кандидат физ.−мат. наук, доцент, кафедра физики, МАДИ, 125319, г. Москва,Ленинградский просп., д. 64
кандидат хим. наук, начальник группы, НИЦ «Курчатовский институт», 123182, г. Москва, пл. акад. Курчатова, д. 1.
кандидат техн. наук, ведущий научный сотрудник, НИЦ «Курчатовскийинститут», 123182, г. Москва, пл. акад. Курчатова, д. 1.
инженер 2 кат., НИЦ «Курчатовский институт», 123182, г. Москва, пл. акад. Курчатова, д. 1
Поликристаллические пленки 3C−SiC на кремнии выращены методом CVD путем термического разложения метилтрихлорсилана в водороде при температуре 1000—1250 °С. Определены условия проведения процесса, при которых получены однородные с зеркальной поверхностью слои 3C−SiC с хорошей адгезией. Методом рентгеновской топографии исследована дефектная структура подложки монокристаллического кремния с нанесенной пленкой 3C−SiC. Установлено, что на всех проекционных топограммах контраст от упругих напряжений в точности повторяет морфологию пленки. Приповерхностные поля упругих напряжений в подложке уменьшаются по мере повышения температуры выращивания пленки 3C−SiC. Показано, что гетероструктура 3C−SiC очень чувствительна к термообработке.
Polycrystalline 3C−SiC films have been grown on silicon substrates by CVD method using Methyltrichlorosilane thermal dissociation in a hydrogen atmosphere at temperatures of 1000—1250 °С. The process parameters providing for the growth of homogeneous 3C−SiC layers with smooth surfaces and high adhesion have been determined. The defect structure of the silicon substrate with deposited 3C−SiC film has been investigated by X−ray topography. All the projector topographic patterns show that the elastic stress contrast inherits exactly the film morphology. The subsurface elastic stress fields in the substrate decrease with an increase in the 3C−SiC film growth temperature. We show that the 3C−SiC film heterostructure is highly sensitive to heat treatment.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.