mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2020-3-203-212mateltech-408Research ArticleНаноматериалы и нанотехнологииNANOMATERIALS AND NANOTECHNOLOGYМодификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазераModification of germanium surface exposed to radiation of a nanosecond ultraviolet laserhttps://orcid.org/0000-0001-9779-3323ЖелезновВ. Ю.ZheleznovV. Yu.

Дворцовая наб., д. 18, Санкт-Петербург, 191186

Железнов Вячеслав Юрьевич — младший научный сотрудник

18 Dvortsovaya Nab., St. Petersburg 191186

Vyacheslav Yu. Zheleznov: Junior Researcher

Zheleznov@falsh.comhttps://orcid.org/0000-0001-5183-1240МалинскийТ. В.MalinskiyT. V.

Дворцовая наб., д. 18, Санкт-Петербург, 191186

Малинский Тарас Владимирович — канд. техн. наук, доцент, заведующий лабораторией (московский филиал)

18 Dvortsovaya Nab., St. Petersburg 191186

Taras V. Malinskiy: Cand. Sci. (Eng.), Associate Professor, Head of the Laboratory (Moscow Branch)

Malinsky@falsh.comhttps://orcid.org/0000-0001-6708-9140МиколуцкийС. И.MikolutskiyS. I.

Дворцовая наб., д. 18, Санкт-Петербург, 191186

Миколуцкий Сергей Иванович — канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник

18 Dvortsovaya Nab., St. Petersburg 191186

Sergey I. Mikolutskiy: Cand. Sci. (Phys.-Math.), Senior Researcher

Mikolutsky@falsh.comhttps://orcid.org/0000-0002-2980-5385РогалинВ. Е.RogalinV. E.

Дворцовая наб., д. 18, Санкт-Петербург, 191186

Рогалин Владимир Ефимович — доктор физ.-мат. наук, заведующий лабораторией,

18 Dvortsovaya Nab., St. Petersburg 191186

Vladimir E. Rogalin: Dr. Sci. (Phys.-Math.), Head of Laboratory

v-rogalin@mail.ruhttps://orcid.org/0000-0002-6054-6510ФилинС. А.FilinS. A.

Дворцовая наб., д. 18, Санкт-Петербург, 191186

Филин Сергей Александрович — канд. техн. наук, доцент, ведущий научный сотрудник

18 Dvortsovaya Nab., St. Petersburg 191186

Sergey A. Filin: Cand. Sci. (Eng.), Associate Professor, Leading Researcher (Moscow Branch)

filin@falsh.comhttps://orcid.org/0000-0003-1541-1614ХомичЮ. В.KhomichYu. V.

Дворцовая наб., д. 18, Санкт-Петербург, 191186

Хомич Юрий Владиславович — научный сотрудник

18 Dvortsovaya Nab., St. Petersburg 191186

Yuriy V. Khomich: Researcher

Khomich@falsh.comЯмщиковВ. А.YamshchikovV. A.

Дворцовая наб., д. 18, Санкт-Петербург, 191186

Ямщиков Владимир Александрович — член-корреспондент РАН, доктор техн. наук, директор Московского филиала

18 Dvortsovaya Nab., St. Petersburg 191186

Vladimir A. Yamshchikov: Corresponding Member of the Russian Academy of Sciences, Dr. Sci. (Eng.), Director of Moscow Branch

Yamshchikov@falsh.comhttps://orcid.org/0000-0002-1726-3451КаплуновИ. А.KaplunovI. A.

ул. Желябова, д. 33, Тверь, 170100

Каплунов Иван Александрович — доктор техн. наук, профессор, заведующий кафедрой прикладной физики

33 Zhelyabova Str., Tver, 170100

Ivan A. Kaplunov: Dr. Sci. (Eng.), Chief of the Department of Applied Physics

Kaplunov.IA@tversu.ruhttps://orcid.org/0000-0002-5517-2294ИвановаА. И.IvanovaA. I.

ул. Желябова, д. 33, Тверь, 170100

Иванова Александра Ивановна — канд. физ.-мат. наук, доцент

33 Zhelyabova Str., Tver, 170100

Aleksandra I. Ivanova: Cand. Sci. (Phys.-Math.), Associate Professor

ivanovaa@falsh.comИнститут электрофизики и электроэнергетики РАНРоссияInstitute of Electrophysics and Electric Power of the Russian Academy of SciencesRussian FederationТверской государственный университетРоссияTver State UniversityRussian Federation202001022021233203212Copyright © Железнов В.Ю., Малинский Т.В., Миколуцкий С.И., Рогалин В.Е., Филин С.А., Хомич Ю.В., Ямщиков В.А., Каплунов И.А., Иванова А.И., 20202020Железнов В.Ю., Малинский Т.В., Миколуцкий С.И., Рогалин В.Е., Филин С.А., Хомич Ю.В., Ямщиков В.А., Каплунов И.А., Иванова А.И.Zheleznov V.Y., Malinskiy T.V., Mikolutskiy S.I., Rogalin V.E., Filin S.A., Khomich Y.V., Yamshchikov V.A., Kaplunov I.A., Ivanova A.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/408

