mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577j.met202310.564mateltech-564Research ArticleНаноматериалы и нанотехнологииNANOMATERIALS AND NANOTECHNOLOGYПолучение кремний-углеродных пленок методом плазмохимического осаждения с индукционным ассистированиемCreattion of silicon-carbon films by induction assisted plasma chemical depositionhttps://orcid.org/0000-0001-9965-1046ТемировА. А.TemirovA. A.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Темиров Александр Анатольевич — научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Alexander A. Temirov — Researcher, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

temirov.alex@yandex.ruhttps://orcid.org/0000-0002-6569-466XКубасовИ. В.KubasovI. V.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Кубасов Илья Викторович — канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Ilya V. Kubasov — Cand. Sci. (Phys. -Math.), Senior Researcher, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

ilya.kubasov@misis.ruhttps://orcid.org/0000-0003-1090-3441ТурутинА. В.TurutinA. V.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Турутин Андрей Владимирович — канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Andrei V. Turutin — Cand. Sci. (Phys.-Math.), Senior Researcher, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

aturutin92@gmail.comhttps://orcid.org/0000-0002-1641-1731ИльинаТ. С.IlinaT. S.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Ильина Татьяна Сергеевна — научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Tatiana S. Ilina — Researcher, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

iltany94@mail.ruhttps://orcid.org/0000-0001-7185-8715КислюкА. М.KislyukA. M.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Кислюк Александр Михайлович — научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Alexander M. Kislyuk — Researcher, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

akislyuk94@gmail.comhttps://orcid.org/0000-0003-1047-3007КиселевД. А.KiselevD. A.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Киселев Дмитрий Александрович — канд. физ.-мат. наук, заведующий лабораторией, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Dmitry A. Kiselev — Cand. Sci. (Phys.-Math.), Head of the Laboratory of Physics of Oxide Ferroelectrics, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

dm.kiselev@gmail.comСкрылеваЕ. А.SkrylevaE. A.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Скрылева Елена Александровна — научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Elena A. Skryleva — Researcher, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

easkryleva@gmail.comhttps://orcid.org/0000-0002-9420-8130СоболевН. А.SobolevN. A.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049, Российская Федерация;

3810-193, Авейру, Португалия

Соболев Николай Андреевич — канд. физ.-мат. наук, научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков, лаборатория ФНС (1); доктор естественных наук, профессор, Департамент физики (2)

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049, Russian Federation;

3810-193 Aveiro, Portugal

Nikolai A. Sobolev — Cand. Sci. (Phys.-Math.), Researcher, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics (1); PhD, Professor Jubilado, Department of Physics (2)

niksob@gmail.comСалимонИ. А.SalimonI. A.

территория Инновационного Центра «Сколково», Большой б-р, д. 30, стр. 1, Москва, 121205

Салимон Игорь Алексеевич — аспирант, Center for Photonic Science and Engineering

Territory of the Innovation Center “Skolkovo", 30-1 Bolshoy Blvd, Moscow 121205

Igor A. Salimon — Postgraduate Student, Center for Photonic Science and Engineering

salimon252@yandex.ruБатрамеевН. В.BatrameevN. V.

ул. Буженинова, д. 16, Москва, 107023

Батрамеев Николай Владимирович — инженер

16 Buzheninova Str., Moscow 107023

Nikolai V. Batrameev — Engineer

batrameev1989@mail.ruhttps://orcid.org/0000-0001-9531-6072МалинковичМ. Д.MalinkovichM. D.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Малинкович Михаил Давыдовыч — канд. физ.-мат. наук, доцент, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Mikhail D. Malinkovich — Cand. Sci. (Phys.-Math.), Associate Professor, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

malinkovich@yandex.ruhttps://orcid.org/0000-0002-1970-9867ПархоменкоЮ. Н.ParkhomenkoYu. N.

