M. J. Gaussian 03. Revision C.01 / Frisch M. J., Trucks G. W., Schlegel H. B. et al. − Wallingford (CT) : Gaussian Inc., 2004.
Lee, C. Development of the Colle−Salvetti correlation−energy formula into a functional of the electron density / C. Lee, W. Yang, R. G. Parr // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 37, Iss. 2. − P. 785—789.
Benson, S. W. / S. W. Benson // J. Chem. Educ. − 1965. − V. 42. − P. 502.
Baroni, S. / S. Baroni, A. D. Corso, S. D. Gironcoli // Quantum ESPRESSO, ver. 4.0.4.
Markwitz, A. Homogeneously size distributed Ge nanoclusters embedded in SiO2 layers produced by ion beam synthesis / A. Markwitz, L. Rebohle, H. Hofmeister, W. Skorupa // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. − 1999. − V. 147. − P. 361—366.
Nazarov, A. Trapping of negative and positive charges in Ge+ ion implanted silicon dioxide layers subjected to high−field electron injection / A. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 4440—4448.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/171
2016-06-04T19:08:54Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Investigation of the Passivation Layers Influence on Capacitance Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN
K. L. Enisherlova
V. G. Goryachev
T. F. Rusak
S. A. Kapilin
К. Л. Енишерлова
В. Г. Горячев
Т. Ф. Русак
С. А. Капилин
гетероструктуры AlGaN/GaN, вольт-фарадные характеристики, зонная диаграмма, частотные измерения, пассивирующий слой, двухмерный электронный газ, дислокация, резерфордовское обратное рассеяние
capacity−voltage characteristic
frequency measurement
band diagram
2D electron gas
dislocation
Rutherford backscattering
гетероструктуры AlGaN/GaN, вольт-фарадные характеристики, зонная диаграмма, частотные измерения, пассивирующий слой, двухмерный электронный газ, дислокация, резерфордовское обратное рассеяние
AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test subjects. The capacity− voltage characteristic measurements have been run in 200Hz — 1MHz frequency range at planar disposition of mercury and second probe on the sample surface. The shape of typical C−V curves for the heterostructures with the upper undoped i−AlGaN and i−GaN layers at thickness 15—25 A have been analyzed. The appearance of a typical peak on the C−V curves at changing from depletion region to accumulation region has been registered for some structures with thickness of i−GaN layer 50A at low frequencies (f < 50—200 kHz). The height of this peak increased with reduction of frequency. It has been found experimentally that frequency at which the peak is registered can depend on the dislocation density in heterostructures. Possible explanation of the peak formation and band diagram modifications in these structures under an applied electric field have been presented. We show that using a Si3N4 passivation layer results in the formation of additional positive charge.
MISIS
2016-06-04
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/171
10.17073/1609-3577-2015-2-137-145
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 137-145
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 137-145
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2015-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/171/160
Green, B. M. The effect of surface passivation on the microwave characteristics of undoped AlGaN/GaN HEMTs / B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, L. F. Eastman // IEEE Electron Device Lett. − 2000. −V. 21, N 6. − P. 268—270. DOI: 10.1109/55.843146
Liu, W. L. Capacitance−voltage spectrocopy of trapping states in GaN/AlGaN heterostructure field−effect transistors / W. L. Liu, Y. L. Chen, A. A. Balandin, K. L. Wang // J. Nanоelectronics and Optoelectronics. − 2006. − V. 1. − P. 258—263.
Arulkumaran, S. Studies on the influences of i−GaN, n−GaN, p−GaN and InGaN cap layers in AlGaN/GaN high−electron−mobility transistors/ S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa // Jap. J. Appl. Phys. − 2005. − V. 44. − P. 2953—2960.
Vertiachikh, A. V. Effect of the surface and barrier defects on the AlGaN/GaN HEMT low−frequency noise performance / A. V. Vertiachikh, L. F. Eastman // IEEE Electron Dev. Lett. − 2003. − V. 24, N 9. − P. 535—537. DOI: 10.1109/LED.2003.816588
Derluyn, J. Improvement of AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures by in situ deposition of a Si3N4 surface layer/ J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M. R. Leys, M. Germain, G. Borghs // J. Appl. Phys. − 2005. − V. 98. − P. 054501−1−5
Kroemer, H. Measurement of isotype heterojunction barriers by C−V profiling/ H. Kroemer, Wu−Yi Chien, J. S. Harris (Jr), D. D. Edwall // Appl. Phys. Lett. − 1980. − V. 36, N 4. − P. 295—297. DOI: 10.1063/1.91467
Enisherlova, K. L. AlGaN/GaN heterostructure study using Rutherford backscattering spectrometry / K. L. Enisherlova, V. S. Kulikauskas, V. V. Zatekin, T. F. Rusak, N. B. Gladysheva, I. I. Razguleyaev // J. Surf. Investigation, X−ray, Synchrotron and Neutron Techniq. − 2011. − V. 5, N 4. − P. 626—635.
Брунков, П. Н. Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками. Дисс. … докт. физ.−мат. наук / П. Н. Брунков. − СПб., 2007.
Ambacher, O. Two−dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N− and Ga− gace AlGaN/ GaN heterostructures/ O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murhy, W. J. Schaff, L. F. Eastman // J. Appl. Phys. − 1999. − V. 85, N 6. − P. 3222—3233.
Ibbetson, J. P. Polarization effects, surface states, and the sourface of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor/ J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra // Appl. Phys. Lett. − 2000. − V. 77, N 2. − P. 250—252
Yu, E. T. Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III−V nitride heterostructures / E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau // J. Vac. Sci. Technol. B. − 1999. − V. 17, N 4. − P.1742—1749.
Dawei, Y. Capacitance and conduction dispersion in AlGaN/GaN heterostructure/ Yan Dawei, Wang Fuxue, Zhu Zhaomin, Cheng Jianmin, Gu Xiaofeng // J. Semiconductors. − 2013. − V. 34, N 1. − P. 014003−1−4.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/39
2015-03-15T11:03:29Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
An Experimental Study of the Characteristics of Thyristors, Manufactured on CZ–Si , Under the Action of Gamma–Irradiation
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ
S. V. Bytkin
T. V. Krytskaja
E. G. Radin
V. I. Goncharov
J. I. Kunitskij
S. P. Kobeleva
С. В. Быткин
Т. В. Критская
Е. Г. Радин
В. И. Гончаров
Ю. И. Куницкий
С. П. Кобелева
γ−облучение
single crystal
doped with germanium
thyristor
γ−irradiation
γ−облучение
монокристалл
легирование германием
тиристор
γ−облучение
Studies of test characteristics of the test thyristor structures based on CZ−Si <P, Ge> exposed to gamma irradiation showed a much higher radiation resistance of this device compared with those of the reference structures obtained under similar conditions on single crystals of silicon not doped with germanium.
Проведены исследования характеристик тестовых тиристорных структур на основе выращенногометодом Чохральского Si<P,Ge>, подвергнутых γ−облучению. Обнаружена существенно бόльшаярадиационная стойкость этих приборов по сравнению с полученными в аналогичных условияхконтрольными структурами, изготовленными на монокристаллах кремния, не легированных германием.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/39
10.17073/1609-3577-2012-3-45-48
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2012); 45-48
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2012); 45-48
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/39/35
Bruemmer, J. E. Schmitz Efficient Design in a DC to DC Converter Unit. / J. E. Bruemmer, F. R. Williams // NASA Technical Memorandum E−13499 prepared for the 37th Intersociety energy conversion engineering conf. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gltrs.grc.nasa.gov/reports/2002/TM−2002−211804.pdf
Keller, J. Power electronics designers look to the future / J. Keller // Military and aerospace electronics. November. 2002.[Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://mae.pennnet. com/articles/article_display.cfm?Section=ARCHI&C=Feat&ARTICLE_ID=161973&KEYWORDS=Schottky%20QPL&p=32
Rausch, R. Electronic components and systems and their radiation qualification for use in the LHC machine / R. Rausch // European laboratory for particle physics, CERN−SL division CERN SL 99−004 (CO). [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://www− project.slac.stanford.edu/lc/local/Radphysics/European_Lab.pdf
Ozpineci, B. Comparison of wide−bandgap semiconductors for power electronics applications / B. Ozpineci, L. M. Tolbert // ORNL/TM−2003/257, December 12, 2003 OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY Oak Ridge, Tennessee 37831, managed by UT−BATTELLE, LLC for the U.S. DEPARTMENT OF ENERGY under contract No. DE−AC05−00OR22725 [Электронный ресурс]. − Режим доступа: / http://www.ornl.gov/~webworks/cppr/y2001/rpt/118817.pdf
Лебедев, А. SiC−электроника: прошлое, настоящее, будущее / А. Лебедев, С. Сбруев // Электроника. Выпуск № 5/2006 Элементная база электроники [Электронный ресурс]. – Режим доступа: / http://www.electronics.ru/issue/2006/5/4
Dyer, C. S. Space radiation effects for future technologies and missions / C. S Dyer, G. Hopkinson (Rep.ref.QINETIQ/KI/SPACE/TR010690/1.1) [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http:// reat.space.qinetiq.com/Reat/wp1_tn/Document_text.html
Bytkin, S. V. Silicon doped with germanium (n−Si<Ge>) usage for manufacturing of radiation hardened devices and integrated circuits / S. V. Bytkin // 4th Europ. Conf. on radiation and its effects on components and systems Proc. Cannes (France). − 1997. − Р. 141—146.
ГОСТ 19138.0−85. Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gosts.skgvh.ru/Index/20/20337.htm
ГОСТ 19138.6−86. Тиристоры. Методы измерения электрических параметров. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gosts.skgvh.ru/Index/12/12223.htm
Критская, Т. В. Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики / Т. В. Критская // Дисс. … докт. техн. наук. − Запорожье, 2006. − 375 с.
Быткин, С. В. Материалы и процессы в технологии кремниевых приборов, устойчивых к действию ионизирующих излучений: анализ эффективности применения / С. В. Быткин, О. В. Быткина. − Запорожье: Изд−во ЗГИА, 1997. − 84 с.
Кузьмин, В. А. Четырехслойные полупроводниковые приборы / В. А. Кузьмин, К. Я. Сенаторов. − М. : Энергия, 1967. − 184 с.
