<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mateltech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1609-3577</issn><issn pub-type="epub">2413-6387</issn><publisher><publisher-name>MISIS</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.17073/1609-3577-2019-4-268-271</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mateltech-364</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>MATHEMATICAL MODELING IN MATERIALS SCIENCE OF ELECTRONIC COMPONENTS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Математическое моделирование перспективных структур оксидов металлов</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Mathematical modeling of perspective structures of metal oxides</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Сеченых</surname><given-names>П. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Sechenykh</surname><given-names>P. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"/><bio xml:lang="en"/><email xlink:type="simple">p-sechenyh@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление» &#13;
Российской академии наук, &#13;
ул. Вавилова, д. 44, корп. 2, Москва, 119333, Россия;&#13;
2 Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет), &#13;
Волоколамское шоссе, д. 4, Москва, 125993, Россия</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Federal Research Centre «Information and Control» of the Russian Academy of Sciences, &#13;
44 Vavilov Str., Moscow 119333, Russia;&#13;
Moscow Aviation Institute (National Research University), &#13;
4 Volokolamskoe shosse, 4, Moscow, 125993, Russia</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2019</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>07</day><month>04</month><year>2020</year></pub-date><volume>22</volume><issue>4</issue><fpage>268</fpage><lpage>271</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Сеченых П.А., 2020</copyright-statement><copyright-year>2020</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Сеченых П.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Sechenykh P.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://met.misis.ru/jour/article/view/364">https://met.misis.ru/jour/article/view/364</self-uri><abstract><p>Данные о структуре и свойствах материалов особенно важны при работе с объектами микро- и наноразмеров из-за высокой сложности их получения. Это делает актуальным применение компьютерного моделирования для прогнозирования требуемых характеристик материалов. Электронные, магнитные, механические и другие свойства кристаллических веществ обусловлены особенностью их строения –периодичностью решетки и симметрией элементарной ячейки. В данной статье рассмотрены оксиды металлов с общими химическими формулами MeO (металлы: Ca, Cd, Mg), MeO2 (металлы: Hf, Ce, Zr), Me2O3 (металлы: Er, Nd, Sc, Mn, Tl) и Ме3О4 (на примере Fe) и кристаллической решеткой кубического типа симметрии — структурные типы NaCl (каменная соль), Fluorite (флюорит), Bixbyite (биксбиит), Spinel (шпинель) соответственно. В работе приводится описание модели ионно-атомных радиусов, которая широко применяется при моделировании кристаллических оксидов металлов. Показано применение алгоритма имитации отжига для вычисления метрических параметров рассматриваемых соединений. Представленная в работе программная реализация алгоритма позволяет по заданным химической формуле и пространственной группе симметрии определить координаты атомов, входящих в элементарную ячейку кристаллической решетки вычислить постояную решетки и плотность упаковки атомов в ячейке кристалла. Перечисленные структурные характеристики могут быть использованы как входные параметры при определении электронных, магнитных и других свойств. В статье приведено сравнение значений постоянных решетки, полученных в результате моделирования, с экспериментальными данными.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Information about the structure and properties of materials is especially important when working with micro-and nanoscale objects due to the high complexity of their obtaining. This makes it relevant to use computer modeling to predict the required characteristics of materials. Electronic, magnetic, mechanical, and other properties of crystalline substances are determined by their structure-the periodicity of the lattice and the symmetry of the unit cell. This article discusses metal oxides with the general chemical formulas MeO (metals: Ca, Cd, Mg), MeO2 (metals: Hf, Ce, Zr), Me2O3 (metals: Er, Nd, Sc, Mn, Tl) and Me3O4 (using Fe as an example) and a cubic symmetry type crystal lattice — structural types NaCl (rock salt), Fluorite, Bixbyite, Spinel accordingly. The paper describes the model of ion-atomic