Исследовано влияние быстрого термического отжига в атмосфере H2 на омические свойства контакта на примере двухслойной композиции Ti/Au к р+-Si. Показано, что быстрый термический отжиг в атмосфере H2 при температуре 340 °С в течение 20 с позволяет получить омический контакт с минимальным удельным сопротивлением. Это объясняется образованием силицидов титана на границе раздела Si/Ti. Также известно образование силицидов на границе раздела других переходных металлов, таких как Ni, Pd и Cr и кремния, что определяет применимость быстрого термического отжига для получения омических контактов на их основе. На примере ограничительного диода p+—n подтверждена применимость процесса импульсной термообработки в технологиях изготовления кремниевых диодов для снижения последовательного сопротивления и как следствие повышения процента выхода годных.Кроме того, Исследовано влияние быстрого термического отжига в атмосфере H2 на уровень обратного темнового тока на примере кремниевого многоплощадочного p—i—n фоточувствительного элемента. Экспериментальные результаты показали улучшение темновых токов фоточувствительных площадок и охранного кольца фоточувствительного элемента после проведения быстрого термического отжига в атмосфере H2 при температуре 450 °С в течение 5 с и как следствие повышение процента выхода годных фотодиодов. Это объясняется уменьшением плотности поверхностных состояний и стабилизацией зарядовых свойств на границе раздела SiO2/p-Si за счет насыщения оборванных Si-связей водородом. Подтверждена применимость быстрого термического отжига в атмосфере H2 в технологиях изготовления фотодиодов на основе высокоомного p-Si для снижения темновых токов.