Вологдин, Э. Н. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов / Э. Н. Вологдин, А. П.Лысенко. − М., 2001. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://window.edu.ru/window/library?p_rid=55864
О Федеральной целевой программе «Национальная технологическая база» на 2007—2011 годы (в ред. Постановления Прави- тельства РФ от 26.11.2007 № 809) . [Электронный ресурс]. – Режим доступа: //http://www.intpark.noolab.ru/uploads/1245030251.doc
Вологдин, Э. Н. Радиационная стойкость биполярных транзисторов / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко. − М., 2000. [Электрон-ный ресурс]. − Режим доступа: // http://window.edu.ru/window/ library?p_rid=558643
Герлах, В. Тиристоры / В. Герлах − М. : Энергоатомиздат, 1985. − 345 с.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/439
2023-07-12T07:10:09Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Influence of PECVD features of SiNx deposition processes on electrical parameters of SiNx/AlGaN/GaN structures
Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN
K. L. Еnisherlova
L. A. Seidman
E. T. Temper
Yu. A. Kontsevoy
К. Л. Енишерлова
Л. А. Сейдман
Э. М. Темпер
Ю. А. Концевой
2DEG
passivating coating
PECVD deposition method
C-V characteristic
HEMT transistor
I-V characteristic
piezo charge
2DEG
2DEG
пассивирующее покрытие
метод осаждения PECVD
С—V-характеристика
НЕМТ
I—V-характеристика
пьезозаряд
2DEG
In this work, we studied the influence of the processes of plasma-chemical deposition of SiNx films on the electrical parameters of the dielectric/AlGaN/GaN structure. The effect of the composition of the formed films, the effect of additional surface treatment of heterostructures in nitrogen plasma prior to dielectric deposition, as well as the effect of the RF bias supply during this treatment on the C-V and I-V characteristics of the SiNx/AlGaN/GaN structures were analyzed. It was found that for films with a ratio of nitrogen and silicon concentrations of 60 % and 40 %, as well as with an increased oxygen content, a decrease in the value of a fixed positive charge in these structures is characteristic, but the appearance of current pulsations is observed on the I-V characteristics of the structures. It was revealed how the modes of the plasma chemistry process affect such parameters of oscillations as the period, amplitude, length of the section of the I-V characteristic, where oscillations are observed. A possible explanation of the reasons for the appearance of characteristic pulsations is proposed. It has been established that the additional action of nitrogen plasma on the surface of the heterostructure before the monosilane is introduced into the chamber leads to a change in the magnitude and sign of the fixed charge and to a decrease in the concentration of free carriers in the channel of a two-dimensional gas of SiNx/AlGaN/GaN heterostructures. It is shown experimentally how the technological features of the deposition and surface preparation processes can affect the electrical parameters of the formed heterostructures.
Исследовано влияние процессов плазмохимического осаждения (PECVD) пленок SiNx на электрические параметры структуры диэлектрик/АlGaN/GaN. Дан анализ влияния состава формируемых пленок, воздействия дополнительной обработки поверхности гетероструктур в плазме азота перед осаждением диэлектрика, а также влияния подачи ВЧ-смещения при такой обработке на особенности С—V- и I—V-характеристик структур SiNx/АlGaN/GaN. Установлено, что для пленок с соотношением концентраций азота и кремния 60 и 40 %, а также с повышенным содержанием кислорода характерно уменьшение фиксированного положительного заряда в этих структурах, однако, на I—V-характеристиках структур наблюдается появление пульсаций тока. Выявлено как режимы процесса плазмохимии влияют на такие параметры осцилляций, как период, амплитуда, длина участка I—V-характеристики, на котором наблюдаются осцилляции. Предложено возможное объяснение причин появления характерных пульсаций. Установлено, что дополнительное воздействие азотной плазмы на поверхность гетероструктуры до напуска в камеру моносилана приводит к изменению величины и знака фиксированного заряда, а также к уменьшению концентрации свободных носителей в канале двумерного газа гетероструктур SiNx/АlGaN/GaN. Экспериментально показано, как технологические особенности процессов PECVD осаждения и подготовки поверхности могут влиять на электрические параметры формируемых гетероструктур.
MISIS
2021-08-30
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/439
10.17073/1609-3577-2021-2-107-118
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 2 (2021); 107-118
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 2 (2021); 107-118
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2021-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/439/343
Chevtchenko S.A., Reshchikov M.A., Fan Q., Ni X., Moon Y.T., Baski A.A., Morkoç H. Study of SiNx and SiO2 passivation of GaN surfaces. J. Appl. Phys., 2007; 101(11): 113709. https://doi.org/10.1063/1.2740324
Liu Z.H., Ng G.I., Zhou H., Arulkumaran S., Maung Y.K.T. Reduced surface leakage current and trapping effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon with SiN/Al2O3 passivation. Appl. Phys. Lett., 2011; 98(11): 113506. https://doi.org/10.1063/1.3567927
Jayanta Joglekar S. Surface and mechanical stress effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Thesis: Ph.D. Massachusetts Institute of Technology, 2017, 161 p. https://dspace.mit.edu/handle/1721.1/111325
Osipov K.Y., Ostermay I., Brunner F., Würfl J., Tränkle G. Effect of external mechanical stress on DC performance and reliability of integrated E/D GaN HEMTs. IEEE Trans. Semicond. Manuf., 2018; 31(4): 419—425. https://doi.org/10.1109/TSM.2018.2865106
Новак А.В., Новак В.Р., Дедкова А.А., Гусев Е.Э. Зависимость механических напряжений в плёнках нитрида кремния от режимов плазмохимического осаждения. Известия вузов. Электроника, 2017; 22(2): 138—146. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2017-22-2-138-146
Dergez D., Bittner A., Schalko J., Schmid U., Low-stress and long-term stable a-SiNx: H films deposited by ICP-PECVD. Procedia Engineering, 2014; 87: 100—103. https://doi.org/10.1016/j.proeng.2014.11.392
Dinara S.M., Jana S.K., Ghosh S., Mukhopadhyay P., Kumar R., Chakraborty A., Biswas D., Bhattacharya S. Enhancement of two dimensional electron gas concentrations due to Si3N4 passivation on Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure: strain and interface capacitance analysis. AIP Advances, 2015; 5(4): 047136—047136-11. https://doi.org/10.1063/1.4919098
Сейдман Л.А., Концевой Ю.А., Енишерлова К.Л., Миннебаев С.В. Пленки SiNx, полученные методом PECVD, в качестве пассивации AlGaN/GaN HEMT. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2020; (3(258)): 22—33.
Enisherlova K.L., Temper E.M., Kolkovsky Y.V., Medvedev B.K., Kapilin S.A. The ALD films of Al2O3, SiNx, and SiON as passivation coatings in AlGaN/GaN HEMT. Russ. Microelectron., 2020; 49(8): 603—611. https://doi.org/10.1134/S106373972008003X
Берлин Е.В., Григорьев В.Ю., Сейдман Л.А. Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения. М.: Техносфера, 2018, 462 с.
Gweon G.H., Lim J.H., Hong S.P.,Yeom G.Y. Effect of DC bias voltage on the characteristics of low temperature silicon—nitride films deposited by internal linear antenna inductively coupled plasma source. Jpn. J. Appl. Phys., 2010; 49(5R): 056505. https://doi.org/10.1143/JJAP.49.056505
Kuiwei Geng , Ditao Chen, Quanbin Zhou, Hong Wang. AlGaN/GaN MIS-HEMT with PECVD SiNx, SiON, SiO2 as gate dielectric and passivation layer. Electronics, 2018; 7(12): 416. https://doi.org/10.3390/electronics7120416
Romero M.F., Jimenez A., Miguel-Sánchez J., Braña A.F., González-Posada F., Cuerdo R., Calle F., Muñoz E. Effects of N2 plasma pretreatment on the SiN passivation of AlGaN/GaN HEMT. IEEE Electron Device Lett., 2008; 29(3): 209—211. https://doi.org/10.1109/LED.2008.915568
Meunier R. Optimization of the elaboration of insulating layers for the gate structures and the passivation of MIS-HEMT transistors on GaN: Dr. Diss. Université Paul Sabatier-Toulouse III, 2016, 154 p. https://hal.laas.fr/tel-01376016
Pletschen W., Kirste L., Cimalla V., Müller S., Himmerlich M., Krischok S., Ambacher O. Changes of electronic properties of AlGaN/GaN HEMTs by surface treatment. MRS Online Proceedings Library (OPL), 2014, 1736. https://doi.org/10.1557/opl.2014.937
Антонова И.В., Поляков В.И., Руковишников А.И., Мансуров В.Г., Журавлев К.С., Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN. Физика и техника полупроводников, 2008; 42(1): 53—59. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6484
Fu C., Lin Z., Cui P., Lv Y., Zhou Y., Dai G., Luan C., Liu H., Cheng A. The influence of the PCF scattering on the electrical properties of the AlGaN/AlN/GaN HEMTs after the Si3N4 surface passivation. Appl. Phys. A, 2018; 124(4): 1—10. https://doi.org/10.1007/s00339-018-1702-6
Liu S.C., Huang C.K., Chang C.H., Lin Y.C., Chen B.Y., Tsai S.P., Majlis B.Y., Dee C.F., Chang E.Y., Effective passivation with high-density positive fixed charges for GaN MIS-HEMTs. IEEE J. Electron Devices Society, 2017; 5(3): 170—174. https://doi.org/10.1109/JEDS.2017.2669100
Liu X., Wang X., Zhang Y., Wei K., Zheng Y., Kang X., Jiang H., Li J., Wang W., Wu X., Wang X. Insight into the near-conduction band states at the crystallized interface between GaN and SiNx grown by low-pressure chemical vapor deposition. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018; 10(25): 21721—21729. https://doi.org/10.1021/acsami.8b04694
Enisherlova K.L., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Rusak T.F., Gladysheva N.B., Razgulyaev I.I. AlGaN/GaN heterostructure study using Rutherford backscattering spectrometry. J. Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2011; 5(4): 626—635. https://doi.org/10.1134/S1027451011070093
Антонов А.В., Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Ускова Е.А. Осцилляции тока при латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs/InGaAs с квантовыми ямами. Физика и техника полупроводников, 2005; 39(1): 53—58. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/5699
Yoder P.D., Sridharan S., Graham S., Shen S.C., Ryou J.H., Dupuis R.D. Traveling dipole domains in AlGaN/GaN heterostructures and the direct generation of millimeter-wave oscillations. Phys. Status Solidi C, 2011; 8(7–8): 2285—2287. https://doi.org/10.1002/pssc.201001143
Eller B.S., Yang J., Nemanich R.J., Electronic surface and dielectric interface states on GaN and AlGaN. J. Vacuum Sci. Technol. A: Vacuum, Surfaces, and Films, 2013; 31(5): 050807. https://doi.org/10.1116/1.4807904
Gustafson B. Resonant tunneling in laterally confined quantum structures. Lund University (Sweeden), 2001, 106 p. https://lup.lub.lu.se/record/41579
Dong Z., Hao R., Zhang Z., Cai C., Zhang B., Cheng Z. Impact of N-plasma treatment on the Current collapse of ALGAN/GAN HEMTs. In: 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). Guilin (China): IEEE, 2014, pp. 1—3. https://doi.org/10.1109/ICSICT.2014.7021380
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/114
2015-03-17T01:31:21Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
ANALYSIS OF HEAT PROPAGATION PROCESSES IN STRUCTERS OF PULSE POWERFUL DEVICES NEAR PLANES OF SOLDER OF SILICON PLATES IN HIGH VOLTAGE STACKS
АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ»
A. L. Glazov
V. A. Kozlov
O. Korolkov
K. L. Muratikov
А. Л. Глазов
В. А. Козлов
О. Корольков
К. Л. Муратиков
soldered or bonded contacts
laser thermal wave diagnostics
high voltage switchers
Processes of heat transfer through interfaces of semiconductor diode stack structures of high voltage pulse switchers are investigated by laser thermal wave methods. Theoretical model of thermal wave propagation in such structures is developed. It takes into account specific features of preparation of semiconductor element surfaces, layers of solder or bonding. It is shown that laser thermal wave methods can be applied to diagnostics of thermal contact quality between elements of opening switchers for various technologies of their assembling.
