<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mateltech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1609-3577</issn><issn pub-type="epub">2413-6387</issn><publisher><publisher-name>MISIS</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.17073/1609-3577j.met202503.639</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mateltech-639</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Физические свойства и методы исследования</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>PHYSICAL CHARACTERISTICS AND THEIR STUDY</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Зависимость токов короткого замыкания от температуры в кристаллах α-LiIO3</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Temperature dependence of short-circuit currents in α-LiIO3 crystals</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0009-0006-1447-3310</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Умылин</surname><given-names>В. Е.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Umylin</surname><given-names>V. E.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049</p><p>Умылин Владислав Евгеньевич — аспирант кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, инженер научного проекта, лаборатория «Монокристаллы и заготовки на их основе»</p></bio><bio xml:lang="en"><p>4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049</p><p>Vladislav E. Umylin — Postgraduate Student, Scientific Project Engineer Laboratory “Single Crystals and Stock on their Base”</p></bio><email xlink:type="simple">v.umylin@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0003-4057-9718</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Козлова</surname><given-names>Н. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kozlova</surname><given-names>N. S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049</p><p>Козлова Нина Семеновна — канд. физ.-мат. наук, ведущий эксперт, лаборатория «Монокристаллы и заготовки на их основе»</p></bio><bio xml:lang="en"><p>4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049</p><p>Nina S. Kozlova — Сand. Sci. (Phys.-Math.), Leading Expert, Laboratory “Single Crystals and Stock on their Base”</p></bio><email xlink:type="simple">kozlova_nina@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0002-5844-5673</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Забелина</surname><given-names>Е. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zabelina</surname><given-names>E. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049</p><p>Забелина Евгения Викторовна — канд. физ.-мат. наук, зав. лабораторией «Монокристаллы и заготовки на их основе»</p></bio><bio xml:lang="en"><p>4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049</p><p>Evgenia V. Zabelina — Сand. Sci. (Phys.-Math.), Head of the Laboratory “Single Crystals and Stock on their Base”</p></bio><email xlink:type="simple">zabelina.ev@misis.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0009-0003-5466-3125</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Корчагин</surname><given-names>А. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Korchagin</surname><given-names>A. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049</p><p>Корчагин Александр Владимирович – лаборант-исследователь, лаборатория «Монокристаллы и заготовки на их основе»</p></bio><bio xml:lang="en"><p>4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049</p><p>Alexander V. Korchagin — Laboratory Researcher, Laboratory “Single Crystals and Stock on their Base”</p></bio><email xlink:type="simple">korchagin.av@edu.misis.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0002-3096-2812</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Петраков</surname><given-names>В. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Petrakov</surname><given-names>V. S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049</p><p>Петраков Валерий Сергеевич – канд. тех. наук, доцент, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков</p></bio><bio xml:lang="en"><p>4-1 Leninsky Ave., Moscow 119049</p><p>Valery S. Petrakov — Cand. Sci. (Eng.), Associate Professor, Department of Materials Science of Semiconductors and Dielectrics</p></bio><email xlink:type="simple">petrakov.valery@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>National University of Science and Technology “MISIS”</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2025</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>13</day><month>04</month><year>2025</year></pub-date><volume>28</volume><issue>1</issue><fpage>25</fpage><lpage>33</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Умылин В.Е., Козлова Н.С., Забелина Е.В., Корчагин А.В., Петраков В.С., 2025</copyright-statement><copyright-year>2025</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Умылин В.