mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2012-4-8-11mateltech-50Research ArticleМатериаловедение и технология. ПолупроводникиMATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY. SEMICONDUCTORSРАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И SiLayering of GeSi solid solution on the GaAs and Si substratesВенгерЕ. Ф.VengerE. F.

чл.−кор. НАН Украины заведующий отдела, Институт физики полупроводни-ков им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, просп. Науки, д. 41.

МатвееваЛ. А.MatveevaL. A.

профессор, главный научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, просп. Науки, д. 41

matveeva@isp.kiev.uaНелюбаП. Л.NelyubaP. L.

научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, просп. Науки, д. 41.

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук УкраиныУкраинаV. Lashkarov Institute of Semiconductor Physics, the National Academy of Science of UkraineUkraine20121503201504811Copyright © Венгер Е.Ф., Матвеева Л.А., Нелюба П.Л., 20152015Венгер Е.Ф., Матвеева Л.А., Нелюба П.Л.Venger E.F., Matveeva L.A., Nelyuba P.L.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/50

Изучены электронные, оптические и механические свойства гетеросистем Ge1−xSix на подложках GaAs (х = 0÷0,04) и Si (х = 0,75). Исследования проводили с помощью модуляционной спектроскопии электроотражения света для пленок и подложек, классической спектроскопии в области собственного поглощения пленок, измерения кривизны гетеросистем для определения знака и величины внутренних механических напряжений в них. Установлено изменение состава твердогo раствора с образованием новых структур как в процессе осаждения пленок, так и под влиянием γ−облучения. Найдена возможность уменьшения внутренних механических напряжений и улучшения электронных параметров пленки и подложки на границе раздела, а также получения гетеросистем с твердым раствором без деформации изгиба.

The electronic, optical and mechanical properties of heterosystems with Ge1−xSix solid solution films on the GaAs(x = 0–0.04) and Si (x = 0.75) substrates have been studied. We used electroreflectance modulation spectroscopy for the films and the substrates, classical spectroscopy in the intrinsic absorption region of the films and mechanical stress measurements in the films and in the substrate. We show that the Ge1−xSix films can change composition with the formation of other solid solution structures both during film depositionand under γ−irradiation. There is a possibility to reduce the mechanical stresses, to improve the electronic parameters of the films and the substrates at the interface, and to produce heterosystems without bending deformation.

гетероструктурытвердые растворы GeSiγ−облучениеэлетроотражениерелаксация механических напряженийheterostructuresGeSi solid solutionγ−irradiationelectroreflectancemechanical stresses relaxationReferencesКонакова, Р. В. Влияние однородности твердого раствора Ge1−xSix на выход годных ЛПД−диодов / Р. В. Конакова, Л. А. Матвеева, Ю. А. Тхорик // Материалы VI координационного совещания по исследованию и применению сплавов кремний—германий − Тбилиси, 1986. − С. 84.Конакова, Р. В. Влияние однородности твердого раствора Ge1−xSix на выход годных ЛПД−диодов / Р. В. Конакова, Л. А. Матвеева, Ю. А. Тхорик // Материалы VI координационного совещания по исследованию и применению сплавов кремний—германий − Тбилиси, 1986. − С. 84.Кардона, M. Модуляционная спектроскопия / M. Кардона − М. : Мир, 1972. − С. 100.Кардона, M. Модуляционная спектроскопия / M. Кардона − М. : Мир, 1972. − С. 100.Тягай, В. А. Электроотражение света в полупроводниках / В. А. Тягай, О. В. Снитко − Киев: Наукова думка, 1990. − С. 174.Тягай, В. А. Электроотражение света в полупроводниках / В. А. Тягай, О. В. Снитко − Киев: Наукова думка, 1990. − С. 174.Aspnes, D. E. Third−derivate modulation spectroscopy with low−field electroreflectance / D. E. Aspnes // Surf. Sci. − 1973. − V. 28. − P. 418—442.Aspnes, D. E. Third−derivate modulation spectroscopy with low−field electroreflectance / D. E. Aspnes // Surf. Sci. − 1973. − V. 28. − P. 418—442.Гофман, Р. У. Физика тонких пленок / Р. У. Гофман − М. : Мир, 1968. − Т. III. − С. 239.Гофман, Р. У. Физика тонких пленок / Р. У. Гофман − М. : Мир, 1968. − Т. III. − С. 239.Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков − М. : Мир, 1973. − Приложение II. − С. 436.Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков − М. : Мир, 1973. − Приложение II. − С. 436.Holiney, R. Yu. Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers / R. Yu. Holiney, L. A. Matveeva, E. F. Venger // Semiconductor phys., quantum electronics and optoelectronics. − 1999. − V. 2, N 4. − P. 10—12.Holiney, R. Yu. Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers / R. Yu. Holiney, L. A. Matveeva, E. F. Venger // Semiconductor phys., quantum electronics and optoelectronics. − 1999. − V. 2, N 4. − P. 10—12.Венгер, Е. Ф. Оптические свойства и энергетический спектр гетеросистемы SixGe1−x/GaAs / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева // Неорган. материалы. − 1997. − Т. 33, вып. 2. − С. 153—157.Венгер, Е. Ф. Оптические свойства и энергетический спектр гетеросистемы SixGe1−x/GaAs / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева // Неорган. материалы. − 1997. − Т. 33, вып. 2. − С. 153—157.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.