Разработан метод лазерной термоволновой диагностики процессов теплопереноса в межсоединениях полупроводниковых диодных структур высоковольтных импульсных ключей−размыкателей, собранных по технологии «столбов». Предложена теоретическая модель процессов распространения тепловых волн в подобных структурах с учетом технологических особенностей подготовки поверхностей полупроводниковых элементов, слоев спайки или сварки. Показано, что лазерные термоволновые методы позволяют диагностировать качество теплофизических контактов между элементами ключей−размыкателей при различных технологиях их соединений.
MISIS
контактный теплоперенос
спаянные или сварные соединения
лазерная термоволновая диагностика
высоковольтные полупроводниковые переключатели
2015-03-16
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/114
10.17073/1609-3577-2012-2-65-69
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2012); 65-69
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2012); 65-69
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/114/107
Baliga, B. J. Fundamentals of power semiconductor devices / B. J. Baliga. − N.−Y. : Springer Sci., 2008. − 1072 p.
Еfanov, V. M. Powerful semiconductor 80 kV nanosecond pulser / V. M. Еfanov, A. F. Kardo−Sysoev, M. A. Larionov, I .G. Tchashnikov, P. M. Yarin, A. V. Kriklenko // Proc. of the 11−th. IEEE Int. Pulsed Power Conf. − Maryland (USA), 1997. − V. 2. − P. 985—987.
Любутин, С. К. Высокочастотные импульсные генераторы на основе SOS−диодов с субнаносекундным временем обрыва тока / С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов. // Приборы и техника эксперимента. − 2000. − Вып. 3. − С. 52—60.
Kozlov, V. A. New generation of drift step recovery diodes (DSRD) for subnanosecond switching and high repetition rate operation / V. A. Kozlov, I. A. Smirnova, S. A. Moryakova, A. F. Kardo−Sysoev. // Conf. Rec. of the 25−th. Int. Power Modulator Symp. − California (USA), 2002. − P. 441—444.
Glazov, A. L. Measurement of thermal parameters of solids by a modified photodeflection method / A. L. Glazov, K. L.Muratikov // Optical Eng. − 1997. − V. 36, N 2. − P. 358—362.
Глазов, А. Л. Определение теплофизических характеристик и параметров трещин в керамиках фотодефлекционным методом / А. Л. Глазов, К. Л. Муратиков // ЖТФ. − 2001. − Т. 71, Вып. 6. − С. 110—115.
Muratikov, K. L. Photothermal and photoacoustic measurement of thermal and thermoelastic properties of ceramics with residual stresses / K. L. Muratikov, A. L. Glazov, D. N. Rose, J. E. Dumar // High temperatures − High pressures. − 2001. − V. 33, N 3. − P. 285—292.
Torn, R. D. A generalized model of photothermal radiometry / R. D. Torn, E. P. O’Hara // J. Appl. Physi. − 1982. − V. 53, N 8. − P. 5392—5400.
Shendeleva, M. L. Thermal wave reflection and refraction at a plane interface: Two−dimensional geometry / M. L. Shendeleva // Phys. Rev. B. − 2002. − V. 65, N 13. − P. 134209−1—134209−8.
Shendeleva, M. L. Instantaneous line heat source near a plane interface / M. L. Shendeleva // J. Appl. Phys. − 2004. − V. 95, N 5. − P. 2839—2845.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/76
2015-03-15T20:31:21Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
RESEARCH OF POSSIBILITIES FOR IMPROVING THE ENERGY AND MASS PARAMETERS OF SOLAR CELLS USING PLASMA-CHEMICAL ETCHING
ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ
P. B. Lagov
A. S. Drenin
E. S. Rogovskii
A. M. Lednev
П. Б. Лагов
А. С. Дренин
Е. С. Роговский
А. М. Леднев
скорость травления
multi−cascade solar cell
plasma−chemical etching
etching rate
скорость травления
многокаскадный солнечный элемент
плазмохимическое травление
скорость травления
Possible process options for thinning semiconductor substrates have been analyzed. Experiments have been conducted to assess the efficiency of plasma−chemical etching of (100) orientation single crystal germanium substrates used for growing heteroepitaxial structures of multi−cascade solar cells based on A3B5 semiconductor compounds. The specimens were etched on a reactive ion etching instrument with an induction type high−density plasma source in (SF6 : Ar = 2 : 1) gas mixture through various photoresist masks. For FP−383 photoresist masks with 2, 4 and 6.5 µm windows, the etched layer was 20 µm in depth. For a FN−11 photoresist mask with a 95 µm window, etching reached a depth of 58 µm. The FP−383 masks exhibited thinning from 1.5 to 0.87 µm, and the FN−11 mask thinned from 10 to 8 µm. We show that the etching rate which was 2.1−3.3 µm/min decreases with an increase in mask window width following a power law. We have concluded that plasma−chemical etching is a promising tool for improving the energy and mass parameters of multi−cascade solar cells with conventional and metamorphic structures at the final stage of their fabrication.
MISIS
Работа выполнена в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно−технологического комплекса России на 2007—2013 годы». (ГК № 14.516.11.0007)
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/76
10.17073/1609-3577-2013-3-51-53
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2013); 51-53
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2013); 51-53
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/76/69
Fraas, L. M. Design of high efficiency monolithic stacked multijunction solar cells. / L. M. Fraas, R. C. Knechtli // 13th IEEE Photovoltaic Specialist Conf. Conf. Rec. — Washington (D. C.), 1978. − P. 886—891.
King, R. R. 40% efficient metamorphic GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cells / R. R. King, D. C. Law, K. M. Edmondson // Appl. Phys. Lett. − 2007. — V. 90, N 18. − P. 3516.
http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg
http://www.spectrolab.com/faqs−space.htm
US Pat. 5882987 A. Smart−cut process for the production of thin semiconductor material films / K. V. Srikrishnan. Mar 16, 1999.
May, G. S. Fundamentals of semiconductor fabrication / G. S. May, S. M. Sze. − N. Y.: John Wiley & Sons, Inc., 2004.
Averkin, S. N. A microwave high−density plasma source for submicron silicon IC technology / S. N. Averkin, K. A. Valiev, V. A. Naumov, A. V. Kalinin, A. D. Krivospitskii, A. A. Orlikovskii, A. A. Rylov // Russian Microelectronics. − 2001. − Т. 30, N 3. − P. 155—159.
Taek Sung Kim. Dry etching of germanium using inductively coupled Ar/CCl2F2/Cl2 plasma / Taek Sung Kim, Sang−Sik Choi, Mi Im Shin, Tae Soo Jeong, Sukil Kang, Chel−Jong Choi, Kyu−Hwan Shim // Electron. Mater. Lett. − 2010. − V. 6, N 1. − P. 35—39.
Ballingall, J. M. Electron transport across the abrupt Ge—GaAs n–—n−heterojunction / J. M. Ballingall, R. A. Stall, C. E. C. Wood, L. F. Eastman // J. Appl. Phys. − 1981. − V. 52. − P. 4098.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/264
2020-04-29T13:44:53Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Measurement of the field of effective magnetic anisotropy and linewidth of ferromagnetic resonance at FMR frequency in magnetically-uniaxial hexagonal ferrites
Измерение поля эффективной магнитной анизотропии и ширины линии ферромагнитного резонанса на частоте ФМР в магнитноодноосных гексагональных ферритах
A. S. Semenov
A. G. Nalogin
S. V. Shcherbakov
A. V. Myasnikov
I. M. Isaev
V. G. Kostishyn
N. E. Adiatulina
A. A. Alekseev
E. A. Belokon
M. P. Mezentseva
А. С. Семенов
А. Г. Налогин
С. В. Щербаков
А. В. Мясников
И. М. Исаев
В. Г. Костишин
Н. E. Адиатулина
А. А. Алексеев
Е. А. Белоконь
М. П. Мезенцева
методика с использованием микрополосковой линии передачи
ferromagnetic resonance (FMR) linewidth
FMR frequency
saturation magnetization
magnetically uniaxial hexagonal ferrites
resonant-type microwave devices
texture axis
millimeter range of electromagnetic waves
free-space measurement method
microstripline technique transmission
методика с использованием микрополосковой линии передачи
ферромагнитный резонанс
магнитоодноосные гексагональные ферриты
методика измерения в свободном пространстве
методика с использованием микрополосковой линии передачи
The work is purely metrological in nature. The developed methods for measuring the effective magnetic anisotropy field HAeff and the line width of ferromagnetic resonance ∆H of magnetically-axis hexagonal ferrites in the working frequency range of the microwave range of electromagnetic waves are presented. Methods allow to determine HAeff in the ranges of 10—23 kOe and 28—40 kOe and ΔН in the range of 0.5÷5 kOe. The first technique (measurement technique in free space in the three-millimeter wavelength range) is implemented in the frequency range 78.33—118.1 GHz. The second technique (the technique using the microstrip transmission line) is implemented in the frequency range from 25 to 67 GHz.Testing of the methods on polycrystalline samples of hexagonal barium and strontium ferrites (both nominal composition and complex ones) with a high degree of magnetic texture, comparison of measurement results with results obtained using standard measurement techniques on spherical samples showed their high accuracy and reliability.
Рассмотрены вопросы метрологии и определения магнитных величин. Представлены разработанные методики измерения поля эффективной магнитной анизотропии НАэфф и ширины линии ферромагнитного резонанса ∆Н магнитноодноосных гексагональных ферритов в рабочем диапазоне частот СВЧ-диапазона электромагнитных волн. Методики позволяют определить НАэфф в диапазонах 10—23 и 28—40 кЭ и ∆Н в диапазоне 0,5—5,0 кЭ. Первая методика (методика измерения в свободном пространстве в трехмиллиметровом диапазоне длин волн) реализована в диапазоне частот 78,33—118,1 ГГц. Вторая методика (методика с использованием микрополосковой линии передачи) — в диапазоне частот от 25 до 67 ГГц.Апробация методик на поликристаллических образцах гексагональных ферритов бария и стронция (как номинального состава, так и сложнозамещенных) с высокой степенью магнитной текстуры, а также сравнение результатов измерений с результатами, полученными с применением общепринятых методик измерений на сферических образцах, показали высокую точность и надежность разработанных методик.
MISIS
This work was carried out as part of the research work «Hexaferrite», funded by personal funds of JSC «RPC “Istok” named after Shokin», as well as with the financial support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation under the agreement on the provision of subsidy No. 14.575.21.0030 dated June 27, 2014 (RFMEFI57514X0030).
Работа выполнена в рамках выполнения НИР «Гексаферрит», финансируемой за счет личных средств АО «НПП «Исток им. Шокина», а также при финансовой поддержке Минобрнауки РФ в рамках соглашения о предоставлении субсидии № 14.575.21.0030 от 27 июня 2014 г. (RFMEFI57514X0030).
2020-01-21
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/264
10.17073/1609-3577-2018-2-103-111
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 21, № 2 (2018); 103-111
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 21, № 2 (2018); 103-111
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2018-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/264/289
Щербаков С. В. Развитие СВЧ-электроники в рамках реализации государственных программ / Электроника и микроэлектроника СВЧ: Сб. статей VI Всеросс. конф. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017. С. 15—23.
Щербаков С. В. Развитие СВЧ-электроники в России // Материалы научно-техн. конф. «СВЧ-электроника-2016». Фрязино, 2016.
