mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2018-1-63-64mateltech-318Research ArticleФизические свойства и методы исследованияPHYSICAL CHARACTERISTICS AND THEIR STUDYОтзыв о книге «Легирование полупроводников методом ядерных реакций» (2-е издание, дополненное) под ред. В. А. ХарченкоFeedback on the book Kharchenko V. A., Smirnov L. S., Solov’ev S. P., Stas’ V. F. Doping of semiconductors by the method of nuclear reactionsСоболевН.SobolevN.Университет АвейроПортугалияUniversity of AveiroPortugal2018220620192116364Copyright © Соболев Н., 20192019Соболев Н.Sobolev N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/318

Харченко В. А., Смирнов Л. С., Соловьев С. П., Стась В. Ф. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. LAP LAMBERT Academic Publishing, 2017. 262 с. ISBN 978-620-2-01287-4

.

ReferencesLark−Horovitz K. Nucleon bombarded semiconductors. In: Reading conference on semiconductor materials. London (England): Butterworth’s Scientific Publications, 1951, pp. 47—78. (Русский перевод: Ларк-Горовиц К. Бомбардировка полупроводников нуклонами // В сб. «Полупроводниковые материалы». Пер. с англ. под ред. В. М. Тучкевича. М.: ИЛ, 1954. С. 62—94).Lark−Horovitz K. Nucleon bombarded semiconductors. In: Reading conference on semiconductor materials. London (England): Butterworth’s Scientific Publications, 1951, pp. 47—78. (Русский перевод: Ларк-Горовиц К. Бомбардировка полупроводников нуклонами // В сб. «Полупроводниковые материалы». Пер. с англ. под ред. В. М. Тучкевича. М.: ИЛ, 1954. С. 62—94).Смирнов Л. С., Соловьев С. П., Стась В. Ф., Харченко В. А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск: Наука, 1981. 182 с.Смирнов Л. С., Соловьев С. П., Стась В. Ф., Харченко В. А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск: Наука, 1981. 182 с.Харченко В. А., Соловьев С. П. Радиационное легирование кремния // ФТП. 1971. Т. 5, № 8. С. 1641—1643.Харченко В. А., Соловьев С. П. Радиационное легирование кремния // ФТП. 1971. Т. 5, № 8. С. 1641—1643.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.