mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2016-4-262-270mateltech-295Research ArticleНаноматериалы и нанотехнологииNANOMATERIALS AND NANOTECHNOLOGYСтруктурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигомStructural formation aspects of Zn–containing nanoparticles synthesized by ion implantation in Si (001) followed by thermal annealingЭйдельманК. Б.EidelmanK. B.

Эйдельман Ксения Борисовна — ассистент кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков.

Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049.

Ksenia B. Eidelman — Assistant.

4 Leninsky Prospekt, Moscow 119049.

eidelman@live.ruТабачковаН. Ю.TabachkovaN. Yu.

Табачкова Наталия Юрьевна — кандидат физико−математических наук, доцент.

Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049.

Nataliya Yu Tabachkova — Cand.  Sci (Phys.−Math.), Associate Professor.

4 Leninsky Prospekt, Moscow 119049.

ntabachkova@gmail.comЩербачевК. Д.ShcherbachevK. D.

Щербачев Кирилл Дмитриевич — кандидат физико−математических наук, ведущий инженер ЦКП «Материаловедение и металлургия».

Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049.

Kirill D. Scherbachev —Cand. Sci (Phys.− Math.), Lead Engineer.

4 Leninsky Prospekt, Moscow 119049.

chterb@gmail.comПархоменкоЮ. Н.ParkhomenkoYu. N.

Пархоменко Юрий Николаевич — доктор физико−математических наук, профессор, заведующий  кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков.

Ленинский просп., д. 4, Москва, 119049.

Yuri N. Parkhomenko — Dr. Sci.  (Phys.−Math.),  Professor, Head  of Department of the Material Science of Semiconductors and Dielectrics.

4 Leninsky Prospekt, Moscow 119049.

parkh@rambler.ruПривезенцевВ. В.PrivesentsevV. V.

Привезенцев Владимир Владимирович — кандидат технических наук, старший научный сотрудник.

Нахимовский просп., д. 34, Москва, 117218.

 

Vladimir V. Privesentsev — Cand.  Sci. (Eng.),  Senior Researcher.

34 Nakhimovsky Prospekt, Moscow 117218.

v.privezentsev@mail.ruМигуновД. М.MigunovD. M.

Мигунов Денис Михайлович — кандидат технических наук, ведущий инженер ЦКП «Микросистемная техника и электронная компонентная база».

пл. Шокина, д. 1, Москва, Зеленоград, 124498.

 

Denis M. Migunov — Cand. Sci (Eng.), Lead Engineer.

1 Shokin  Sq., Zelenograd, Moscow 124498.

climbden@gmail.comНациональный исследовательский технологический университет «МИСиС»РоссияNational University of Science and Technology MISiSRussian FederationФизико−технологический институт РАНРоссияPhysical and Technological Institute of the Russian Academy of SciencesRussian FederationНациональный исследовательский технический университет «МИЭТ»РоссияNational Research University of Electronic Technology (MIET)Russian Federation201630122016194262270Copyright © Эйдельман К.Б., Табачкова Н.Ю., Щербачев К.Д., Пархоменко Ю.Н., Привезенцев В.В., Мигунов Д.М., 20162016Эйдельман К.Б., Табачкова Н.Ю., Щербачев К.Д., Пархоменко Ю.Н., Привезенцев В.В., Мигунов Д.М.Eidelman K.B., Tabachkova N.Y., Shcherbachev K.D., Parkhomenko Y.N., Privesentsev V.V., Migunov D.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/295

