<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mateltech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1609-3577</issn><issn pub-type="epub">2413-6387</issn><publisher><publisher-name>MISIS</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.17073/1609-3577-2013-3-27-33</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mateltech-61</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Материаловедение и технология. Диэлектрики</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY. DIELECTRICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ МЕТОДОМ СТАЦИОНАРНОГО ВНЕШНЕГО НАГРЕВА</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>FORMATION OF BIDOMAIN STRUCTURE IN SINGLE CRYSTAL LITHIUM NIOBATE QAFERS USING STEADY-STATE EXTERNAL HEATING METHOD</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Быков</surname><given-names>А. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Bykov</surname><given-names>A. S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>кандидат техн. наук, ассистент, ФГА-ОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4</p></bio><email xlink:type="simple">xalexx1349@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Григорян</surname><given-names>С. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Grigoryan</surname><given-names>S. G.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Жуков</surname><given-names>Р. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zhukov</surname><given-names>R. N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Жуков Роман Николаевич — аспирант, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4</p></bio><email xlink:type="simple">rom_zhuk@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Киселев</surname><given-names>Д. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kiselev</surname><given-names>D. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4</p></bio><email xlink:type="simple">dm.kiselev@misis.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ксенич</surname><given-names>С. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Ksenich</surname><given-names>S. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4</p></bio><email xlink:type="simple">sssr007_@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Кубасов</surname><given-names>И. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kubasov</surname><given-names>I. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>студент, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4</p></bio><email xlink:type="simple">kubasov.ilya@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Малинкович</surname><given-names>М. Д.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Malinkovich</surname><given-names>M. D.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>кандидат физ.−мат. наук, доцент, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4, e−mail: malinkovich@yandex.ru</p></bio><email xlink:type="simple">malinkovich@yandex.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Пархоменко</surname><given-names>Ю. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Parhomenko</surname><given-names>Yu. N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>доктор физ.−мат. наук, профессор, зав. кафедрой ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4</p></bio><email xlink:type="simple">parkh@rambler.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>National University of Science and Technology «MISIS»</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2013</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>15</day><month>03</month><year>2015</year></pub-date><volume>0</volume><issue>3</issue><fpage>27</fpage><lpage>33</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Быков А.С., Григорян С.Г., Жуков Р.Н., Киселев Д.А., Ксенич С.В., Кубасов И.В., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н., 2015</copyright-statement><copyright-year>2015</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Быков А.С., Григорян С.Г., Жуков Р.Н., Киселев Д.А., Ксенич С.В., Кубасов И.В., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Bykov A.S., Grigoryan S.G., Zhukov R.N., Kiselev D.A., Ksenich S.V., Kubasov I.V., Malinkovich M.D., Parhomenko Y.N.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://met.misis.ru/jour/article/view/61">https://met.misis.ru/jour/article/view/61</self-uri><abstract><p>Разработан метод создания бидоменной структуры в пластинах монокристаллов ниобата лития, основанный на формировании заданного распределения градиента температуры по толщине образца путем стационарного внешнего нагрева. Нагрев пластины LiNbO3, которая помещается между двумя пластинами кремния, осуществляют за счет поглощения кремнием световой энергии ламп установки светового отжига. Схема технологической ячейки позволяет формировать и регулировать мощности тепловых потоков, входящих в сегнетоэлектрическую пластину с обеих сторон, создавая градиенты температур, необходимые для управляемого процесса образования двух доменов с направленными друг к другу векторами поляризации (доменная струк-тура «голова к голове»). Экспериментально подтверждена эффективность применения светового поглощения для формирования внешних тепловых источников, при помощи которых можно осуществлять как симметричный, так и асимметричный нагрев, определяющий положение условной поверхности с нулевым температурным градиентом и, следовательно, положение междоменной границы.В пластине LiNbO3 толщиной 1,6 мм и длиной 60 мм сформирована симметричная бидоменная структура с противоположно направленными векторами поляризации. Исследована зависимость изгибной деформации консольно закрепленного образца от электрического напряжения в интервале от −300 до +300 В амплитуда деформации составила более 35 мкм. Показана высокая линейность и повторяемость характеристики «электрическое напряжение — изгибная деформация».</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The method of bidomain structure synthesis in lithium niobate single crystal wafers based on the formation of a specific temperature gradient across the sample thickness has been developed. The lithium niobate wafer placed between two silicon wafers was heated due to the absorption of light annealing system radiation by silicon. The work cell design allows one to form and control the power of thermal fluxes entering the ferroelectric wafer thus creating temperature gradients required for a controlled process of formation of two domains with opposite polarization vectors («head to head» domain structure). The efficiency of light absorption for the formation of external thermal sources that allow one to implement symmetric and asymmetric heating, determining the position of the conditional surface with the zero temperature gradient and consequently the position of the domain boundary is experimentally confirmed.In a lithium niobate wafer 1.6 mm in thickness and 60 mm in length, a symmetrical bidomain structure with opposite polarization vectors was formed. The bending strain of cantilevered samples vs applied voltage was investigated in the -300 to +300 V voltage range, the strain amplitude being more than 35 µm. The measurements showed a high linearity and repeatability of the bias voltage vs bending strain curve.