<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mateltech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1609-3577</issn><issn pub-type="epub">2413-6387</issn><publisher><publisher-name>MISIS</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.17073/1609-3577-2015-3-201-204</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mateltech-194</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Материаловедение и технология. Магнитные материалы</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY. MAGNETIC MATERIALS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Влияние отжига на недиагональный магнитоимпеданс в аморфных проводах</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>EFFECT OF ANNEALING ON OFF−DIAGONAL MAGNETOIMPEDANCE IN AMORPHOUS MICROWIRES</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Юданов</surname><given-names>Н. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Yudanov</surname><given-names>N. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Юданов Николай Анатольевич — инженер, аспирант</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Nikolay A. Yudanov  — Еngineer </p></bio><email xlink:type="simple">kolyan2606@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Морченко</surname><given-names>А. Т.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Morchenko</surname><given-names>A. T.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Морченко Александр Тимофеевич — кандидат физико−математических наук; старший научный сотрудник</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Aleksandr T. Morchenko  — Cand. Sci. (Phys.–Math.); Senior Researcher</p></bio><email xlink:type="simple">dratm@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Панина</surname><given-names>Л. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Panina</surname><given-names>L. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Панина Лариса Владимировна</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Larisa V. Panina</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0001-5384-6331</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Костишин</surname><given-names>В. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kostishin</surname><given-names>V. G.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Костишин Владимир Григорьевич — доктор физико-математических наук; профессор; заведующий кафедрой</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Vladimir G. Kostishin — Dr. Sci. (Phys.– Math.); Head of Department of the Technology of Electronic Materials at the MISiS</p></bio><email xlink:type="simple">drvgkostishyn@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Евстигнеева</surname><given-names>С. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Evstigneeva</surname><given-names>S. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Евстигнеева Светлана Алексеевна — студентка</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Svetlana  A. Evstigneeva — student</p></bio><email xlink:type="simple">Svetlana_Evstigneeva95@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>National University of Science and Technology «MISiS»; Moscow</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2015</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>22</day><month>10</month><year>2016</year></pub-date><volume>18</volume><issue>3</issue><fpage>201</fpage><lpage>204</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Юданов Н.А., Морченко А.Т., Панина Л.В., Костишин В.Г., Евстигнеева С.А., 2016</copyright-statement><copyright-year>2016</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Юданов Н.А., Морченко А.Т., Панина Л.В., Костишин В.Г., Евстигнеева С.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Yudanov N.A., Morchenko A.T., Panina L.V., Kostishin V.G., Evstigneeva S.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://met.misis.ru/jour/article/view/194">https://met.misis.ru/jour/article/view/194</self-uri><abstract><p>Магнитоимпедансный эффект в ферромагнитных аморфных микропроводах является идеальной основой для разработки высокочувствительных сенсоров слабых магнитных полей  с разрешением до нескольких микроэрстед. Приведены результаты исследования температурной зависимости сигнала датчиков с магниточувствительным элементом на основе аморфных кобальт−содержащих микропроводов с геликоидальной магнитной анизотропией. Также рассмотрено и влияние температурной обработки на недиагональный магнитоимпеданс (МИ) в них. Установлено; что определенные режимы отжига МИ−датчиков; включающих микро-провод с электрическими контактами и детектирующую катушку; увеличивают чувствительность выходного сигнала к осевому внешнему магнитному полю и уменьшают его зависимость от температуры.  В процессе изучения данного явления была разработана методика термической обработки датчиков на основе аморфных микропроводов и проведено исследование влияния режимов отжига на чувствительность и температурную стабильность недиагонального магнитоимпеданса в микропроводах. После проведения термообработки при температуре отжига 160 °С в течение 2—3 мин наблюдали увеличение чувствительности датчиков к осевому внешнему полю на 25 % и снижение зависимости сигнала от температуры почти в 2 раза. Эти изменения связаны с релаксацией внутренних напряжений; которые определяют эффективную магнитную анизотропию аморфного МИ−провода.