Исследованы структурные превращения в приповерхностных слоях кремния после ионного  синтеза цинкосодержащих наночастиц. Рассмотрены процессы фазообразования после имплантации ионов Zn+ и двухстадийной последовательной имплантации ионами O+ и Zn+ с последующим термическим отжигом в атмосфере сухого кислорода. Для предотвращения аморфизации в процессе имплантации мишень подогревали до температуры 350 °С. После имплантации образцы подвергали термообработке в течение 1 ч в атмосфере сухого кислорода при температуре 800  °С. Структура поверхностных слоев кремния исследована методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что в результате имплантации ионов Zn+ с энергией 50 кэВ в подложку монокристаллического кремния на поверхности образуется нарушенный слой с большой концентрацией радиационных дефектов. В приповерхностном слое кремния на глубине 40 нм формируются наночастицы металлического Zn размером порядка 25 нм. Последующий отжиг при температуре 800 °C в атмосфере сухого кислорода обуславливает структурные изменения в дефектном слое и образование в приповерхностном слое кремния на глубине 25 нм частиц Zn2SiO4  со средним размером 3 нм, а также окисление уже имеющихся частиц Zn с формированием фазы Zn2SiO4. Окисление наночастиц Zn начинается с поверхности и приводит к образованию частиц со структурой типа «ядро—оболочка». Исследование фазового состава приповерхностного слоя кремния после последовательной имплантации ионами О+ и Zn+ показало, что при таком способе имплантации сразу образуются частицы  двух фаз: Zn и Zn2SiO4. Последующий отжиг при температуре 800 °С в атмосфере сухого кислорода приводит к увеличению размеров частиц, но не изменяет фазового состава поверхностного слоя кремния. При данных условиях эксперимента в результате ионного  синтеза не наблюдали образования частиц ZnO.

This work deals with structural transformations in the near− surface layers of silicon after  ion beam synthesis of zinc−containing nanoparticles. Phase formation after  Zn + ion implantation and  two−stage O+ and Zn+ ion implantation followed by thermal annealing in a dry oxygen atmosphere was studied. To avoid amorphization, we heated the substrate to 350 °C during the implantation. After implantation, we annealed the samples for 1 h in a dry oxygen  atmosphere at 800  °C. The structure of the surface silicon layers was examined by X−ray diffraction and transmission electron microscopy. We show that a disturbed near  surface layer with a large  concentration of radiation induced defects appears as  a result  of 50 keV Zn+ ion implantation. In the  as−implanted specimens, metallic  Zn nanoparticles about 25 nm in size formed at a depth of 40 nm inside  the damaged silicon layer. Subsequent annealing at 800 °C in a dry oxygenatmosphere produced structural changes in the defect layer, formed Zn2SiO4 nanoparticles at a depth of 25 nm with an average size of 3 nm and oxidized the existing Zn particles to form the Zn2SiO4  phase. The oxidation  of the metallic  Zn nanoparticles starts from the surface of the particles and leads to the formation of particles with a “core−shell” structure. Analysis of the phase composition of the silicon layer after O+ and  Zn+ ion two−stage implantation showed that Zn and  Zn2SiO4 particles formed in the  as−implanted state. Subsequent annealing at 800 °C in a dry oxygen  atmosphere increases the particle  size but does not change the phase composition of the near surface layer. ZnO nanoparticles were  not observed under the  experimental ion beam synthesis conditions..

 