Мальцев П., Шахнович И. СВЧ-технологии — основа электроники будущего. Тенденции и рынки // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2015. № 8. С. 72—84.
Викулов И. Радиоэлектронные системы АФАР: направления развития и применения // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2017. № 5. С. 126—134.
Устинов А., Кочемасов В., Хасьянова Е. Ферритовые материалы для устройств СВЧ-Электроники. Основные критерии выбора // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2015. № 8. С. 86—92. URL: http://www.electronics.ru/files/article_pdf/4/article_4907_795.pdf
Харинская М. Микроволновые ферритовые материалы. Ну как без них СВЧ-приборам обойтись! // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2000. № 1. С. 24—27. URL: http://www.electronics.ru/files/article_pdf/1/article_1518_892.pdf
Летюк Л. М., Костишин В. Г., Гончар А. В. Технология ферритовых материалов магнитоэлектроники. М.: МИСиС, 2005. 352 с.
Анциферов В. Н., Летюк Л. М., Андреев В. Г., Гончар А. В., Дубров А. Н., Костишин В. Г., Майоров В. Р., Сатин А. И. Проблемы порошкового материаловедения. Ч. V. Технология производства порошковых ферритовых материалов: учебник для студентов вузов. Екатеринбург: УрО РАН, 2005. 408 с.
Яковлев Ю. М., Генделев С. Ш. Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике. М.: Сов. радио, 1975. 360 с.
Kostishyn V. G., Korovushkin V. V., Chitanov D. N., Korolev Yu. M. Obtaining and properties of hexaferrite BaFe12O19 for high-coercivity permanent magnets and substrates microstrip microwave devices of mm-range // J. Nano- Electron. Phys. 2015. Т. 7, № 4. С. 04057-1—04057-47. URJ: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_59
Andreev V. G., Kostishyn V. G., Ursulyak N. D., Nalogin A. G., Kudashov A. A. Influence of modes shredding of source components by processes to synthesis and activity of powder sintering hexaferrite // J. Nano- Electron. Phys. 2015. Т. 7, № 4. С. 04070. URL: https://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2015/4/articles/jnep_2015_V7_04070.pdf
Kostishyn V. G., Panina L. V., Timofeev A. V., Kozhitov L. V., Kovalev A. N., Zyuzin A. K. Dual ferroic properties of hexagonal ferrite ceramics BaFe12O19 and SrFe12O19 // J. Mag. Mag. Mater. 2016. V. 400. P. 327—332. DOI: 10.1016/j.jmmm.2015.09.011
Kostishyn V. G., Panina L. V., Kozhitov L. V., Timofeev A. V., Kovalev A. N. Synthesis and multiferroic properties of M-type SrFe12O19 hexaferrite ceramics // J. Alloys Compd. 2015. V. 645. P. 297—300. DOI: 10.1016/j.jallcom.2015.05.024
Trukhanov A. V., Trukhanov S. V., Kostishyn V. G., Panina L. V., Korovushkin V. V., Turchenko V. A, Vinnik D. A., Yakovenko E. S., Zagorodnii V. V., Launetz V. L., Oliynyk V. V., Zubar T. I., Tishkevich D. I., Trukhanova E. L. Correlation of the atomic structure, magnetic properties and microwave characteristics in substituted hexagonal ferrites // J. Mag. Mag. Mater. 2018. V. 462. P. 127—135. DOI: 10.1016/j.jmmm.2018.05.006
Trukhanov A. V., Kostishyn V. G., Panina L. V., Korovushkin V. V., Turchenko V. A., Thakur P., Thakur A., Yang Y., Vinnik D. A., Yakovenko E. S., Matzui L. Yu., Trukhanova E. L., Trukhanov S. V. Control of electromagnetic properties in substituted M-type hexagonal ferrites // J. Alloys Compd. 2018. V. 754. P. 247—256. DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.04.150
Trukhanov A. V., Panina L. V., Trukhanov S. V., Kostishyn V. G., Turchenko V. A., Vinnik D. A., Zubar T. I., Yakovenko E. S., Macuy L. Yu., Trukhanova E. L. Critical influence of different diamagnetic ions on electromagnetic properties of BaFe12O19 // Ceramics International. 2018. V. 44, Iss. 12. P. 13520—13529. DOI: 10.1016/j.ceramint.2018.04.183
Данилин А. А. Измерения в технике СВЧ: учеб. пособие для вузов. М.: Радиотехника, 2008. 184 с.
Андронов Е. В., Глазов Г. Н. Теоретический аппарат измерений на СВЧ: Т. 1. Методы измерений на СВЧ. Томск: ТМЛ-Пресс, 2010. 804 с.
Дансмор Дж. П. Измерения параметров СВЧ-устройств с использованием передовых методик векторного анализа цепей. М.: Техносфера, 2018. 736 с.
Чечерников В. И. Магнитные измерения. М.: МГУ, 1969. 388 с.
Метод измерения эффективного поля анизотропии и ширины полосы ферромагнитного резонанса магнитно-одноосных ферритов в рабочем диапазоне температур: Методика измерения (рег. № 012.991-023, 1986 г., АО «НПП «Исток» им. Шокина»).
Семенов А. С., Семенов М. Г., Мясников А. В., Налогин А. Г. Метрологическое обеспечение разработок ферритовых материалов для сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн // Электроника и микроэлектроника СВЧ. СПб.:Санкт-Петербургский гос. ун-т «ЛЭТИ», 2017. Т. 1, № 1. С. 27—31.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/56
2015-03-15T17:39:21Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Investigation of Sheet Resistance Distribution of Ti, Al, Ni, Cr and Au Metal Films on Silicon Substrates
ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОРОДНОСТИ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Ti, Al, Ni, Cr и Au НА КРЕМНИИ
K. D. Vaniukhin
S. P. Kobeleva
Yu. A. Konzcevoy
V. A. Kurmatshev
L. A. Seidman
К. Д. Ванюхин
С. П. Кобелева
Ю. А. Концевой
В. А. Курмачев
Л. А. Сейдман
удельное электро- сопротивление металлических пленок
resistivity of metal films
удельное электро- сопротивление металлических пленок
удельное электро- сопротивление металлических пленок
Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates by thermal evaporation technique. The film thickness and sheet resistance distributions have been measured. We show that the increase in the sheet resistance towards the substrate edge occurs due to both a decrease in the film thickness and an increase in the metal resistivity.
Методом термического испарения в вакууме на пластины кремния КЭФ−20 с ориентацией (100), диаметром 100 мм нанесены наноразмерные пленки Ti, Al, Ni, Cr и Au. С помощью измерений толщины пленок и поверхностного электросопротивления четырехзондовым методом оценено значение и однородность распределения удельного электросопротивления металлических пленок. Показано, что удельное электросопротивление таких пленок заметно превышает этот параметр для объемных материалов. Наблюдаемое увеличение поверхностного сопротивления на краях пленки связано как с уменьшением толщины пленки, так и с ростом удельного электросопротивления материала пленки. Отработанные режимы использованы для получения металлических слоев на подложкахиз нитрида галлия.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/56
10.17073/1609-3577-2012-4-33-37
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2012); 33-37
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2012); 33-37
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-4
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/56/51
Куэй, Р. Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй.− М. : Техносфера, 2011. − 592 с.
Васильев, А. Г. СВЧ−приборы и устройства на широкозонных полупроводниках / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой − М. : Техносфера, 2011. − 416 с.
Васильев, А. Г. СВЧ−транзисторы на широкозонных полупроводниках : учеб. пособие / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой − М. : Техносфера, 2011. − 256 с.
Кобелева, С. П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния / С. П. Кобелева // Заводская лаборатория. − 2007. − № 1. − С. 60—67.
Физические величины : справочник / Под. ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. − М. : Энергоатомиздат, 1991. − 1232 с.
Технология тонких пленок : справочник / под ред.Л. Майссела, Р. Глэнга. − М. : Советское радио, 1977. − Т. 2. −662 с.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/172
2016-06-04T19:08:55Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Control of Yellow Photoluminescence in AlGaN/GaN Heterostructures
КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN
N. B. Gladysheva
V. V. Gruzdov
M. E. Gusev
Yu. V. Kolkovskii
Yu. A. Kontsevoi
E. F. Pevtsov
Н. Б. Гладышева
В. В. Груздов
М. Е. Гусев
Ю. В. Колковский
Ю. А. Концевой
Е. Ф. Певцов
гетероструктуры AlGaN/GaN/SiC и AlGaN/GaN/Al2O3
rapid photoluminescence control
photoluminescence mapping
AlGaN/GaN/SiC and AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures
гетероструктуры AlGaN/GaN/SiC и AlGaN/GaN/Al2O3
«экспересс−контроль» фотолюминесценции
построение «карт» фотолюминесценции
гетероструктуры AlGaN/GaN/SiC и AlGaN/GaN/Al2O3
Photoluminescence with the peak corresponding to yellow light in the visible spectrum (the so−called yellow luminescence) is generated by deep levels in the buffer GaN layer of the ehterostructures and depeonds on heterostructure growth conditions. In turn, the deep levels affect the resistivity of the ohimic contacts of RF transistors based on these heterostructures. This determines the reliability of GaN HF transistor operation. Two types of instruments have been developed for controlling photoluminescence with the peak in the yellow spectral region for characterizing the quality of AlGaN/GaN/SiC and AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures. One of them provides for rapid control of yellow photoluminescence and the other allows mapping of photoluminescence across the heterostructure area. Examples of photoluminescence maps for experimental structures grown on different substrates have been given.
Фотолюминесценция с максимумом, соответствующим желтому цвету свечения видимого спектра (так называемая желтая люминесценция), определяется глубокими уровнями в буферном слое GaN гетерооструктур и зависит от условий роста гетероструктур. В свою очередь, глубокие уровни влияют на сопротивление омических контактов СВЧ−транзисторов, изготовленных на таких гетероструктурах. Это обуславливает надежность работы СВЧ−транзисторов на основе GaN.Разработаны два типа установок для контроля фотолюминесценции c максимумом в желтой части видимого спектра, предназначенные для характеризации качества гетероструктур AlGaN/GaN/SiC и AlGaN/GaN/Al2O3. Одна их представленных установок позволяет проводить «экспресс− контроль» желтой фотолюминесценции, а другая — снимать «карты» фотолюминесценции по площади пластин с гетероструктурами. Приведены примеры «карт» фотолюминесценции для структур, выращенных на различных подложках.
MISIS
2016-06-04
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/172
10.17073/1609-3577-2015-2-146-148
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 146-148
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 146-148
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2015-2
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/172/161
Suski, T. Mechanism of yellow luminescence in GaN / T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczyński, I. Grzegory, J. Jun, M. Boćkowski, S. Porowski, T. D. Moustakas // Appl. Phys. Lett. − 1995. − V. 67, N 15. − С. 2188—2190.
