Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
| "... − component migration zone is much narrower than the range of diffusion doping. Introduction of a third ..." | ||
| № 4 (2013) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин | ||
| "... The composition of diffusion silicon layers doped by rare earth erbium was investigated ..." | ||
| № 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
| "... crystal silicon doped with ger- manium to the concentration range NGe ~ (0.05—1.5) • 1020 cm−3 have been ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов | ||
| "... by the cell process, the doping level was adjusted in order to maximize the ingot silicon yield (weight ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... -recombination centers in the manufacturing process of devices and in a nuclear doping silicon. ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Review on the book Nuclear Doping of Semiconductor Materials (second edition, revised) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| N. A. Sobolev | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... The aim of this work was to study the influence of the iron and carbon doping of the epitaxial GaN ..." | ||
| № 4 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич | ||
| "... решении задач с малой глубиной формируемых легированных областей. ..." | ||
| Том 22, № 2 (2019) | Транспортные свойства ориентированной и изотропной бумаги из одностенных углеродных нанотрубок | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Галков, Н. П. Степина, М. P. Предтеченский, А. Е. Безродный, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский | ||
| "... composing BP and a following iodine doping were applied. The method of extrusion through the narrow (300 µm ..." | ||
| № 2 (2013) | О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Ю. Эрвье | ||
| "... A kinetic model of the doping processes in molecular beam epitaxy is developed. The dopant ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Структура и электрические свойства легированных железом керамик на основе оксида цинка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Пашкевич, А. К. Федотов, Ю. В. Касюк, Л. А. Близнюк, Ю. А. Федотова, Н. А. Басов, А. С. Федотов, И. А. Свито, Е. Н. Подденежный | ||
| "... and residual iron oxides FexOy, used as doping agents. Scanning electron microscopy and energy−dispersive X−ray ..." | ||
| № 1 (2012) | НАБЛЮДЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОМ ЛОКАЛЬНОМ ДАВЛЕНИИ В УСЛОВИЯХ ИНДЕНТИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Прокудин, А. С. Усеинов | ||
| "... in crystalline materials such as silicon.In the present work silicon samples with different crystallographic ..." | ||
| № 3 (2013) | К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. И. Гоник, Arne Cröll | ||
| "... A technique for crucibleless growth of single−crystal silicon and its alloys with germanium ..." | ||
| № 3 (2012) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева | ||
| "... of the reference structures obtained under similar conditions on single crystals of silicon not doped ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
| "... and 40 mm in length grown by the modified floating zone technique from the charge of 79.8 at.% Si and 20 ..." | ||
| № 2 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев | ||
| "... In the work an approach to modeling the influence of mechanical stresses generated in a silicon ..." | ||
| № 3 (2013) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ НА МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ И СПЕКТРЫГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРИСТАЛЛАХ TlBr | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, А. В. Говорков, Е. А. Кожухова, И. С. Лисицкий, М. С. Кузнецов, К. С. Зараменских, А. Я. Поляков | ||
| "... doping. Doping with Pb or Ca increases the dark resistivity of the crystals by about an order ..." | ||
| № 1 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРИТА МАРКИ 2000НМ ПО КОРОТКОЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СХЕМЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Костишин, И. И. Канева, В. Г. Андреев, А. Н. Николаев, Е. И. Волкова | ||
| "... the usual lack of diffusion operations roasting and grinding. It is shown that the use of the basic ..." | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Отзыв о книге «Легирование полупроводников методом ядерных реакций» (2-е издание, дополненное) под ред. В. А. Харченко | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Соболев | ||
| "... Харченко В. А., Смирнов Л. С., Соловьев С. П., Стась В. Ф. Легирование полупроводников методом ..." | ||
| № 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
| "... ) plane) of uniformly phosphorus doped float–zone–grown single–crystal silicon. The resistivity of silicon ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| № 4 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный | ||
| "... by the well known technological approaches and by isovalent impurity (indium) doping. We show ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков | ||
| "... and finally zone recrystallization. Qualitative and quantitative analysis of the initial materials (silicon ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние замещения алюминием на поле эффективной магнитной анизотропии и степень магнитной текстуры анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов бария и стронция для подложек микрополосковых приборов СВЧ–электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Щербаков, А. Г. Налогин, В. Г. Костишин, А. А. Алексеев, Е. А. Белоконь, И. М. Исаев | ||
| 1 - 25 из 156 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