Е., Козлова Н.С., Забелина Е.В., Корчагин А.В., Петраков В.С.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Umylin V.E., Kozlova N.S., Zabelina E.V., Korchagin A.V., Petrakov V.S.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://met.misis.ru/jour/article/view/639">https://met.misis.ru/jour/article/view/639</self-uri><abstract><p>Исследованы особенности протекания токов короткого замыкания в образцах полярных срезов кристаллов α-LiIO3 гексагональной модификации. В качестве токопроводящих покрытий выбраны индий и серебро с учетом их расположения в ряду электрохимической напряженности металлов. Эти материалы покрытий являются типичными представителями электрохимического ряда напряженности металлов до (индий) и после (серебро) водорода. Измерения проводили на программно-аппаратном комплексе «СКИП» в температурном интервале от Ткомн до 210 °С без приложения внешнего электрического поля. Исследуемые образцы предварительно не подвергали никаким стимулирующим внешним воздействиям: ни температурным, ни электрическим, ни радиационным и т. п. Получены графики зависимостей токов короткого замыкания от температуры с различными материалами токопроводящих покрытий и по различным схемам измерений. Проведено оптическое исследование поверхности токопроводящих покрытий до и после нагрева. Установлено влияние материала токопроводящих покрытий на величину и направление протекания токов короткого замыкания в образцах. В случае с симметричными токопроводящими покрытиями в зависимости от нанесения индия или серебра токи идут в разном направлении. В случае с несимметричными токопроводящими покрытиями в зависимости от стороны нанесения серебра с учетом полярности кристалла, токи имеют разное направление протекания и величину, отличающуюся более чем в 2 раза. Различие графиков температурных зависимостей нагрева и охлаждения, а также структурное изменение поверхности материалов токопроводящих покрытий может свидетельствовать об образовании новых фаз.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The features of short-circuit currents in polar cut samples of α-LiIO3 crystals of the hexagonal modification are investigated. Indium and silver are chosen as conductive coatings taking into account their location in the series of electrochemical tension of metals. These coating materials are typical representatives of the electrochemical series of metal tension before (indium) and after (silver) hydrogen. The measurements were carried out using the SKIP hardware and software complex in the temperature range from Troom to 210 °C without applying an external electric field. The samples under study were not preliminarily exposed to any stimulating external effects: neither temperature, nor electrical, nor radiation, etc. Graphs of short-circuit current dependences on temperature were obtained with different materials of conductive coatings and according to different measurement schemes. An optical study of the surface of conductive coatings was carried out before and after heating. The effect of the material of the conductive coatings on the magnitude and direction of short-circuit current flow in the samples was established. In the case of symmetrical conductive coatings, depending on the application of indium or silver, the currents go in different directions. In the case of asymmetrical conductive coatings, depending on the side of silver application, taking into account the polarity of the crystal, the currents have different directions of flow and a magnitude that differs by more than 2 times. The difference in the temperature dependence graphs of heating and cooling, as well as the structural change in the surface of the materials of conductive coatings, may indicate the formation of new phases.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>монокристаллы</kwd><kwd>иодат лития</kwd><kwd>полярный срез</kwd><kwd>деградация поверхности</kwd><kwd>короткозамкнутый полярный кристалл</kwd><kwd>ток короткого замыкания</kwd><kwd>неравновесное состояние</kwd><kwd>стабильность работы</kwd><kwd>приэлектродные процессы</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>single crystals</kwd><kwd>lithium iodate</kwd><kwd>polar cut</kwd><kwd>surface degradation</kwd><kwd>short-circuited polar crystal</kwd><kwd>short-circuit current</kwd><kwd>nonequilibrium state</kwd><kwd>operational stability</kwd><kwd>near-electrode processes</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">Исследования проводились при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания вузам FSME-2023-0003. Измерения проведены в аккредитованной межкафедральной учебно-испытательной лаборатории полупроводниковых материалов и диэлектриков «Монокристаллы и заготовки на их основе» (ИЛМЗ) НИТУ МИСИС.