Маянов Евгений Павлович — генеральный директор.
Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1, Москва, 119017.
Evgeny P. Majanov — General Director.
Князев Станислав Николаевич — канд. тех. наук, старший научный сотрудник, руководитель лаборатории монокристаллов арсенида галлия.
Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1, Москва, 119017.
Stanislav N. Kniazev — Cand. Sci. (Eng.), Senior Researcher, Heard of the Department GaAs monocrystals.
Наумов Аркадий Валерьевич — старший научный сотрудник, аналитик−исследователь.
Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1, Москва, 119017.
Arkady V. Naumov — Senior Researcher, Analyst-Researcher.
5–1 B. Tolmachevsky Per., Moscow 119017.
Приведен обзор современного состояния рынка монокристаллов и пластин GaAs, а также состояние и перспективы российского рынка. Дан краткий анализ современного состояния приборов на его основе. Приведена динамика мирового производства и цен за последние годы. Описаны способы получения монокристаллов GaAs и тенденции развития технологий выращивания. Рынок подложек GaAs к 2017 г., как ожидается, составит 3,6 млн кв. дюймов и 650 млн долл. При высоких финансовых показателях рынка арсенида галлия в физических показателях мировой рынок монокристаллического GaAs останется достаточно малым по мировым меркам: ~800 тн/год и ≥800 млн. долл./год к 2020 г. На данный момент мировой рынок монокристаллов и пластин GaAs характеризуется сравнительно небольшим объемом, высокой концентрацией производственных мощностей в Китае, наличием крупных игроков, способных пережить неблагоприятную конъюнктуру. Российский рынок специальных полупроводниковых материалов (GaAs и др.) имеет небольшой по мировым меркам объем. Однако существует понимание, что для выполнения программ импортозамещения и создания современной электронной компонентной базы в России необходимо развивать производство особо чистых соединений и исходных компонентов. С 2015 г. появляются проекты под эгидой Росэлектроники по производству пластин GaAs.
A review of the current state of the GaAs market as well as the state and the prospects of the Russian market have been provided. A brief analysis of the current state of RF−devices has been given The dynamics of world GaAs production and prices for the recent years have been reported. Methods of single crystal GaAs growth and tendencies of growth technology development have been described. The market of GaAs substrates, as expected, will amount to 3.6 million sq. inches and $650 million by 2017. Despite the high financial performance of the gallium arsenide market, the physical indicators of the world single− crystal GaAs market will remain rather small compared to worldwide figures, i.e. ~ 800 t/year by 2020. At the moment, the world market of GaAs single crystals and wafers exhibits a comparatively small volume, high concentration of production capacities in China and the presence of major players capable to endure adverse conditions. Russian market of special semiconductor materials (GaAs, etc.) has a volume that is small compared to worldwide figures. However, there is an understanding that the implementation of import substitution programs and the development of advanced electronic component base in Russia require the fabrication facilities for high purity compounds and initial components. Since 2015 GaAs plate production projects have emerged under the auspices of Roselektronika.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.