Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин
"... because these films are widely used as buffer layers for GaN−based semiconductor heterostructures growth ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... is developed based on the assumption that the K−centers and modified A−centers located in the atmospheres ..."
 
№ 3 (2013) НОВЫЕ ГИБРИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДНЫХ УСТРОЙСТВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. И. Аветисов, О. Б. Петрова, А. А. Аккузина, А. В. Хомяков, Р. Р. Сайфутяров, А. Г. Чередниченко, Т. Б. Сагалова, Н. А. Макаров, И. Х. Аветисов
"... compounds is β → α→ δ→ γ → ε. Hybrid materials (HM) were synthesized based on borate glass matrix with 0 ..."
 
№ 1 (2014) ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев
"... been developed and tested based on a study of transient processes during self heating by direct current ..."
 
№ 4 (2013) СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский
"... arsenide, detector cadmium−zinc tel- luride (CZT), etc. The method is based on near−contact region ..."
 
№ 2 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев
"... for the determination of epitaxial layer structural parameters based on the X−ray diffractometry data. It has been ..."
 
Том 18, № 1 (2015) О ПРИРОДЕ ТЕРМОАКЦЕПТОРОВ В ОБЛУЧЕННОМ ЭЛЕКТРОНАМИ ВЫСОКООМНОМ КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Кобелева
"... annealing of electron or neutron irradiated high resistivity silicon. Based on the solution ..."
 
Том 18, № 2 (2015) МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ: РОСТ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. И. Плюснин
"... , quabquantum sized and quantum sized layers. We have suggested a low temperature film growth technology based ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Функциональные 2D–наноматериалы для оптоэлектронной техники на основе ленгмюровских пленок бактериородопсина Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. И. Валянский, Е. К. Наими, Л. В. Кожитов
"... ) for the synthesis of highly sensitive and highly selective sensors based on second harmonic generation and surface ..."
 
№ 2 (2012) ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник
"... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..."
 
№ 2 (2014) ПРОЦЕССЫ ВО ВРЕМЯ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Ti—Al—Ni И Ti—Al—Ni—Au Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... The Ti/Al/Ni/Au metallization system which is widely used in the technology of GaN based devices ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Математическое моделирование пластического течения при равноканальном угловом прессовании твердого раствора на основе халькогенидов висмута Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. И. Богомолов, В. Т. Бублик, М. В. Меженный, А. И. Простомолотов, Н. Ю. Табачкова
"... in the extruder. The methodical approach is based on the combined use  of the elastic and plastic  solid state ..."
 
126 - 137 из 137 результатов << < 1 2 3 4 5 6 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)