</funding-statement><funding-statement xml:lang="en">The studies were carried out with the financial support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation within the framework of the state assignment to universities FSME-2023-0003. The measurements were carried out in the accredited interdepartmental educational and testing laboratory of semiconductor materials and dielectrics “Single Crystals and Stock on their Base” of NUST MISIS.</funding-statement></funding-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука; 1991. 244 c.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gorokhovatskii Yu.A., Bordovskii G.A. Thermally activated current spectroscopy of high-resistance semiconductors and dielectrics. Moscow: Nauka; 1991. 244 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">ГОСТ 30501-97. Материалы электроизоляционные твердые. Метод измерения электрического сопротивления и удельного электрического сопротивления при повышенных температурах. Минск: Межгосударственный совет по стандартизации, метрологии и сертификации; 2001. 7 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">GOST 30501-97. Solid electrical insulating materials. Method of measuring electrical resistance and resistivity at elevated temperatures. Minsk: Mezhgosudarstvennyi sovet po standartizatsii, metrologii i sertifikatsii; 2001. 7 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Вища школа; 1980. 399 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Poplavko Yu.M. Physics of dielectrics. Kiev: Vishcha shkola; 1980. 399 p. (InRuss.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. М.: Радио и связь; 1989. 287 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rez I.S., Poplavko Yu.M. Dielectrics. Basic properties and applications in electronics. Moscow: Radio i svyaz'; 1989. 287 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Блистанов А.А., Козлова, Н.С., Гераськин В.В. Влияние поверхностных состояний на особенности фазовых превращений и формирование структурных дефектов в кристаллах иодата лития. Известия вузов. Цветная металлургия. 1996; (4): 66—71.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Blistanov A.A., Kozlova, N.S., Geras'kin V.V. The influence of surface states on the features of phase transformations and the formation of structural defects in lithium iodate crystals. Izvestiya. Non-Ferrous Metallurgy. 1996; (4): 66–71. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Blistanov A.A., Kozlova N.S., Geras’kin V.V. The phenomenon of electrochemical self-decomposition in polar dielectrics. Ferroelectrics. 1997; 198(1): 61—66. https://doi.org/10.1080/00150199708228338</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Blistanov A.A., Kozlova N.S., Geras’kin V.V. The phenomenon of electrochemical self-decomposition in polar dielectrics. Ferroelectrics. 1997; 198(1): 61—66. https://doi.org/10.1080/00150199708228338</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Йовчева Т.А. Влияние переноса заряда на деградации кристалла a-LiIO3. Автореф. дисс. канд физ-мат. наук. М.; 1992. 21 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Iovcheva T.A. Effect of charge transfer on the degradation of a-LiIO3 crystal. Sum. of Diss. Cand. (Phys.-Math.). Moscow; 1992. 21 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Блистанов А.А., Козлова Н.С., Гераськин В.В. Явление электрохимического разложения полярных диэлектрических кристаллов. В: Сб. кратких описаний научных открытий – 2002 г., Выпуск 2. Диплом № 216. М.: НИТУ «МИСиС»; 2002.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Blistanov A.A., Kozlova N.S., Geras'kin V.V. Phenomenon of electrochemical decomposition of polar dielectric crystals. In: Proceed. of brief descriptions of scient. discoveries – 2002. Issue 2. Diplom No. 216. Moscow: NITU "MISIS"; 2002.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Бузанов О.А., Забелина Е.В., Козлова Н.С. Приэлектродные процессы в кристаллах лантан-галлиевого танталата. Кристаллография. 2008; 53(5): 903—907.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Buzanov O.A., Zabelina E.V., Kozlova N.S., Sagalova T.B. Near-electrode processes in lanthanum-gallium tantalate crystals. Crystallography Reports. 2008; 53(5): 853–857.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Козлова Н.С., Забелина Е.В., Быкова М.Б., Козлова А.П. Особенности проявления поверхностных электрохимических процессов в сегнетоэлектрических кристаллах с низкотемпературными фазовыми переходами. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2018; 21(3): 146—155. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-3-146-155</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kozlova N.S., Zabelina E.V., Bykova M.B., Kozlova A.P. Features of manifestation of surface electrochemical processes in ferroelectric crystals with low-temperature phase transitions. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2018; 21(3): 146—155. (In Russ.). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-3-146-155</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Блистанов А.А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики. М.: МИСиС; 2000. 432 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Blistanov A.A. Crystals of quantum and nonlinear optics. Moscow: MISIS; 2000. 432 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Портнов О.Г. Технология объемных монокристаллов полупроводников и диэлектриков. Выращивание технологичных монокристаллов иодата лития для устройств нелинейной оптики. М.: Изд. Дом НИТУ «МИСиС; 2015. 143 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Portnov O.G. Technology of bulk single crystals of semiconductors and dielectrics. Growing technological single crystals of lithium iodate for nonlinear optics devices. Moscow: Izd. Dom NITU "MISIS"; 2015. 142 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Авдиенко К.И., Богданов С.В., Архипов С.М.; Кидяров Б.И. Иодат лития: Выращивание кристаллов, их свойства и применение. Под ред. С.В. Богданова. Новосибирск: Наука: Сиб. отд-ние; 1980. 144 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bogdanov S.V. (ed.). Avdienko K.I., Bogdanov S.V., Arkhipov S.M.; Kidyarov B.I. Lithium iodate: Growing crystals, their properties and applications. Novosibirsk: Nauka: Sib. otd-nie;1980. 144 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">De Boer J.L., Van Bolhuis F., Olthof-Hazekamp R.V. Re-investigation of the crystal structure of lithium iodate. Acta Crystallographica. 1966; 21(5): 841—843. https://doi.org/10.1107/S0365110X66004031</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">De Boer J.L., Van Bolhuis F., Olthof-Hazekamp R.V. Re-investigation of the crystal structure of lithium iodate. Acta Crystallographica. 1966; 21(5): 841—843. https://doi.org/10.1107/S0365110X66004031</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Блистанов А.А., Бондаренко В.С., Переломова Н.В. Акустические кристаллы. Под ред. М.П. Шаскольской. М.: Наука; 1982. 356 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shaskol'skaya M.P. (ed.). Blistanov A.A., Bondarenko V.S., Perelomova N.V. Acoustic crystals. Moscow: Nauka; 1982. 356 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Переломова Н.В., Тагиева М.М. Кристаллофизика. М.: Изд. Дом НИТУ «МИСиС»; 2013. 408 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Perelomova N.V., Tagieva M.M. Crystal physics. Moscow: Izd. Dom NITU "MISIS"; 2013. 408 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Пирозерский А.Л., Чарная Е.В., Залесский В.Г., Лебедева Е.Л., Филиппов К.В. Диэлектрические исследования кристаллов α-LiIO3, выращенных из нейтральных и щелочных растворов. Физика твердого тела. 2009; 51(4): 670—674.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Pirozerski A.L., Charnaya E.V., Lebedeva E.L., Filippov K.V., Zalesski V.G. Dielectric studies of A α-LiIO3 crystals grown from neutral and alkaline solutions. Physics of the Solid State. 2009; 51(4): 708—713.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Корольков Д.В. Основы неорганической химии. М.: Просвещение; 1982. 271 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Korol'kov D.V. Fundamentals of inorganic chemistry. Moscow: Prosveshchenie; 1982. 271 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шпортенко А.С., Кубасов И.В., Кислюк А.М., Турутин А.В., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н. Влияние контактных явлений на измерение электропроводности восстановленного ниобата лития. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021; 24(3): 199—210. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-3-199-210</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shportenko A.S., Kubasov I.V., Kislyuk A.M., Turutin A.V., Malinkovich M.D., Parkhomenko Yu.N. The effect of contact phenomena on the measurement of electrical conductivity of reduced lithium niobate. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2021; 24(3): 199—210. (In Russ.). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-3-199-210</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Jen S., Bobkowski R. Black lithium niobate SAW device fabrication and performance evaluation. In: Proc. IEEE ultrasonics symposium. October 22–25, 2000 San Juan, PR, USA; 2000. P. 269—273. https://doi.org/10.1109/ultsym.2000.922554</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Jen S., Bobkowski R. Black lithium niobate SAW device fabrication and performance evaluation. In: Proc. IEEE ultrasonics symposium. October 22–25, 2000 San Juan, PR, USA; 2000. P. 269—273. https://doi.org/10.1109/ultsym.2000.922554</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit21"><label>21</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Palatnikov M.N., Sandler V.A., Sidorov N.V., Makarova O.V., Manukovskaya D.V. Conditions of application of LiNbO3 based piezoelectric resonators at high temperatures. Physics Letters A. 2020; 384(14): 126289. https://doi.org/10.1016/j. physleta.2020.126289</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Palatnikov M.N., Sandler V.A., Sidorov N.V., Makarova O.V., Manukovskaya D.V. Conditions of application of LiNbO3 based piezoelectric resonators at high temperatures. Physics Letters A. 2020; 384(14): 126289. https://doi.org/10.1016/j. physleta.2020.126289</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit22"><label>22</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Singh K. Electrical conductivity of non-stoichiometric LiNbO3 single crystals. Ferroelectrics. 2004; 306(1): 79—92. https://doi.org/10.1080/00150190490457348</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Singh K. Electrical conductivity of non-stoichiometric LiNbO3 single crystals. Ferroelectrics. 2004; 306(1): 79—92. https://doi.org/10.1080/00150190490457348</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit23"><label>23</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Yatsenko A.V., Pritulenko A.S., Yevdokimov S.V., Sugak D.Y., Syvorotka I.I., Suhak Y.D., Solskii I.M., Vakiv M.M. The influence of annealing in saturated water vapor on LiNbO3 crystals optical and electrical properties. Solid State Phenomena. 2015; 230: 233—237. https://doi. org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.233</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Yatsenko A.V., Pritulenko A.S., Yevdokimov S.V., Sugak D.Y., Syvorotka I.I., Suhak Y.D., Solskii I.M., Vakiv M.M. The influence of annealing in saturated water vapor on LiNbO3 crystals optical and electrical properties. Solid State Phenomena. 2015; 230: 233—237. https://doi. org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.233</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit24"><label>24</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ахмадуллин И.Ш., Голенищев-Кутузов В.А., Мигачев С.А., Миронов С.П. Низкотемпературная электропроводность кристаллов ниобата лития конгруэнтного состава. Физика твердого тела. 1998; 40(7): 1307—1309.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Akhmadullin I.Sh., Golenishchev-Kutuzov V.A., Migachev S.A., Mironov S.P. Low-temperature electrical conductivity of congruent lithium niobate crystals. Physics of the Solid State. 1998; 40(7): 1190—1192.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit25"><label>25</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Schröder M., Haußmann A., Thiessen A., Soergel E., Woike T., Eng L.M. Conducting domain walls in lithium niobate single crystals. Advanced Functional Materials. 2012; 22(18): 3936—3944. https://doi.org/10.1002/adfm.201201174</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Schröder M., Haußmann A., Thiessen A., Soergel E., Woike T., Eng L.M. Conducting domain walls in lithium niobate single crystals. Advanced Functional Materials. 2012; 22(18): 3936—3944. https://doi.org/10.1002/adfm.201201174</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit26"><label>26</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Yatsenko A.V., Yevdokimov S.V., Pritulenko A.S., Sugak D.Y., Solskii I.M. Electrical properties of LiNbO3 crystals reduced in a hydrogen atmosphere. Physics of the Solid State. 2012; 54(11): 2231—2235. https://doi.org/10.1134/S1063783412110339</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Yatsenko A.V., Yevdokimov S.V., Pritulenko A.S., Sugak D.Y., Solskii I.M. Electrical properties of LiNbO3 crystals reduced in a hydrogen atmosphere. Physics of the Solid State. 2012; 54(11): 2231—2235. https://doi.org/10.1134/S1063783412110339</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit27"><label>27</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Esin A.A., Akhmatkhanov A.R., Shur V.Y. The electronic conductivity in single crystals of lithium niobate and lithium tantalate family. Ferroelectrics. 2016; 496(1): 102—109. https://doi.org/10.1080/00150193.2016.1157438</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Esin A.A., Akhmatkhanov A.R., Shur V.Y. The electronic conductivity in single crystals of lithium niobate and lithium tantalate family. Ferroelectrics. 2016; 496(1): 102—109. https://doi.org/10.1080/00150193.2016.1157438</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit28"><label>28</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru"></mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
