.png)
.png)
Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, Б. В. Жалнин, О. В. Торопова, Т. В. Критская | ||
| "... In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P /Ge structures for the first tandem of three−tandem A3B5/Ge solar ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
| "... metallurgical silicon by the vertical Bridgman−Stockbarger method have been studied. The chemical composition ..." | ||
| № 4 (2012) | ИЗОТОПНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ИК–ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ–28, 29 И 30 С ВЫСОКИМ ИЗОТОПНЫМ ОБОГАЩЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев | ||
| "... of silicon isotopes have been studied. We show that a change in the isotopic composition of silicon leads ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... We have analyzed the effect of volume and surface defects SiC substrates on structure and some ..." | ||
| № 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин | ||
| "... dislocation source. The model is based on numerical solution of parabolic type partial differential equations ..." | ||
| № 3 (2013) | ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман | ||
| "... nm) by means of dichroic filters and then converted to electrical energy by photoconverters based ..." | ||
| № 1 (2013) | ОБЛАСТЬ ГОМОГЕННОСТИ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Х. Аветисов, Е. Н. Можевитина, А. В. Хомяков, Р. И. Аветисов, А. Ю. Зиновьев | ||
| "... the stoichiometrical composition lies within the homogeneity limits. The maximum nonstoichiometries were found ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин | ||
| "... because these films are widely used as buffer layers for GaN−based semiconductor heterostructures growth ..." | ||
| № 4 (2014) | ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева | ||
| "... −Prim−Slichter equation. Results for the test silicon samples with natural isotopic composition ..." | ||
| № 4 (2012) | НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов | ||
| "... been determined. The defect structure of the silicon substrate with deposited 3C−SiC film has been ..." | ||
| № 4 (2014) | ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин | ||
| "... based on the NiSi/por−Si/c−Si/Al heterostructure results in an improvement of their corrosion resistance ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
| "... at.% Ge composition with 0.2% B admixture has been investigated using selected area X−ray analysis ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ВЛИЯНИЕ ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ РАСЧЕТОВ НА ПРЕДСКАЗАНИЯ ЭНЕРГЕТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Г. Ганченкова, И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, В. А. Бородин | ||
| "... of point defects is numerical modeling, especially with the use of quantum mechanical methods based ..." | ||
| № 1 (2014) | МАГНИТНЫЙ СТРУКТУРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДА ЦЕРИЯ И ЦИРКОНАТА ЛАНТАНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. Х. Чибирова, Г. В. Котина, Е. А. Бовина, А. В. Клочихина, Д. В. Тарасова, В. Р. Халилов, А. А. Полисан, Юрий Николаевич Пархоменко | ||
| "... presented on the application of MSP for improving the structure and increase the texture sharpness of buffer ..." | ||
| № 3 (2012) | МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ЭКСТРУЗИИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Г. Лаврентьев, М. В. Меженный, В. Б. Освенский, А. И. Простомолотов | ||
| "... speed can be preset. The computational model is based on combined elastic−plastic body approximation ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Ионная проводимость бороуглеродных нанослоев типа ВС3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Борознин, И. В. Запороцкова | ||
| "... Studies of ionic conductivity and structures in which it can be achieved are of great importance ..." | ||
| № 4 (2014) | РЕШЕНИЕ X КОНФЕРЕНЦИИ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ФИЗИКИ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, ТЕХНОЛОГИИ И ДИАГНОСТИКИ КРЕМНИЯ, НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ («КРЕМНИЙ−2014») | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Непомнящих, А. И. Елисеев | ||
| "... ДИАГНОСТИКИ КРЕМНИЯ, НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ («КРЕМНИЙ−2014») С 7 по 12 июля 2014 г ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
| "... is developed based on the assumption that the K−centers and modified A−centers located in the atmospheres ..." | ||
| № 2 (2013) | ПРОЗРАЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ СО2-ЛАЗЕРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Рогалин | ||
| "... , admixtures and structure of point defects, which can be changed by influence X-ray irradiation and annealing ..." | ||
| № 1 (2014) | ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев | ||
| "... been developed and tested based on a study of transient processes during self heating by direct current ..." | ||
| № 4 (2013) | ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕИДЕАЛЬНОМ 1D ФОТОННОМ КРИСТАЛЛЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Румянцев, С. А. Федоров | ||
| "... объектов обу- словлен, с одной стороны, потреб- ностью электроники в различных слоистых структурах с ..." | ||
| № 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник | ||
| "... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина | ||
| "... presented that allows characterizing not only the structure but also time parameters of pileups. We provide ..." | ||
| № 2 (2013) | О ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. А. Бурдов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, Д. И. Тетельбаум | ||
| "... . Гончар. – М. : МИСиС, 2005. � 353 с. 2. Ketov, S. V. Structure and magnetic properties of nanoc ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВЕРХТОНКИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРАНАТА МЕТОДОМ КОНВЕРСИОННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МЕССБАУЭРОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Мокляк | ||
| "... тонкого приповерхностного слоя. Формирование кристаллической структуры эпитаксиальных пле- нок ..." | ||
| 101 - 125 из 168 результатов | << < 1 2 3 4 5 6 7 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)