Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 22, № 2 (2019) Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. О. Куланчиков, П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов
"... The effect of electron irradiation with energy of 2.5 keV on the MOS structure Al/SiO2/Si ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Применение численного моделирования в исследовании мемристивных структур на основе оксидов и халькогенидов Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Сироткин, Н. А. Тулина
"... Models that describe bipolar resistive switching in planar microstructures based on oxide compounds ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Новое поколение нанокомпозитных материалов на основе углерода и титана для использования в суперконденсаторных накопителях энергии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Слепцов, Л. В. Кожитов, А. О. Дителева, Д. Ю. Кукушкин, А. А. Нагаев
"... In this paper, promising nanocomposite materials based on carbon and titanium are considered ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Математическое моделирование перспективных структур оксидов металлов Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. А. Сеченых
"... Information about the structure and properties of materials is especially important when working ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов
"... The article is devoted to the issues of numerical simulation of field Hall sensors based ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, О. П. Сушков
"... scattering in undoped GaAs/AlGaAs structures in which a two-dimensional gas of electrons or holes is created ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Основные научно-технические проблемы применения гибридных высокопроизводительных вычислительных комплексов в материаловедении Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. И. Волович, С. А. Денисов
"... to calculate the electronic structure and atomic scale materials modeling. Modern software systems, which ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин
"... . Based on the considered zone diagrams of structures with different control voltages and the evaluation ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Кинетика люминесценции галлата кальция, активированного ионами Yb3+, Er3+ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев
"... structures. Based on the analysis of the excitation and luminescence spectra of experimental samples ..."
 
Том 23, № 1 (2020) Бидоменные сегнетоэлектрические кристаллы: свойства и перспективы применения Аннотация  похожие документы
И. В. Кубасов, А. М. Кислюк, А. В. Турутин, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко
"... is ferroelectric domain structure regulation toward targeted impact on the device characteristics. One of the most ..."
 
Том 23, № 1 (2020) ИК-люминесценция CaGa2O4:Yb3+ при возбуждении излучением с длиной волны 940 и 980 нм Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин
"... was recorded in the range of 980—1100 nm. Based on data on the structure of electronic levels in Yb3+ ions ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников
"... ) on the parameters of the high electron mobility transistors (HEMT) based on AlGaN/GaN heterostructures ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Исследование тепловых характеристик нагревательного элемента из алюминия с нанопористым оксидом алюминия Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, К. В. Чернякова, И. А. Врублевский
 
Том 22, № 4 (2019) Факторы, определяющие актуальность создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития России Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Зацаринный, К. К. Абгарян
"... administration, and ensure law and order and security. The creation of a research infrastructure based on a high ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Основные подходы к моделированию формирования фоторезистивной маски в вычислительной литографии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Н. Балан, В. В. Иванов, А. В. Кузовков, Е. В. Соколова, Е. С. Шамин
"... number of calibration structures that maximally cover the space of aerial image parameters was solved ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Особенности механизма люминесценции и эффективного запасания энергии в монокристаллах Lu2SiO5:Ce3+ Аннотация  похожие документы
В. А. Теджетов, А. В. Подкопаев, А. А. Сысоев
"... энергетическая структура электронных ловушек в LSO, при экспозиции кристаллов УФ источниками с различными ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Моделирование напряжений в многослойных полупроводниковых структурах автомобильных регуляторов и прогнозирование надёжности их работы Аннотация  похожие документы
С. А. Адарчин, В. Г. Косушкин, В. М. Гурин, Л. В. Кожитов, М. С. Васютин, В. Г. Бебенин
"... формирование полей напряжений в полупроводниковых структурах активных элементов регулятора. Исследования были ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Вычисление эффективного коэффициента теплопроводности сверхрешетки на основе кинетического уравнения Больцмана с использованием первопринципных расчетов Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, И. С. Колбин
"... and different ambient temperatures are considered. At the scale under consideration, the use of models based ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев
"... based HF ICs for mobile phones were among the most rapidly growing segments of GaAs market. However ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Осцилляции Ааронова—Бома и распределения равновесных токов в открытой квантовой точке и кольцевом интерферометре Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, В. А. Ткаченко
"... Magnetotransport in submicron devices formed on the basis of GaAs/AlGaAs structures is simulated ..."
 
Том 22, № 4 (2019) Нелинейно-динамический подход в анализе нестабильности параметров мемристора Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. В. Матюшкин
"... are associated with the TiN/HfOx/Pt structure (0 < x < 2). A preliminary conclusion that requires further ..."
 
Том 23, № 1 (2020) Материаловедческие вопросы термодинамического моделирования тонкопленочных твердотельных электрокалорических охладителей Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Г. Суханек, Л. Фельсберг, Г. Герлах
"... Materials properties affecting EC device operation are discussed based on an analytically tractable ..."
 
Том 22, № 1 (2019) Юрий Николаевич Пархоменко (к 70-летию со дня рождения) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Cтатья Редакционная
"... неорганических материалов, физического материаловедения, исследования состава, структуры и свойств материалов ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Коррозия алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей), легированного индием Аннотация  похожие документы
И. Н. Ганиев, Ф А. Алиев, Х. О. Одиназода, А. М. Сафаров, Р. Усмонов
"... of the alloys decrease, the corrosion rate increases regardless of their composition. ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Математическое моделирование тепловых процессов при кассетной кристаллизации халькогенидов Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб
"... a tellurium flux into the crystal, thereby substantially changing a melt composition near crystallization ..."
 
1 - 25 из 30 результатов 1 2 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)