Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 1 (2015) | МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров | ||
| "... воздействие, вызывающее образование различных дефектов в его структуре, в том числе точечных, протяженных их ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин | ||
| "... зависят от параметров процессов осаждения слоев и их последующей обработки, в существенной степени ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина | ||
| "... Дислокационные скопления важны в процессах зарождения и распространения деформации в моно− и ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
| "... монокристаллического сплава SiGe, обогащенного со стороны кремния. Содержание второй компоненты в кристалле диаметром ..." | ||
| № 3 (2013) | К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. И. Гоник, Arne Cröll | ||
| "... установка получения кристаллов методом плавающей зоны, в которой дополнительно используется так называемый ..." | ||
| № 1 (2014) | РЕШЕНИЕ МЕЖДУНАРОДНОГО СИМПОЗИУМА «ФИЗИКА КРИСТАЛЛОВ 2013», ПОСВЯЩЕННОГО 100-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ ПРОФЕССОРА М. П. ШАСКОЛЬСКОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| "... С 28 октября по 2 ноября 2013 г. в Национальном исследовательском технологическом университете ..." | ||
| № 4 (2013) | ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕИДЕАЛЬНОМ 1D ФОТОННОМ КРИСТАЛЛЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Румянцев, С. А. Федоров | ||
| "... плазмы) в такой системе. Показано, что развитая на основе при- ближения виртуального кристалла теория ..." | ||
| № 2 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДОМЕННЫХ СТРУКТУР В КРИСТАЛЛАХ LiTaO3 МЕТОДОМ ПРЯМОЙ ЭЛЕКТРОННО–ЛУЧЕВОЙ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Рощупкин, Е. В. Емелин, О. А. Бузанов | ||
| "... доменнов ~1 мкм. Показано, что в 127° Y'-срезе кристалла LiTaO3 сегнетоэлектрические домены формируются под ..." | ||
| № 1 (2012) | ДЕМОНСТРАЦИЯ БРЭГГОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА 2D–ФОТОННОЙ СТРУКТУРЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. К. Наими | ||
| "... −фотонной структуре (двухмерном фотонном кристалле). Рассмотрены условия формирования оптической лауэграммы ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ВЛИЯНИЕ ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ РАСЧЕТОВ НА ПРЕДСКАЗАНИЯ ЭНЕРГЕТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Г. Ганченкова, И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, В. А. Бородин | ||
| "... , повысить их качество и улучшить электронные свойства. Однако даже для простейших точечных дефектов в ..." | ||
| № 1 (2014) | ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Л. Косинова, И. Г. Васильева, Я. В. Васильев, Т. П. Смирнова | ||
| "... научных исследований в области материаловедения, выполненных коллективом сотрудников Института ..." | ||
| № 2 (2013) | ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ СОПРОВОЖДЕНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В МНОГОЗОННЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ УСТАНОВКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. М. Филиппов, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар, Ю. В. Бабушкин | ||
| "... Разработана система управления технологическим процессом выращивания кристаллов в многозонной ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
| "... Качество монтажа кристаллов транзисторов в их корпусах характеризуется тепловым сопротивлением ..." | ||
| № 3 (2013) | LiTaO3 — МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ ОПТО– И АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. А. Бузанов, С. А. Сахаров, Д. В. Рощупкин, Е. В. Емелин, С. Д. Лавров | ||
| "... Представлены результаты возможного применения сегнетоэлектрических кристаллов LiTaO3 в акусто− и ..." | ||
| № 2 (2014) | АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛА La3Ga5,3Ta0,5Al0,2O14 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Рощупкин, Д. В. Иржак, Е. В. Емелин, С. А. Сахаров, А. Н. Забелин | ||
| "... /+36°−срезов кристалла LGTA. Продемонстрировано, что в кристалле ЛГТА отсутствует снос потока ..." | ||
| № 3 (2014) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ СaМoО4 С НИЗКИМ ОСТАТОЧНЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ | Аннотация похожие документы |
| Н. С. Козлова, О. А. Бузанов, М. Б. Быкова, Е. В. Забелина, В. Н. Корноухов, А. П. Козлова, А. Г. Черных | ||
| "... . Для таких кристаллов в направлениях исследования, перпендикулярных оптической оси, обнаружено явление ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ОКСИДА ИТТРИЯ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ (ZrO₂)0,91−x(Sc₂O₃)0,09(Y₂O₃)х (x = 0÷0,02) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Агарков, М. А. Борик, С. И. Бредихин, В. Т. Бублик, Л. Д. Исхакова, А. В. Кулебякин, И. Е. Курицына, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, С. В. Серяков, Н. Ю. Табачкова | ||
| "... кристаллов введения в твердые растворы ZrO2 — 9 % (мол.) Sc2O3 дополнительного легирующего оксида Y2O3 в ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова | ||
| "... радиационных дефектов. В приповерхностной области фотовозбуждение способствует стоку межузельных дефектов на ..." | ||
| № 1 (2014) | ВЛИЯНИЕ СОСТОЯНИЯ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ НА ЛАЗЕРНУЮ СТОЙКОСТЬ ЩЕЛОЧНО–ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Блистанов, О. М. Кугаенко, Л. А. Васильева | ||
| "... излучения щелочно−галоидных кристаллов на примере монокристаллов KCl, легированных Sr. Совокупность ..." | ||
| № 3 (2012) | ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Рощупкин, Д. В. Иржак, Е. В. Емелин, Р. Р. Фахртдинов, О. А. Бузанов, С. А. Сахаров | ||
| "... возможность применения этих пьезоэлектрических кристаллов в высокотемпературных сенсорных устройствах на ..." | ||
| № 2 (2013) | ОПТИЧЕСКИЙ МОНИТОРИНГ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| C. В. Михляев | ||
| "... Рассмотрены вопросы оптического мониторинга уровня расплава и диаметра кристалла, выращиваемого из ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий | ||
| "... нитевидных кристаллов Si1−xGex (х = 0,03) в интервале температур 4,2—300 К. Обнаружено незначительное ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | АНАЛИЗ ПРИЧИН НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕЛЛУРА В КРИСТАЛЛЕ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННОМ В КОСМИЧЕСКОМ ЭКСПЕРИМЕНТЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, А. Э. Волошин | ||
| "... структурное совершенство этого кристалла, в большей его области, которая соответствовала кристаллизации ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Анизотропия деформации плаcтин монокристаллов ниобата лития Y + 128°–среза с бидоменной структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. В. Кубасов, А. В. Попов, А. С. Быков, А. А. Темиров, А. М. Кислюк, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. В. Чичков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко | ||
| "... работать в широком диапазоне температур. При изготовлении таких устройств необходимо учитывать анизотропию ..." | ||
| Том 22, № 1 (2019) | Формирование стабильных индуцированных доменов в области заряженной междоменной границы в ниобате лития с помощью зондовой микроскопии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Кислюк, Т. С. Ильина, И. В. Кубасов, Д. А. Киселев, А. А. Темиров, А. В. Турутин, М. Д. Малинкович, А. А. Полисан, Ю. Н. Пархоменко | ||
| "... заряженной междоменной границы на формирование индуцированных доменных структур в конгруэнтных кристаллах ..." | ||
| 1 - 25 из 50 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
