mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2012-2-17-20mateltech-101Research ArticleМатериаловедение и технология. ПолупроводникиMATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY. SEMICONDUCTORSИЗМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИКОНТАКТНОЙ ОБЛАСТИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХCHANGING OF THE STRUCTURE OF THE CONTACT REGION OF THERMOELECTRIC MATERIALS ON THE BASIS OF BISMUTH TELLURIDE AT ELEVATED TEMPERATURESБубликВ. Т.BublikV. T.

доктор физ.−мат. наук, профессор, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

доктор физ.−мат. наук, профессор, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

ВоронинА. И.VoroninA. I.

аспирант, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

аспирант, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

ПономаревВ. Ф.PonomarevV. F.

руководитель проектной группы, ООО НПО «Кристалл», 141060, Московская область, г. Королев, ул. Станционная, д. 45−Б.

руководитель проектной группы, ООО НПО «Кристалл», 141060, Московская область, г. Королев, ул. Станционная, д. 45−Б.

ТабачковаН. Ю.TabachkovaN. Yu.

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп.,д. 4.

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп.,д. 4.

ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»РоссияNational Research University «MISiS»Russian FederationООО «НПО «Кристалл»РоссияOOO NPO KristallRussian Federation201216032015021720Copyright © Бублик В.Т., Воронин А.И., Пономарев В.Ф., Табачкова Н.Ю., 20152015Бублик В.Т., Воронин А.И., Пономарев В.Ф., Табачкова Н.Ю.Bublik V.T., Voronin A.I., Ponomarev V.F., Tabachkova N.Y.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/101

Выявлены разрушения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута под воздействием высоких температур, что препятствует при-менению этих материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую. Предложены механизмы про-текающих процессов. Показано, что промышленная технология электроискровой резки материа-ла приводит к возникновению нарушенного слоя, который при последующей пайке термоэлементов способствует проникновению припоя в объем термоэлектрического материала.

Destruction of the thermoelectric material on the basis of bismuth telluride under high temperatures, which prevents the use of these materials for a direct conversion of thermal energy into electrical energy, are revealed. Mechanisms of the occurring process are proposed. It is shown that the industrial technology of spark cutting leads to appearance of the damaged layer, which facilitates the penetration of solder into the volume of the thermoelectric material in subsequent soldering of thermoelements.

термоэлектрический материалтеллурид висмутаструктура.thermoelectric materialsbismuth telluridestructureReferencesZebarjadi, M. Perspectives on thermoelectrics: from fundamentals to device applications / M. Zebarjadi, K. Esfarjani, M. S. Dresselhaus, Z. F. Ren, G. Chen // Energy and Environmental Sci. − 2012. − N 5.Zebarjadi, M. Perspectives on thermoelectrics: from fundamentals to device applications / M. Zebarjadi, K. Esfarjani, M. S. Dresselhaus, Z. F. Ren, G. Chen // Energy and Environmental Sci. − 2012. − N 5.Castillo, E. E. Thermoelectric characterization by transient Harman method under nonideal contact and boundary conditions / E. E. Castillo, C. L. Hapenciuc, T. Borca−Tasciuc // Rev. Sci. Instrum. − 2010. − V. 81.Castillo, E. E. Thermoelectric characterization by transient Harman method under nonideal contact and boundary conditions / E. E. Castillo, C. L. Hapenciuc, T. Borca−Tasciuc // Rev. Sci. Instrum. − 2010. − V. 81.Keawprak, N. Thermoelectric properties of Bi(2)Se(x)Te(3−x)prepared by Bridgman method / N. Keawprak, S. Lao−Ubol, C. Eamchotchawalit, Z. M. Sun // J. Alloys and Compounds. − 2011. − V. 509. − P. 9296—9301.Keawprak, N. Thermoelectric properties of Bi(2)Se(x)Te(3−x)prepared by Bridgman method / N. Keawprak, S. Lao−Ubol, C. Eamchotchawalit, Z. M. Sun // J. Alloys and Compounds. − 2011. − V. 509. − P. 9296—9301.Бублик, В. Т. Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi2Te2,7Se0,3 на анизотропию физических свойств / В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 1. − С. 50—54.Бублик, В. Т. Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi2Te2,7Se0,3 на анизотропию физических свойств / В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 1. − С. 50—54.Voronin, A. I . Structure of profiled crystals based on solid solutions of Bi2Te3 and their X−ray diagnostics. / A. I. Voronin, V. T. Bublik, N. Yu. Tabachkova, Yu. M. Belov // J. Electronic Mater. − 2011. − V. 40. − Р. 794.Voronin, A. I . Structure of profiled crystals based on solid solutions of Bi2Te3 and their X−ray diagnostics. / A. I. Voronin, V. T. Bublik, N. Yu. Tabachkova, Yu. M. Belov // J. Electronic Mater. − 2011. − V. 40. − Р. 794.Бублик, В. Т. Использование анализа текстуры в крупнозернистых пластинах халькогенидов Bi и Sb для определения формы фронта кристаллизации и глубины нарушенных поверхностных слоев / Ю. М. Белов, В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2009. − № 5. − С. 28—31.Бублик, В. Т. Использование анализа текстуры в крупнозернистых пластинах халькогенидов Bi и Sb для определения формы фронта кристаллизации и глубины нарушенных поверхностных слоев / Ю. М. Белов, В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2009. − № 5. − С. 28—31.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.