Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Информация об авторе

Якимов, Е. Б., ИПТМ РАН, 142432, Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6, Россия

  • Том 22, № 2 (2019) - Физические свойства и методы исследования
    Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si
    Аннотация  PDF (Rus)


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)