Kikkawa, T. High performance and high reliability AlGaN/ GaN HEMTs / T. Kikkawa, K. Makiyama, T. Ohki, M. Kanamura, K. Imanishi, N. Hara, K. Joshin // Phys. status solidi (a). − 2009. − V. 206, Iss. 6, P. 1135—1144. DOI: 10.1002/pssa.200880983
Jessen, G. H. Ohmic contact characterization of AlGaN/GaN device layers with spatially localized LEEN spectroscopy / G. H. Jessen, B. D. White, S. T. Bradley, P. E. Smith, L. J. Brillson, J. E. van Nostrand, R. Fitch, G. D. Via, J. K. Gillespie, R. W. Dettmer, J. S. Sewell // Solid−State Electronics. − 2002. − V. 46, Iss. 9. − P. 1427—1431. DOI: 10.1016/S0038−1101(02)00075−8
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/40
2015-03-15T11:20:29Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Effect of Three–Tandem Solar Cell First Tandem Formation Conditions on Phosphorus Distribution in Germanium
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ
S. P. Kobeleva
I. M. Anfimov
B. V. Zhalnin
O. V. Toropova
T. V. Kritskaya
С. П. Кобелева
И. М. Анфимов
Б. В. Жалнин
О. В. Торопова
Т. В. Критская
гетероструктура InGaP/Ge
coordinate dependent diffusion
solar cell
InGaP/Ge heterostructure
гетероструктура InGaP/Ge
координатно−зависимая диффузия
солнечный элемент
гетероструктура InGaP/Ge
In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P /Ge structures for the first tandem of three−tandem A3B5/Ge solar cells were synthesized using MOS hydride epitaxy. The p—n–junction was formed by boron diffusion into gallium doped germanium. Phosphorus and gallium profiles in germanium were measured using SIMS. We show thatchanges in the phosphine flow do not affect the phosphorus distribution and the p—n–junction depth in the germanium stage.
Методом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge, представляющие собой первый каскад трехкаскадных солнечных элементов AIIIBV/Ge.P—n−переход сформирован диффузией фосфора в германий, легированный галлием. Методом ВИМС получены профили фосфора и галлия в германии. Показано, что изменение потока фосфина не влияет на характер распределения фосфора и глубину p—n−перехода в германиевом каскаде.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/40
10.17073/1609-3577-2012-3-48-50
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2012); 48-50
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2012); 48-50
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/40/36
Калюжный, Н. А. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge / Н. А. Калюжный, А. С. Гудовских, В. В. Евстропов, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 11. − С. 1568—1576.
Кобелева, С. П. Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge / С. П. Кобелева, Д. А. Кузьмин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, Б. В. Жалнин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2011.− № 2. − С. 56—60.
Малкович, Р. Ш. К анализу координатно−зависимой диффузии / Р. Ш. Малкович // ЖТФ. − 2006. − Т. 76, № 2. − С. 137—140.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/491
2023-07-13T13:20:14Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Effect of treatment in nitrogen plasma on the electrical parameters of AlGaN/GaN heterostructures
Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN
K. L. Еnisherlova
L. A. Seidman
S. Yu. Bogolyubova
К. Л. Енишерлова
Л. А. Сейдман
С. Ю. Боголюбова
поляризационный заряд
collapse
dispersion
deep levels
point defects
density and mobility of free carriers
band diagrams
polarization charge
поляризационный заряд
коллапс
дисперсия
глубокие уровни
точечные дефекты плотность и подвижность свободных носителей
зонные диаграммы
поляризационный заряд
In this work, the influence of deep levels formed at the SiON/AlGaN interface under the nitrogen plasma action during the deposition of a SiON film on the electrical parameters of SiON/AlGaN/GaN structures were studied. The concentration and mobility of free carriers in 2DEG and the capacitance parameters of the structures were measured. It has been experimentally established that short-term action of nitrogen plasma (25 and 50 sec.) does not change the concentration of free carriers in 2DEG, but leads to a decrease in their mobility. The value of the charge that can form at the SiON/AlGaN interface has been calculated. With the help of C–V measurements, it was experimentally shown how the charge in the SiON/AlGaN/GaN system changes during one measurement cycle at different voltage ranges. Based on the consideration of the energy band diagrams of the system, possible explanations for the charge redistribution processes in the analyzed system under certain actions are proposed.
В работе исследовалось влияния глубоких уровней, образующихся на границе раздела SiON/AlGaN при воздействии азотной плазмы в процессе осаждения пленки SiОN, на электрические параметры структур SiОN/АlGaN/GaN. Проведены измерения концентрации и подвижности свободных носителей в 2DEG и емкостных параметров структур. Экспериментально установлено, что кратковременное воздействие азотной плазмы (25 и 50 с) не меняет концентрацию сводных носителей в 2DЕG, но приводит к уменьшению величины их подвижности. Рассчитана величина заряда, который может образоваться на границе SiON/AlGaN. С помощью С–V-измерений экспериментально показано, как изменяется заряд в системе SiОN/АlGaN/GaN в процессе одного цикла измерений при разных диапазонах напряжения. На основе рассмотрения зонных диаграмм системы предложены возможные объяснения процессов перераспределения заряда в анализируемой системе при определенных воздействиях.
MISIS
he authors are grateful for the discussion of the results of V.G. Goryachev and E.M. Temper.
Авторы выражают благодарность за обсуждение результатов В.Г. Горячеву и Э.М. Темпер
2022-09-28
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/491
10.17073/1609-3577-2022-3-227-237
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 3 (2022); 227-237
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 3 (2022); 227-237
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2022-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/491/391
Hashizume T., Nishiguchi K., Kaneki S., Kuzmik J., Yatabe Z. State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs. Materials Science in Semiconductor Processing. 2018; 78: 85—95. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.09.028
Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ-приборы и устройства на широкозонных полупроводниках. М.: Техносфера; 2011. 415 с.
Chan C.Y., Lee T.C., Hsu S.S., Chen L., Lin Y.S. Impacts of gate recess and passivation on AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2007; 46(2R): 478. https://doi.org/10.1143/JJAP.46.478
Zhang A., Zhang L., Tang Z., Cheng X., Wang Y., Chen K.J., Chan M. Analytical modeling of capacitances for GaN HEMTs, including parasitic components. IEEE Transactions on Electron Devices. 2014; 61(3): 755—761. https://doi.org/10.1109/TED.2014.2298255
Asubar J.T., Yatabe Z., Gregusova D., Hashizume T. Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: surface model, insulated gate, and surface passivation. Journal of Applied Physics. 2021; 129(12): 121102. https://doi.org/10.1063/5.0039564
Lyons J.L., Wickramaratne D., Van de Walle C.G. A first-principles understanding of point defects and impurities in GaN. Journal of Applied Physics. 2021; 129(11): 111101. https://doi.org/10.1063/5.0041506
Enisherlova K.L., Kulikauskas V.S., Seidman L.A., Pishchagin V.V., Konovalov A.M., Korneev V.I. Plasma-chemical treatment effect observed during the fabrication of AlGaN/GaN devices. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015; 9(4): 684—693. https://doi.org/10.1134/S102745101504008
Берлин Е.В., Григорьев В.Ю., Сейдман Л.А. Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения. М.: Техносфера; 2018. 461 с.
Enisherlova K.L., Seidman L.A., Temper E.M., Kontsevoy Y.A. Effect of PECVD SiNx deposition process parameters on electrical properties of SiNx/AlGaN/GaN structures. Modern Electronic Materials. 2021; 7(2): 63—72. https://doi.org/10.3897/j. moem.7.2.73293
Сейдман Л.А., Концевой Ю.А., Енишерлова К.Л., Миннебаев С.В. Пленки SiNx, полученные методом PECVD, в качестве пассивации AlGaN/GaN HEMT. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2020; (3(258)): 22—33. https://doi.org/10.36815/2073-8250-2020-258-3-22-33
Груздов В.В., Колковский Ю.А., Концевой Ю.А. Входной и технологический контроль материалов и структур твердотельной СВЧ электроники. М.: Техносфера; 2017. 93 с.
Nguyen D., Hogan K., Blew A., Cordes M. Improved process control, lowered costs and reduced risks through the use of non-destructive mobility and sheet carrier density measurements on GaAs and GaN wafers. Journal of Crystal Growth. 2004; 272(1-4): 59—64. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.08.046
Миннебаев С.В., Сейдман Л.А. Результаты воздействия предварительной обработки ионами плазмы азота гетероструктур AlGaN/GaN перед осаждением на них защитного покрытия SiNx методом PEСVD. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2021; (1(260)): 20—33. https://doi.org/10.36845/2073-8250-2021-260-1-20-33
Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь; 1985. 264 с.
Куэй Р. Электроника на основе нитрида галлия / пер. с англ. М.: Техносфера; 2011. 587 с.
Ganguly S., Verma J., Li G., Zimmermann T., Xing H., Jena D. Presence and origin of interface charges at atomic-layer deposited Al2O3/III-nitride heterojunctions. Applied Physics Letters. 2011; 99(19): 193504. https://doi.org/10.1063/1.3658450
Braga N., Mickevicius R., Gaska R., Shur M.S., Khan M.A., Simin G. Simulation of gate lag and current collapse in gallium nitride field-effect transistors. Applied Physics Letters. 2004; 85(20): 4780—4782. https://doi.org/10.1063/1.1823018
Yamaji K., Noborio M., Suda J., Kimoto T. Improvement of channel mobility in inversion-type n-channel GaN metal–oxide–semiconductor field-effect transistor by high-temperature annealing. Japanese Journal of Applied Physics. 2008; 47(10R): 7784. https://doi.org/10.1143/JJAP.47.7784
Кошкин А.В., Миннебаев С.В., Сейдман Л.А. Особенности измерения слоевого сопротивления на установке LEI-1610. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2022; (1(264)): 30—36. https://doi.org/10.36845/2073-8259-2022-264-1-30-36
Сейдман Л.А. Влияния подачи ВЧ смещения на подложку AlGaN/GaN в процессе плазмохимического осаждения защитного покрытия SiNx. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2021; (2(261)): 19—28. https://doi.org/10.36845/2073-8250-2021-261-2-19-28
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/123
2015-03-19T22:49:12Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
NEW DIRECTIONS IN THE DEVELOPMENT OF ULTRAVIOLET LIGHT–EMITTING DIODE TECHNOLOGY
НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ
A. A. Antipov
I. S. Barash
V. T. Bublik
S. Yu. Kurin
Yu. N. Makarov
E. N. Mokhov
S. S. Nagalyuk
A. D. Roenkov
T. Yu. Chemekova
K. D. Scherbachev
H. Helava
А. А. Антипов
И. С. Бараш
В. Т. Бублик
С. Ю. Курин
Ю. Н. Макаров
Е. Н. Мохов
С. С. Нагалюк
А. Д. Роенков
Т. Ю. Чемекова
К. Д. Щербачев
Х. Хелава
чип
aluminum nitride
chloride−hydride vapor phase epitaxy
heterostructure
die
чип
нитрид алюминия
хлоридно−гидридная эпитаксия
гетероструктура
чип
The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN/AlGaN heterostructures grown on AlN substrates by chloride−hydride vapor phase epitaxy. The peak wavelengths are in the range of 360—365 nm with a spectral width of 10—13 nm; the output optical power of LED dies is 50 mW at 350 mA.
Представлены результаты по созданию ультрафиолетовых светодиодов на основе гетеро-структур GaN/AlGaN, выращенных на подложках AlN методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Пиковые длины волн находятся в диапазоне 360—365 нм, ширина спектральной кривой составляет 10—13 нм, выходная оптическая мощность чипов светодиодов — 50 мВт при токе 350 мА.
