<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mateltech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1609-3577</issn><issn pub-type="epub">2413-6387</issn><publisher><publisher-name>MISIS</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.17073/1609-3577-2014-2-99-103</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mateltech-128</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Материаловедение и технология. Магнитные материалы</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY. MAGNETIC MATERIALS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ВЛИЯНИЕ ДОБАВОК ВИСМУТА НА СВОЙСТВА Mn—Zn−ФЕРРИТОВ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>The Effect of Additives on the Properties of Bismuth Mn—Zn–ferrite</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Канева</surname><given-names>И. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kaneva</surname><given-names>I. I.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>кандидат техн. наук, доцент;</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Cand. Sci. (Eng.), Associate Professor; </p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Костишин</surname><given-names>В. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kostishin</surname><given-names>V. G.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>доктор физ.−мат. наук, доцент</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Dr. Sci. (Phys.–Math.), Associate Professor, Head of Chair «Technology of Materials of Electronics»; </p></bio><email xlink:type="simple">drvgkostishyn@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Андреев</surname><given-names>В. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Andreev</surname><given-names>V. G.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>доктор техн. наук, профессор</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Dr. Sci. (Eng.), Professor  </p></bio><email xlink:type="simple">ilem58@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Николаев</surname><given-names>А. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Nikolaev</surname><given-names>A. N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>технолог </p></bio><bio xml:lang="en"><p>technologist </p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Волкова</surname><given-names>Е. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Volkova</surname><given-names>E. I.</given-names></name></name-alternatives><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049, Россия,</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>National University of Science and Technology «MISiS», 4 Leninskiy prospekt, Moscow 119049, Russia</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Кузнецкий институт информатики и управленческих технологий (филиал Пензенского государственного университета) ул. Маяковского, д. 57а, г. Кузнецк, Пензенская обл., 442600, Россия</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Kuznetsk Institute of Informatics and Management Technologies (branch of Penza State University), 57a Mayakovsky Str., Kuznetsk 442600, Russia</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2014</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>25</day><month>06</month><year>2015</year></pub-date><volume>0</volume><issue>2</issue><fpage>99</fpage><lpage>103</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Канева И.И., Костишин В.Г., Андреев В.Г., Николаев А.Н., Волкова Е.И., 2015</copyright-statement><copyright-year>2015</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Канева И.И., Костишин В.Г., Андреев В.Г., Николаев А.Н., Волкова Е.И.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Kaneva I.I., Kostishin V.G., Andreev V.G., Nikolaev A.N., Volkova E.I.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://met.misis.ru/jour/article/view/128">https://met.misis.ru/jour/article/view/128</self-uri><abstract><p>Mn—Zn−ферриты широко применяют в радиоэлектронике. Однако при получении по стандартной технологической схеме в ферритах формируется текстура вдоль оси прессования, значительно снижающая их магнитную проницаемость и вызывающая анизотропию свойств. Различие магнитной проницаемости вдоль и поперек оси прессования из−за текстуры достигает 10—20 %. Текстура в сырых заготовках, полученных прессованием, обусловлена пластинчатой формой ферритовых частиц и ориентацией кристаллографических осей [<xref ref-type="bibr" rid="cit111">111</xref>] вдоль оси прессования. В процессе спекания степень текстуры увеличивается из−за преимущественного роста ориентированных при прессовании частиц за счет неориентированных. В результате в спеченном феррите формируется ось легкого намагничивания, совпадающая с осью прессования. Ферритовые изделия большинства типоразмеров изготавливают так, чтобы магнитные силовые линии при их эксплуатации не совпадали с осью прессования, что значительно снижает их эксплуатационные параметры. Для уменьшения текстуры в настоящей работе использована короткая технологическая схема (КТС), включающая только одну термическую обработку — спекание заготовок, спрессованных непосредственно из смеси исходных ферритообразующих оксидов, частицы которых слабо ориентируются при прессовании. Показано, что получение изотропных Mn—Zn−ферритов с требуемыми магнитными свойствами по КТС возможно при использовании добавок оксида висмута и более сложного состава связующего вещества при прессовании взамен обычно употребляемого поливинилового спирта. </p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Ferrite−ceramic materials are widely