ионная имплантацияцинкосодержащие наночастицынаночастицы «ядро−оболочка»виллемитion implantationzinc−containing nanoparticlescore−shell nanoparticleswillemiteЦКП «МСТ и ЭКБ» МИЭТ; Минобрнауки РФ; Roman Boettger (Научно-исследовательский Центр им. Гельмгольца Дрезден−Россендорф (HZDR), Германия)Joint Use Center for Miscrosystem Engineering and Electronics Components of the National Research University of Electronic Technology; Ministry of Education and Science of the Russian Federation; Roman Boettger of the Helmholtz Dresden−Rossendorf Research Center (HZSR), GermanyReferencesAoki, T. ZnO diode fabricated by excimer−laser doping / T. Aoki, Y. Hatanaka, D. C. Look // Appl. Phys. Lett. − 2000. − V. 76, iss. 22. − P. 3257. DOI: 10.1063/1.126599Aoki T., Hatanaka Y., Look D. C. ZnO diode fabricated by excimer−laser doping. Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 76, no. 22, pp. 3257. DOI: 10.1063/1.126599Cao, H. Random laser action in semiconductor powder/ H. Cao, Y. G. Zhao, S. T. Ho, E. W. Seelig, Q. H. Wang, R. P. H. Chang // Phys. Rev. Lett. − 1999. − V. 82, iss. 11−15. − P. 2278. DOI: 10.1103/PhysRevLett.82.2278Cao H., Zhao Y. G., Ho S. T., Seelig E . W., Wang Q. H., Chang R. P. H. Random laser action in semiconductor powder. Phys. Rev. Lett., 1999, vol. 82, no. 11–15, pp. 2278. DOI: 10.1103/PhysRev-Lett.82.2278Kawasaki, M. Excitonic ultraviolet laser emission at room temperature from naturally made cavity in ZnO nanocrytal thin films / M. Kawasaki, A. Ohtomo, I. Ohkubo, H. Koinuma, Z. K. Tang, P. Yu, G. K. L. Wong, B. P. Zhang, Y. Segawa // Materials Science and Engineering: B. − 1998. − V. 56, iss. 2–3. − P. 239—245. DOI: 10.1016/S0921−5107(98)00248−7Kawasaki M., Ohtomo A., Ohkubo I., Koinuma H., Tang Z. K., Yu P., Wong G. K. L., Zhang B. P., Segawa Y. Excitonic ultraviolet laser emission at room temperature from naturally made cavity in ZnO nanocrytal thin films. Materials Science and Engineering: B, 1998, vol. 56, no. 2–3, pp. 239—245. DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00248-7Karazhanov, S. Zh. Electronic structure and optical properties of ZnSiO3 and Zn2SiO4 / S. Zh. Karazhanov, P. Ravindran, H. Fjellvåg, B. G. Svensson // J. Appl. Phys. − 2009. − V. 106, iss. 12. − P. 123701. DOI: 10.1063/1.3268445Karazhanov S. Zh., Ravindran P., Fjellvåg H., Svensson B. G. Electronic structure and optical properties of ZnSiO3 and Zn2SiO4. J. Appl. Phys., 2009, vol. 106, no. 12, pp. 123701. DOI: 10.1063/1.3268445Yongning He. Characterizations of an X−ray detector based on a Zn2SiO4 film / Yongning He, Xiaolong Zhao, Xuyang Wang, Liang Chen, Wenbo Peng, Xiaoping Ouyang // Sensors and Actuators A. − 2015. − V. 236. − P. 98—103. DOI: 10.1016/j.sna.2015.08.022Yongning He, Xiaolong Zhao, Xuyang Wang, Liang Chen, Wenbo Peng, Xiaoping Ouyang. Characterizations of an X−ray detector based on a Zn2SiO4 film. Sensors and Actuators A, 2015, vol. 236, pp. 98—103. DOI: 10.1016/j.sna.2015.08.022Wen Chuang Wang. Capacitive humidity−sensing properties of Zn2SiO4 film grown on silicon nanoporous pillar array / Wen Chuang Wang, Yong Tao Tian, Kun Li, Er Yang Lu, Dong Shang Gong, Xin Jian Li // Appl. Surface Sci. − 2013. − V. 273. − P. 372—376 DOI: 10.1016/j.apsusc.2013.02.045Wen Chuang Wang, Yong Tao Tian, Kun Li, Er Yang Lu, Dong Shang Gong, Xin Jian Li. Capacitive humidity−sensing properties of Zn2SiO4 film grown on silicon nanoporous pillar array. Appl. Surface Sci., 2013, vol. 273, pp. 372—376 DOI: 10.1016/j.apsusc.2013.02.045Yen, W. M. Phosphor Handbook / W. M. Yen, S. Shionoya, H. Yamamoto. − Boca Raton: CRC Press, 2006. − 1080 p.Yen W. M., Shionoya S., Yamamoto H. Phosphor Handbook. Boca Raton: CRC Press, 2006. 