MISIS
2015-03-16
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/123
10.17073/1609-3577-2012-1-52-56
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2012); 52-56
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2012); 52-56
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-1
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/123/116
Макаров, Ю. Н. Подложка нитрида алюминия диаметром 2 дюйма для приборов оптоэлектроники / Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб: ФТИ им. Иоффе, 2011. − С. 59—62.
Поляков, А. Я. Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур / А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, И. А. Белогорохов, К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 2. − С. 58—62.
New semiconductor materials. Characteristics and properties: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/rintroduction.html
Chemekova, T. Yu. Sublimation growth of 2−inch diameter bulk AlN crystals / T. Yu. Chemekova, O. V. Avdeev, I. S. Barash, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. N. Makarov, M. G. Ramm, G. Davis, G. Huminic, H. Helava // Phys. status solidi (c). − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1612—1614.
Makarov, Yu. N. Experimental and theoretical analysis of sublimation growth of AlN bulk crystals / Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Yu. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava // J. Cryst. Growth. − 2008. − V. 310, N 5. − P. 881—886.
Курин, С. Ю. Получение AlGaN/GaN гетероструктур ультрафиолетовых светодиодов с длиной волны 360—365 нм методом хлоридно−гидридной эпитаксии / C. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, М. Г. Агапов, А. А. Антипов, Т. Ю. Чемекова, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия − структуры и приборы». − СПб : ФТИ им. Иоффе, 2011. − C. 180—181.
Bulashevich, K. A. Assessment of various LED structure designs for high−current operation / K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, Iss. 2. − P. S804—S806.
Usikov, A. Electrical and optical properties of thick highly doped p−type GaN layers grown by HVPE / A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Yu. Nikiforov, S. G. Sundaresan, S. J. Jeliazkov, A. V. Davydov // Ibid. − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1829—1831.
Булашевич, К. А. Моделирование оптоэлектронных приборов на основе нитридов III группы / К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. Ф. Мымрин // VI Межд. конф. «Химия твердого тела и современные микро− и нанотехнологии». − Кисловодск; Ставрополь : СевКавГТУ, 2006. − С. 510.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/379
2020-09-18T22:13:37Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
ALD Al2O3, SiNx, and SiON films as passivating coatings in AlGaN/GaN HEMT
Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ
K. L. Enisherlova
E. M. Temper
Yu. V. Kolkovsky
B. K. Medvedev
S. A. Kapilin
К. Л. Енишерлова
Э. М. Темпер
Ю. В. Колковский
Б. К. Медведев
C. А. Капилин
поверхностные состояния
passivating coating
fixed charge
band diagram
spontaneous and piezoelectric polarization
donor-like centers
hopping conductivity
surface states
поверхностные состояния
фиксированный заряд
зонная диаграмма
спонтанная и пьезополяризация
донорно-подобные центры
прыжковая проводимость
поверхностные состояния
The effect of passivating ALD Al2O3, SiNx and SiON coatings of different thicknesses on the change in the charge and density of states of AlGaN/GaN heterostructures are studied. The electrophysical parameters of the structures were evaluated using C-V characteristics measured at different frequencies and I-V characteristics. Based on the considered zone diagrams of structures with different control voltages and the evaluation of the elemental composition of the films by Auger spectroscopy, it was shown that the cause of the formation of a large positive charge upon deposition of ALD Al2O3 and SiNx films is the appearance of an additional piezoelectric charge in the AlGaN buffer layer. It is shown that the use of SiON films with an oxygen concentration of more than 3% does not lead to the formation of an additional positive charge, but can cause current fluctuations when measuring I-V characteristics. A possible mechanism of carrier transport in the SCR region, leading to such fluctuations, is considered.
В полевых транзисторах на основе широкозонных нитридных гетероструктур широко используются диэлектрические слои в качестве как одного из основных элементов в активных областях приборов, так и пассивирующих слоев. К диэлектрикам предъявляются жесткие требования по высокой диэлектрической проницаемости, большой ширине запрещенной зоны, сплошности покрытия. Кроме того, пленки должны выдерживать высокие электрические поля и иметь низкую плотность поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник. Для этих целей в качестве эффективных покрытий обычно используются низкотемпературные пленки, выращенные с помощью плазмохимического осаждения из газовой фазы, атомно-слоевого осаждения (ALD) и плазменно-стимулированного осаждения. Для гетероструктур AlGaN/GaN наиболее перспективными и чаще всего используемые являются пленки ALD Al2О3, SiNх (Si3N4), SiON, ALD AlN.Исследовано влияние пассивирующих покрытий ALD Al2O3, SiNx и SiON разной толщины на изменение заряда и плотности состояний гетероструктур AlGaN/GaN. Электрофизические параметры структур оценивались с помощью C—V-характеристик, измеренных на разных частотах, и I—V-характеристик. На основании рассмотренных зонных диаграмм структур при разном управляющем напряжении и оценки элементного состава пленок методом Оже-спектроскопии показано, что причиной образования большого положительного заряда при нанесении пленок ALD Al2O3 и SiNx является возникновение дополнительного пьезоэлектрического заряда в буферном слое AlGaN. Показано, что использование пленок SiON с концентрацией кислорода в них более 3 % не приводит к формированию дополнительного положительного заряда, но может вызывать флуктуации тока при измерении I—V-характеристик. Рассмотрен возможный механизм транспорта носителей в области пространственного заряда, приводящий к таким флуктуациям.
MISIS
2020-04-27
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/379
10.17073/1609-3577-2019-3-202-211
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 22, № 3 (2019); 202-211
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 22, № 3 (2019); 202-211
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2019-3
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/379/311
Chevtchenko S. A., Reshchikov M. A., Fan Q., Ni X., Moon Y. T., Baski A. A., Morkoç H. Study of SiNх and SiO2 passivation of GaN surfaces // J. Appl. Phys. 2007. V. 101, N 11. P. 2740324. DOI: 10.1063/1.2740324
Mizue C., Hori Y., Miczek M., Hashizume T. Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN Interface // Jpn. J. Appl. Phys. 2011. V. 50, N 2R. P. 021001. DOI: 10.1143/JJAP.50.021001
Matys M., Stoklas R., Blaho M., Adamowicz B. Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition // J. Appl. Phys. 2017. V. 110, N 24. P. 243505. DOI: 10.1063/1.4986482
Geng K., Chen D., Zhou Q., Wang H. AlGaN/GaN MIS-HEMT with PECVD SiNx, SiON, SiO2 as gate dielectric and passivation layer // Electronics. 2018. V. 7, N 12. p. 416. DOI: 10.3390/electronics7120416
Matys M., Adamowicz B., Domanowska A., Michalewicz A., Stoklas R., Akazawa M., Yatabe Z., Hashizume T. On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces // J. Appl. Phys. 2016. V. 120, Iss. 22. P. 225305. DOI: 10.1063/1.4971409
Shengyin Xie, Jiayun Yin, Sen Zhang, Bo Liu, Wei Zhou, Zhihong Feng. Trap behaviors in AlGaN–GaN heterostructures by C–V characterization // Solid-State Electronics. 2009. V. 53, Iss. 11. P. 1183—1185. DOI: 10.1016/j.sse.2009.08.006
Зубков В. И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, № 3. С. 331—337. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6276
Miczek M., Mizue C., Hashizume T., Adamowicz B. Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors // J. Appl. Phys. 2008. V. 103, Iss. 10. P. 104510. DOI: 10.1063/1.2924334
Arulkumaran S., Egawa T., Ishikawa H., Jimbo T. Characterization of different –Al-content AlxGa1-xN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors on sapphire // J. Vacuum Science & Techology B. 2003. V. 21, Iss. 2. P. 888—894. DOI: 10.1116/1.1556398
Hashizume T., Hasegawa H. Effects of nitrogen deficiency on electronic properties of AlGaN surfaces subjected to thermal and plasma processes // Applied Surface Science. 2004. V. 234, Iss. 1–4. P. 387—394. DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.091
Dinara S. M., Jana S. Kr., Ghosh S., Mukhopadhyay P., Kumar R., Chakraborty A., Bhattacharya S., Biswas D. Enhancement of two dimensional electron gas concentrations due to Si3N4 passivation on Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure: strain and interface capacitance analysis // AIP Advances. 2015. V. 5, Iss. 4. P. 047136. DOI: 10.1063/1.4919098
Sameer J. J. Surface and mechanical stress effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors: Thesis: Ph. D. Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering, 2017. 161 p. URL: https://dspace.mit.edu/handle/1721.1/111325
Mosca R., Gombia E., Passaseo A., Tasco V., Peroni M., Romanini P. DLTS characterization of silicon nitride passivated AlGaN/GaN heterostructures // Superlattices and Microstructures. 2004. V. 36, Iss. 4–6. P. 425—433. DOI: 10.1016/j.spmi.2004.09.006
Hori Y., Mizue C., Hashizume T. Process conditions for improvement of electrical properties of Al2O3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. V. 49, N 8R. P. 080201. DOI: 10.1143/JJAP.49.080201
Hashizume T., Alekseev E., Pavlidis D., Boutros K. S., Redwing J. Capacitance-voltage characterization of AlN/GaN metal-insulator-semiconductor structures grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2000. V. 88, Iss. 4. P. 1983—1986. DOI: 10.1063/1.1303722
Eller B. S., Yang J., Nemanich R. J. Electronic surface and dielectric interface states on GaN and AlGaN // J. Vacuum Science & Technology A. 2013. V. 31, Iss. 5. P. 050807. DOI: 10.1116/1.4807904
Dusza J., Steen M. Microhardness load/size effect in individual grains of a gas pressure sintered silicon nitride // J. Amer. Ceramic Society. 1998. V. 81, N 11. P. 3022—3024.
Яковлева Н. И., Никонов А. В., Болтарь К. О., Седнев М. В. Анализ механизмов темновых токов матриц ультрафиолетовых фотодиодов на основе гетероструктур AlGaN // Успехи прикладной физики. 2018. Т. 6, № 1. С. 44—55.
Monroe D. Hopping exponential band tails // Phys. Rev. Lett. 1985. V. 54, Iss. 2. P. 146—149. DOI: 10.1103/PhysRevLett.54.146
Бочкарева Н. И., Вороненков В. В., Горбунов Р. И., Вирко М. В., Коготков В. С., Леонидов А. А., Воронцов-Вельяминов П. Н., Шеремет И. А., Шретер Ю. Г. Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN // Физика и техника полупроводников. 2017. T. 51, № 9. С. 1235—1242. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44888.8528
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/91
2018-11-23T16:27:37Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
DEGRADATION OF THREE–JUNCTION AMORPHOUS SI : H BASED SOLAR CELLS
ДЕГРАДАЦИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ
V. N. Murashev
S. A. Legotin
A. A. Krasnov
A. A. Dudkin
D. A. Zezin
В. Н. Мурашев
С. А. Леготин
А. А. Краснов
А. А. Дудкин
Д. А. Зезин
эффект Стеблера—Вронского
thin film solar cells
hydrogenated amorphous silicon
a−Si:H
dispersion curves
Staebler Wronski effect
эффект Стеблера—Вронского
тонкопленочные солнечные батареи
гидрогенизированный аморфный кремний
дисперсионные кривые
эффект Стеблера—Вронского
The operating experience of hydrogenated amorphous silicon (a−Si : H) based solar cells has shown that besides their low efficiency this type of photovoltaics degrade much faster compared to single crystal based solar cells. As far as the processes deter- mining the degradation of amorphous materials based solar cells are not well studied, and the degradation of similar cells without light exposure has also been reported, we conducted an experiment to compare the temporal change characteristics of main solar cell parameters in darkness and under natural light. The demonstration of short circuit current reduction in darkness aged solar cells should be considered as one of the most interesting results of the work. Moreover we have shown that the change of this parameter is on average the same for the illuminated cells, while for some cells short circuit current reduction is substantially higher. This is indicative of the fact that the observed effect is not related to the Staebler—Wronski effect.
