Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 21, № 2 (2018) Анализ диффузионных профилей фосфора в легированном галлием германии методом координатно-зависимой диффузии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, А. В. Турутин, С. Ю. Юрчук, В. М. Фомин
"... В работе анализируют профили распределения фосфора в германии в гетероструктуре  In0.56Ga0.44P/Ge ..."
 
Том 24, № 4 (2021) Температурные исследования полевых датчиков Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, А. В. Леонов, Д. Л. Ревизников
"... Холла (ПДХ) на основе гетероструктуры «кремний на изоляторе» (КНИ). Представлены результаты расчетных и ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов
"... Шредингера—Пуассона, описывающих распределение плотности носителей заряда поперек гетероструктуры в различных ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Факторы, определяющие актуальность создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития России Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Зацаринный, К. К. Абгарян
"... наноразмерной гетероструктуры, разработать средства для предсказательного компьютерного моделирования физической ..."
 
Том 23, № 4 (2020) Актуальные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов в рамках цифровой трансформации общества Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Зацаринный, К. К. Абгарян
 
Том 24, № 2 (2021) Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер, Ю. А. Концевой
"... дополнительной обработки поверхности гетероструктур в плазме азота перед осаждением диэлектрика, а также влияния ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин
"... В полевых транзисторах на основе широкозонных нитридных гетероструктур широко используются ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом Аннотация  похожие документы
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев
"... , а также однокристальная дифрактометрия. Показано, что легирование в процессе роста эпитаксиального ..."
 
1 - 8 из 8 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)