Сушков, В. П., ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Россия
-
№ 3 (2012) - Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА
Аннотация PDF (Rus)
ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)
ISSN 2413-6387 (Online)
