mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2012-3-72-78mateltech-46Research ArticleАтомные структуры и методы структурных исследованийATOMIC STRUCTURES AND METHODS OF STRUCTURAL INVESTIGATIONSИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИHeterostructure Investigation Using X–ray Single–Crystal Diffractometry MethodЛютцауА. В.LutzauA. V.

кандидат техн. наук, ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27

v.lutzau@mail.ruКрымкоМ. М.KrymkoM. M.

кандидат техн. наук, ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27

pulsar@dol.ruЕнишерловаК. Л.EnisherlovaK. L.

доктор техн. наук, ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27

Enisherlova@pulsarnpp.ruТемперЭ. М.TemperE. M.

ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27

Enisherlova@pulsarnpp.ruРазгуляевИ. И.RazguliaevI. I.

кандидат техн. наук, ГУП HПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., д. 27

pulsar@dol.ruФедеральное государственное предприятие «Научно−производственное предприятие «Пульсар»РоссияFSUE «S&PE “Pulsar”»Russian Federation201215032015037278Copyright © Лютцау А.В., Крымко М.М., Енишерлова К.Л., Темпер Э.М., Разгуляев И.И., 20152015Лютцау А.В., Крымко М.М., Енишерлова К.Л., Темпер Э.М., Разгуляев И.И.Lutzau A.V., Krymko M.M., Enisherlova K.L., Temper E.M., Razguliaev I.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/46

Рассмотрены возможности использования дифрактометра XMD−300 при трех схемах съемки: скользящего первичного пучка, скользящего дифрагированного пучка, схемы θ—2θ для исследования кристаллического совершенства полупроводниковых гетероструктур (кремний−на−сапфире, кремний−на−изоляторе, ионно−легированные слои кремния, структуры AlGaN/GaN/Si). Показано, что измерения с использованием трех схем в рассеянном излучении и при точном соблюдении условия брегговской дифракции позволяют получить интерференционную картину дифракции одновременно от кристаллических решеток нескольких слоев гетероструктуры и интерференционные пики максимальной интенсивностидля каждого отдельного слоя.

The capabilities of an XMD−300 diffractometer were explored in three measurement setups, i.e. sliding primary beam, diffracted primary beam, θ–2θ setup for the crystalline perfection investigations of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurementsusing these three setups in scattered radiation and at direct validity of Bragg’s diffraction condition allowed receiving diffraction interference patterns simultaneously from the crystal lattice of several layers and interferential picks of maximum intensity for each individual layer.

КНС−структурытестовые МДП−структурыС−V−характеристикиэквивалентная схема замещениячастотно−емкостные зависимостьаккумуляцияобеднениезонная диаграммаглубокие уровниSOS−structuresC−V−characteristicsequivalent circuitfrequency−capacitance dependenceaccumulationdepletiondeep trapsband diagramReferencesКузьмин, Р. Н. Рентгеновская оптика / Р. Н. Кузьмин // Соросовский образовательный журнал. − 1997. − № 2. − С. 1—7.Кузьмин, Р. Н. Рентгеновская оптика / Р. Н. Кузьмин // Соросовский образовательный журнал. − 1997. − № 2. − С. 1—7.Enisherlova, K. L. The spatial features AlxGa1−xN/GaN heterostructures / K. L. Enisherlova, R. M. Immamov, L. M. Subbotin // Proc. of SPIE. Micro− and nanoelectronics. − 2008. − V. 7025. − P. 702518−8.Enisherlova, K. L. The spatial features AlxGa1−xN/GaN heterostructures / K. L. Enisherlova, R. M. Immamov, L. M. Subbotin // Proc. of SPIE. Micro− and nanoelectronics. − 2008. − V. 7025. − P. 702518−8.Васильев, А. Г. Исследование структур AlGaN/GaN методом рентгеновской дифрактометрии / А. Г. Васильев, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, Э. М. Темпер, Т. Ф. Русак // Электрон. техника. Полупроводниковые приборы. серия 2. − 2010. − Вып. 2(225). − С. 13—27.Васильев, А. Г. Исследование структур AlGaN/GaN методом рентгеновской дифрактометрии / А. Г. Васильев, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, Э. М. Темпер, Т. Ф. Русак // Электрон. техника. Полупроводниковые приборы. серия 2. − 2010. − Вып. 2(225). − С. 13—27.Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 270 с.Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 270 с.Bublik, V. T. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates. / V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, K. D. Shcherbachev, D. M. Pazhin // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2005. V. 38, N 10A. − P. A126—A131.Bublik, V. T. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates. / V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, K. D. Shcherbachev, D. M. Pazhin // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2005. V. 38, N 10A. − P. A126—A131.Пинскер, З. Г. Рентгеновская кристаллооптика / З. Г. Пинскер. − М. : Наука, 1982. − 390 с.Пинскер, З. Г. Рентгеновская кристаллооптика / З. Г. Пинскер. − М. : Наука, 1982. − 390 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.