mateltechИзвестия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиIzvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering1609-35772413-6387MISIS10.17073/1609-3577-2012-4-65-66mateltech-67Research ArticleНаноматериалы и нанотехнологииNANOMATERIALS AND NANOTECHNOLOGYОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМFeatures of Chemically Etched Porous SiliconБеликТ. Ю.BilykT. Yu.

ассистент кафедры микроэлектроники, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина, 03056, г. Киев−56, просп. Победы, д. 37

tbilyk@ukr.netНациональный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», УкраинаУкраинаNational Technical University of Ukraine «Kiev Polytechnical Institute», UkraineUkraine201215032015046566Copyright © Белик Т.Ю., 20152015Белик Т.Ю.Bilyk T.Y.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://met.misis.ru/jour/article/view/67

Проведено комплексное исследование пористых слоев, полученных химическим травлением, определена взаимосвязь между условиями получения и свойствами пористых слоев.Предложена модель проводимости пористых слоев, аналогичная механизмам проводимости аморфного кремния. Показано, что пористый кремний, полученный химическим травлением, по своим фотолюминесцентным и светоотражающим свойствам не уступает пористым слоям, полученным электрохимическим способом.

The paper describes a complex study of chemically etched porous silicon layers and the relationship between etching parameters and porous layer properties. We show that the conductivity of porous silicon is similar to that of amorphous silicon. Chemical etching allows creating porous layers with the same intensity of photoluminescence and absorption as for anodically etched porous silicon.

пористый кремнийпроводимостьхимическое травлениеporous siliconconductivitychemical etchingReferencesМотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. − М. : Мир, 1974. − 472 с.Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. − М. : Мир, 1974. − 472 с.Zettner, J. Porous silicon reflector for thin silicon solar cells / J. Zettner, H. v. Campe, M. Thönissen, R. Auer, J. Ackermann, T. Hierl, R. Brendel, M. Schulz // Proc. 2nd World Conf. and Exhibition on photovoltaic. − Luxembourg, 1998. − P. 1766—1769.Zettner, J. Porous silicon reflector for thin silicon solar cells / J. Zettner, H. v. Campe, M. Thönissen, R. Auer, J. Ackermann, T. Hierl, R. Brendel, M. Schulz // Proc. 2nd World Conf. and Exhibition on photovoltaic. − Luxembourg, 1998. − P. 1766—1769.Bilyk, T. Yu. Improvement of silicon solar cells performance by using of nanostructured silicon layer / T. Yu. Bilyk, M. M. Melnichenko, O. M. Shmyryeva, K. V. Svezhentsova // Электроника и связь. − 2010. − Т. 6, №. 2. − С. 101—105.Bilyk, T. Yu. Improvement of silicon solar cells performance by using of nanostructured silicon layer / T. Yu. Bilyk, M. M. Melnichenko, O. M. Shmyryeva, K. V. Svezhentsova // Электроника и связь. − 2010. − Т. 6, №. 2. − С. 101—105.Білик, Т. Ю. Фотолюмінісценція шарів пористого кремнію отриманого хімічним способом / Т. Ю. Білик // Электроника и связь. − 2011. − № 4. − С. 45—47.Білик, Т. Ю. Фотолюмінісценція шарів пористого кремнію отриманого хімічним способом / Т. Ю. Білик // Электроника и связь. − 2011. − № 4. − С. 45—47.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.