radii, which is widely used in the modeling of crystalline metal oxides. The application of the annealing simulation algorithm for calculating the metric parameters of the compounds under consideration is shown. The software implementation of the algorithm presented in this paper allows us to determine the coordinates of the atoms that are included in the elementary cell of the crystal lattice, calculate the lattice constant and the density of the packing of atoms in the crystal cell using the specified chemical formula and the space group symmetry. These structural characteristics can be used as input parameters for determining electronic, magnetic, and other properties. The article compares the values of lattice constants obtained as a result of modeling with experimental data.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>моделирование кристаллических структур</kwd><kwd>пространственные группы симметрии</kwd><kwd>плотная упаковка</kwd><kwd>алгоритм имитации отжига</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>modeling of crystal structures</kwd><kwd>space group symmetry</kwd><kwd>close packing</kwd><kwd>annealing simulation algorithm</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Crystal Lattice Structures. URL: https://homepage.univie.ac.at/michael.leitner/lattice/prototype.html (дата обращения: 02.11.2019).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Crystal Lattice Structures. URL: https://homepage.univie.ac.at/michael.leitner/lattice/prototype.html (accessed: 02.11.2019).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абгарян К. К. Многомасштабное моделирование в задачах структурного материаловедения. М.: МАКС Пресс, 2017. 284 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abgaryan K. K. Mnogomasshtabnoe modelirovanie v zadachakh strukturnogo materialovedeniya [Multiscale modeling in problems of structural materials science]. Moscow: MAKS Press, 2017, 284 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абгарян К. К. Вычислительные алгоритмы в задачах математического моделирования устойчивых структур кристаллических материалов. М.: МАКС Пресс, 2017. 100 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abgaryan K. K. Vychislitel’nye algoritmy v zadachakh matematicheskogo modelirovaniya ustoichivykh struktur kristallicheskikh materialov [Computational algorithms in problems of mathematical modeling of stable structures of crystalline materials]. Moscow: MAKS Press, 2017, 100 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шаскольская М. П. Кристаллография: учебник для втузов. М.: Высшая школа, 1976. 390 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shaskolskaya M. P. Kristallografiya [Crystallography]. Moscow: Vysshaya shkola, 1976, 390 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Загальская Ю. Г., Литвинская Г. П., Егоров-Тис­мен­ко Ю. К. Геометрическая кристаллография. М.: Изд-во МГУ, 1986. 168 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Zagalskaya Yu. G., Litvinskaya G. P., Egorov-Tismen­ko Yu. K. Geometricheskaya kristallografiya [Geometric crystallography]. Moscow: Izd-vo MGU, 1986, 168 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Белов Н. В. Структура ионных кристаллов и металлических фаз. М.: Изд-во Академии Наук СССР, 1947. 237 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Belov N. V. Struktura ionnykh kristallov i metallicheskikh faz [Structure of ionic crystals and metallic phases]. Moscow: Izd-vo Akademii Nauk SSSR, 1947, 237 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">De Graef M., McHenry M. Structure of materials. Cambridge University Press, 2012. 767 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">De Graef M., McHenry M. Structure of materials. Cambridge University Press, 2012, 767 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Солодовников С. Ф. Основные термины и понятия структурной кристаллографии и кристаллохимии (словарь-пособие). Новосибирск: ИНХ СО РАН, 2005. 113 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Solodovnikov S. F. Osnovnye terminy i ponyatiya strukturnoi kristallografii i kristallokhimii [Basic terms and concepts of structural crystallography and crystal chemistry]. Novosibirsk: INKh SO RAN, 2005, 113 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Metropolis N., Ulam S. The Monte Carlo method // J. American Statistical Association. 1949. V. 44, N 247. P. 335—341. DOI: 10.2307/2280232</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Metropolis N., Ulam S. The Monte Carlo method. J. American Statistical Association, 1949, vol. 44, no. 247, pp. 335—341. DOI: 10.2307/2280232</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Документация по C#. URL: https://docs.microsoft.com/ru-ru/dotnet/csharp/ (дата обращения: 02.11.2019).