Методами оптической профилометрии, сканирующей электронной и зондовой микроскопии исследована модификация полированной поверхности {111} монокристаллического германия (n-тип проводимости, удельное сопротивление 47 Ом · см) в результате воздействия сфокусированным частотно-импульсным излучением наносекундного ультрафиолетового Nd : YaG лазера. Выявлено, что порог плазмообразования с образованием кратера на поверхности возникает при плотности энергии лазерного излучения Е ~ 1,2÷1,3 Дж/см2. При неподвижном положении образца при Е ~ 0,1 Дж/см2 возникали необратимые повреждения поверхности. При сканировании поверхности излучением при Е ~ 0,50÷1,15 Дж/см2, в отсутствии заметных следов кратерообразования, наблюдалось образование ямок травления с правильной трехгранной формой, концентрация которых  составляла (3—5) ⋅ 105 см-2. Фигуры напоминают дислокационные ямки травления, получаемые селективным химическим травлением.Выявление дислокаций происходило путем абляции в результате воздействия лазерного излучения. Центрами зарождения абляции являются дислокации, выходящие на поверхность кристалла. Поперечный размер ямок травления  составил ~5—10 мкм, и их перекрытие привело к чередующейся картине трехгранных пирамид, образованных плоскостями {111}. Наблюдали скругленные грани и вершины пирамид, высота профиля фигур составила ∼1—2 мкм. Линейные размеры ямок свидетельствуют о быстром протекании процесса. Исходя из суммарного времени воздействия излучения на поверхность ∼200 нc установлена скорость формирования плоских граней в ямках, которая составляет ∼0,1—0,3 м/с, что на несколько порядков превышает скорость формирования таких же граней при росте кристалла. Глубина поверхностного слоя, в котором происходило формирование структуры, составляла ∼15 мкм.

Modification of the polished {111} surface of single-crystal germanium (n-type, resistivity 47 Ohm · cm), exposed to radiation of a focused frequency-pulse nanosecond ultraviolet Nd : YaG laser, was studied by optical profilometry, scanning electron and probe microscopy. It was revealed, that the threshold of plasma formation with generation of a crater on the surface, occurs at an energy density of E ~ 1.2—1.3 J/cm2. When the sample was stationary, at E ~ 0.1 J/cm2 irreversible damage to the surface occurred. When scanning the surface with radiation at E ~ 0.50—1.15 J/cm2, in the absence of noticeable traces of crater formation, the generation of etching pits with a regular triangular shape was observed, the concentration of which was (3—5) · 105 cm2. The figures resemble dislocation-etching pits, usually obtained by selective chemical etching.Dislocations were detected by ablation because of exposure to laser radiation. The centers of ablation nucleation are dislocations that come to the crystal surface. The transverse dimension of etching pits was ~ 5—10 µm and their overlap led to an alternating picture of trihedral pyramids, formed by the {111} planes. The presented images show the rounded edges and tops of the pyramids and the height of the profile of the figures ~ 1—2 μm. The linear dimensions of the pits testify a rapid flow of the process. Based on the total time of exposure to radiation on the surface ~ 200 ns, the rate of formation of flat faces in the pits equal to ~ 0.1—0.3 m/s, which is several orders of magnitude higher, than the rate of formation of the same faces during crystal growth was established. The depth of the surface layer, in which the structure was formed, was ~ 15 μm.