used in electronics. The most widely used is Mn—Zn−ferrite due to its high permeability. However, Mn—Zn−ferrites obtained by the standard process flow (ITS) have the texture along the pressing axis which significantly reduces their permeability and causes anisotropic properties. The difference in the magnetic permeability along and perpendicular to the pressing axis reaches 10—20 % due to the texture. The texture of the raw blanks is caused by lamellar ferrite particles [<xref ref-type="bibr" rid="cit1">1</xref>] and the orientation of the [<xref ref-type="bibr" rid="cit111">111</xref>] crystallographic axes along the compression axis. During sintering the degree of texture increases due to the preferential growth of pressing−oriented particles at the expense of non−oriented ones. As a result, an easy magnetization axis formed in the sintered ferrite which coincides with the compression axis. Most sizes of ferrite products are manufactured in such a way that the magnetic field lines in their operation do not coincide with the compression axis (ring, P−and R−core), which significantly reduces their operating parameters. To reduce the texture in this study we used a short process flow diagram including only one heat treatment i.e. sintering of the blanks pressed directly from the mixture of the raw ferrite oxide particles that are oriented but slightly when pressed. We show that isotropic Mn—Zn−ferrite with the desired magnetic properties at CCC can be obtained using bismuth oxide additives and a complex composition of binder during compaction instead conventionally used polyvinyl alcohol. </p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>Mn—Zn−ферриты</kwd><kwd>оксид висмута</kwd><kwd>магнитные свойства</kwd><kwd>текстура.</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>Mn—Zn−ferrite</kwd><kwd>bismuth oxide</kwd><kwd>magnetic properties</kwd><kwd>textures.</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Анциферов, В. Н. Проблемы порошкового материаловедения / В. Н. Анциферов, Л. М. Летюк, В. Г. Андреев, А. Н. Дубров, А. В. Гончар, В. Г. Костишин, А. И. Сатин. // Части IV, V. − Екатеринбург : УрО РАН, 2005. − 394 с., 407 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Анциферов, В. Н. Проблемы порошкового материаловедения / В. Н. Анциферов, Л. М. Летюк, В. Г. Андреев, А. Н. Дубров, А. В. Гончар, В. Г. Костишин, А. И. Сатин. // Части IV, V. − Екатеринбург : УрО РАН, 2005. − 394 с., 407 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Костишин, В. Г. Влияние добавок на микроструктуру и свойствамарганец−цинковогоферрита/В.Г.Костишин,В. Г. Андреев, И. И. Канева, А. Н. Николаев, Е. И. Лысенко // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. Тр. VIII Междунар. конф. − Алматы, 2011. − С. 421—427.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Костишин, В. Г. Влияние добавок на микроструктуру и свойствамарганец−цинковогоферрита/В.Г.Костишин,В. Г. Андреев, И. И. Канева, А. Н. Николаев, Е. И. Лысенко // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. Тр. VIII Междунар. конф. − Алматы, 2011. − С. 421—427.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Горелик, С. С. Формирование микроструктуры и свойств ферритов в процессе рекристаллизации / С. С. Горелик, Э. А. Бабич, Л. М. Летюк − М. : Металлургия, 1984. − C. 505—509.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Горелик, С. С. Формирование микроструктуры и свойств ферритов в процессе рекристаллизации / С. С. Горелик, Э. А. Бабич, Л. М. Летюк − М. : Металлургия, 1984. − C. 505—509.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Дугар−Жабон,К.Д./К.Д.Дугар−Жабон.//Изв.АНСССР. Неорганич. материалы. − 1972. − Т. 8, No 3.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Дугар−Жабон,К.Д./К.Д.Дугар−Жабон.//Изв.АНСССР. Неорганич. материалы. − 1972. − Т. 8, No 3.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Левин, Б. Е. Физико−химические основы получения, свойства и применение ферритов / Б. Е. Левин, Ю. Д. Третьяков, Л. М. Летюк. − М. : Металлургия, 1979. − 471 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Левин, Б. Е. Физико−химические основы получения, свойства и применение ферритов / Б. Е. Левин, Ю. Д. Третьяков, Л. М. Летюк. − М. : Металлургия, 1979. − 471 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Летюк,Л.М.Химияитехнологияферритов/Л.М.Летюк, Г. И. Журавлев − Ленинград, Химия 1983. − 256 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Летюк,Л.М.Химияитехнологияферритов/Л.М.Летюк, Г. И. Журавлев − Ленинград, Химия 1983. − 256 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Справочник «Ферриты и магнитодиэлектрики» / Под ред. Н. Д. Горбунова, Г. А. Матвеева − М. : Советское радио, 1969. − 165 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Справочник «Ферриты и магнитодиэлектрики» / Под ред. Н. Д. Горбунова, Г. А. Матвеева − М. : Советское радио, 1969. − 165 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Костишин, В. Г. Исследование возможности получения феррита марки 2000НМ по короткой технологической схеме / В. Г. Костишин, В. Г. Андреев, И. И. Канева, А. Н. Николаев, Е. И. Волкова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2013. − No 1. – С. 23—27.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Костишин, В. Г. Исследование возможности получения феррита марки 2000НМ по короткой технологической схеме / В. Г. Костишин, В. Г. Андреев, И. И. Канева, А. Н. Николаев, Е. И. Волкова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2013. − No 1. – С. 23—27.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