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Documentation on C #. URL: https://docs.microsoft.com/ru-ru/dotnet/csharp/ (access: 02.11.2019).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Hahn Th. International Tables for Crystallography. Vol. A: Space-group symmetry. Berlin; New York: Springer-Verlag, 2002. 938 p. DOI: 10.1107/97809553602060000100</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Hahn Th. International Tables for Crystallography. Vol. A: Space-group symmetry. Berlin; New York: Springer-Verlag, 2002, 938 p. DOI: 10.1107/97809553602060000100</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Space Group Diagrams and Tables. URL: http://img.chem.ucl.ac.uk/sgp/large/sgp.htm (дата обращения: 02.11.2019).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Space Group Diagrams and Tables. URL: http://img.chem.ucl.ac.uk/sgp/large/sgp.htm (accessed: 02.11.2019).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абгарян К. К., Сеченых П. А., Гаврилов Е. С. Объектно-реляционный подход к разработке системы компьютерного моделирования многомасштабной схемы расчета многослойных полупроводниковых наноструктур // Программная инженерия. 2015. № 8. С. 9—17.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abgaryan K. K., Sechenykh P. A., Gavrilov E. S. The object-relational approach to the development of a system of computer simulation of multiscale computational scheme of multilayer semiconductor nanostructures. Programmnaya inzheneriya, 2015, no. 8, pp. 9—17. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сеченых П. А., Абгарян К. К. Реляционная модель хранения данных информационной поддержки задач структурного материаловедения // Труды Второй молодежной научной конференции «Задачи современной информатики». М.: ФИЦ ИУ РАН, 2015. С. 181—186.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Sechenykh P. A., Abgaryan K. K. Relational data storage model for information support of structural materials science problems. In: Proceedings of the Second Youth Scientific Conference «Problems of Modern Informatics». Moscow: FITs IU RAN, 2015, pp. 181—186. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абгарян К. К., Бажанов Д. И., Сеченых П. А. Компьютерное моделирование кристаллической структуры и электронных свойств GaAs, GaP, GaAs0.75N0.25, GaAs0.25P0.75 (F43m) // Сб. тезисов докладов Первого Российского кристаллографического конгресса (РКК’2016). СПб.: ООО «НП-ПРИНТ», 2016. С. 52.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abgaryan K. K., Bazhanov D. I., Sechenykh P. A. Computer modeling of the crystal structure and electronic properties of GaAs, GaP, GaAs0.75N0.25, GaAs0.25P0.75 (F43m). In: Proceedings of the First Russian Crystallographic Congress (RKK’2016). Saint Petersburg: NP-PRINT LLC, 2016, p. 52. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Хьюи Дж. Неорганическая химия. Строение вещества и реакционная способность // Под ред. Б. Д. Степина, Р. А. Лидина. М.: Химия, 1987. 696 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Huheey J. E. Neorganicheskaya khimiya. Stroenie veshchestva i reaktsionnaya sposobnost’ [Inorganic chemistry. The structure of matter and reactivity]. Ed. by B. D. Stepina, R. A. Lidina. Moscow: Khimiya, 1987, 696 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">ChemSpider. URL: https://www.chemspider.com/ (дата обращения: 20.09.2019).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">ChemSpider. URL: https://www.chemspider.com/ (accessed: 20.09.2019).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Crystallography Open Database. URL: http://www.crystallography.net/cod/ (дата обращения: 20.09.2019).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Crystallography Open Database. URL: http://www.crystallography.net/cod/ (accessed: 20.09.2019).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous electron gas // Phys. Rev. B. 1964. V. 136, Iss. 3. P. 864—871. DOI: 10.1103/PhysRev.136.B864</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous electron gas. Phys. Rev. B, 1964, vol. 136, no. 3, pp. 864—871. DOI: 10.1103/PhysRev.136.B864</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kohn W., Sham L. J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects // Phys. Rev. A. 1965. V. 140, Iss. 4. P. 1133—1138. DOI: 10.1103/PhysRev.140.A1133</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kohn W., Sham L. J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects. Phys. Rev. A, 1965, vol. 140, no. 4, pp. 1133—1138. DOI: 10.1103/PhysRev.140.A1133</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
