mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2012-3-48-50mateltech-40Research ArticleЭпитаксиальные слои и многослойные композицииEPITAXIAL LAYERS AND MULTILAYERED COMPOSITIONSВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИEffect of Three–Tandem Solar Cell First Tandem Formation Conditions on Phosphorus Distribution in GermaniumКобелеваС. П.KobelevaS. P.

кандидат физ.−мат. наук, доцент, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4

kob@misis.ruАнфимовИ. М.AnfimovI. M.

инженер, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4

ilan@astelecom.ruЖалнинБ. В.ZhalninB. V.

кандидат физ.−мат. наук, НПО «Квант», г. Москва

ТороповаО. В.ToropovaO. V.

научный сотрудник, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский пр−т, д. 4

olga.trpva@rambler.ruКритскаяТ. В.KritskayaT. V.

доктор техн. наук, профессор, Запорожская государственная инженерная академия, Украина, 69006, г. Запорожье, просп. Ленина, д. 226

krytskaja@mail.ruФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»РоссияNational University of Science and Technology MISiSRussian FederationНаучно–производственное предприятие «Квант»РоссияKvant Research and Production CompanyRussian FederationЗапорожская государственная инженерная академия, УкраинаРоссияZaporozhye State Engineering Academy, UkraineRussian Federation201215032015034850Copyright © Кобелева С.П., Анфимов И.М., Жалнин Б.В., Торопова О.В., Критская Т.В., 20152015Кобелева С.П., Анфимов И.М., Жалнин Б.В., Торопова О.В., Критская Т.В.Kobeleva S.P., Anfimov I.M., Zhalnin B.V., Toropova O.V., Kritskaya T.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/40

Методом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge, представляющие собой первый каскад трехкаскадных солнечных элементов AIIIBV/Ge.P—n−переход сформирован диффузией фосфора в германий, легированный галлием. Методом ВИМС получены профили фосфора и галлия в германии. Показано, что изменение потока фосфина не влияет на характер распределения фосфора и глубину p—n−перехода в германиевом каскаде.

In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P /Ge structures for the first tandem of three−tandem A3B5/Ge solar cells were synthesized using MOS hydride epitaxy. The p—n–junction was formed by boron diffusion into gallium doped germanium. Phosphorus and gallium profiles in germanium were measured using SIMS. We show thatchanges in the phosphine flow do not affect the phosphorus distribution and the p—n–junction depth in the germanium stage.

диффузия фосфора в германиикоординатно−зависимая диффузиясолнечный элементгетероструктура InGaP/Geboron diffusion in germaniumcoordinate dependent diffusionsolar cellInGaP/Ge heterostructureReferencesКалюжный, Н. А. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge / Н. А. Калюжный, А. С. Гудовских, В. В. Евстропов, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 11. − С. 1568—1576.Калюжный, Н. А. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge / Н. А. Калюжный, А. С. Гудовских, В. В. Евстропов, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 11. − С. 1568—1576.Кобелева, С. П. Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge / С. П. Кобелева, Д. А. Кузьмин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, Б. В. Жалнин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2011.− № 2. − С. 56—60.Кобелева, С. П. Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge / С. П. Кобелева, Д. А. Кузьмин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, Б. В. Жалнин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2011.− № 2. − С. 56—60.Малкович, Р. Ш. К анализу координатно−зависимой диффузии / Р. Ш. Малкович // ЖТФ. − 2006. − Т. 76, № 2. − С. 137—140.Малкович, Р. Ш. К анализу координатно−зависимой диффузии / Р. Ш. Малкович // ЖТФ. − 2006. − Т. 76, № 2. − С. 137—140.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.