УФ-лазернаносекундный импульспорог оптического пробояабляциялазерное травлениемонокристалл германияUV lasernanosecond pulseoptical breakdown thresholdablationlaser etchinggermanium single crystalРабота выполнена в рамках государственного задания по научной деятельности № 0057-2019-0005 и № 0817-2020-0007 с использованием ресурсов Центра коллективного пользования Тверского государственного университета.The work was carried out within the framework of the state assignment for scientific activity No. 0057-2019-0005 and No. 0817-2020-0007 using the resources of the Shared Use Center of Tver State University.ReferencesClaeys L., Simoen E. Germanium-based technologies: from materials to devices. Berlin: Elsevier, 2007. 480 p. DOI: 10.1016/S1369-7021(07)70279-1Claeys L., Simoen E. Germanium-based technologies: from materials to devices. Berlin: Elsevier, 2007, 480 p. DOI: 10.1016/S1369-7021(07)70279-1Bosi M., Atolini G. Germanium: Epitaxy and its application // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 2010, V. 56, N 3–4. P. 146—174. DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2010.09.002Bosi M., Atolini G. Germanium: Epitaxy and its Application. Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 2010, vol. 56, no. 3–4, pp. 146—174. DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2010.09.002Каплунов И. А., Рогалин В. Е. Оптические свойства и области применения германия в фотонике // Фотоника. 2019. Т. 13, № 1. С. 88—106. DOI: 10.22184/FRos.2019.13.1.88.106Kaplunov I. A., Rogalin V. E. Optical properties and application of germanium in photonics. Photonics, 2019, vol. 13, no. 1, pp. 88—106. DOI: 10.22184/FRos.2019.13.1.88.106Левинзон Д. И., Ровинский Р. Е., Рогалин В. Е., Рыкун Е. П., Ценина И. С., Шейхет Э. Г., Трайнин А. Л. Исследование монокристаллов профильного германия, облученных импульсным СО2-лазером // Изв. АН СССР. Сер. физическая.1979. Т. 43, № 9. С. 2001—2005.Levinzon D. I., Rovinsky R. E., Rogalin V. E., Rykun E. P., Tsenina I. S., Sheikhet E. G., Trainin A. L. Study of single crystals of profile germanium irradiated with a pulsed CO2-laser. Izv. AN USSR. Ser. fizicheskaya, 1979, vol. 43, no. 9, pp. 2001—2005. (In Russ.)Алексеев Е. Е., Казанцев С. Ю., Кононов И. Г., Рогалин В. Е., Фирсов К. Н. Двухфотонное поглощение излучения нецепного HF-лазера в монокристаллах германия // Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 124, № 6. С. 790—794. DOI: 10.21883/OS.2018.06.46082.180Alekseev E. E., Kazantsev S. Yu., Kononov I. G., Rogalin V. E., Firsov K. N. Two-photon absorption of nonchain HF laser radiation in germanium single crystals. Opt. Spectrosc., 2018, vol. 124, no. 6, pp. 821—825. DOI: 10.1134/S0030400X18060036Левинзон Д. И., Ровинский Р. Е., Рогалин В. Е., Рыкун Е. П., Ценина И. С., Шершель В. А. Поглощение ИК-излучения в германии // Материалы ІХ Совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применение в народном хозяйстве. Л.: ФТИ им. Иоффе, 1982. С. 123—126.Levinzon D. I., Rovinskii R. E., Rogalin V. E., Rykun E. P., Tsenina I. S. Shershel V. A. The absorption of IR radiation in germanium. Materialy ІX soveshchaniya po polucheniyu profilirovannykh kristallov i izdelii sposobom Stepanova i ikh primeneniyu v narodnom khozyaistve = In Proc. Ninth Conference on Obtaining Profiled Crystals and Items by the Stepanov Method and Their Application in the National Economy. Leningrad: FTI im. Ioffe, 1982, pp. 123—126. (In Russ.)Armand Pilon F. T., Lyasota A., Niquet Y.-M., Reboud V., Calvo V., Pauc N., Widiez J., Bonzon C., Hartmann J. M., Chelnokov A., Faist J., Sigg H. Lasing in strained germanium microbridges // Nature Communications. 2019. V. 10, N 1. P. 2724. DOI: 10.1038/s41467-019-10655-6Armand Pilon F. T., Lyasota A., Niquet Y.-M., Reboud V., Calvo V., Pauc N., Widiez J., Bonzon C., Hartmann J. M., Chelnokov A., Faist J., Sigg H. Lasing in strained germanium microbridges. Nature Communications, 2019, vol. 10, no. 1, p. 2724. DOI: 10.1038/s41467-019-10655-6Смирнов Ю. М., Каплунов И. А. Монокристаллы германия для инфракрасной техники // Материаловедение. 