Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 3 (2012) К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов
 
№ 2 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев
 
№ 3 (2014) ПОЛУЧЕНИЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ С ПОВЫШЕННЫМИ ИЗОТРОПНЫМИ СВОЙСТВАМИ  Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. И. Канева, В. Г. Костишин, В. Г. Андреев, Д. Н. Читанов, А. Н. Николаев, Е. И. Кислякова
"... a hexagonal magnetoplumbite type crystal structure with a large crystal magnetic anisotropy constant, which ..."
 
№ 1 (2013) ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... In present work the influence of growth conditions on structural quality of AlN layers grown ..."
 
№ 4 (2013) ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко
"... . The initial substrates were single crystal silicon wafers brand IES −0,01 cut from Czochralski grown ingots ..."
 
№ 2 (2014) ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
 
№ 2 (2014) НАНОЧАСТИЦЫ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫЕ НА ПОДЛОЖКАХ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Е. Кононова, А. С. Леньшин, М. Г. Аньчков, В. А. Мошников
"... characteristics of metal oxide films grown on single−crystal substrates, porous silicon and glass substrates were ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко
"... of the nanoporous and nanotubular layers. The observed higher resistances of space charge region in the titanium ..."
 
№ 4 (2013) ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский
"... ° around the <011> axis was discovered. GaP growth started layer−by−layer with a gallium or a phosphorus ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Структура и электрические свойства легированных железом керамик на основе оксида цинка Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Пашкевич, А. К. Федотов, Ю. В. Касюк, Л. А. Близнюк, Ю. А. Федотова, Н. А. Басов, А. С. Федотов, И. А. Свито, Е. Н. Подденежный
"... synthesis. It was found that the incorporation of iron into ZnO leads to a contraction of the crystal ..."
 
№ 4 (2014) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов
"... carbide and the porous silicon. The porous layer was formed on the surface of the single crystal silicon ..."
 
№ 3 (2012) О НЕКОТОРЫХ МЕТОДАХ ИНДУЦИРОВАНИЯ ВЫСОКОКОЭРЦИТИВНОГО СОСТОЯНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ МАГНИТНЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ТЕРМОМАГНИТНОЙ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Костишин, А. Т. Морченко, Д. Н. Читанов, В. М. Трухан
"... Results of studying coercive force, optical absorption and lattice mismatch in single−crystal ..."
 
Том 21, № 2 (2018) Как обеспечить постоянную концентрацию примеси по высоте слитка Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник, F. Baltaretu
"... использованием техники погруженного нагревателя показана возможность получения однородных по высоте кристаллов ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ ДЛЯ БЕТА–ВОЛЬТАИЧЕСКИХ ГЕНЕРАТОРОВ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Д. Малинкович, А. С. Быков, И. В. Кубасов, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, Р. Н. Жуков, А. А. Темиров, Н. Г. Тимушкин, Ю. Н. Пархоменко
"... by using lithium niobate single−crystal bimorph as the piezoelectric transducer element. Existing ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... process stages such as Si−surface treatment and Al pre−deposition are of great importance for the growth ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
"... AlGaN/GaN, а также барьеров Шотки областей затвор—исток и затвор—сток кристаллов AlGaN/GaN/ SiC НЕМТ ..."
 
№ 4 (2013) ДЕГРАДАЦИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мурашев, С. А. Леготин, А. А. Краснов, А. А. Дудкин, Д. А. Зезин
"... that besides their low efficiency this type of photovoltaics degrade much faster compared to single crystal ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Определение оптических параметров пленок ниобата лития методом спектрофотометрии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. С. Козлова, В. Р. Шаяпов, Е. В. Забелина, А. П. Козлова, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. Д. Малинкович, М. И. Воронова
"... of the refractive indicies of the film differ from the values typical for LiNbO3 single crystals obtained both from ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев
"... параметры формируемых омических контактов. Исследования проведены непосредственно на кристаллах мощных СВЧ ..."
 
№ 1 (2014) СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas
"... ) plane) of uniformly phosphorus doped float–zone–grown single–crystal silicon. The resistivity of silicon ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев
"... been conducted to assess the efficiency of plasma−chemical etching of (100) orientation single crystal ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... by using a quartz crystal thickness monitor, resulting in films having 200 nm. After the deposition ..."
 
№ 2 (2014) ИЗУЧЕНИЕ СТРУКТУРНЫХ И РАЗМЕРНЫХ СВОЙСТВ СПИННИНГОВАННЫХ ПОРОШКОВ p–Bi0,5Sb1,5Te3, СКОМПАКТИРОВАННЫХ ГОРЯЧИМ ВАКУУМНЫМ ПРЕССОВАНИЕМ И ИСКРОВЫМ ПЛАЗМЕННЫМ СПЕКАНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Мельников, В. Г. Костишин, С. А. Кичик, В. В. Аленков
"... ,5Sb1,5Te3 crystallized in equilibrium conditions which suggests the identity of the crystal structure ..."
 
№ 2 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев
"... .268. Triclinic distortions arising in film crystal lattice have been analyzed using our technique developed ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Ильин, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров
"... layers of gas sensors. It is concluded that if the radius of crystal grains in metal oxide semiconductors ..."
 
76 - 100 из 137 результатов << < 1 2 3 4 5 6 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)