Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049
Забелина Евгения Викторовна — канд. физ.-мат. наук, научный сотрудник, лаборатория «Монокристаллы и заготовки на их основе»; доцент, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков
4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049
Evgenia V. Zabelina — Сand. Sci. (Phys.-Math.), Researcher
Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049
Козлова Нина Семеновна — канд. физ.-мат. наук, ведущий эксперт, лаборатория «Монокристаллы и заготовки на их основе»
4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049
Nina S. Kozlova — Сand. Sci. (Phys.-Math.), Leading Expert
Буженинова, д. 16, стр. 1, Москва, 107023
Бузанов Олег Алексеевич — канд. техн. наук, главный науч. сотрудник
16-1 Buzheninova Str., Moscow 107023
Oleg A. Buzanov — Cand. Sci. (Eng.), Leading Researcher
Методом Чохральского из иридиевых тиглей в атмосферах аргона и аргона с кислородом выращены кристаллы лантан-галлиевого танталата La3Ga5,5Ta0,5O14, номинально чистые, легированные алюминием, кремнием, и с добавлением количества оксида галлия выше стехиометрического. Измерены спектральные зависимости пропускания T(λ) образцов этих кристаллов на UV-Vis-NIR спектрофотометре Cary-5000 в диапазоне длин волн 200—800 нм. На основании экспериментальных данных построены спектральные зависимости поглощения α(λ). На спектральных зависимостях поглощения нелегированных кристаллов, выращенных в бескислородной атмосфере, наблюдается одна слабая полоса поглощения в области длины волны λ ~ 290 нм. В случае кристаллов, полученных в атмосфере аргона с кислородом, на спектральных зависимостях поглощения наблюдаются полосы в области длин волн λ ~ 290, 360 и 480 нм. Показано, что в случае кристаллов, выращенных в бескислородной атмосфере аргона, внесение галлия выше стехиометрического состава приводит к снижению интенсивности единственной полосы поглощения при λ ~ 290 нм. Легирование алюминием кристаллов La3Ga5,5Ta0,5O14 при выращивании их в бескислородной атмосфере обуславливает существенное усиление этой полосы поглощения, дополнительно усиливаются полосы при λ ~360 и 480 нм. В случае выращивания кристаллов La3Ga5,5Ta0,5O14 в кислородсодержащей атмосфере легирование алюминием ведет к снижению интенсивности полос поглощения при λ ~ 360 и 480 нм и усилению интенсивности полосы при λ ~ 290 нм. Легирование кремнием таких кристаллов существенно ослабляет полосы при λ ~ 480 нм, также наблюдается ослабление интенсивности полос при λ ~ 290 и 360 нм.
Nominally pure lanthanum-gallium tantalate La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals doped with aluminum, silicon and gallium oxide to above stoichiometric content have been grown by the Czochralski technique in iridium crucibles in argon and in agron with addition of oxygen atmospheres. The transmittance spectra of the crystals have been measured on a Cary-5000 UV-Vis-NIR spectrophotometer in the 200–800 nm range. Absorption spectra α(λ) have been plotted on the basis of the experimental data. The absorption spectra of the undoped crystals grown in an oxygen-free atmosphere have one weak absorption band at λ ~ 290 nm. The absorption spectra of the crystals grown in an agron with addition of oxygen have absorption bands at λ ~ 290, 360 and 480 nm. We show that for the crystals grown in an oxygen-free atmosphere, gallium doping to above stoichiometric content reduces the intensity of its only λ ~ 290 nm absorption band. Aluminum doping of the La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals grown in an oxygen-free atmosphere significantly reduces the intensity of the λ ~ 290 nm absorption band and increases the intensity of the λ ~ 360 and 480 nm bands. Aluminum doping of the La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals grown in an oxygen-containing atmosphere reduces the intensity of the λ ~ 360 and 480 nm bands and increases the intensity of the λ ~ 290 nm absorption band. Silicon doping of these crystals significantly reduces the intensity of the λ ~ 480 nm band and also reduces the intensity of the λ ~ 290 and 360 nm bands.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.