<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mateltech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1609-3577</issn><issn pub-type="epub">2413-6387</issn><publisher><publisher-name>MISIS</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.17073/1609-3577-2014-2-86-91</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mateltech-126</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Материаловедение и технология. Полупроводники</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY. SEMICONDUCTORS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ИЗУЧЕНИЕ СТРУКТУРНЫХ И РАЗМЕРНЫХ СВОЙСТВ СПИННИНГОВАННЫХ ПОРОШКОВ p–Bi0,5Sb1,5Te3, СКОМПАКТИРОВАННЫХ ГОРЯЧИМ ВАКУУМНЫМ ПРЕССОВАНИЕМ И ИСКРОВЫМ ПЛАЗМЕННЫМ СПЕКАНИЕМ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Study of Structural and Dimensional Characteristics of the Melt Spun p–Bi0.5Sb1.5Te3 Powders Compacted by Vacuum Hot Pressing and Spark Plasma Sintering</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Мельников</surname><given-names>А. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Melnikov</surname><given-names>A. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>аспирант(1), ведущий специалист(2) </p></bio><bio xml:lang="en"><p>Postgraduate Student (1), Leading Specialist (2);  </p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Костишин</surname><given-names>В. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kostishin</surname><given-names>V. G.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>доктор физ.−мат. наук, доцент, заведующий кафедрой; </p></bio><bio xml:lang="en"><p>Dr. Sci. (Phys.–Math.), Associate Professor, Head of Chair «Technology of Materials of Electronics»; </p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Кичик</surname><given-names>С. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kichik</surname><given-names>S. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>ведущий специалист; </p></bio><bio xml:lang="en"><p>Leading Specialist; </p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-3"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Аленков</surname><given-names>В. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Alenkov</surname><given-names>V. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>генеральный директор. </p></bio><bio xml:lang="en"><p>General Director. </p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-3"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049, Россия&#13;
ООО НПО «Кристалл», ул. Станционная, д. 45−Б, Королев, Московская обл., 141060, Россия</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>National University of Science and Technology «MISiS», 4 Leninskiy prospekt, Moscow, 119049 Russia&#13;
Crystal Ltd., 45B Stantsionnaya Str., Korolev, Moscow Region, 141060 Russia</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049, Россия</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>National University of Science and Technology «MISiS», 4 Leninskiy prospekt, Moscow, 119049 Russia</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-3"><aff xml:lang="ru"><institution>ООО НПО «Кристалл», ул. Станционная, д. 45−Б, Королев, Московская обл., 141060, Россия</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Crystal Ltd., 45B Stantsionnaya Str., Korolev, Moscow Region, 141060 Russia</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2014</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>25</day><month>06</month><year>2015</year></pub-date><volume>0</volume><issue>2</issue><fpage>86</fpage><lpage>91</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Мельников А.А., Костишин В.Г., Кичик С.А., Аленков В.В., 2015</copyright-statement><copyright-year>2015</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Мельников А.А., Костишин В.Г., Кичик С.А., Аленков В.В.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Melnikov A.A., Kostishin V.G., Kichik S.A., Alenkov V.V.