2004. Т. 5. С. 48—52.Smirnov Yu. M., Kaplunov I. A. Germanium monocrystals for infrared technology. Materialovedenie, 2004, vol. 5, pp. 48—52. (In Russ.)Коротаев В. В., Мельников Г. С., Михеев С. В., Самков В. М., Солдатов Ю. И. Основы тепловидения. СПб.: ИТМО, 2012. 122 c.Korotaev V. V., Mel’nikov G. S., Miheev S. V., Samkov V. M., Soldatov Yu. I. Osnovy teplovideniya [Fundamentals of thermal imaging]. St. Petersburg: ITMO, 2012, 122 p. (In Russ.)Mashanovich G. Z., Mitchell C. J., Penades J. S., Ali Z., Khokhar A. Z., Littlejohns C. G., Cao W., Zhibo Qu Z., Stanković S., Gardes F. Y., Masaud T. B., Chong H. M., Mittal V., Murugan G. S., James S. Wilkinson J. S., Peacock A. C., Nedeljkovic M. Germanium mid-infrared photonic devices // J. Lightwave Technol. 2017. V. 35, Iss. 4. P. 624—630. DOI: 10.1109/JLT.2016.2632301Mashanovich G. Z., Mitchell C. J., Penades J. S., Ali Z., Khokhar A. Z., Littlejohns C. G., Cao W., Zhibo Qu Z., Stanković S., Gardes F. Y., Masaud T. B., Chong H. M., Mittal V., Murugan G. S., James S. Wilkinson J. S., Peacock A. C., Nedeljkovic M. Germanium mid-infrared photonic devices. J. Lightwave Technol., 2017, vol. 35, no. 4, pp. 624—630. DOI: 10.1109/JLT.2016.2632301Shimanskii A. F., Gorodishcheva A. N., Kopytkova S. A., Kulakovskaya T. V. Thermal stability of the properties of germanium crystals for IR optics // J. Physics: Conference Series. 2019. V. 1353, Iss. 1. P. 12062. DOI: 10.1088/1742-6596/1353/1/012062Shimanskii A. F., Gorodishcheva A. N., Kopytkova S. A., Kulakovskaya T. V. Thermal stability of the properties of germanium crystals for IR optics. J. Physics: Conference Series, 2019, vol. 1353, no. 1, p. 12062. DOI: 10.1088/1742-6596/1353/1/012062Depuydt B., Theuwis A., Romandic I. Germanium: From the first application of Czochralski crystal growth to large diameter dislocation-free wafers // Mater. Sci. Semicond. Proc. 2006. V. 9, N 4. P. 437—443. DOI: 10.1016/j.mssp.2006.08.002Depuydt B., Theuwis A., Romandic I. Germanium: From the first application of Czochralski crystal growth to large diameter dislocation-free wafers. Mater. Sci. Semicond. Proc., 2006, vol. 9, no. 4, pp. 437—443. DOI: 10.1016/j.mssp.2006.08.002Ordu M., Guo J., Pack G. Ng, Shah P., Ramachandran S., Hong M. K., Ziegler L. D., Basu S. N., Erramilli S. Nonlinear optics in germanium mid-infrared fiber material: Detuning oscillations in femtosecond mid-infrared spectroscopy // AIP Advances. 2017. V. 7, N 9. P. 095125. DOI: 10.1063/1.5003027Ordu M., Guo J., Pack G. Ng, Shah P., Ramachandran S., Hong M. K., Ziegler L. D., Basu S. N., Erramilli S. Nonlinear optics in germanium mid-infrared fiber material: Detuning oscillations in femtosecond mid-infrared spectroscopy. AIP Advances, 2017, vol. 7, no. 9, p. 095125. DOI: 10.1063/1.5003027Peacock A. C., Healy N. Semiconductor optical fibres for infrared applications // Semiconductor Science and Technology. 2016. V. 31, N 10. P. 103004. DOI: 0.1088/0268-1242/31/10/103004Peacock A. C., Healy N. Semiconductor optical fibres for infrared applications: A review. Semiconductor Science and Technology, 2016, vol. 31, no. 10, p. 103004. DOI: 0.1088/0268-1242/31/10/103004Heinig K.-H. Effect of local melting on semiconductor surfaces / In: Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials. Dresden: Zentralinstitut für Kernforshung, 1985. P. 265—279.Heinig K.-H. Effect of local melting on semiconductor surfaces. In: Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials. Dresden: Zentralinstitut für Kernforshung, 1985, pp. 265—279.Harzic R. Le, Dörr D., Sauer D., Neumeier M., Epple M., Zimmermann H., Stracke F. Formation of periodic nanoripples on silicon and germanium induced by femtosecond laser pulses physics // Physics Procedia. 2011. V. 12. P. 29—36. DOI: 10.1016/j.phpro.2011.03.102Harzic R. Le, Dörr D., Sauer D., Neumeier M., Epple M., Zimmermann H., Stracke F. Formation of periodic nanoripples on silicon and germanium induced by femtosecond laser pulses physics. Physics Procedia, 2011, vol. 12, pp. 29—36. DOI: 10.1016/j.phpro.2011.03.102Qi D., Li X., Wang P., Chen S., Huang W., Li C., Huang K., Lai H. Evolution of laser-induced specific nanostructures on SiGe compounds via laser irradiation intensity tuning // IEEE Photonics Journal. 