Опыт эксплуатации солнечных элементов (СЭ) на основе гидрогенизированного аморфного кремния показал, что, помимо низкой эффективности, эти преобразователи значительно быстрее деградируют по сравнению с СЭ на основе монокристаллического кремния. Процессы, которые опреде- ляют деградацию СЭ на аморфных материалах, изучены недостаточно, а также известны сообщения о дегра- дации подобных образцов без света. Проведен эксперимент по сравнению особенностей изменения во времени основных параметров преобразо- вателя в темноте и под действием естественного освещения. Продемонстрировано снижение тока короткого замыкания в образцах, выдержанных в темноте. Показано, что изменение этого параметра у засвеченных образцов в среднем такое же, а для отдельных образцов падение тока короткого замыкания существенно больше. Это свидетельствует о том, что наблюдаемый эффект не связан с эффектом Стеблера—Вронского.
MISIS
2015-03-16
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/91
10.17073/1609-3577-2013-4-39-42
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2013); 39-42
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2013); 39-42
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2013-4
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/91/84
Yang, Jeffrey. Metastability of amorphous silicon / Jef- frey Yang, Subhendu Guha // PV Module Reliability Workshop. − Golden (CO), 2010. (http://www1.eere.energy.gov/solar/sunshot/ pvmrw_2010.html).
Zezin, D. A . Ocenka nekotoryh faktorov, vliyayushih na degradaciyu solnechnyh elementov na osnove a−Si : H / D. A. Zezin, D. V. Latohin // Amorfnye i mikrokristallicheskie poluprovodniki: sbornik trudov VIII Mezhdunarodnoi konferencii. − SPb.: Izd−vo Politehn. un−ta, 2012. − 452 s.
Meden, A. Fizika i primenenie amorfnyh poluprovodnikov / A. Meden, M. Sho. − M. : Mir, 1991. − 670 s.
Belyaev, Yu. K. Nadezhnost' tehnicheskih sistem: Spravochnik / Yu. K. Belyaev, V. A. Bogatyrev, V. V. Bolotin i dr. − M. : Radio i svyaz', 1985. − 608 s.
Zenova, E. V. Osnovy teorii i rascheta nadezhnosti izdelii elektronnoi tehniki / E. V. Zenova. − M. : Izd−vo MEI, 2005. − 68 s.
Voronkov, E. N. Nadezhnost' poluprovodnikovyh priborov i mikroshem / E. N. Voronkov. − M. : Izd−vo MEI, 1986 . − 47 s.
Kapur, K. C. Reliability in engineering design / K. C. Kapur, L. R. Lamberson. − N. Y. : John Wiley and Sons, 1977.
Raushenbah, G. Spravochnik po proektirovaniyu solnechnyh elementov / G. Raushenbah. − M. : Energoatomizdat, 1983.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/15
2015-07-28T18:02:20Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
LONG RANGE STRESSES IN EPITAXIAL FILMS GENERATED WITH MISFIT DISLOCATIONS
ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ
E. M. Trukhanov
A. V. Kolesnikov
I. D. Loshkarev
Е. М. Труханов
А. В. Колесников
И. Д. Лошкарев
оптимальная и неоптимальная релаксация
germanium
long range stresses
misfit dislocations
optimum and non−optimal relaxation
оптимальная и неоптимальная релаксация
германий
дальнодействующие напряжения
дислокации несоответствия
оптимальная и неоптимальная релаксация
The equation connecting the misfit parameter f, the number of misfit dislocation (MD) families and the distances between MDs of the same family with the edge Burgers vector components taken for different dislocation families is obtained for the first time. It is valid for various interface boundaries (hkl). To get the equation, the long range normal and shear stresses associated with MD distribution have been considered. The optimum and non−optimum stress releasing processes are discussed. The problem of threading dislocation density diminution with generation of intersecting MDs with the same Burgers vector (L−shape MDs) is also considered for (001) and (111) interfaces. It is shown that such type MDs grow the level of the long range shear stresses and can be effectively generated only at an early stage of relaxation.
Для границы раздела (ГР) произвольной ориентации (hkl) впервые получено выражение, устанавливающее взаимосвязь между параметром несоответствия эпитаксиальной гетеросистемы f, числом дислокационных семейств, участвующих в процессе снятия напряжений несоответствия, линейными плотностями дислокаций несоответствия (ДН) каждого семейства, а также значениями проекций краевых компонент векторов Бюргерса ДН на ГР. Для получения выражения рассмотрены дальнодействующие поля нормальных и сдвиговых напряжений, возникающие в приповерхностном слое эпитаксиальной пленки. Сформулированы критерии оптимального и неоптимального протекания релаксационного процесса снятия напряжений несоответствия. Для ГР (001) и (111) обсуждена проблема уменьшения плотности пронизывающих дислокаций при введении пересекающихся ДН, имеющих одинаковые векторы Бюргерса (Г-образных ДН). Показано, что эффективная генерация таких ДН возможна только на начальной стадии релаксационного процесса, поскольку сопровождается увеличением уровня дальнодействующих сдвиговых напряжений.
MISIS
2015-03-13
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/15
10.17073/1609-3577-2014-1-24-31
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2014); 24-31
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2014); 24-31
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2014-1
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/15/11
Matthews, J. W. Fracture and the formation of misfit dislocations between PbS and PbSe / J. W. Matthews // Phil. Mag. – 1971. – V. 23, N 186. – P. 1405—1416.
Matthews, J. W. Defects associated with the accommodation of misfit between crystals / J. W. Matthews // J. Vac. Sci. Technol. – 1975. – V. 12. – P. 126—133.
LeGous, F. K. Strain−relief mechanism in surfactant-grown epitaxial germanium films on Si(111) / F. K. LeGous, M. Horn-von Hoegen, M. Copel, R. M. Tromp // Phys. Rev. B. – 1991. – V. 44. – P. 12894—12902.
Волынцев, А. Б. Наследственная механика дислокационных ансамблей. Компьютерное моделирование и эксперимент / А. Б. Волынцев. – Иркутск : Изд-во Иркут. Ун-та, 1990. – 288 с.
Пинтус, С. М. Дислокационная структура границы раздела Ge—Si (111) / С. М. Пинтус, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, В. Ю. Карасев // Поверхность. – 1984. −№ 8. – С. 60—65.
Труханов, Е. М. Напряженное состояние и дислокационная структура гетеросистем германий/кремний с интерфейсами (001), (111) и (7710) / Е. М. Труханов, И. Д. Лошкарев, К. Н. Романюк, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, М. М. Качанова // Фазовые переходы, упорядоченные состояния и новые материалы: электрон журн. 2011.05.07. URL:http://ptosnm.ru/.
Труханов, Е. М. Структурное состояние гетеросистем Ge/Si с интерфейсами (001), (111) и (7710) / Е. М. Труханов, И. Д. Лошкарев, К. Н. Романюк, А. К. Гутаковский, А. С. Ильин, А. В. Колесников // Изв. РАН. Сер. физ. – 2012. – Т. 76, № 3. – C. 373—376.
Труханов, Е. М. Возникновение дальнодействующих полей нормальных и сдвиговых напряжений при введении дислокаций несоответствия / Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев // Тез. докл. Междунар. конф. «Кремний−2012». – Санкт−Петербург, 2012. – С. 84.
Trukhanov, E. M. Specific features of the dislocation structure of germanium in the system Ge-SiO2 / E. M. Trukhanov, E. B. Gorokhov, S. I. Stenin // Phys. status solidi. – 1976. – V. 33. – P. 435—442.
Димитриенко, Ю. И. Тензорное исчисление / Ю. И. Димитриенко. – М. : Высшая школа, 2001. – 575 с.
Труханов, Е. М. Влияние типа дислокаций несоответствия на энергию и структуру эпитаксиальных пленок / Е. М. Труханов // Поверхность. – 1995. – № 2. – С. 13—21.
Хирт, Дж. Теория дислокаций / Дж. Хирт, И. Лоте. – М. : Атомиздат, 1972. – 599 с.
Фридель, Ж. Дислокации / Ж. Фридель. – М. : Мир, 1967. – 643 с.
Труханов, Е. М. Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия на образование пронизывающих дислокаций в полупроводниковых гетероструктурах / Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. П. Василенко, А. К. Гутаковский // ФТП. – 2002 – Т. 36, № 3. – C. 309—316.
Тимошенко, С. П. Теория упругости / С. П. Тимошенко, Дж. Гудьер. – М. : Наука, 1975. – 576 с.
Труханов, Е. М. Роль винтовой составляющей при формировании дислокационной структуры в гетеросистемах, приготовленных на основе Ge и Si / Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. Ю. Красотин, А. П. Василенко, А. С. Дерябин, М. М. Качанова, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников // Поверхность. – 2007. – № 5. – С. 28—36.
Тхорик, Ю. А. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах / Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан. – Киев: Наукова Думка, 1983. – 135 c.
Мильвидский, М. Г. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников / М. Г. Мильвидский, Б. В. Освенский – М.: Металлургия, 1985. – С. 51.
LeGoues, F. K. Self−aligned sources for dislocation nucleation: the key to low threading dislocation densities in compositionally graded thin films grown at low temperature / F. K. LeGoues // Phys. Rev. Lett. – 1994. – V. 72, N 6. – P. 876—879.
Strunk, H. Low−density dislocation arrays at heteroepitaxial ge/gaas−interfaces investigated by high voltage electron microscopy. / H. Strunk, W. Hagen, E. Bauser // J. Appl. Phys. – 1979. – V. 18. – P. 67—75.
LeGoues, F. K. Mechanism and conditions for anomalous strain relaxation in graded thin−films and superlattices. / F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, J. F. Morar, P. D. Kirchner // J. Appl. Phys. – 1992. – V. 71, N 9. – P. 4230—4243.
Vdovin, V. I. Misfit dislocations in epitaxial heterostructures: Mechanisms of generation and multiplication. / V. I. Vdovin // Phys. status. solidi. (a). – 1998. – V. 171. – P. 239—250.
Beanland, R. Dislocation multiplication mechanisms in low-misfit strained epitaxial layers / R. Beanland // J. Appl. Phys. – 1995. – V. 77, N 12. – P. 6217—6222.
Jasinski, J. Structural, electrical and optical studies of GaAs implanted with MeV As or Ga ions / J. Jasinski, Z. Lilientalweber, J. Washburn, H. H. Tan, C. Jagadish, A. Krotkus, S. Marcinkevicius, M. Kaminska // J. Electronic Mater. – 1997. – V. 26, N 5. – P. 449—458.
LeGoues, F. K. Relaxation of SiGe thin-films grown on Si/SiO2 substrates. / F. K. LeGoues, A. Powell, S. S. Iyer // J. Appl. Phys. – 1994. – V. 75, N 11. – P. 7240—7246.
