mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577j.met202511.667mateltech-667Research ArticleМатематическое моделирование в материаловедении электронных компонентовMATHEMATICAL MODELING IN MATERIALS SCIENCE OF ELECTRONIC COMPONENTSОбучение межатомного потенциала взаимодействия для молекулярной динамики поляризации орторомбического оксида гафнияКадыровА. Д.

Институтский пер., д. 9, Долгопрудный, Московская обл., 141707;

ул. Акад. Валиева, д. 6, стр. 1, Москва, Зеленоград, 124460

Кадыров Артур Дамирович — студент (1), младший научный сотрудник (2)

akadyrov@niime.ruРезникА. А.

Институтский пер., д. 9, Долгопрудный, Московская обл., 141707;

ул. Акад. Валиева, д. 6, стр. 1, Москва, Зеленоград, 124460

Резник Александр Анатольевич — аспирант (1), научный сотрудник (2)

alreznik@niime.ruhttps://orcid.org/0000-0002-1677-9122РезвановА. А.

ул. Акад. Валиева, д. 6, стр. 1, Москва, Зеленоград, 124460

Резванов Аскар Анварович — канд. физ.-мат. наук, начальник отдела

arezvanov@niime.ruМосковский физико-технический институт (национальный исследовательский университет); АО «НИИ молекулярной электроники»Russian FederationАО «НИИ молекулярной электроники»Russian Federation202519012026284667Copyright © Кадыров А.Д., Резник А.А., Резванов А.А., 20262026Кадыров А.Д., Резник А.А., Резванов А.А.Кадыров А.Д., Резник А.А., Резванов А.А.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/667

В работе выполняется обучение межатомного CoreShell потенциала для молекулярной динамики на основе DFT расчетов для оксида гафния, для задач моделирования процесса динамики поляризации функционального слоя FeRAM с помощью полученного потенциала.

молекулярная динамикаDFTобучение потенциалаFeRAMРабота выполнялась с использованием инфраструктуры Центра коллективного пользования «Высокопроизводительные вычисления и большие данные» (ЦКП «Информатика») ФИЦ ИУ РАН (г. Москва). Исследование выполнено в рамках гранта Российского научного фонда № 23-91-06003.References

The authors declare that there are no conflicts of interest present.