2014. V. 6, N 1. P. 2200005(1—5). DOI: 10.1109/JPHOT.2013.2294631Qi D., Li X., Wang P., Chen S., Huang W., Li C., Huang K., Lai H. Evolution of laser-induced specific nanostructures on SiGe compounds via laser irradiation intensity tuning. IEEE Photon. J., 2014, vol. 6, no. 1, p. 2200005 (5pp.). DOI: 10.1109/JPHOT.2013.2294631Vadavalli S., Valligatla S., Neelamraju B., Dar M. H., Chiasera A., Ferrari M., Desai1 N. R. Optical properties of germanium nanoparticles synthesized by pulsed laser ablation in acetone // Front. Phys. 2014. V. 2. P. 57. DOI: 10.3389/fphy.2014.00057Vadavalli S., Valligatla S., Neelamraju B., Dar M. H., Chiasera A., Ferrari M., Desai1 N. R. Optical properties of germanium nanoparticles synthesized by pulsed laser ablation in acetone. Front. Phys., 2014, vol. 2, p. 57. DOI: 10.3389/fphy.2014.00057Iqbal M. H., Bashir S., Rafique M. S., Dawood A., Akram M., Mahmood K., Hayat A., Ahmad R., Hussain T., Mahmood A. Pulsed laser ablation of germanium under vacuum and hydrogen environments at various fluences // Appl. Surf. Sci. 2015. V. 344. P. 146—158. DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.03.117Iqbal M. H., Bashir S., Rafique M. S., Dawood A., Akram M., Mahmood K., Hayat A., Ahmad R., Hussain T., Mahmood A. Pulsed laser ablation of germanium under vacuum and hydrogen environments at various fluences. Appl. Sur. Sci., 2015, vol. 344, pp. 146—158. DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.03.117Банишев А. Ф., Балыкина Е. А. Разрушение поверхности кремния и меди при импульсном и импульсно-периодическом воздействии Nd:YAG-лазера // Квантовая электроника. 1997. Т. 24, № 6. С. 557—559.Banishev A. F., Balykina E. A. Surface damage of silicon and copper by pulsed and pulse-periodic action of an Nd:YAG laser. Quantum Electron., 1997, vol. 27, no. 6, pp. 542—544. DOI: 10.1070/QE1997v027n06ABEH000985Вейко В. П., Дорофеев И. А., Калугина Т. И., Либенсон М. Н., Шандыбина Г. Д. Образование периодических структур на поверхности кремния под действием импульса неодимового лазера миллисекундной длительности // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10, № 1. С. 15—20.Veiko V. P., Dorofeev I. A., Imas Ya. A., Kalugina T. I., Libenson M. N., Shandybina G. D. Formation of periodic structures on a silicon surface by a millisecond Nd-laser pulse. Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 1984, vol. 10, no. 1, pp. 15—20. (In Russ.)Хайдуков Е. В., Храмова О. Д., Рочева В. В., Зуев Д. А., Новодворский О. А., Лотин А. А., Паршина Л. С., Поройков А. Ю., Тимофеев М. А., Унтила Г. Г. Лазерное текстурирование кремния для создания солнечных элементов // Известия вузов. Приборостроение. 2011. Т. 54, № 2. С. 26—32.Khaydukov E. V., Khramova O. D., Roch'eva V. V., Zuev D. A., Novodvorsky O. A., Lotin A. A., Parshina L. S., Poroikov A. Yu., Timofeev M. A., Untila G. G. Laser texturing of silicon for creating solar cells. Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedeniy. Priborostroenie = J. Instrument Engineering, 2011, vol. 54, no. 2, pp. 26—32. (In Russ.)Воронов В. В., Долгаев С. И., Лаврищев С. В., Лялин А. А., Смакин А. В., Шафеев Г. А. Формирование конических микроструктур при импульсном лазерном испарении твердых тел // Квантовая электроника. 2000. T. 30, № 8. C. 710—714.Voronov V. V., Dolgaev S. I., Lavrishchev S. V., Lyalin A. A., Simakin A. V., Shafeev G. A. Formation of conic microstructures upon pulsed laser evaporation of solids. Quantum Electron., 2000, vol. 30, no. 8, pp. 710—714. DOI: 10.1070/QE2000v030n08ABEH001795Бублик В. Т., Дубровина А. Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1978. 