Рид, В. Т. Дислокации в кристаллах / В. Т. Рид. – М. : Гос. н.-т. изд-во литературы по черной и цв. металлургии 1957. – 114 с.
Лошкарев, И. Д. Теоретическое и экспериментальное определение начальной стадии пластической релаксации напряжений несоответствия в гетеросистеме «подложка (111) – островки пленки» / И. Д. Лошкарев, Е. М. Труханов, К. Н. Романюк, М. М. Качанова // Изв. РАН. Сер. физ. – 2012. – Т. 76, № 3. − C. 425—428.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/57
2015-03-15T17:39:29Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Study of Electrical Properties of Schottky Diodes Fabricated on Silicon with Different Metal Layers
ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ
I. G. Pashayev
И. Г. Пашаев
высота барьера
amorphous metals
Schottky diodes
alloy film
barrier height
высота барьера
аморфные металлы
диоды Шотки
пленка сплава
высота барьера
We have investigated the fabrication of AuxTi100−x—nSi (where x is 10; 36; 87) and PbxSb100−x—nSi (where x = 52; 70; 87) Schottky diodes and the electrical properties of AuxTi100−x—nSi (where x = 10; 36; 87) and PbxSb100−x—nSi (where x = 52; 70; 87)Schottky diodes. The Au36Ti64, Pb52Sb48 alloy film has an amorphous structure, while the other films are polycrystalline. We have determined Schottky barrier height dependingon the composition and structure of the metal films and found that the barrier height is quite sensitive to the composition of the metal alloy. We show that the electrical properties of the AuxTi100−x—nS and PbxSb100−x—nSi Schottky diodes depend on the composition and structure of the metal films.
Исследовано получение и изучены электрофизические свойства AuxTi100−x—nSi (где х = 10, 36, 87) и PbxSb100−x—nSi (где х = 52, 70, 87) диодов Шотки. Установлено, что пленки сплавов Au36Ti64 и Pb52Sb48 имеют аморфную структуру, а остальные пленки — поликристаллическую. Определена высота барьера диодов Шотки в зависимости от состава и структуры пленок металла. Выявлено, что электрофизические свойства AuxTi100−x—nS и PbxSb100−x—nSi диодов Шотки зависят от состава и структуры пленок металла.
MISIS
2015-03-15
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/57
10.17073/1609-3577-2012-4-37-40
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2012); 37-40
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2012); 37-40
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2012-4
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/57/52
Kung, K. T. Y. Elektrikal charakteristics of amorphorus molyubdenum−nickel contacts to Si / K. T. Y. Kung, I. Suni, M. A. Nikolet // J. Appl. Phys. − 1984. − V. 55, N 10. − P. 3882—3884.
Пашаев, И. Г. Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки / И. Г. Пашаев //ФТП. − 2012. − Т. 46, вып. 8.− С. 1108—1110.
Wickenden, D. K. Amorphous metal−semiconductor contacts for high temperature electronics−II / D. K. Wickenden, M. J. Sisson // Solid state electron. − 1984. − V. 27, N 6. − P. 515—518.
Крылов, П. Н. Влияние термополевой ионизации на формирование барьера Шотки металл—<аморфный кремний> / П. Н. Крылов // ФТП. − 2000. − Т. 34, вып. 3. − С. 306—309.
Pashaev, I. G. ElektronysikalL properties of schottky diodes made on the basis of silikon wtth amorphous and polycrystalline metal alloy at low direct voltage / I. G. Pashaev // Internat. J. Technical and Physical Problems of Engineering. − 2012. − Iss. 10. − V. 4, N 1. − P. 41—44.
Валиев, К. А. Применение контакта металл—полу проводник в электронике / К. А. Валиев, Ю. И. Пашинцев, Г. В. Петров − М. : Советское радио, 1981. − 364 с.
Критская, Т. В. Влияние различных обработок на свойства контакта кремний − аморфный металлический сплав / Т. В. Критская, И. Г. Пашаев, И. А. Абузеров // VI Междунар. научн.−практ. конф. «Современные проблемы и достижения в области радиотехники, телекоммуникаций и информационных технологий». − Запорожье, 2012. − С. 332—333.
Аскеров, Ш. Г. Влияние толшины металлических пленок на свойства диодов Шотки / Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Ш. С. Асланов, Э. Г. Шаулова // Электронная техника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. − 1986. − Вып. 1. − С. 74—76.
Бандеренко, В. Б. Естественные неоднородности высоты барьера Шотки / В. Б. Бандеренко, Ю. А. Кудинов, С. Г. Ершов, В. В. Кораблев // ФТП. − 1998. − Т. 32, № 5. − С. 554—556.
Тез. докл. 1−й и 2−й Всесоюз. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». − Кишинев, 1982. − Ч. 1 и 2. : 1986. − С. 141—165.
Аскеров, Ш. Г. Влияние микроструктуры поверхности металла на омические свойства контакта металл−полупроводник / Ш. Г. Аскеров // ПЖТФ. − 1977. − Т. 3, № 18. − С. 968—970.
Торхов, Н. А. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл−полупроводник с барьером Шотки / Н. А. Торхов // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 6. − С. 767—774.
Абдулаев, Г. Б. Некоторые вопросы физики электронно−дырочных переходов / Г. Б. Абдулаев, З. А. Искендерзаде − Баку: Элм, 1971. − С. 114.
Судзуки, К. Аморфные металлы / К. Судзуки, Х. Фудзумори, К. Хасимов − М. : Металлургия, 1987. − С. 328.
Гинье, А. Рентгенография кристаллов / А. Гинье − М., 1963. − С. 600.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).
oai:oai.mateltech.elpub.ru:article/181
2016-11-15T10:58:35Z
jour:%D0%9A%D0%9E%D0%9C%D0%9F%D0%9E%D0%97
driver
Porous Silicon Based High Efficiency Photoelectrodes
ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
K. B. Tynyshtykbayev
V. B. Glazman
D. Muratov
B. Rakhmetov
N. S. Tokmoldin
S. Zh. Tokmoldin
К. Б. Тыныштыкбаев
В. Б. Глазман
Д. А. Муратов
Б. А. Рахметов
Н. С. Токмолдин
С. Ж. Токмолдин
водород
heterostructure
photoelectrodes
water photoelectrolysis
hydrogen
водород
гетероструктура
фотоэлектрод
электролиз воды
водород
The use of por−Si electrodes promotes the separation of water molecules inside por−Si nanopores and efficient evolution of hydrogen during water electrolysis. The por−Si/c−Si heterostructure allows solving one of the problems of water photoelectrolysis on silicon electrodes, i.e. their energetic insufficiency. Combined electrochemical and physical deposition of Ni on the surface of por−Si, formation of NiSi−silicide coatings on the surface of the pores and subsequent production of por−Si photoelectrodes based on the NiSi/por−Si/c−Si/Al heterostructure results in an improvement of their corrosion resistance to oxidation and anodic dissolution, an increase in efficiency of hydrogen generation and enhancement of the photoelectrodes’ lifetime..
Использование por−Si способствует разделению молекул воды внутри нанопор por−Si и эффективному выделению водорода при электролизе воды. Гетероструктура por−Si/c−Si (пористый кремний/кристаллический кремний) позволяет решить основную проблему фотоэлектролиза воды на кремниевых электродах — их энергетическую недостаточность. Комбинированное нанесение Ni электрохимическим и физическим способом на поверхность por−Si, формирование силицидовых покрытий (NiSi) поверхности пор и создание фотоэлектродов на основе por−Si в виде гетероструктуры NiSi/por−Si/с−Si/Al позволяет улучшить их коррозионную стойкость к окислению и анодному растворению, увеличить эффективность выделения водорода, повысить срок работы фотоэлектродов.
MISIS
2016-06-08
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
application/pdf
https://met.misis.ru/jour/article/view/181
10.17073/1609-3577-2014-4-268-277
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 4 (2014); 268-277
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 4 (2014); 268-277
2413-6387
1609-3577
10.17073/1609-3577-2014-4
rus
https://met.misis.ru/jour/article/view/181/170
Гуревич, Ю. Я. Фотоэлектрохимия полупроводников / Ю. Я. Гуревич, Ю. В. Плесков. − М. : Наука, 1983. − 312 с.
Кулак, А.И. Электрохимия полупроводниковых гетероструктур / А. И. Кулак. − Минск : БГУ, 1986. − 191с.
Su Su Khine Ma. Enhanced water oxidation on Ta3N5 photocatalysts by modification with alkaline metal salts / Su Su Khine Ma, Takashi Hisatomi, Kazuhiko Maeda, Yosuke Moriya, Kazunari Domen // J. Am. Chem. Soc. − 2012. − V. 134. − P. 19993—19996.
Тыныштыкбаев, К. Б. Способ модифицирования поверхности кремниевого фотокатода для получения водорода из воды и водных растворов электролитов / К. Б. Тыныштыкбаев. А. С. РК, No 21396 от 03.02.97. Бюлл. Изобр. No 4, 15.04.1999.
Герасименко, Н. Н. Дефектные центры в кремнии, облученном протонами / Н. Н. Герасименко, Л. С. Смирнов, В. Ф. Стась, К. Б. Тныштыкбаев // ФТП. − 1981. − Т. 15, вып. 10. − С. 1934 —1937.
Тыныштыкбаев, К. Б. Кремниевый фотоэлектрод / К. Б. Тыныштыкбаев. A. С. РК, No 20299 от 14.02.97. Бюл. Изобр. No 4, 15.04.1999.
Старков,В.В.Получение,свойства и применение пористого кремния / В. В. Старков // Все материалы. Энциклопедический справочник. − 2009. − No 4. − С. 13—22.
Erogbogbo, F. On−demand hydrogen generation using nanosilicon: splitting water without light, heat, or electricity / F. Erogbogbo, Tao Lin, P. M. Tucciarone, K. M. Lajoie, L. Lai, G. D. Patki // Nano Lett. − 2013. − V. 13. − P. 451—456.
Герасименко, Н. Н. О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению / Н.Н.Герасименко, К.Б. Тыныштыкбаев, В.В. Старков, Н. А. Медетов, С.Ж. Токмолдин, Е.А.Гостева //ФТП.−2014.−Т.48,вып. 8. − С. 1117—1122.
Горячев, Д.Н. Электролитический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока /Д.Н. Горячев, Л.В.Беляков, О.М. Сресели // ФТП.−2003.−Т. 37, вып. 4. − С. 494—498.
Tynyshtykbaev, K. B. Proton−conducting membranes and electrodes for the μ−fuel cell portable current sources based on porous silicon. Proc. of III International Symposium of Kazakhstan, Russia, USA «Nanotechnology, Energy, and Space» / Starkov V. V., Tynyshtykbaev K. B. − Almaty, 2013. − P. 99.
Старков, В. В. Электрокатализатор для кремниевых электродов микротопливных элементов / В. В. Старков, А. В. Тетерский, О.В. Трофимов // Физика и химия обработки материалов. − 2011. − No 3. − С. 71—77.
Taehee Kim.Degradation of proton exchange membrane by Pt dissolved / deposited in fuel cells / Taehee Kim, Ho Lee, Woojong Sim, Jonghyun Lee, Saehoon Kim, Taewon Lim, and Kwonpil Park // Korean J. Chem. Eng. − 2009. − V. 26, N 5. − P. 1265—1271.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).