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Пархоменко Юрий Николаевич — доктор физ.-мат. наук, профессор, научный руководитель, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049

Yuri N. Parkhomenko — Dr. Sci. (Phys.-Math.), Professor, Scientific Consultant, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics

parkh@rambler.ruНациональный исследовательский технологический университет «МИСИС»РоссияNational University of Science and Technology “MISIS”Russian FederationНациональный исследовательский технологический университет «МИСИС»; Университет АвейруРоссияNational University of Science and Technology “MISIS”; Universidade de AveiroRussian FederationСколковский институт науки и технологийРоссияSkolkovo Institute of Science and TechnologyRussian FederationАО «Пьезо»РоссияJSC "Piezo"Russian Federation2024251120232715665Copyright © Темиров А.А., Кубасов И.В., Турутин А.В., Ильина Т.С., Кислюк А.М., Киселев Д.А., Скрылева Е.А., Соболев Н.А., Салимон И.А., Батрамеев Н.В., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н., 20242024Темиров А.А., Кубасов И.В., Турутин А.В., Ильина Т.С., Кислюк А.М., Киселев Д.А., Скрылева Е.А., Соболев Н.А., Салимон И.А., Батрамеев Н.В., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н.Temirov A.A., Kubasov I.V., Turutin A.V., Ilina T.S., Kislyuk A.M., Kiselev D.A., Skryleva E.A., Sobolev N.A., Salimon I.A., Batrameev N.V., Malinkovich M.D., Parkhomenko Y.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/564

Кремний-углеродные пленки вызывают большой интерес как алмазоподобные материалы, сочетающие уникальные свойства — высокую твердость, адгезию к широкому классу материалов, прочность на стирание, а также химическую стойкость, низкий коэффициент трения и биосовместимость. Наличие кремния в составе позволяет существенно уменьшить внутренние механические напряжения в таких покрытиях по сравнению с алмазными. В современном производстве пленки получили применение, прежде всего, в качестве твердых смазочных материалов и защитных покрытий. Существует большое количество методик получения кремний-углеродных пленок, наибольшее распространение среди которых получили различные варианты парофазового химического осаждения. В данной работе был предложен и опробован способ синтеза кремний-углеродных пленок, основанный на применении высокочастотного индуктора для получения плазмы паров кремний-углеродной жидкости, напускаемых в камеру из внешнего источника. На подложках ситалла были получены беспримесные кремний-углеродные пленки с содержанием атомов углерода с sp3-гибридизованными орбиталями 63—65 %. Исследовался состав, шероховатость поверхности и коэффициент трения беспримесных кремний-углеродных пленок, полученных предложенным методом. Была изучена возможность реализации резистивного переключения в тонких кремний-углеродных пленках в кроссбар-структурах с металлическими электродами. 

Silicon-carbon films are of great interest as diamond-like materials combining unique properties – high hardness, adhesion to a wide class of materials, abrasion resistance, as well as chemical resistance, low coefficient of friction and biocompatibility. The presence of silicon in the composition makes it possible to significantly reduce the internal mechanical stresses in such coatings compared to diamond ones. In modern production, films have been used primarily as solid lubricants and protective coatings. There are a large number of methods for producing silicon-carbon films, the most widespread among which are various variants of vapor-phase chemical deposition. In this paper, a method for the synthesis of silicon-carbon films was proposed and tested, based on the use of a high-frequency inductor to produce a plasma of vapors of silicon-carbon liquid injected into the chamber from an external source. Pure silicon-carbon films with a carbon atom content with sp3-hybridized orbitals of 63–65% were obtained on sitall substrates. The composition, surface roughness and coefficient of friction of unalloyed silicon-carbon films obtained by the proposed method were studied. The possibility of resistive switching in thin silicon carbon films in crossbar structures with metal electrodes was studied.