272 с.Bublik V. T., Dubrovina A. N. Metody issledovaniya struktury poluprovodnikov i metallov [Methods of studying the structure of semiconductors and metals]. Moscow: Metallurgiya, 1978, 272 p. (In Russ.)Manoj Kumar, Mavi H. S., Rath S., Shukla A. K., Vankar V. D. Fabrication of nanopatterned germanium surface by laser-induced etching: AFM, Raman and PL studies // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2008. V. 40, N 9. P. 2904—2910. DOI: 10.1016/j.physe.2008.02.007Manoj Kumar, Mavi H. S., Rath S., Shukla A. K., Vankar V. D. Fabrication of nanopatterned germanium surface by laser-induced etching: AFM, Raman and PL studies. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2008, vol. 40, no. 9, pp. 2904—2910 DOI: 10.1016/j.physe.2008.02.007Makin V. S., Pestov Yu. I., Privalov V. E. Thermal waveguide and fine scale periodic relief on the semiconductor’s surface induced by TEA CO2 laser radiation // Optical Memory and Neural Networks (Information Optics). 2012. V. 21, N 1. P. 52—61. DOI: 10.3103/S1060992X12010079Makin V. S., Pestov Yu. I., Privalov V. E. Thermal waveguide and fine scale periodic relief on the semiconductor’s surface induced by TEA CO2 laser radiation. Optical Memory and Neural Networks (Information Optics), 2012, vol. 21, no. 1, pp. 52—61. DOI: 10.3103/S1060992X12010079Конов В. И., Прохоров А. М., Сычугов В. А., Тищенко А. И., Токарев И. Н. Пространственно-временная эволюция периодических структур, индуцированных на поверхность облученных лазером твердых образцов // ЖТФ. 1983. Т. 53, Вып. 12. С. 2238—2286.Konov V. I., Prokhorov A. M., Sichugov V. A., Tischenko A. V., Tokarev V. N. Time and space evolution of the periodic structures induced onto the surface of laser-irradiated solid samples. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki = Technical Physics, 1983, vol. 53, no. 12, pp. 2238—2286. (In Russ.)Ашиккалиева К. Х. Лазерно-стимулируемые периодические структуры на поверхности монокристаллического кремния // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2013. Т. 10. № 1. С. 21—24.Asikkalieva K. H. Laser-driven periodic structures on the surface of monocrystalline silicon. Fundamental'nye problemy sovremennogo materialovedeniya, 2013, vol. 10, no. 1, pp. 21—24. (In Russ.)Ашиккалиева К. Х., Каныгина О. Н., Васильченко А. С. Модификации поверхности монокристаллического кремния при изотермическом и лазерном отжигах // Вестник Оренбургского государственного университета. 2012. № 9 (145). С. 96—100.Ashikkalieva K. H., Kanygina O. N., Vasilchenko A. S. Modifications of monocrystal silicon surface under isothermic and laser annealing. Vestnik Orenburgskogo gosudarstvennogo universiteta, 2012, no. 9, pp. 96—100. (In Russ.)Ашиккалиева К. Х., Каныгина О. Н Формирование периодических структур на поверхности монокристаллического кремния при импульсном лазерном воздействии // Деформация и разрушение материалов. 2012. № 5. С. 12—15.Ashikkalieva K. H., Kanygina O. N. Formation of periodic structures on the surface of single-crystal silicon under pulsed laser action. Deformaciya i razrushenie materialov, 2012, no. 5, pp. 12—15. (In Russ.)Поляков Д. С., Сальников Н. М., Вейко В. П., Шимко А. А., Михайлова А. А. Формирование антиотражающего микрорельефа на поверхности кремния при облучении наносекундным иттербиевым лазером // Известия вузов. Приборостроение. 2017. Т. 60, № 11. С. 1070—1076. DOI: 10.17586/0021-3454-2017-60-11-1070-1076Polyakov D. S., Salnikov N. M., Veiko V. P., Shimko A. A., Mikhaylova А. А. Formation of antireflection microrelief on silicon surface irradiated with nanosecond itterbium laser. Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedeniy. Priborostroenie = J. Instrument Engineering, 2017, vol. 60, no. 11, pp. 1070—1076. (In Russ.). DOI: 10.17586/0021-3454-2017-60-11-1070-1076Железный С. В. Модификация фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов мпульсным световым воздействием // Охрана, безопасность, связь. 2018. Т. 3, № 3. С. 18—26.Zhelezny S. V. Modification of the photoelectric properties of semiconductor materials by pulsed light. Ohrana, bezopasnost', svyaz', 2018, vol. 3, no. 3, pp. 18—26. (In Russ.)Железный С. В., Логинов В. А., Москалева Е. А. Анализ изменения морфологии поверхности полупроводниковых радиоматериалов при импульсном световом воздействии // Вестник Воронежского института МВД России. 