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>бидоменная структура</kwd><kwd>монокристалл ниобата лития</kwd><kwd>нагрев световым излучением</kwd><kwd>стационарные тепловые потоки</kwd><kwd>электромеханические актюаторы</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>bidomain structure</kwd><kwd>lithium niobate single crystal</kwd><kwd>light heating</kwd><kwd>stationary thermal fluxes</kwd><kwd>electromechanical actuators</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки Рос- сии (госконтракт №14.513.12.0005)</funding-statement></funding-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Blistanov, A. A. Kristally kvantovoi i nelineinoi optiki / A. A. Blistanov − M. : MISiS, 2000. − 431 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Blistanov, A. A. Kristally kvantovoi i nelineinoi optiki / A. A. Blistanov − M. : MISiS, 2000. − 431 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Parhomenko, Yu. N. Skaniruyushii zondovyi mikroskop: nekotorye novye resheniya / Yu. N. Parhomenko, M. D. Malinkovich, V. V. Antipov // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2005. − N. 4. − P. 42—49.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Parhomenko, Yu. N. Skaniruyushii zondovyi mikroskop: nekotorye novye resheniya / Yu. N. Parhomenko, M. D. Malinkovich, V. V. Antipov // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2005. − N. 4. − P. 42—49.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Antipov, V. Application of piezoelectric monocrystals in devices of precision displacement / V. Antipov, M. Malinkovich, Yu. Parkhomenko // Internat. Symp. «Micro−and nano−scale do-main structuring in ferroelectrics». − Ekaterinburg (Russia): Ural State University, 2005. − P. 48.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Antipov, V. Application of piezoelectric monocrystals in devices of precision displacement / V. Antipov, M. Malinkovich, Yu. Parkhomenko // Internat. Symp. «Micro−and nano−scale do-main structuring in ferroelectrics». − Ekaterinburg (Russia): Ural State University, 2005. − P. 48.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Antipov, V. V. Application of piezoelectric monocristals devices of exact positioning of probe microscopes / V. V. Antipov, M. D. Malinkovich, Y. N. Parkhomenko // Book of abs. 4−th Int. Conf. Solid State Crystall. − Zakopane (Poland), 2004. − P. B−53.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Antipov, V. V. Application of piezoelectric monocristals devices of exact positioning of probe microscopes / V. V. Antipov, M. D. Malinkovich, Y. N. Parkhomenko // Book of abs. 4−th Int. Conf. Solid State Crystall. − Zakopane (Poland), 2004. − P. B−53.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Antipov, V. V. Formation of bidomain structure in lithium niobate single crystals by electrothermal method / V. V. Antipov, A. S. Bykov, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parkhomenko // Ferro-electrics. − 2008. − V. 374, N 1. − P. 65—72.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Antipov, V. V. Formation of bidomain structure in lithium niobate single crystals by electrothermal method / V. V. Antipov, A. S. Bykov, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parkhomenko // Ferro-electrics. − 2008. − V. 374, N 1. − P. 65—72.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Antipov, V. V. Formirovanie bidomennoi struktury v plastinah monokristalla niobata litiya elektrotermicheskim metodom / V. V. Antipov, A. S. Bykov, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parhomenko // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2008. − N 3. − P. 18—22.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Antipov, V. V. Formirovanie bidomennoi struktury v plastinah monokristalla niobata litiya elektrotermicheskim metodom / V. V. Antipov, A. S. Bykov, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parhomenko // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2008. − N 3. − P. 18—22.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Antipov, V. V. Formirovanie bidomennoi struktury v plastinah monokristalla niobata litiya metodom impul’snogo svetovogo otzhiga / V. V. Antipov, A. S. Bykov, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parhomenko // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2009. − N. 3. − P. 23—26.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Antipov, V. V. Formirovanie bidomennoi struktury v plastinah monokristalla niobata litiya metodom impul’snogo svetovogo otzhiga / V. V. Antipov, A. S. Bykov, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parhomenko // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2009. − N. 3. − P. 23—26.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kugel, V. D. Ferroelectric domain switching in heat−treated LiNbO3 crystals / V. D. Kugel, G. Rosenman // Ferroelecrrics Lett. − 2006. − V. 15. − P. 55—60.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kugel, V. D. Ferroelectric domain switching in heat−treated LiNbO3 crystals / V. D. Kugel, G. Rosenman // Ferroelecrrics Lett. − 2006. − V. 15. − P. 55—60.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Bykov, A. S. Formirovanie bidomennoi struktury v plastinah monokristallicheskih segnetoelektrikov stacionarnym raspredeleniem temperaturnyh polei / A. S. Bykov, S. G. Grigoryan, R. N. Zhukov, D. A. Kiselev, I. V. Kubasov, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parhomenko // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2013. − N 1. − P. 11—17.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bykov, A. S. Formirovanie bidomennoi struktury v plastinah monokristallicheskih segnetoelektrikov stacionarnym raspredeleniem temperaturnyh polei / A. S. Bykov, S. G. Grigoryan, R. N. Zhukov, D. A. Kiselev, I. V. Kubasov, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parhomenko // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2013. − N 1. − P. 11—17.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Annual Book of ASTM Standards: Electrical insulation and electronics. Electronics (II). Section 10, V. 10.05, ASTM, 1990. − 750 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Annual Book of ASTM Standards: Electrical insulation and electronics. Electronics (II). Section 10, V. 10.05, ASTM, 1990. − 750 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Dzheffris, G. Metody matematicheskoi fiziki / G. Dzheffris, B. Svirls. Vyp. 3. − M. : Mir, 1970. − 344 p</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Dzheffris, G. Metody matematicheskoi fiziki / G. Dzheffris, B. Svirls. Vyp. 3. − M. : Mir, 1970. − 344 p</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