кремний-углеродные пленкиалмазоподобные материалыплазмохимическое осаждениетехнологии тонких пленокsilicon-carbon filmsdiamond-like materialsplasma chemical depositionthin film technologyИсследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 21-19-00872, https://rscf.ru/project/21-19-00872/. Авторы выражают признательность Carlos Rosário за помощь в измерениях вольт-амперных характеристик.The study was carried out with financial support from the Russian Science Foundation (grant No. 21-19-00872, https://rscf.ru/project/21-19-00872/). N.A.S. was supported by the project i3N (UIDB/50025/2020, UIDP/50025/2020 and LA/P/0037/2020) which was financed by national funds through the Fundação para a Ciência e Tecnologia (FCT) and the Ministério da Educação e Ciência (MEC) of Portugal. The authors are grateful to Carlos Rosário for his help in current-voltage characteristic measurements.ReferencesMeškinis Š., Tamulevičienė A. Structure, properties and applications of diamond like nanocomposite (SiOx containing DLC) films: A review. Materials Science. 2011; 17(4): 358—370. https://doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.770Meškinis Š., Tamulevičienė A. Structure, properties and applications of diamond like nanocomposite (SiOx containing DLC) films: A review. Materials Science. 2011; 17(4): 358—370. https://doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.770Горшунов Б.П., Шупегин М.Л., Иванов В.Ю., Прохоров А.С., Спектор И.Е., Волков А.А. Инфракрасная спектроскопия алмазоподобных кремний-углеродных пленок. Журнал технической физики. 2008; 78(5): 111—116.Gorshunov B.P., Shupegin M.L., Ivanov V.Yu., Prokhorov A.S., Spektor I.E., Volkov A.A. IR spectroscopy of diamondlike silicon-carbon films. Technical Physics. 2008; 53(5): 641—645.Yu S. Neuro-inspired computing with emerging nonvolatile memorys. Proceedings of the IEEE. 2018; 106(2): 260—285. https://doi.org/10.1109/JPROC.2018.2790840Yu S. Neuro-inspired computing with emerging nonvolatile memorys. Proceedings of the IEEE. 2018; 106(2): 260—285. https://doi.org/10.1109/JPROC.2018.2790840Wan J.Z., Pollak F.H., Dorfman B.F. Micro-Raman study of diamondlike atomic-scale composite films modified by continuous wave laser annealing. Journal of Applied Physics. 1997; 81(9): 6407—6414. https://doi.org/10.1063/1.364421Wan J.Z., Pollak F.H., Dorfman B.F. Micro-Raman study of diamondlike atomic-scale composite films modified by continuous wave laser annealing. Journal of Applied Physics. 1997; 81(9): 6407—6414. https://doi.org/10.1063/1.364421Gao X., Zhang X., Wan C., Wang J., Tan X., Zeng D. Temperature-dependent resistive switching of amorphous carbon/silicon heterojunctions. Diamond and Related Materials. 2012; 22: 37—41. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2011.12.012Gao X., Zhang X., Wan C., Wang J., Tan X., Zeng D. Temperature-dependent resistive switching of amorphous carbon/silicon heterojunctions. Diamond and Related Materials. 2012; 22: 37—41. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2011.12.012Ren B., Wang L., Wang Lin., Huang J., Tang Ke, Lou Y., Yuan D., Pan Zh., Xia Y. Investigation of resistive switching in graphite-like carbon thin film for non-volatile memory applications. Vacuum. 2014; 107: 1—5. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2014.03.021Ren B., Wang L., Wang Lin., Huang J., Tang Ke, Lou Y., Yuan D., Pan Zh., Xia Y. Investigation of resistive switching in graphite-like carbon thin film for non-volatile memory applications. Vacuum. 2014; 107: 1—5. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2014.03.021Santini C.A., Sebastian A., Marchiori Ch., Jonnalagadda V.P., Dellmann L., Koelmans W.W., Rossell M.D., Rossel Ch.P., Eleftheriou Ev. Oxygenated amorphous carbon for resistive memory applications. Nature Communications. 2015; 6(1): 8600. https://doi.org/10.1038/ncomms9600Santini C.A., Sebastian A., Marchiori Ch., Jonnalagadda V.P., Dellmann L., Koelmans W.W., Rossell M.D., Rossel Ch.P., Eleftheriou Ev. Oxygenated amorphous carbon for resistive memory applications. Nature Communications. 2015; 6(1): 8600. https://doi.org/10.1038/ncomms9600Liao Y.-Y., Liao W.-B., Jaing C.-C., Chang Y.-C., Lee C.-C., Kuo C.