2016. № 4. С. 210—218.Zhelezny S. V., Loginov V. A., Moskaleva E. A. Analysis of changes in the surface morphology of semiconductor radio materials under pulsed light exposure. Vestnik Voronezhskogo instituta MVD Rossii, 2016, no. 4, pp. 210—218. (In Russ.)Пат. 2501057 (РФ). Способ обработки поверхности монокристаллического кремния ориентации (111) / К. Х. Ашиккалиева, О. Н. Каныгина, 2012.Patent 2501057 (RF). Sposob obrabotki poverhnosti monokristallicheskogo kremniya orientacii (111) [A method of surface treatment of monocrystalline silicon orientation (111)]. K. H. Ashikkalieva, O. N. Kanygina, 2012.Малинский Т. В., Миколуцкий С. И., Рогалин В. Е., Хомич Ю. В., Ямщиков В. А., Каплунов И. А., Иванова А. И. Пластическая деформация меди в результате воздействия мощного ультрафиолетового наносекундного лазерного импульса // Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46, Вып. 16. С. 51—54. DOI: 10.21883/PJTF.2020.16.49856.18157Malinskiy T. V., Mikolutskiy S. I., Rogalin V. E., Khomich Yu. V., Yamshchikov V. A., Kaplunov I. A., Ivanova A. I. Plastic deformation of copper under the action of high-power nanosecond UV laser pulse. Tech. Phys. Lett., 2020, vol. 46, no. 8, pp. 831—834. DOI: 10.1134/S1063785020080234Ursu I., Mihailescu I. N., Popa Al., Prohorov A. M., Ageev V. P., Gorbunov A. A., Konov V. I. Studies of the change of a metallic surface microrelief as a result of multiple-pulse action of powerful UV laser pulses // J. Appl. Phys. 1985. V. 58, Iss. 10. P. 3909—3913. DOI: 10.1063/1.335611Ursu I., Mihailescu I. N., Popa Al., Prohorov A. M., Ageev V. P., Gorbunov A. A., Konov V. I. Studies of the change of a metallic surface microrelief as a result of multiple-pulse action of powerful UV laser pulses. J. Appl. Phys., 1985, vol. 58, no. 10, pp. 3909—3913. DOI: 10.1063/1.335611Li Y., Musaev O. R., Wrobel J. M., Kruger M. B. Laser ablation in liquids of germanium in externally applied electric fields // J. Laser Appl. 2016. V. 28, N 2. P. 22004. DOI: 10.2351/1.4940793Li Y., Musaev O. R., Wrobel J. M., Kruger M. B. Laser ablation in liquids of germanium in externally applied electric fields. J. Laser Appl., 2016, vol. 28, no. 2, p. 022004. DOI: 10.2351/1.4940793Ивлев Г. Д., Малевич В. Л. Нагрев и плавление монокристаллического германия при наносекундном лазерном воздействии // Квантовая электроника. 1988. Т. 18, № 12. С. 2584—2586.Ivlev G. D., Malevich V. L. Heating and melting of single-crystal germanium by nanosecond laser pulses. Soviet J. Quantum Electron., 1988, vol. 18, no. 12, pp. 1626—1627. DOI: 10.1070/QE1988v018n12ABEH012781ТУ 48-4-330–75. Германий монокристаллический для оптоэлектроники. Технические условия.TU 48-4-330-75. Germanij monokristallicheskij dlya optoelektroniki. Tekhnicheskie usloviya [Single-crystal germanium for optoelectronics. Technical conditions]. (In Russ.)Окатов М. А. Справочник технолога-оптика. СПб.: Политехника, 2004. 679 с.Okatov M. A. Spravochnik tekhnologa-optika [Handbook of the optical technologist]. St. Petersburg: Politekhnika, 2004, 679 p. (In Russ.)Mikolutskiy S. I., Khasaya R. R., Khomich Yu. V., Yamshchikov V. A. Formation of various types of nanostructures on germanium surface by nanosecond laser pulses // J. Physics: Conference Series. 2018. P. 012007. DOI: 10.1088/1742-6596/987/1/012007Mikolutskiy S. I., Khasaya R. R., Khomich Yu. V., Yamshchikov V. A. Formation of various types of nanostructures on germanium surface by nanosecond laser pulses. J. Phys.: Conference Series, 2018, vol. 987, p. 012007 (5 pp.). DOI: 10.1088/1742-6596/987/1/012007Железнов Ю. А., Малинский Т. В., Миколуцкий С. И., Токарев В. Н., Хасая Р. Р., Хомич Ю. В., Ямщиков В. А. Экспериментальная установка для прямого лазерного микро- и наноструктурирования поверхности твердых тел // Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2, № 3. С. 311—316.Zheleznov Yu. A., Malinskiy T. V., Mikolutskiy S. I., Tokarev V. N., Khasaya R. R., Khomich Yu. V., Yamschikov V. A. Experimental setup for direct laser micro-and nanostructuring of solid surface. Uspekhi Prikladnoi Fiziki, 2014, vol. 2, no. 3, pp. 311—316. (In Russ.)