mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2012-1-52-56mateltech-123Research ArticleЭпитаксиальные слои и многослойные композицииEPITAXIAL LAYERS AND MULTILAYERED COMPOSITIONSНОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВNEW DIRECTIONS IN THE DEVELOPMENT OF ULTRAVIOLET LIGHT–EMITTING DIODE TECHNOLOGYАнтиповА. А.AntipovA. A.

инженер, ООО«Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербургпросп. Энгельса, д. 27, корп. 5, 

инженер, ООО«Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербургпросп. Энгельса, д. 27, корп. 5, 

andrey@spbstrcg.ruБарашИ. С.BarashI. S.

ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.

ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.

БубликВ. Т.BublikV. T.

доктор физ.-мат. наук, профессор, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4

доктор физ.-мат. наук, профессор, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

КуринС. Ю.KurinS. Yu.

аспирант Академического университета РАН, инженер, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5, 

аспирант Академического университета РАН, инженер, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.

skaphos@rambler.ruМакаровЮ. Н.MakarovYu. N.

кандидат физ.−мат. наук, генеральный директор, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5

кандидат физ.−мат. наук, генеральный директор, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.

makarov@semicrys.fi.ruМоховЕ. Н.MokhovE. N.

доктор физ.−мат. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5

доктор физ.−мат. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.

НагалюкС. С.NagalyukS. S.

аспирант, Физико−технический институт им. Иоффе, ин женер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5

аспирант, Физико−технический институт им. Иоффе, ин женер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.

РоенковА. Д.RoenkovA. D.

ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5

ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.

ЧемековаТ. Ю.ChemekovaT. Yu.

кандидат хим. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Эн-гельса, д. 27, корп. 5

кандидат хим. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Эн-гельса, д. 27, корп. 5.

chemekova@n-crystalsfi.ruЩербачевК. Д.ScherbachevK. D.

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

ХелаваХ.HelavaH.

Ph.D., главный конструктор, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп.5

Ph.D., главный конструктор, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.

ООО «Нитридные кристаллы»РоссияNitride Crystals JSCRussian FederationФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»РоссияNational University of Science and Technology MISiSRussian FederationООО «Нитридные кристаллы» Академический университет Российской академии наукРоссияNitride Crystals JSC Academic University of the Russian Academy of SciencesRussian Federation201216032015015256Copyright © Антипов А.А., Бараш И.С., Бублик В.Т., Курин С.Ю., Макаров Ю.Н., Мохов Е.Н., Нагалюк С.С., Роенков А.Д., Чемекова Т.Ю., Щербачев К.Д., Хелава Х., 20152015Антипов А.А., Бараш И.С., Бублик В.Т., Курин С.Ю., Макаров Ю.Н., Мохов Е.Н., Нагалюк С.С., Роенков А.Д., Чемекова Т.Ю., Щербачев К.Д., Хелава Х.Antipov A.A., Barash I.S., Bublik V.T., Kurin S.Y., Makarov Y.N., Mokhov E.N., Nagalyuk S.S., Roenkov A.D., Chemekova T.Y., Scherbachev K.D., Helava H.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/123

Представлены результаты по созданию ультрафиолетовых светодиодов на основе гетеро-структур GaN/AlGaN, выращенных на подложках AlN методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Пиковые длины волн находятся в диапазоне 360—365 нм, ширина спектральной кривой составляет 10—13 нм, выходная оптическая мощность чипов светодиодов — 50 мВт при токе 350 мА.

The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN/AlGaN heterostructures grown on AlN substrates by chloride−hydride vapor phase epitaxy. The peak wavelengths are in the range of 360—365 nm with a spectral width of 10—13 nm; the output optical power of LED dies is 50 mW at 350 mA.

