Изучены дефектные графитовые слои, полученные на начальных стадиях формирования вертикального графена методом химического осаждения из газовой фазы усиленной микроволновой плазмой (PECVD) толщиной ≈ 20 нм и ≈ 35 нм. Температурные зависимости проводимости образцов, измеренные в интервале от 2 К до 300 К, демонстрируют полупроводниковый характер. Установлено, что в образце толщиной 20 нм механизм электротранспорта обусловлен комбинацией вклада описываемого теорией двухмерных (2D) квантовых поправок (КП) к проводимости Друде в условиях слабой локализации, доминирующих во всем температурном интервале, и обычного зонного вклада с активационным механизмом составляющего ≈8% при комнатной температуре. При увеличении толщины до 35 нм наблюдается дополнительный механизм проводимости, описываемый теорией трехмерных квантовых поправок с вкладом≈ 1,6 % при Т = 300К. Показано, что активационный механизм, несмотря на свой малый вклад в проводимость, оказывает существенное влияние на температурное изменение проводимости при Т > 200 К, сопоставимое с величиной вклада механизма 2D КП.