1080 p.Chang, I. F. Energy storage effect and retrieval in manganese doped zinc silicate / I. F. Chang, G. A. Sai−Halasz, M. W. Shafer // J. Luminescence. − 1980. − V. 21, iss. 3. − P. 323—327. DOI: 10.1016/0022−2313(80)90011−3Chang I. F., Sai−Halasz G. A., Shafer M. W. Energy storage effect and retrieval in manganese doped zinc silicate. J. Luminescence, 1980, vol. 21, no. 3, pp. 323—327. DOI: 10.1016/0022-2313(80)90011-3Kong, D. Y. Sol−gel sy nthesis and character ization of Zn2SiO4:Mn2SiO2 spherical core−shell particles / D. Y. Kong, M. Yu, C. K. Lin, X. M. Liu, J. Lin, J. Fang // J. Electrochem. Soc. − 2005. − V. 152, iss. 9. − P. H146—H151. DOI: 10.1149/1.1990612Kong D. Y., Yu M., Lin C. K., Liu X. M., Lin J., Fang J. Sol−gel synthesis and characterization of Zn2SiO4:Mn2SiO2 spherical coreshell particles. J. Electrochem. Soc., 2005, vol. 152, no. 9, pp. H146—H151. DOI: 10.1149/1.1990612Osvet , A. Photoluminescent and storage properties of photostimulable core/shell type silicate nanoparticles / A. Osvet, M. Batentschuk, M. Milde, N. Lundt, C. Gellermann, S. Dembski, A. Winnacker, Ch. J. Brabec // Phys. Status Solidi C. − 2013. − V. 10, iss. 2 − P. 180—184. DOI: 10.1002/pssc.201200515Osvet A., Batentschuk M., Milde M., Lundt N., Gellermann C., Dembski S., Winnacker A., Brabec Ch. J. Photoluminescent and storage properties of photostimulable core/shell type silicate nanoparticles. Phys. Status Solidi C, 2013, vol. 10, no. 2, pp. 180—184. DOI: 10.1002/pssc.201200515Pal, U. Controlling the morphology of ZnO nanostructures in a low−temperature hydrothermal process / U. Pal, P. Santiago // J. Phys. Chem. B. − 2005. − V. 109, iss. 32. − P. 15317—15321. DOI: 10.1021/jp052496iPal U., Santiago P. Controlling the morphology of ZnO nanostr uctures in a low−temperature hydrother mal process. J. Phys. Chem. B, 2005, vol. 109, no. 32, pp. 15317—15321. DOI: 10.1021/jp052496iCheng, A.−J. Thermal chemical vapor deposition growth of zinc oxide nanostructures for dye−sensitized solar cell fabrication / An−Jen Cheng, Yonhua Tzeng, Yi Zhou, Minseo Park, Tsung−Hsueh Wu, Curtis Shannon, Dake Wang, Wonwoo Lee // Appl. Phys. Lett. − 2008. − V. 92, iss. 9. − P. 092113. DOI: 10.1063/1.2889502An−Jen Cheng, Yonhua Tzeng, Yi Zhou, Minseo Park, Tsung−Hsueh Wu, Curtis Shannon, Dake Wang, Wonwoo Lee. Thermal chemical vapor deposition growth of zinc oxide nanostructures for dye−sensitized solar cell fabrication. Appl. Phys. Lett., 2008, vol. 92, no. 9, pp. 092113. DOI: 10.1063/1.2889502Sun, H. Position and density control in hydrothermal growth of ZnO nanorod arrays through pre−formed micro/nanodots / Haikuo Sun, Ming Luo, Wenjian Weng, Kui Cheng, Piyi Du, Ge Shen and Gaorong Han // Nanotechnology. − 2008. − V. 19, iss. 39. − P. 395602. DOI: 10.1088/0957−4484/19/39/395602Haikuo Sun, Ming Luo, Wenjian Weng, Kui Cheng, Piyi Du, Ge Shen, Gaorong Han. Position and density control in hydrothermal growth of ZnO nanorod arrays through pre−formed micro/nanodots. Nanotechnology, 2008, vol. 19, no. 39, pp. 395602. DOI: 10.1088/0957-4484/19/39/395602Amekura, H. Luminescence from ZnO nanoparticles/SiO2 fabricated by ion implantation and thermal oxidation / H. Amekura, Y. Sakuma, K. Kono, Y. Takeda, N. Kishimoto, Ch. Buchal // Physica B: Condensed Matter. − 2006. − V. 376–377. − P. 760—763. DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.190Amekura H., Sakuma Y., Kono K., Takeda Y., Kishimoto N., Buchal Ch. Luminescence from ZnO nanoparticles/SiO2 fabricated by ion implantation and thermal oxidation. Physica B: Condensed Matter., 2006, vol. 376–377, pp. 760—763. DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.190Amekura, H. Zn and ZnO nanoparticles fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation, and the defect−free luminescence / H. Amekura, N. Umeda, Y. Sakuma, O. A. Plaksin, Y. Takeda, N. Kishimoto // Appl. Phys. Lett. − 2006. − V. 88, iss. 15. − P. 153119. DOI: 10.1063/1.2193327Amekura H., Umeda N., Sakuma Y., Plaksin O. A., Takeda Y., Kishimoto N. Zn and ZnO nanoparticles fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation, and the defect−free luminescence. Appl. Phys. Lett., 2006, vol. 88, no. 15, pp. 153119. DOI: 10.1063/1.2193327Pandey, B. Formation of ZnO Nanoparticles by ZnO− and O− dual beam ion implantation and thermal annealing / B. Pandey, P. R. Poudel, D. L. Weathers // Jpn. J. Appl. Phys. − 2012. − V. 51, iss. 11S. − P. 11PG03. DOI: 10.1143/JJAP.51.11PG03Pandey B., Poudel P. R., Weathers D. L. Formation of ZnO Nanoparticles by ZnO− and O−dual beam ion implantation and thermal annealing. Jpn. J. Appl. Phys., 2012, vol. 51, no. 11S, pp. 11PG03. DOI: 10.1143/JJAP.51.11PG03Amekura, H. Embedment of ZnO nanoparticles in SiO2 by ion implantation and low−temperature oxidation / H. Amekura, N. Umeda, H . Boldyryeva, N. Kishimoto, Ch . Buchal, S. Mantl // Appl. Phys. Lett. − 2007. − V. 90, iss. 083102. − P. 083102. DOI: 10.1063/1.2709509Amekura H., Umeda N., Boldyryeva H., Kishimoto N., Buchal Ch., Mantl S. Embedment of ZnO nanoparticles in SiO2 by ion implantation and low−temperature oxidation. Appl. Phys. Lett., 2007, vol. 90, no. 083102, pp. 083102. DOI: 10.1063/1.2709509Kuiri, P. K. Effects of annealing atmosphere on ZnO− ions-implanted silica glass: synthesis of Zn and ZnO nanoparticles / P. K. Kuiri, D. P. Mahapatra // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2010. − V. 43, iss. 39. − P. 395404. DOI: 10.1088/0022−3727/43/39/395404Kuiri P. K., Mahapatra D. P. Effects of annealing atmosphere on ZnO− ions−implanted silica glass: synthesis of Zn and ZnO nanoparticles. J. Phys. D: Appl. Phys., 2010, vol. 43, no. 39, pp. 395404. DOI: 10.1088/0022-3727/43/39/395404Muntele, I. ZnO nanocluster formation in SiO2 by low energy ion implantation / I. Muntele, C. Muntele, P. Thevenard, D. Ila // Surface and Coatings Technology. − 2007. − V. 201, iss. 19–20. − P. 8557—8559. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2006.01.086Muntele I., Muntele C., Thevenard P., Ila D. ZnO nanocluster formation in SiO2 by low energy ion implantation. Surface and Coatings Technology, 2007, vol. 201, no. 19–20, pp. 8557—8559. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2006.01.086Lee, J. K. Synthesis of ZnO nanocrystals by subsequent implantation of Zn and O species / J. K. Lee, C. R. Tewell, R. K. Schulze, M. Nastasi, D. W. Hamby, D. A. Lucca, H. S. Jung, K. S. Hong // Appl. Phys. Lett. − 2005. − V. 86, iss. 18. − P. 183111. DOI: 10.1063/1.1906304Lee J. K., Tewell C. R., Schulze R. K., Nastasi M., Hamby D. W., Lucca D. A., Jung H. S., Hong K. S. Synthesis of ZnO nanocrystals by subsequent implantation of Zn and O species. Appl. Phys. Lett., 2005, vol. 86, no. 18, pp. 183111. DOI: 10.1063/1.1906304Pandey, B. Temperature dependent formation of ZnO and Zn2SiO4 nanoparticles by ion implantation and thermal annealing / B. Pandey, D. L. Weathers // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. − 2014. − V. 332 − P. 359—363. DOI: 10.1016/j.nimb.2014.02.096Pandey B., Weathers D. L. Temperature dependent formation of ZnO and Zn2SiO4 nanoparticles by ion implantation and thermal annealing. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2014, vol. 332, pp. 359—363. DOI: 10.1016/j.nimb.2014.02.096Edelstein, A. S. Nanomaterials: Synthesis, Properties and Applications /A. S. Edelstein, R. C. Cammarata. − New York ; London : Taylor and Francis, 1996. − 598 p.Edelstein A. S., Cammarata R. C. Nanomaterials: Synthesis, Properties and Applications. New York; London: Taylor and Francis, 1996. 598 p.Jagadish, C. Zinc oxide bulk, Thin films and nanostructures: processing, properties and applications / C. Jagadish, S. J. Pearton. – Oxford : Elsevier, 2006. − 600 p. DOI: 10.1016/B978−008044722−3/50000−2Jagadish C., Pearton S. J. Zinc oxide bulk, Thin films and nanostructures: processing, properties and applications. Oxford: Elsevier, 2006. 600 p. DOI: 10.1016/B978-008044722-3/50000-2Colvin, V. L. Light−emitting diodes made from cadmium selenide nanocrystals and a semiconducting polymer / V. L. Colvin, M. C. Schlamp, A. P. Alivisatos // Nature. − 1994. − V. 370. − P. 354—357. DOI: 10.1038/370354a0Colvin, V. L. Light−emitting diodes made from cadmium selenide nanocrystals and a semiconducting polymer / V. L. Colvin, M. C. Schlamp, A. P. Alivisatos // Nature. − 1994. − V. 370. − P. 354—357. DOI: 10.1038/370354a0Interactions of ions with matter. URL: http://www.srim.orgInteractions of ions with matter. URL: http://www.srim.orgЭйдельман, К. Б. Формирование цинкосодержащих наночастиц в Si(001) методом ионной имплантации и последующим отжигом / К. Б. Эйдельман, К. Д. Щербачев, Н. Ю. Табачкова, В. В. Привезенцев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2016. − №. 6. − С. 31—36. DOI: 10.7868/S020735281606007XEidelman K. B., Shcherbachev K. D., Tabachkova N. Y., Privezentsev V. V. Formation of nanoparticles containing zinc in Si(001) by ion−beam implantation and subsequent annealing. Journal of Surface Investigation: X−Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2016. vol. 10, no. 3, pp. 597—602. DOI: 10.1134/S102745101603023XParsons, J. R. Displacement spike crystallization of amorphous germanium during irradiation / J. R. Parsons, R. W. Balluffi // J. Phys. Chem. Solids. − 1964. − V. 25, iss. 3. − P. 263—272. DOI: 10.1016/0022−3697(64)90106−4Parsons J. R., Balluffi R. W. Displacement spike crystallization of amorphous germanium during irradiation. J. Phys. Chem. Solids., 1964, vol. 25, no. 3, pp. 263—272. DOI: 10.1016/0022-3697(64)90106-4. Milnes , A. G . Deep impurities in semiconductors / A. G. Milnes. − New York : Wiley, 1973. − 544 p.Milnes A. G. Deep impurities in semiconductors. New York: Wiley, 1973. 544 p.The Materials Project. URL: https://materialsproject.orgThe Materials Project. URL: https://materialsproject.orgKubaschewski, O. Materials thermochemistry / O. Kubaschewski, C. Alcock, P. Spencer. − Oxford ; New York : Pergamon Press, 1993. − 363 p.Kubaschewski O., Alcock C., Spencer P. Materials thermochemistry. Oxford; New York: Pergamon Press, 1993. 363 p.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.