ультрафиолетовый светодиоднитрид алюминияхлоридно−гидридная эпитаксиягетероструктурачипultraviolet light-emitting diodealuminum nitridechloride−hydride vapor phase epitaxyheterostructuredieReferencesМакаров, Ю. Н. Подложка нитрида алюминия диаметром 2 дюйма для приборов оптоэлектроники / Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб: ФТИ им. Иоффе, 2011. − С. 59—62.Макаров, Ю. Н. Подложка нитрида алюминия диаметром 2 дюйма для приборов оптоэлектроники / Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб: ФТИ им. Иоффе, 2011. − С. 59—62.Поляков, А. Я. Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур / А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, И. А. Белогорохов, К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 2. − С. 58—62.Поляков, А. Я. Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур / А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, И. А. Белогорохов, К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 2. − С. 58—62.New semiconductor materials. Characteristics and properties: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/rintroduction.htmlNew semiconductor materials. Characteristics and properties: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/rintroduction.htmlChemekova, T. Yu. Sublimation growth of 2−inch diameter bulk AlN crystals / T. Yu. Chemekova, O. V. Avdeev, I. S. Barash, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. N. Makarov, M. G. Ramm, G. Davis, G. Huminic, H. Helava // Phys. status solidi (c). − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1612—1614.Chemekova, T. Yu. Sublimation growth of 2−inch diameter bulk AlN crystals / T. Yu. Chemekova, O. V. Avdeev, I. S. Barash, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. N. Makarov, M. G. Ramm, G. Davis, G. Huminic, H. Helava // Phys. status solidi (c). − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1612—1614.Makarov, Yu. N. Experimental and theoretical analysis of sublimation growth of AlN bulk crystals / Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Yu. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava // J. Cryst. Growth. − 2008. − V. 310, N 5. − P. 881—886.Makarov, Yu. N. Experimental and theoretical analysis of sublimation growth of AlN bulk crystals / Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Yu. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava // J. Cryst. Growth. − 2008. − V. 310, N 5. − P. 881—886.Курин, С. Ю. Получение AlGaN/GaN гетероструктур ультрафиолетовых светодиодов с длиной волны 360—365 нм методом хлоридно−гидридной эпитаксии / C. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, М. Г. Агапов, А. А. Антипов, Т. Ю. Чемекова, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия − структуры и приборы». − СПб : ФТИ им. Иоффе, 2011. − C. 180—181.Курин, С. Ю. Получение AlGaN/GaN гетероструктур ультрафиолетовых светодиодов с длиной волны 360—365 нм методом хлоридно−гидридной эпитаксии / C. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, М. Г. Агапов, А. А. Антипов, Т. Ю. Чемекова, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия − структуры и приборы». − СПб : ФТИ им. Иоффе, 2011. − C. 180—181.Bulashevich, K. A. Assessment of various LED structure designs for high−current operation / K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, Iss. 2. − P. S804—S806.Bulashevich, K. A. Assessment of various LED structure designs for high−current operation / K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, Iss. 2. − P. S804—S806.Usikov, A. Electrical and optical properties of thick highly doped p−type GaN layers grown by HVPE / A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Yu. Nikiforov, S. G. Sundaresan, S. J. Jeliazkov, A. V. Davydov // Ibid. − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1829—1831.Usikov, A. Electrical and optical properties of thick highly doped p−type GaN layers grown by HVPE / A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Yu. Nikiforov, S. G. Sundaresan, S. J. Jeliazkov, A. V. Davydov // Ibid. − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1829—1831.Булашевич, К. А. Моделирование оптоэлектронных приборов на основе нитридов III группы / К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. Ф. Мымрин // VI Межд. конф. «Химия твердого тела и современные микро− и нанотехнологии». − Кисловодск; Ставрополь : СевКавГТУ, 2006. − С. 510.Булашевич, К. А. Моделирование оптоэлектронных приборов на основе нитридов III группы / К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. Ф. Мымрин // VI Межд. конф. «Химия твердого тела и современные микро− и нанотехнологии». − Кисловодск; Ставрополь : СевКавГТУ, 2006. − С. 510.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.