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Magnetoimpedance (MI) effect in amorphous ferromagnetic microwires represents is the ideal base for sensing technology and is currently used to develop high sensitive sensors of weak  magnetic fields with a resolution up to few micro−Oersteds. The effect  of heat treatment on off−diagonal MI in glass coated ferromagnetic amorphous microwires has been studied in order to improve MI sensitivity and temperature stability. We have shown the dependence of sensor signal on temperature. The wires had Co−based composition and internal stress induced helical or circumferential anisotropy. We have demonstrated that annealing of the entire sensing element including the electric contacts and the detection coil may improve the sensitivity of the output signal  to an external magnetic field by about 25% and  decrease its temperature sensitivity almost twofold in the −30…+80 °C range. These improvements require strict control  of the annealing parameters. The best results are obtained for annealing at 160 °C for 2−3 minutes. The experimentally observed changes  are  related with stress relaxation during  annealing; in particular; relaxation of the  stresses occurring during  solidification  due  to the  difference in the  thermal expansion coefficients of the metal core  and the glass sheet.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>магнитоимпедансный датчик</kwd><kwd>недиагональный магнитоимпеданс</kwd><kwd>аморфный микропровод</kwd><kwd>геликоидальная магнитная анизотропия</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>magnetoimpedance  (MI) sensor</kwd><kwd>off−diagonal magnetoimpedance</kwd><kwd>amorphous microwire</kwd><kwd>magnetostriction</kwd><kwd>helical magnetic anisotropy</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">РФФИ; Л. В. Панина; В. С. Ларин; директору компании MFTI Ltd</funding-statement><funding-statement xml:lang="en">RFFI; L.V. Panina; V.S. Larin; Director of MFTI  Ltd.</funding-statement></funding-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Makhnovskiy; D. P. Field−dependent surface impedance tensor in amorphous wires with helical and circumferential anisotropy / D. P. Makhnovskiy; L. V. Panina; D. J. Mapps // Phys. Rev. − 2001. − V. 63. − P. 144424.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Makhnovskiy D. P.; Panina L. V.; Mapps D. J. Field−dependent surface impedance tensor in amorphous wires with  helical and circumferential anisotropy. Phys. Rev. 2001; vol. 63; p. 144424.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ipatov; M . Low−field hysteresis in the magnetoimpedance of amorphous microwires / M. Ipatov; V. Zhukova; A. Zhukov; J. Gonzalez; A. Zvezdin // Phys. Rev. − 2010. − V. 81. − Р. 134421.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ipatov M.; Zhukova V.; Zhukov A.; Gonzalez  J.; Zvezdin  A. Low−field hysteresis in the  magnetoimpedance of amorphous microwires. Phys. Rev. – 2010; vol. 81. – Р.134421.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Pirota; K. Magnetic properties and giant magnetoimpedance in a CoFeSiB glass−covered microwire / K. Pirota; L. Kraus; H. Chiriac; M. Knobel // J. Magn. Mag. Mat. − 2000. − V. 221; Iss. 3. − P. 243—247.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Pirota K.; Kraus L.; Chiriac H.; Knobel M. Magnetic properties and giant magnetoimpedance in a CoFeSiB glass−covered microwire. J. Magn. Mag. Mat. 2000; vol. 221; no. 3; pp. 243—247.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Mohri; K . Super MI sensor: recent advances of amorphous wire and CMOS−IC magneto−impedance sensor / K. Mohri; Y. Honkura; L. V. Panina; T. J. Uchiyama // Nanoscience and Nanotechnology. − 2012. − V. 12. − P. 7491—7495.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Mohri K.; Honkura Y.; Panina L.V.; Uchiyama T. Super MI Sensor: Recent Advances of Amorphous Wire and CMOS−IC Magneto−Impedance Sensor. J. Nanoscience and Nanotechnology. 2012; vol. 12; pp. 7491—7495.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Uchiyama ; T. Recent advances of pico −tesla resolution magneto−impedance sensor based on amorphous wire CMOS IC MI sensor / T. Uchiyama; K. Mohri; Y. Honkura; L. V. Panina // IEEE Trans. Magn. − 2012. − V. 48. − P. 3833—3839.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Uchiyama T.; Mohri K.; Honkura Y.; Panina L.V. Recent Advances of Pico−Tesla Resolution Magneto−Impedance Sensor Basedon Amorphous Wire CMOS IC MI Sensor. IEEE Trans.  Magn. 2012; vol. 48; pp. 3833—3839.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Zhukova; V. Optimization of giant magnetoimpedance in Co−rich amorphous microwires / V. Zhukova; A. Chizhik; A. Zhukov; A. Torcunov; V. Larin; J. Gonzalez // IEEE Trans. Magn. − 2002. − V. 38. − P. 3090—3092.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Zhukova V.; Chizhik  A.; Zhukov A.; Torcunov A.; Larin V.; Gonzalez  J. Optimization of Giant Magnetoimpedance in Co−rich Amorphous Microwires. IEEE Trans. Magn. 2002; vol. 38; pp.  3090—3092.