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://met.misis.ru/jour/article/view/126">https://met.misis.ru/jour/article/view/126</self-uri><abstract><p>Получены порошки термоэлектрического материала Bi0,5Sb1,5Te3 p−типа проводимости методом спиннингования расплава (сверхбыстрой закалки из жидкого состояния). Определены их структурные и размерные характеристики. Установленная кристаллографическая группа и параметры решетки порошкового материала соответствуют материалу p−Bi0,5Sb1,5Te3, закристаллизованному в равновесных условиях, что свидетельствует об идентичности их кристаллической структуры. Из порошков методами горячего вакуумного прессования и искрового плазменного спекания скомпактированы образцы. Установлено, что при компактировании спиннингованных порошков p−Bi0,5Sb1,5Te3 возможно возникновение частичной аксиальной текстуры [<xref ref-type="bibr" rid="cit001">001</xref>], направленной вдоль оси приложения давления. Электрофизические и термоэлектрические свойства образцов измерены в направлении, перпендикулярном к оси приложения давления, в диапазоне температур 100—700 К. Показано, что образцы, приготовленные указанными методами, обладают низкой теплопроводностью, сохраняя при этом значения электропроводности и коэффициента Зеебека, сравнимые с аналогичными величинами для традиционных закристаллизованных материалов. За счет этого термоэлектрическая эффективность ZТ достигает значений 1,05—1,15 при 330— 350 К, что говорит о высокой перспективности применения указанных технологий. </p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>P–type thermoelectric Bi0,5Sb1,5Te3 powders were obtained by the melt spinning technique (extremely rapid quenching from the liquid state) and their structural and dimensional characteristics were characterized. The crystallographic group and the lattice parameters of the powders correspond to those for Bi0,5Sb1,5Te3 crystallized in equilibrium conditions which suggests the identity of the crystal structure. The powders were compacted by vacuum hot pressing and spark plasma sintering. We found that the partial axial texture [<xref ref-type="bibr" rid="cit001">001</xref>] directed along the axis of pressure application could be formed during the compacting of the powders. Temperature dependences of the thermoelectric characteristics of the compacted material were measured in a direction perpendicular to the pressure application axis in the 100—700 K range. It is demonstrated that the compacted samples possess low thermal conductivity while retaining the Seebeck coefficient and the electrical conductivity values comparable to crystallized material; therefore ZT reaches 1,05—1,15 in the 330—350 K range which indicates high prospects of applying these technologies. </p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>термоэлектричество</kwd><kwd>спиннингование</kwd><kwd>спиннингованные порошки</kwd><kwd>теллуриды висмута и сурьмы</kwd><kwd>искровое плазменное спекание</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>thermoelectricity</kwd><kwd>melt spinning</kwd><kwd>melt−spun powders</kwd><kwd>bismuth antimony telluride</kwd><kwd>spark plasma sintering</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Cahn,R.W.PhysicalMetallurgy/Ed.R.W.Cahn,P.Haasen. − New York : Elsevier Sci. Publ., 1983. − 1042 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Cahn,R.W.PhysicalMetallurgy/Ed.R.W.Cahn,P.Haasen. − New York : Elsevier Sci. Publ., 1983. − 1042 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Белов, А. Ф. Получение однородных твердых растворов методом сверхбыстрого охлаждения / А. Ф. Белов, В. М. Глазов, Ю. З. Ятманов, А. Я. Потемкин // ДАН СССР. − 1984. − Т. 277, No 5. − С. 1155—1160.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Белов, А. Ф. Получение однородных твердых растворов методом сверхбыстрого охлаждения / А. Ф. Белов, В. М. Глазов, Ю. З. Ятманов, А. Я. Потемкин // ДАН СССР. − 1984. − Т. 277, No 5. − С. 1155—1160.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Глазов, В. М. Структурные особенности сплавов системы Bi−Te, полученных при сверхбыстрой закалке жидкой фазы / В. М. Глазов, Ю. В. Ятманов, А. Б. Иванова // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. − 1986. − Т. 22, No 4. − С. 596—599.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Глазов, В. М. Структурные особенности сплавов системы Bi−Te, полученных при сверхбыстрой закалке жидкой фазы / В. М. Глазов, Ю. В. Ятманов, А. Б. Иванова // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. − 1986. − Т. 22, No 4. − С. 596—599.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гогишвили, О. Ш. Получение сплавов на основе халькогенидов висмута и сурьмы методом сверхбыстрого охлаждения расплавов / О. Ш. Гогишвили, С. П. Лалыкин, С. П. Криворучко // VII Всесоюз. конф. «Химия, физика и техническое применение халькогенидов». − Ужгород, 1988. − С. 368.