mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2012-3-50-53mateltech-41Research ArticleЭпитаксиальные слои и многослойные композицииEPITAXIAL LAYERS AND MULTILAYERED COMPOSITIONSМОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКАQuantum efficiency simulation of InGaN/Si LEDРабиновичО. И.RabinovichO. I.

кандидат физ.−мат. наук, доцент, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4

rawork2008@mail.ruСушковВ. П.SushkovV. P.

доктор техн. наук, профессор, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»РоссияNational University of Science and Technology MISiSRussian Federation201215032015035053Copyright © Рабинович О.И., Сушков В.П., 20152015Рабинович О.И., Сушков В.П.Rabinovich O.I., Sushkov V.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/41

Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении плотности тока. Определены причины, влияющие на этот эффект. Показаны способыуменьшения падения квантового выхода и положительные результаты применения кремниевыхподложек в многокомпонентных наногетероструктурах для InGaN светоизлучающих диодов.

In this paper we investigated the effect of reducing the LED quantum efficiency at increasing the current density. Reasons influencing this effect are determined. We show methods to reduce this effect and the positive results of using the silicon substrates in nanoheterostructures for light−emitting diodes.

светодиодInGaNкремнийдеградациямоделированиеlight emitting diodeInGaNSidegradationsimulationReferencesJhou, Y. D. Nitride−based light emitting diode and photodetector dual function devices with InGaN/GaN multiple quantum well structures / Y. D. Jhou, C. H. Chen, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, P. C. Chang,. P. C. Chen, H. Hung, S. M. Wang, C. L. Yu // Solid State Electronics − 2005. − V. 49. − P. 1347—1351.Jhou, Y. D. Nitride−based light emitting diode and photodetector dual function devices with InGaN/GaN multiple quantum well structures / Y. D. Jhou, C. H. Chen, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, P. C. Chang,. P. C. Chen, H. Hung, S. M. Wang, C. L. Yu // Solid State Electronics − 2005. − V. 49. − P. 1347—1351.Gao, F. Complexes, clustering, and native−defect−assisted diffusion of aluminum in silicon / F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber // Phys. Rev. B. − 2004. − V. 70. − P. 2452081—2452088.Gao, F. Complexes, clustering, and native−defect−assisted diffusion of aluminum in silicon / F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber // Phys. Rev. B. − 2004. − V. 70. − P. 2452081—2452088.Akasaki, I. Nitride semiconductors — impact on the future world / I. Akasaki // J. Cryst. Growth. − 2002. − V. 237–239.− P. 905—911.Akasaki, I. Nitride semiconductors — impact on the future world / I. Akasaki // J. Cryst. Growth. − 2002. − V. 237–239.− P. 905—911.Pankove, J. I. Photoemission from GaN / J. I. Pankove, H. Schade // Appl. Phys. Lett. − 1974. − V. 25, N 1. − P. 53—55.Pankove, J. I. Photoemission from GaN / J. I. Pankove, H. Schade // Appl. Phys. Lett. − 1974. − V. 25, N 1. − P. 53—55.Zukauskas, A. Quaternary AlInGaN MQWs for Ultraviolet LEDs / A. Zukauskas, M. S. Shur, R. Gaska // MRS Bulletin. – 2001. − V. 10. − P. 764—769.Zukauskas, A. Quaternary AlInGaN MQWs for Ultraviolet LEDs / A. Zukauskas, M. S. Shur, R. Gaska // MRS Bulletin. – 2001. − V. 10. − P. 764—769.Basic research needs for solid−state lighting. Report of the Basic Energy Sciences Workshop on Solid−State Lighting [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.sc.doe.gov/bes/reports/ files/SSL_rpt.pdfBasic research needs for solid−state lighting. Report of the Basic Energy Sciences Workshop on Solid−State Lighting [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.sc.doe.gov/bes/reports/ files/SSL_rpt.pdfWinston, D. W. Physical simulation of optoelectronic semiconductor devices. The thesis for the Doctor of Philosophy degree. / D. W. Winston // Department of Electrical and Computer Engineering of the University of Colorado, 1996.Winston, D. W. Physical simulation of optoelectronic semiconductor devices. The thesis for the Doctor of Philosophy degree. / D. W. Winston // Department of Electrical and Computer Engineering of the University of Colorado, 1996.Рабинович, О. И. Компьютерное моделирование InGaN светодиодов / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // 5−я Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб. : Политех. ун−т, 2007. − С. 81—82.Рабинович, О. И. Компьютерное моделирование InGaN светодиодов / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // 5−я Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб. : Политех. ун−т, 2007. − С. 81—82.Rabinovich, O. I. New results of InGaN LED simulation / O. I. Rabinovich, S. G. Nikiforov, V. P. Sushkov // Proc. of SPIE V. 6468, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XV, San Jose, California, USA, 2007. − Р. 64680U−1—64680U−10.Rabinovich, O. I. New results of InGaN LED simulation / O. I. Rabinovich, S. G. Nikiforov, V. P. Sushkov // Proc. of SPIE V. 6468, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XV, San Jose, California, USA, 2007. − Р. 64680U−1—64680U−10.Таблицы свойств материалов и сборник экспериментальных данных [Электронный ресурс] / Физико−Технический Институт им. А. Ф. Иоффе РАН – Режим доступа: http://www.matprop.ru.Таблицы свойств материалов и сборник экспериментальных данных [Электронный ресурс] / Физико−Технический Институт им. А. Ф. Иоффе РАН – Режим доступа: http://www.matprop.ru.Van de Walle, Ch. G. Small valence−band offsets at GaN/InGaN heterojunctions / Ch. G. Van de Walle, J. Neugebauer // Appl.Phys. Lett. − 1997. − V. 70. − P. 2577—2579.Van de Walle, Ch. G. Small valence−band offsets at GaN/InGaN heterojunctions / Ch. G. Van de Walle, J. Neugebauer // Appl.Phys. Lett. − 1997. − V. 70. − P. 2577—2579.Adyr, F. G. Organometallic vapor phase epitaxial growth of GaN on ZrN/AlN/Si substrates / F. G. Adyr, T. E. Simpsion// Appl. Phys. Lett. − 2008. − V. 93. − Р. 023109—023111.Adyr, F. G. Organometallic vapor phase epitaxial growth of GaN on ZrN/AlN/Si substrates / F. G. Adyr, T. E. Simpsion// Appl. Phys. Lett. − 2008. − V. 93. − Р. 023109—023111.Технические данные и характеристики СИД и МКНГ / Compound Semiconductors [Электронный ресурс] – Режим доступа: http://www.compoundsemiconductor.net/csc/details. php?cat=news&id=19734144.Технические данные и характеристики СИД и МКНГ / Compound Semiconductors [Электронный ресурс] – Режим доступа: http://www.compoundsemiconductor.net/csc/details. php?cat=news&id=19734144.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.