mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2012-3-25-28mateltech-33Research ArticleМатериаловедение и технология. ДиэлектрикиMATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY. DIELECTRICSПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИAdvanced Materials for AcoustoelectronicsРощупкинД. В.RoshchupkinD. V.

доктор физ.−мат. наук, зам. директора по научной работе, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6, 

rochtch@iptm.ruИржакД. В.IrzhakD. V.

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6

irzhak@iptm.ruЕмелинЕ. В.EmelinE. V.

кандидат физ.−мат. наук, научный сотрудник, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,

eemelin@iptm.ruФахртдиновР. Р.FahrtdinovR. R.

зам. директора по научной работе, аспирант, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,

rash@iptm.ruБузановО. А.BuzanovO. A.

кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, ОАО «ФОМОС Материалс», 105023, г. Москва;ул. Буженинова, д. 16

buzanov@newpiezo.comСахаровС. А.SakharovS. A.

старший научный сотрудник, ОАО «ФОМОС Материалс», 105023, г. Москва; ул. Буженинова, д. 16

sakharov@newpiezo.comФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»РоссияInstitute of Microelectronics Technology and High–Purity Materials, Russian Academy of SciencesRussian FederationФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»РоссияFOMOS Materials Co.Russian FederationОАО «ФОМОС Материалс»РоссияFOMOS Materials Co.Russian Federation201215032015032528Copyright © Рощупкин Д.В., Иржак Д.В., Емелин Е.В., Фахртдинов Р.Р., Бузанов О.А., Сахаров С.А., 20152015Рощупкин Д.В., Иржак Д.В., Емелин Е.В., Фахртдинов Р.Р., Бузанов О.А., Сахаров С.А.Roshchupkin D.V., Irzhak D.V., Emelin E.V., Fahrtdinov R.R., Buzanov O.A., Sakharov S.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/33

Представлены результаты исследования многокомпонентных пьезоэлектрических кристаллов группы лантангаллиевого силиката (лангасита). Изучены процессы синтеза и структура кристаллов. С использованием методов рентгеновской топографии и дифрактометрии исследованы акустические свойствакристаллов. Продемонстрирована возможность применения этих пьезоэлектрических кристаллов ввысокотемпературных сенсорных устройствах на поверхностных акустических волнах.

Multicomponent piezoelectric crystals of langasite family were studied. The process of crystal growth and crystal structure were investigated. X−ray diffraction and topography were used to study the acoustic properties of crystals. The possibility of application of the piezoelectric crystals in high−temperature SAW−sensors was demonstrated.

пьезоэлектрические кристаллыповерхностные акустические волныобъемные акустические волнырентгеновская топографиярентгеновская дифрактометрияpiezoelectric crystalssurface acoustic wavesbulk acoustic wavesx−ray topographyX−ray diffractionReferencesDa Cunda, M. P. Investigation on recent quartz−like materials for SAW applications / M. P. Da Cunda, S. A. Fagundes // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. − 1999. − V. 46. − P. 1583—1594.Da Cunda, M. P. Investigation on recent quartz−like materials for SAW applications / M. P. Da Cunda, S. A. Fagundes // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. − 1999. − V. 46. − P. 1583—1594.Smythe, R. C. Langasite, langanite, and langatate bulk− wave Y−cut resonators / R. C. Smythe, R. C. Helmbold, G. E. Hague, K. A. Snow // Ibid. − 2000. − V. 47. − P. 355—361.Smythe, R. C. Langasite, langanite, and langatate bulk− wave Y−cut resonators / R. C. Smythe, R. C. Helmbold, G. E. Hague, K. A. Snow // Ibid. − 2000. − V. 47. − P. 355—361.Fritze, H. Langasite for high−temperature bulk acoustic wave applications / H. Fritze, H. L. Tuller // Appl. Phys. Lett. − 2001. − V. 78. − P. 976—983.Fritze, H. Langasite for high−temperature bulk acoustic wave applications / H. Fritze, H. L. Tuller // Appl. Phys. Lett. − 2001. − V. 78. − P. 976—983.Naumenko, N. Optimal cuts of langasite, La3Ga5SiO14 for SAW devices / N. Naumenko // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. − 2001. − V. 48. − P. 530—538.Naumenko, N. Optimal cuts of langasite, La3Ga5SiO14 for SAW devices / N. Naumenko // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. − 2001. − V. 48. − P. 530—538.Roshchupkin, D. V. X−ray Bragg diffraction from langasite crystal modulated by surface acoustic wave / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, R. Tucoulou, O. A. Buzanov // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 6692—6692.Roshchupkin, D. V. X−ray Bragg diffraction from langasite crystal modulated by surface acoustic wave / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, R. Tucoulou, O. A. Buzanov // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 6692—6692.Roshchupkin, D. V. X−ray topography analysis of acoustic wave fields in the SAW−resonators structures / D. V. Roshchupkin, H. D. Roshchupkina, D. V. Irzhak // IEEE Transaction on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. − 2005. − V. 52. − P. 2081— 2087.Roshchupkin, D. V. X−ray topography analysis of acoustic wave fields in the SAW−resonators structures / D. V. Roshchupkin, H. D. Roshchupkina, D. V. Irzhak // IEEE Transaction on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. − 2005. − V. 52. − P. 2081— 2087.Roshchupkin, D. Diffraction of a focused x−ray beam from La3Ga5SiO14 crystal modulated by surface acoustic waves / D. Roshchupkin, D. Irzhak, A. Snigirev, I. Snigireva, L. Ortega, A. Sergeev // J. Appl. Phys. − 2011. − V. 110. − P. 124902(7).Roshchupkin, D. Diffraction of a focused x−ray beam from La3Ga5SiO14 crystal modulated by surface acoustic waves / D. Roshchupkin, D. Irzhak, A. Snigirev, I. Snigireva, L. Ortega, A. Sergeev // J. Appl. Phys. − 2011. − V. 110. − P. 124902(7).Roshchupkin, D. V. X−ray diffraction analysis of the surface acoustic wave propagation in langatate crystal / D. V. Roshchupkin, A. I. Erko, L. Ortega, D. V. Irzhak // J. Appl. Phys. A. − 2009. − V. 94. − P. 477—485.Roshchupkin, D. V. X−ray diffraction analysis of the surface acoustic wave propagation in langatate crystal / D. V. Roshchupkin, A. I. Erko, L. Ortega, D. V. Irzhak // J. Appl. Phys. A. − 2009. − V. 94. − P. 477—485.Roshchupkin, D. V. Investigation of structural perfection and acoustic properties of La3Ga5SiO14 crystals by high resolution x−ray diffraction, topography, and microfluorescence analysis / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, E. D. Roshchupkina, O. A. Buzanov // Crystallography Rep. − 2004. − V. 49. − P. S80—S88.Roshchupkin, D. V. Investigation of structural perfection and acoustic properties of La3Ga5SiO14 crystals by high resolution x−ray diffraction, topography, and microfluorescence analysis / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, E. D. Roshchupkina, O. A. Buzanov // Crystallography Rep. − 2004. − V. 49. − P. S80—S88.Sakharov, S. High−temperature sensor based on SAW−modulated langasite crystal / S. Sakharov, D. Roshchupkin, E. Emelin, D. Irzhak, O. Buzanov, A. Zabelin // Proc. Eng. − 2011. − V. 25. − P. 1020—1023.Sakharov, S. High−temperature sensor based on SAW−modulated langasite crystal / S. Sakharov, D. Roshchupkin, E. Emelin, D. Irzhak, O. Buzanov, A. Zabelin // Proc. Eng. − 2011. − V. 25. − P. 1020—1023.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.