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гогишвили, О. Ш. Получение сплавов на основе халькогенидов висмута и сурьмы методом сверхбыстрого охлаждения расплавов / О. Ш. Гогишвили, С. П. Лалыкин, С. П. Криворучко // VII Всесоюз. конф. «Химия, физика и техническое применение халькогенидов». − Ужгород, 1988. − С. 368.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Xie, W. J. Nanostructure and thermoelectric properties of p−type Bi0,5Sb1,5Те3 compound prepared by melt spinning technique / W. J. Xie, X. F. Tang, G. Chen, Q. Jin , Q. J. Zhang // The 26th Internat. Conf. on Thermoelectrics. − Jeju Island (Korea), 2007. pp. 23—26.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Xie, W. J. Nanostructure and thermoelectric properties of p−type Bi0,5Sb1,5Те3 compound prepared by melt spinning technique / W. J. Xie, X. F. Tang, G. Chen, Q. Jin , Q. J. Zhang // The 26th Internat. Conf. on Thermoelectrics. − Jeju Island (Korea), 2007. pp. 23—26.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Xie, W. Unique nanostructures and enhanced thermoelectric performance of melt−spun BiSbTe alloys / W. Xie, X. Tang, Y. Yan, Q. Zhang, T. Tritt // J. Appl. Phys. − 2009. − V. 94 − P. 102111/1−3.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Xie, W. Unique nanostructures and enhanced thermoelectric performance of melt−spun BiSbTe alloys / W. Xie, X. Tang, Y. Yan, Q. Zhang, T. Tritt // J. Appl. Phys. − 2009. − V. 94 − P. 102111/1−3.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Xie, W. High thermoelectric performance BiSbTe alloy with unique low−dimensional structure / W. Xie, X. Tang, Y. Yan, Q. Zhang, T. Tritt // J. Appl. Phys. − 2009. − V. 105. − P. 113713/1−8.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Xie, W. High thermoelectric performance BiSbTe alloy with unique low−dimensional structure / W. Xie, X. Tang, Y. Yan, Q. Zhang, T. Tritt // J. Appl. Phys. − 2009. − V. 105. − P. 113713/1−8.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Xie, W. Identifying the specific nanostructures responsible for the high thermoelectric performance of (Bi, Sb)2Te3 nanocomposites / W. Xie, J. He, H. Kang, X. Tang., S. Zhu, M. Laver, S. Wang, J. Copley, C. Brown, Q. Zhang, T. Tritt // Nano Lett. – 2010. – V. 10. – P. 3283—3289.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Xie, W. Identifying the specific nanostructures responsible for the high thermoelectric performance of (Bi, Sb)2Te3 nanocomposites / W. Xie, J. He, H. Kang, X. Tang., S. Zhu, M. Laver, S. Wang, J. Copley, C. Brown, Q. Zhang, T. Tritt // Nano Lett. – 2010. – V. 10. – P. 3283—3289.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Иванова, Л. Д. Спиннингование расплава — перспективный метод получения материалов твердого раствора теллуридов висмута и сурьмы / Л. Д. Иванова, Л. И. Петрова, Ю. В. Гранаткина, В. Г. Леонтьев, А. С. Иванов, С. А. Варламов, Ю. П. Прилепо, А. М. Сычев, А. Г. Чуйко, И. В. Башков // Термоэлектричество. − 2013. − No 1. − С. 34—45.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Иванова, Л. Д. Спиннингование расплава — перспективный метод получения материалов твердого раствора теллуридов висмута и сурьмы / Л. Д. Иванова, Л. И. Петрова, Ю. В. Гранаткина, В. Г. Леонтьев, А. С. Иванов, С. А. Варламов, Ю. П. Прилепо, А. М. Сычев, А. Г. Чуйко, И. В. Башков // Термоэлектричество. − 2013. − No 1. − С. 34—45.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гольцман, Б. М. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 / Б. М. Гольцман, В. А. Кудинов, И. А. Смирнов − М. : Наука, 1972</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гольцман, Б. М. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 / Б. М. Гольцман, В. А. Кудинов, И. А. Смирнов − М. : Наука, 1972</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кичик, С. А. Исследование механических и термоэлектрических свойств материалов Bi0,5Sb1,5Te3, полученных методом вакуумногопрессования/С.А.Кичик,А.А.Мельников,И. С. Маракушев, А. Н. Корякин // XIII Межгосударственный семинар «Термоэлектрики и их применения». − С.−Пб, 2012.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Кичик, С. А. Исследование механических и термоэлектрических свойств материалов Bi0,5Sb1,5Te3, полученных методом вакуумногопрессования/С.А.Кичик,А.А.Мельников,И. С. Маракушев, А. Н. Корякин // XIII Межгосударственный семинар «Термоэлектрики и их применения». − С.−Пб, 2012.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