Ганин Д. В., Миколуцкий С. И., Токарев В. Н., Хомич В. Ю., Шмаков В. А., Ямщиков В. А. Образование микронных и субмикронных структур на поверхности диоксида циркония при наносекундном лазерном воздействии // Квантовая электроника. 2014. Т. 44, № 4. С. 317—321.Ganin D. V., Mikolutskiy S. I., Tokarev V. N., Khomich V. Yu. , Shmakov V. A., Yamshchikov V. A. Formation of micron and submicron structures on a zirconium oxide surface exposed to nanosecond laser radiation. Quantum Electron., 2014, vol. 44, no. 4, pp. 317—321. DOI: 10.1070/QE2014v044n04ABEH015219Анисимов С. И., Имас Я. А., Романов Г. С., Ходыко Ю. В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970. 272 с.Anisimov S. I., Imas Ya. A., Romanov G. S., Khodyko Yu. V. Dejstvie izlucheniya bol'shoj moshchnosti na metally [The effect of high-power radiation on metals]. Moscow: Nauka, 1970, 272 p. (In Russ.)Nunley T. N., Fernando N. S., Samarasingha N., Moya J. M., Nelson C. M., Medina A. A., Zollner S. Optical constants of germanium and thermally grown germanium dioxide from 0.5 to 6.6 eV via a multi-sample ellipsometry investigation // J. Vacuum Science and Technology. 2016. V. 34, N 6. P. 061205. DOI: 10.1116/1.4963075Nunley T. N., Fernando N. S., Samarasingha N., Moya J. M., Nelson C. M., Medina A. A., Zollner S. Optical constants of germanium and thermally grown germanium dioxide from 0.5 to 6.6 eV via a multi-sample ellipsometry investigation. J. Vac. Sci. Technol., 2016, vol. 34, no. 6, p. 061205. DOI: 10.1116/1.4963075Aspnes D. E., Studna A. A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B.: Condenced Matter. 1983. V. 27, N 2. P. 985—1009. DOI: 10.1103/PhysRevB.27.985Aspnes D. E., Studna A. A.. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV. Phys. Rev. B, 1983, vol. 27, no. 2, pp. 985—1009. DOI: 10.1103/PhysRevB.27.985Jellison G. E. Optical functions of GaAs, GaP, and Ge determined by two-channel polarization modulation ellipsometry // Optical Materials. 1992. V. 1, N 3. P. 151—160. DOI: 10.1016/0925-3467(92)90022-FJellison G. E. Optical functions of GaAs, GaP, and Ge determined by two-channel polarization modulation ellipsometry. Opt. Mat., 1992, vol. 1, no. 3, pp. 151—160. DOI: 10.1016/0925-3467(92)90022-FЛибенсон М. Н., Яковлев Е. Б., Шандыбина Г. Д. Взаимодействие лазерного излучения с веществом (силовая оптика). Ч. I. Поглощение лазерного излучения в веществе. СПб.: СПб ГУ ИТМО, 2008. 141 с.Libenson M. N., Yakovlev E. B., Shandybina G. D. Vzaimodeistvie lazernogo izlucheniya s veshchestvom (silovaya optika). Ch. I. Pogloshchenie lazernogo izlucheniya v veshchestve [Interaction of laser radiation with matter (power optics). Part I. Absorption of laser radiation in matter]. St. Petersburg: ITMO, 2008, 141 p. (In Russ.)Бломберген Н. Электрический пробой в твердых телах под действием лазерного излучения // Квантовая электроника. 1974. Т. 1, № 4. С. 786—805.Вlоembergen N. Electric breakdown in solids under the action of laser radiation. Quantum Electron., 1974, vol. 1, no. 4, pp. 786—805. (In Russ.)Каплунов И. А., Колесников А. И., Иванова А. И., Подкопаев О. И., Третьяков С. А., Гречишкин Р. М. Микроморфология поверхности монокристаллических слитков германия, выращенных из расплава // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. № 5. С. 89—94. DOI: 10.7868/S0207352815060128Kaplunov I. A., Kolesnikov A. I., Ivanova A. I., Podkopaev O. I., Tretiakov S. A., Grechishkin R. M. Surface micromorphology of germanium single crystal boules grown from melt. J. Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2015, vol. 9, no. 3, pp. 630—635. DOI: 10.1134/S102745101503026XКаплунов И. А., Шелопаев А. В., Колесников А. И. Структурные дефекты в монокристаллах германия // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. № 12. С. 22—25.Kaplunov I. A., Shelopaev A. V., Kolesnikov A. I. Structural defects in germanium single crystals. J. Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2010, vol. 4, no. 6, pp. 994—997. DOI: 10.1134/S1027451010060194

The authors declare that there are no conflicts of interest present.