Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 4 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный
"... studied. We found that the dislocation density reduction in large undoped crystals can be achieved both ..."
 
№ 2 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник
"... . It was found that the non−uniformity in undoped crystals does not exceed 10—16%. The average dislocation ..."
 
№ 1 (2014) ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев
"... The equation connecting the misfit parameter f, the number of misfit dislocation (MD) families ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов
"... the melt with various shapes of the crystallization front. The formation of dislocation low angle ..."
 
Том 18, № 2 (2015) АНАЛИЗ ПРИЧИН НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕЛЛУРА В КРИСТАЛЛЕ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННОМ В КОСМИЧЕСКОМ ЭКСПЕРИМЕНТЕ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, А. Э. Волошин
"... .315.592:548.55 АНАЛИЗ ПРИЧИН НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕЛЛУРА В КРИСТАЛЛЕ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННОМ В ..."
 
Том 19, № 3 (2016) Рынок монокристаллов GaAs — тенденции развития Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. П. Маянов, С. Н. Князев, А. В. Наумов
"... Приведен обзор современного состояния рынка монокристаллов и пластин GaAs, а также состояние и ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина
"... Dislocation pileups play an important role in the formation and propagation of strain in single ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..."
 
№ 1 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин
"... dislocation source. The model is based on numerical solution of parabolic type partial differential equations ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... that frequency at which the peak is registered can depend on the dislocation density in heterostructures ..."
 
№ 3 (2013) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман
"... . Н. Макаров1, 4, К. Б. Эйдельман5 1 ООО «Галлий−Н», 2 Национальный исследовательский ядерный ..."
 
Том 19, № 1 (2016) О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Р. Велиханов
"... В монокристаллах кремния p−типа проводимости (p−Si) исследованы особенности поведения ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... , it is necessary to create internal sources for generation of dislocations and formation of precipitate ..."
 
Том 19, № 1 (2016) МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО: ИСТОРИЯ И РАЗВИТИЕ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. П. Маянов, А. А. Гасанов, А. В. Наумов
"... материалов – кремния, арсенида галлия, антимонида индия и ряда других. Предлагаются необходимы действия со ..."
 
№ 4 (2013) СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si

Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева
"... The characteristics of low−power and high−power thyristors basen of dislocation−free single ..."
 
№ 1 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Л. Шульпина, В. А. Козлов
"... the dislocation nets with non-uniform distribution of dislocations both over thickness and layer square ..."
 
№ 2 (2012) ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник
"... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... формирование свойств гетеро- структур. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, сапфир, кремний ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов
"... слитков МКК в промышленном масштабе с использованием примесей бора и галлия оптимизированы выход годного ..."
 
№ 3 (2012) ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева
"... монокристаллах кремния, не легированных германием. ..."
 
№ 4 (2014) РАСЧЕТНО−ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ НА ФОРМУ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ГЕПТАДЕКАНА И ГАЛЛИЯ В МОДЕЛИ МЕТОДА ЧОХРАЛЬСКОГО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов, В. С. Бердников, В. А. Винокуров
"... −ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ НА ФОРМУ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ГЕПТАДЕКАНА И ГАЛЛИЯ В ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee
"... in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, Х. Х. Ильясов
"... point defects in dislocation−free silicon single crystals.  ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ОРИЕНТАЦИОННОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЛАТЕРАЛЬНОГО ПЬЕЗООТКЛИКА В Y–СРЕЗЕ ПЕРИОДИЧЕСКИ ПОЛЯРИЗОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Быков, Д. А. Киселев, В. В. Антипов, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко
"... пьезоотклика в монокристаллах ниобата лития Y−среза, содержащих регулярную доменную структуру. Показано, что ..."
 
1 - 25 из 102 результатов 1 2 3 4 5 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)