-C. Optical properties of transparent diamond-like carbon thin films. In: Optical Interference Coatings 2016. Tucson, Arizona United States 19–24 June 2016. Washington, D.C.: OSA; 2016. P. TD.10. https://doi.org/10.1364/OIC.2016.TD.10Liao Y.-Y., Liao W.-B., Jaing C.-C., Chang Y.-C., Lee C.-C., Kuo C.-C. Optical properties of transparent diamond-like carbon thin films. In: Optical Interference Coatings 2016. Tucson, Arizona United States 19–24 June 2016. Washington, D.C.: OSA; 2016. P. TD.10. https://doi.org/10.1364/OIC.2016.TD.10Grill A. Diamond-like carbon: state of the art. Diamond and Related Materials. 199; 8(2-5): 428—434. https://doi.org/10.1016/S0925-9635(98)00262-3Grill A. Diamond-like carbon: state of the art. Diamond and Related Materials. 199; 8(2–5): 428—434. https://doi.org/10.1016/S0925-9635(98)00262-3Белогорохов А.И., Додонов А.М., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н., Смирнов А.П., Шупегин М.Л. Исследование молекулярной структуры матрицы алмазоподобных кремний-углеродных нанокомпозитов. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007; 1: 69—71.Belogorokhov A.I., Dodonov A.M., Malinkovich M.D., Parkhomenko Y.N., Smirnov A.P., Shupegin M.L. Studying of molecular structure of matrix of diamond-like silicon-carbon nanocomposites. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2007; 1: 69—71. (In Russ.)Jana S., Das S., Gangopadhyay U., Mondal A., Ghosh P. A clue to understand environmental influence on friction and wear of diamond-like nanocomposite thin film. Advances in Tribology. 2013; (1-4): 1—7. https://doi.org/10.1155/2013/352387Jana S., Das S., Gangopadhyay U., Mondal A., Ghosh P. A clue to understand environmental influence on friction and wear of diamond-like nanocomposite thin film. Advances in Tribology. 2013; (1-4): 1—7. https://doi.org/10.1155/2013/352387Hofmann D., Kunkel S., Bewilogua K., Wittorf R. From DLC to Si-DLC based layer systems with optimized properties for tribological applications. Surface and Coatings Technology. 2013; 215: 357—363. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2012.06.094Hofmann D., Kunkel S., Bewilogua K., Wittorf R. From DLC to Si-DLC based layer systems with optimized properties for tribological applications. Surface and Coatings Technology. 2013; 215: 357—363. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2012.06.094Venkatraman C., Brodbeck C., Lei R. Tribological properties of diamond-like nanocomposite coatings at high temperatures. Surface and Coatings Technology. 1999; 115(2-3): 215—221. https://doi.org/10.1016/S0257-8972(99)00241-8Venkatraman C., Brodbeck C., Lei R. Tribological properties of diamond-like nanocomposite coatings at high temperatures. Surface and Coatings Technology. 1999; 115(2–3): 215—221. https://doi.org/10.1016/S0257-8972(99)00241-8Barve S.A., Chopade S., Kar R., Chand N., Deo M.N., Biswas A., Patel N., Rao G.M., Patil D.S., Sinha S. SiOx containing diamond like carbon coatings: Effect of substrate bias during deposition. Diamond and Related Materials. 2017; 71: 63—72. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2016.12.003Barve S.A., Chopade S., Kar R., Chand N., Deo M.N., Biswas A., Patel N., Rao G.M., Patil D.S., Sinha S. SiOx containing diamond like carbon coatings: Effect of substrate bias during deposition. Diamond and Related Materials. 2017; 71: 63—72. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2016.12.003Nakazawa H., Kamata R., Miura S., Okuno S. Effects of frequency of pulsed substrate bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition. Thin Solid Films. 2015; 574: 93—98. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.11.078Nakazawa H., Kamata R., Miura S., Okuno S. Effects of frequency of pulsed substrate bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition. Thin Solid Films. 2015; 574: 93—98. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.11.078Batory D., Jedrzejczak A., Kaczorowski W., Kolodziejczyk L., Burnat B. The effect of Si incorporation on the corrosion resistance of a-C:H:SiOx coatings. Diamond and Related Materials. 2016; 67: 1—7. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2015.12.002Batory D., Jedrzejczak A., Kaczorowski W., Kolodziejczyk L., Burnat B. The effect of Si incorporation on the corrosion resistance of a-C:H:SiOx coatings. Diamond and Related Materials. 2016; 67: 1—7. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2015.12.002Lazauskas A., Grigaliunas V., Guobienė A., Puišo J., Prosyčevas I., Baltrusaitis J. Polyvinylpyrrolidone surface modification with SiOx containing amorphous hydrogenated carbon (a-C:H/SiOx) and nitrogen-doped a-C:H/SiOx films using Hall-type closed drift ion beam source. Thin Solid Films. 2013; 538: 25—31. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.11.109Lazauskas A., Grigaliunas V., Guobienė A., Puišo J., Prosyčevas I., Baltrusaitis J. Polyvinylpyrrolidone surface modification with SiOx containing amorphous hydrogenated carbon (a-C:H/SiOx) and nitrogen-doped a-C:H/SiOx films using Hall-type closed drift ion beam source. Thin Solid Films. 2013; 538: 25—31. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.11.109Santra T.S., Bhattacharyya T.K., Patel P., Tseng F.G., Barik T.K. Structural and tribological properties of diamond-like nanocomposite thin films. Surface and Coatings Technology. 2011; 206(2-3): 228—233. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2011.06.057Santra T.S., Bhattacharyya T.K., Patel P., Tseng F.G., Barik T.K. Structural and tribological properties of diamond-like nanocomposite thin films. Surface and Coatings Technology. 2011; 206(2-3): 228—233. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2011.06.057Dorfman B.F. Stabilized sp2/sp3 carbon and metal-carbon composites of atomic scale as interface and surface-controlling dielectric and conducting materials. In: Handbook of Surfaces and Interfaces of Materials. 2001; 1(8): 447—508. https://doi.org/10.1016/B978-012513910-6/50015-3Dorfman B.F. Stabilized sp2/sp3 carbon and metal-carbon composites of atomic scale as interface and surface-controlling dielectric and conducting materials. In: Handbook of Surfaces and Interfaces of Materials. 2001; 1(8): 447—508. https://doi.org/10.1016/B978-012513910-6/50015-3Yang W.J., Sekino T., Shim K.B., Niihara K., Auh K.H. Microstructure and tribological properties of SiOx/DLC films grown by PECVD. Surface and Coatings Technology. 2005; 194(1): 128—135. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2004.05.023Yang W.J., Sekino T., Shim K.B., Niihara K., Auh K.H. Microstructure and tribological properties of SiOx/DLC films grown by PECVD. Surface and Coatings Technology. 2005; 194(1): 128—135. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2004.05.023Lanza M., Philip Wong H.-S., Pop E., Ielmini D., Strukov D., Regan B.C., Larcher L., Villena M.A., Yang J.J., Goux L., Belmonte A., Yang Y., Puglisi F.M., Kang J., Magyari-Kope B., Yalon E., Kenyon A., Buckwell M., Mehonic A., Shluger A.L., Li H., Hou T.-H. A., Hudec B., Akinwande D., Ge R., Ambrogio S., Roldan J.B., Miranda E., Sune J., Pey K.L., Wu X., Raghavan N., Wu E., Lu W.D., Navarro G., Zhang W., Wu H., Li R., Holleitner A., Wurstbauer U., Lemme M.Ch., Liu M., Long Sh., Liu Q., Lv H., Padovani A., Pavan P., Valov Il., Jing X., Han T., Zhu K., Chen Sh., Hui F., Shi Y. Recommended methods to study resistive switching devices. Advanced Electronic Materials. 2019; 5(1): 1800143. https://doi.org/10.1002/aelm.201800143Lanza M., Philip Wong H.-S., Pop E., Ielmini D., Strukov D., Regan B.C., Larcher L., Villena M.A., Yang J.J., Goux L., Belmonte A., Yang Y., Puglisi F.M., Kang J., Magyari-Kope B., Yalon E., Kenyon A., Buckwell M., Mehonic A., Shluger A.L., Li H., Hou T.-H. A., Hudec B., Akinwande D., Ge R., Ambrogio S., Roldan J.B., Miranda E., Sune J., Pey K.L., Wu X., Raghavan N., Wu E., Lu W.D., Navarro G., Zhang W., Wu H., Li R., Holleitner A., Wurstbauer U., Lemme M.Ch., Liu M., Long Sh., Liu Q., Lv H., Padovani A., Pavan P., Valov Il., Jing X., Han T., Zhu K., Chen Sh., Hui F., Shi Y. Recommended methods to study resistive switching devices. Advanced Electronic Materials. 2019; 5(1): 1800143. https://doi.org/10.1002/aelm.201800143Robertson J. Diamond-like amorphous carbon. Materials Science and Engineering: R: Reports. 2002; 37(4-6): 129—281. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00005-0Robertson J. Diamond-like amorphous carbon. Materials Science and Engineering: R: Reports. 2002; 37(4-6): 129—281. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00005-0

The authors declare that there are no conflicts of interest present.