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Chiriac; H. Magnetoelastic anisotropy of amorphous microwires / H. Chiriac; T. A. Ovari; A. Zhukov // J. Magn. Mag. Mater. − 2003 − V. 11. − Р. 254—255.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Chiriac H.; Ovari T.A.; Zhukov A. Magnetoelastic anisotropy of amorphous microwires. J. Magn. Magn. Mater.  2003; vol. 11; pp. 254—255.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Talaat; A. Tailoring of magnetic properties and GMI effect of Co−rich amorphous microwires by heat treatment / A. Talaat; V. Zhukova; M. Ipatov; J. M. Blanco; L.Gonzalez−Legarreta; B. Hernando; J. J. del Val; J. Gonzalez; A. Zhukov // J. Appl. Phys. − 2014. − V. 41. − P. 115.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Talaat A.; Zhukova V.; Ipatov M.; Blanco  J. M.; Gonzalez−Legarreta L.; Hernando B.; del Val J. J.; Gonzalez J.; Zhukov A. Tailoring of magnetic properties and GMI effect of Co−rich amorphous microwires by heat treatment. J. Appl.  Phys. 2014; vol. 41; p. 115.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Zhukov; A . Tailoring of magnetic anisotropy of Fe –rich microwires by stress induced anisotropy / A. Zhukov; V. Zhukova; V. Larin; J. M. Blanco; J. Gonzalez // Phys. Rev. − 2006. − V. 24 − P. 384.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Zhukov A.; Zhukova V.; Larin V.; Blanco  J.M.; Gonzalez  J. Tailoring of magnetic anisotropy of Fe−rich microwires by stress induced anisotropy. Phys. Rev. 2006; vol. 24; p. 384.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Zhukov; A. Tuning of magnetic properties and GMI effect of Co−based amorphous microwires by annealing / A. Zhukov; A. Talaat; J. M. Blanco; M. Ipatov; V. Zhukova // J. electronic mater. − 2014. − V. 43; N 12. − P. 4532—4539.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Zhukov A.; Talaat A.; Blanco J. M.; Ipatov M.; Zhukova V. Tuning of Magnetic Properties and GMI Effect of Co−Based Amorphous Microwires by Annealing. J. Electronic Materials. 2014; vol. 43; no. 12; pp. 4532—4539.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Zhukov; A . Magnetostriction in glass−coated magnetic microwires / A. Zhukov; V. Zhukova; J. M. Blanko; A. F. Cobeno; M. Vazques; J. Gonzalez // J. Magn. Mag. Mat. − 2003. − V. 10 − P. 151—157.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Zhu kov  A .;  Zhu kova  V.;  Blan ko  J.  M .;  Cobeno  A .  F.; Vazques M.; Gonzalez J. Magnetostriction in glass−coated magnetic microwires. J. Magn. Mag. Mat. 2003; vol. 10; pp. 151—157.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Юданов ; Н. А . Недиагональный магнитоимпеданс в аморфных проводах и его применение в миниатюрных сенсорах слабых магнитных полей / Н. А. Юданов; А. А. Рудёнок; А. В. Колесников; Л. В. Панина; А. Т. Морченко; В. Г. Костишин // Изв. РАН; сер. физич. − 2014. − Т. 78. № 11.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Yudanov N. A.; Rudyonok A. A.; Panina L. V.; Kolesnikov  A.  V.; Morchenko A. T.; Kostishyn V. G. Off−diagonal magnetoimpedance in amorphous microwire and  and  his using  in sensor by weak  magnetic flap. Izvestia RAN; seria fizicheskaia. 2014; vol.  78; no. 11. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Панина; Л. В. Использование явления недиагонального магнитоимпеданса для построения датчиков слабых магнитных полей и токов / Панина Л. В.; Юданов Н. А.; Морченко А. Т.; Костишин В. Г.; Крутогин Д. Г.; Рудёнок А. А. // Физико−химические аспекты изучения кластеров; наноструктур и наноматериалов. Межвуз. сб. науч. тр. − Тверь; 2013. − Вып. 5. С. 210—218.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Pan ina  L .  V.;  Yudanov N.  A .;  Morchen ko A .  T.;  Kostishyn V.  G.; Krutogin D. G.; Rudyonok A. A. Use the phenomena off− diagonal magnetoimpedance for building sensor by weak  magnetic flap  and  current. Fizico−Himicheskie aspekti izuchenia klasterov; nanostruktur i nanomaterialov mezhvuzovckii  sbornik nauchnih trudov. Tver’; 2013. Vol. 5; pp. 210—218.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Yudanov; N. A. High sensitivity magnetic sensors based on Off−diagonal magnetoimpedance in amorphous FeCoSiB wires / N. A. Yudanov; L. V. Panina; A. T. Morchenko; V. G. Kostishyn; P. A. Ryapolov // J. Nano− and Electronic Physics − 2013 − V. 5; N 4. − P. 04001 (4 pp).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Yudanov N.  A .;  Pan ina  L .  V.;  Morchen ko A .  T.;  Kostishyn V.  G.; Ryapolov P. A. High Sensitivity Magnetic Sensors Based on Off−diagonal Magnetoimpedance in amorphous FeCoSiB Wires. J.  Nano− and Electronic  Physics. 2013; vol. 5; no. 4; p. 04001 (4pp)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Yudanov; N. A . Effect of bias fields on off−Diagonal magnetoimpedance (MI) sensor performance / N. A. Yudanov; A. A. Rudyonok; L. V. Panina; A. V. Kolesnikov; A. T. Morchenko; V. G. Kostishyn // J. Nano− and Electronic Physics − 2014 − V. 6; N 3. − P. 03046 (4 pp).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Yudanov N.  A .;  Pan ina  L .  V.;  Morchen ko A .  T.;  Kostishyn V.  G.; Ryapolov P. A. J. Nano− and Electronic  Physics. 2013; vol. 5; p. 04004 (4 pp.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
