Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 20, № 1 (2017) РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев
"... поверхностной рекомбинации на основании измеряемых отношений интенсивностей. Расчеты проведены для случая ..."
 
№ 3 (2012) К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов
"... электрических полях при наличии центров генерации и рекомбинации. Представлены вольт−амперные характеристики для ..."
 
№ 2 (2014) СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук
 
№ 2 (2013) ДАТЧИК ПЕРЕМЕЩЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. С. Лунин, Г. Я. Карапетьян, В. Г. Днепровский, В. Ф. Катаев
"... Разработан и изготовлен датчик перемещения на поверхностных акустических волнах (ПАВ), в котором ..."
 
№ 1 (2012) ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В КРИСТАЛЛАХ ГОЛОГРАФИЧЕСКИМ МЕТОДОМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Гуревич, В. Е. Гапонов, В. И. Редкоречев, Ю. Н. Захаров
"... измерения параметров поверхностных акустических волн (ПАВ). При этом для обеспечения возможности регистрации ..."
 
№ 2 (2013) О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Ю. Эрвье
"... температуры и увеличении скорости роста приводит к подавлению поверхностной сегрегации из-за более ..."
 
№ 2 (2014) АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛА La3Ga5,3Ta0,5Al0,2O14 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. В. Рощупкин, Д. В. Иржак, Е. В. Емелин, С. А. Сахаров, А. Н. Забелин
"... поверхностных акустических волн. Процессы возбуждения и распространения поверхностных акустических волн в La3Ga5 ..."
 
Том 20, № 2 (2017) О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова
"... и эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs под такими слоями. Анодное окисление ..."
 
№ 2 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев
"... «кремниевая матрица — кислородный преципитат (SiO2)», на скорость основных процессов,определяющих кинетику ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев
"... . Установлено, что скорость травления, значения которой составили 2,1—3,3 мкм/мин, снижается с увеличением ..."
 
№ 3 (2012) ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. В. Рощупкин, Д. В. Иржак, Е. В. Емелин, Р. Р. Фахртдинов, О. А. Бузанов, С. А. Сахаров
"... поверхностных акустических волнах. ..."
 
№ 2 (2012) ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ИЗОЛИРОВАННЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская
"... построены картины распределения индуцированного состояния и поверхностного потенциала в тонких пленках ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Функциональные 2D–наноматериалы для оптоэлектронной техники на основе ленгмюровских пленок бактериородопсина Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. И. Валянский, Е. К. Наими, Л. В. Кожитов
"... поверхностных плазмон-поляритонных волн. Для этой цели использованы различные оптические и нелинейно-оптические ..."
 
Том 22, № 1 (2019) Формирование стабильных индуцированных доменов в области заряженной междоменной границы в ниобате лития с помощью зондовой микроскопии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. М. Кислюк, Т. С. Ильина, И. В. Кубасов, Д. А. Киселев, А. А. Темиров, А. В. Турутин, М. Д. Малинкович, А. А. Полисан, Ю. Н. Пархоменко
"... режиме Кельвин-моды атомно-силового микроскопа (АСМ) исследован поверхностный потенциал в окрестности ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, О. П. Сушков
"... полупроводник доминирует рассеяние носителей на локализованных поверхностных зарядах, которые могут находиться в ..."
 
№ 2 (2014) ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
"... поверхностного потенциала происходит проникновение электрического поля в объем полупроводника, что приводит к ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин
"... поля и иметь низкую плотность поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник. Для этих ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Коррозия алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей), легированного индием Аннотация  похожие документы
И. Н. Ганиев, Ф А. Алиев, Х. О. Одиназода, А. М. Сафаров, Р. Усмонов
 
№ 2 (2013) ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ СОПРОВОЖДЕНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В МНОГОЗОННЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ УСТАНОВКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. М. Филиппов, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар, Ю. В. Бабушкин
"... распределении температуры в установке, а также информация о скорости роста кристалла и положении фронта ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Фазовые превращения при кристаллизации Sr2CrMoO6–δ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Каланда, А. Л. Гурский, М. В. Ярмолич, И. А. Бобриков, О. Ю. Иваньшина, С. В. Сумников, А. В. Петров, F. Maia, А. Л. Желудкевич, С. Е. Демьянов
"... , при которых скорости их кристаллизации максимальны, показал, что для Sr2CrO4 величина |(dα/dt)|mах ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка
"... оценка  влияния наведенного поверхностного потенциала в диэлектрической пленке  на интегральный сигнал ..."
 
№ 3 (2014) ВЛИЯНИЕ ИТТРИЯ НА АНОДНОЕ ПОВЕДЕНИЕ СПЛАВА АК1М2 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Э. Бердиев, И. Н. Ганиев, Х. Х. Ниезов, Ф. У. Обидов, Р. А. Исмоилов
"... . Показано, что добавки иттрия снижают скорость анодной коррозии исходного сплава AК1М2 почти в два раза ..."
 
Том 22, № 2 (2019) Коррозионно-электрохимическое поведение алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей) с оловом в среде электролита NaCl Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Н. Ганиев, А. П. Абдулаков, Д. Х. Джайлоев, Ф. А. Алиев, А. Р. Рашидов
"... -50-1.1 при скорости развёртки потенциала 2 мВ/с. Показано, что легирование сплава E-AlMgSi (“алдрей ..."
 
1 - 23 из 23 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)