Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 1 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин
"... . The number of forming dislocation loops has been plotted as a function of source base value and applied force ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина
"... in a pile−up as a function of external stress, formation time of new dislocation loops and time to source ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... , it is necessary to create internal sources for generation of dislocations and formation of precipitate ..."
 
№ 2 (2014) СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук
"... dislocation families and zigzag mixed dislocations. The dislocation structures observed are sources of intense ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..."
 
Том 19, № 1 (2016) О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Р. Велиханов
 
Том 20, № 4 (2017) Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом Аннотация  похожие документы
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев
"... layer on sapphire on the growth features of epitaxial films and their dislocation structure ..."
 
№ 2 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев
"... to the introduction of misfit dislocations into the interface. Dislocations with Burgers vector a/2<110> which ..."
 
№ 1 (2014) ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев
"... The equation connecting the misfit parameter f, the number of misfit dislocation (MD) families ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов
"... the melt with various shapes of the crystallization front. The formation of dislocation low angle ..."
 
№ 1 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Л. Шульпина, В. А. Козлов
"... the dislocation nets with non-uniform distribution of dislocations both over thickness and layer square ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев
"... Abstract. In this paper are considers the effect of the microrelief, dislocation structure ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee
"... in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"... etching in its various modifications, the most successful being by ICP sources (sources of inductively ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Применение радиоактивных изотопов для создания бета−вольтаических генераторов Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Быков, М. Д. Малинкович, И. В. Кубасов, А. М. Кислюк, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, Р. Н. Жуков, А. А. Темиров, М. В. Чичков, А. А. Полисан, Ю. Н. Пархоменко
"...   the  advantage of manufacturing betavoltaic generators, compared them with other electric power sources ..."
 
№ 3 (2014) ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. А. Шевченко, А. Н. Терещенко, А. А. Мазилкин
"... Germanium is a relevant object for research into the influence of dislocations on electronic ..."
 
№ 1 (2014) О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин
"... anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Модификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазера Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, С. И. Миколуцкий, В. Е. Рогалин, С. А. Филин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова
"... , the concentration of which was (3—5) · 105 cm2. The figures resemble dislocation-etching pits, usually obtained ..."
 
№ 2 (2012) ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник
"... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... that frequency at which the peak is registered can depend on the dislocation density in heterostructures ..."
 
№ 4 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный
"... studied. We found that the dislocation density reduction in large undoped crystals can be achieved both ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Численное моделирование и выбор светодиодов для фитосветильников Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. И. Супельняк, В. Г. Косушкин
"... , 530 and AlInGaP with radiation peaks at 590, 630 and 660 nm, equipped with a source of stabilized ..."
 
№ 2 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник
"... . It was found that the non−uniformity in undoped crystals does not exceed 10—16%. The average dislocation ..."
 
№ 4 (2013) СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si

Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева
"... The characteristics of low−power and high−power thyristors basen of dislocation−free single ..."
 
№ 3 (2014) ИЗУЧЕНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР АIIIВV В УСЛОВИЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Н. Орлова, С. Ю. Юрчук, С. И. Диденко, К. И. Таперо
"... Solar radiation is practically inexhaustible and environmentally friendly source of energy. Solar ..."
 
1 - 25 из 52 результатов 1 2 3 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)