mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2014-3-194-198mateltech-142Research ArticleЭпитаксиальные слои и многослойные композицииEPITAXIAL LAYERS AND MULTILAYERED COMPOSITIONSОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИDetermination of Indium Arsenide Autoepitaxial Layer Thickness by Fourier–Transform Infrared SpectroscopyКомковО. С.KomkovO. S.

 кандидат физ.−мат. наук, доцент каф. «Микро−и наноэлектроники» 

Cand. Sci. (Phys.−Math.), Associate Professor of «Micro and Nanoelectronics» 

okomkov@yahoo.comФирсовД. Д.FirsovD. D.

аспирант 

postgraduate student 

d.d.firsov@gmail.comКовалишинаЕ. А.KovalishinaE. A.

аспирант, инженер−химик 2−й категории

Postgraduate Student, Chemical Engineer 

werbenka@ya.ruПетровА. С.PetrovA. S.

кандидат техн. наук, начальник лаборатории НПКО−65 

Cand. Sci. (Eng.), Head of Laboratory 

alexpetrov2001@mail.ruСанкт–Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ленина, ул. Профессора Попова, д. 5, Санкт–Петербург, 197376, РоссияРоссияSaint Petersburg Electrotechnical University «LETI», 5 Professora Popova Str., St. Petersburg 197376, RussiaRussian FederationОАО «Центральный научно−исследовательский институт «Электрон» просп. Тореза, д. 68, Санкт–Петербург, 194223, РоссияРоссияOJSC «National Research Institute «Electron», 68 Toreza Ave., St. Petersburg 194223, RussiaRussian Federation20142606201503194198Copyright © Комков О.С., Фирсов Д.Д., Ковалишина Е.А., Петров А.С., 20152015Комков О.С., Фирсов Д.Д., Ковалишина Е.А., Петров А.С.Komkov O.S., Firsov D.D., Kovalishina E.A., Petrov A.S.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/142

Реализована методика неразрушающего бесконтактного контроля толщины нелегированного автоэпитаксиального слоя InAs на сильнолегированной подложке методом инфракрасной Фурье−спектроскопии. Исследуемые слои были выращены методом хлоридно−гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе. В основе методики лежит анализ интерференционной картины, наблюдаемой в инфракрасных спектрах отражения. Выработаны рекомендации по выбору спектрального диапазона измерений, оптимального для структур InAs. Выбор обусловлен минимальным изменением показателя преломления InAs и особенностями отражения сильнолегированной подложки. Показано хорошее совпадение результатов измерений по развитой методике с данными металлографического анализа. 

A method of non−destructive contactless control of thickness of undoped autoepitaxial InAs layers on heavily−doped substrates by Fourier−transform infrared spectroscopy (FTIR) has been realized. The studied layers were grown by chloride−hydride epitaxy method in a vertical reactor. The thickness control method was based upon an analysis of interference patterns observed in infrared reflectance spectra. Recommendations on the choice of measurement spectral range optimal for the InAs structures have been made. The factors in consideration included minimal dispersion of the InAs refraction index, and specifics of the heavily−doped substrates’ reflectance. A good correlation between the results of the measurements and the data of metallographic analysis has been observed. 

физика полупроводниковарсенид индияэпитаксиальные слоиоптические методы исследованияинфракрасная Фурье− спектроскопияизмерение толщиныпоказатель преломления.semiconductor physicsindium arsenideInAsepitaxial layersoptical investigation methodsfourier−transform infrared spectroscopyFTIRthickness measurementrefraction index.ReferencesКовтонюк, Н. Ф. Видиконы, чувствительные в средней инфракрасной области спектра, с фотомишенями на структурах полупроводник—диэлектрик / Н. Ф. Ковтонюк, В. П. Мисник, А. В. Соколов // Прикладная физика. − 2005. − No 6. − C. 134— 140.Ковтонюк, Н. Ф. Видиконы, чувствительные в средней инфракрасной области спектра, с фотомишенями на структурах полупроводник—диэлектрик / Н. Ф. Ковтонюк, В. П. Мисник, А. В. Соколов // Прикладная физика. − 2005. − No 6. − C. 134— 140.Грама, Д. М. Автоэпитаксиальные структуры арсенида индия для ИК ФПУ. / Д. М. Грама, А. С. Петров, С. Д. Попов, Р. М. Степанов, Е. В. Чилаева // Изв. СПбГЭТУ ЛЭТИ. − 2008. −No 7.−C.13—18.Грама, Д. М. Автоэпитаксиальные структуры арсенида индия для ИК ФПУ. / Д. М. Грама, А. С. Петров, С. Д. Попов, Р. М. Степанов, Е. В. Чилаева // Изв. СПбГЭТУ ЛЭТИ. − 2008. −No 7.−C.13—18.Ковалишина,Е.А.Химико−механическаяполировкаподложекавтоэпитаксиальныхструктурарсенидаиндия/Е. А. Ковалишина,Е.А.Нечаев,А.С.Петров//Физикаихимияобработки материалов. − 2013. − No 1. − C. 47—51.Ковалишина,Е.А.Химико−механическаяполировкаподложекавтоэпитаксиальныхструктурарсенидаиндия/Е. А. Ковалишина,Е.А.Нечаев,А.С.Петров//Физикаихимияобработки материалов. − 2013. − No 1. − C. 47—51.Борн,М.Основыоптики/М.Борн,Э.Вольф.−М.:Наука, 1973. − 720 с.Борн,М.Основыоптики/М.Борн,Э.Вольф.−М.:Наука, 1973. − 720 с.Пихтин,А.Н.Рефракциясветавполупроводниках:Обзор / А. Н. Пихтин, А. Д. Яськов // Физика и техника полупроводников. − 1988. − Т. 22, вып. 6. − С. 969—991.Пихтин,А.Н.Рефракциясветавполупроводниках:Обзор / А. Н. Пихтин, А. Д. Яськов // Физика и техника полупроводников. − 1988. − Т. 22, вып. 6. − С. 969—991.Пихтин, А. Н. Квантовая и оптическая электроника / А. Н. Пихтин. − М. : Абрис, 2012. − 656 с.Пихтин, А. Н. Квантовая и оптическая электроника / А. Н. Пихтин. − М. : Абрис, 2012. − 656 с.Батавин,В.В.Измерениепараметровполупроводниковых материаловиструктур/В.В.Батавин,Ю.А.Концевой,Ю. В. Федорович. − М. : Радио и связь, 1985. − 264 с.Батавин,В.В.Измерениепараметровполупроводниковых материаловиструктур/В.В.Батавин,Ю.А.Концевой,Ю. В. Федорович. − М. : Радио и связь, 1985. − 264 с.Комков, О. С. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев AlxIn1−xSb из спектров отражения / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, С. И. Трошков, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов // Физика и техника полупроводников. − 2013. − Т. 47, вып. 2. − С. 264—269.Комков, О. С. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев AlxIn1−xSb из спектров отражения / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, С. И. Трошков, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов // Физика и техника полупроводников. − 2013. − Т. 47, вып. 2. − С. 264—269.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.