Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 4 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИК–ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIIBVI, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ Fe2+ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Курчатов, Д. М. Кустов
"... of semiconductor doped with one type of ion. With the appearance of the general theory of ligand structure ..."
 
№ 2 (2014) ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
"... from the surface of semiconductors is presented for the conditions of ion−beam etching, consisting ..."
 
№ 1 (2014) ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев
 
Том 23, № 3 (2020) Кинетика люминесценции галлата кальция, активированного ионами Yb3+, Er3+ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев
"... activated by trivalent rare earth ions Yb3+ and Er3+. IR luminescence spectra of samples with a single ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Ильин, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров
"... The distribution of potential and parameters of potential barrier in semiconductor crystallite ..."
 
№ 4 (2013) ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. И. Маняхин
"... A new method of measuring the parameters of shallow and medium−depth levels in semiconductor band ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка
"... aspects of ion−electron emission. Possibilities of practical implementation of the  method of operative ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ЗАРЯДОВЫХ НАСОСОВ В СТРУКТУРЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Старков, В. А. Гусев, Н. О. Кулаковская, Е. А. Гостева, Ю. Н. Пархоменко
 
№ 4 (2013) СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский
"... is suggested. The method described is applicable to high−ohmic semiconductor samples: semiinsulating gallium ..."
 
№ 3 (2014) ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров
 
Том 18, № 1 (2015) МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров
 
Том 21, № 1 (2018) Отзыв о книге «Легирование полупроводников методом ядерных реакций» (2-е издание, дополненное) под ред. В. А. Харченко Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Соболев
"... Харченко В. А., Смирнов Л. С., Соловьев С. П., Стась В. Ф. Легирование полупроводников методом ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин
 
№ 4 (2014) СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов
"... based on the method of low−energy and high−dose metal ion implantation into Si is proposed ..."
 
№ 4 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич
"... technological processes, such as low−energy ion implantation and rapid thermal processing (RTA) are presented ..."
 
№ 4 (2013) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин
"... вторичной ионной массспектрометрии определены концентрационные профили эрбия и кислорода в кремнии. Профиль ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... is observed after Si+ (100 keV, 1 ·1015 cm−2) ion implantation followed by high−temperature annealing ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Структурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, Ю. Н. Пархоменко, В. В. Привезенцев, Д. М. Мигунов
"... This work deals with structural transformations in the near− surface layers of silicon after  ion ..."
 
№ 1 (2014) СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas
"... MeV krypton ions. The irradiation fluence was 108 cm–2. Deep–level transient spectroscopy (DLTS ..."
 
№ 4 (2012) ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов
 
№ 2 (2013) О ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. А. Бурдов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, Д. И. Тетельбаум
"... that describes the temperature dependence of photoluminescence of ion-synthesized ensembles of Si nanocrystals ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Ионная проводимость бороуглеродных нанослоев типа ВС3 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Борознин, И. В. Запороцкова
"...   and the 6−31G basis. To study the ion conduction process we have simulated vacancy formation for each type ..."
 
Том 20, № 1 (2017) СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин
"... stannat activated by three ions of the rare−earth elements Yb3+, Er3+, Ho3+ are described ..."
 
Том 19, № 1 (2016) МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МАССИВОВ СТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ В МАТРИЦЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Турищев, Е. В. Паринова, Д. А. Коюда, Д. Е. Спирин, Д. Н. Нестеров, Р. В. Романцов, Ю. А. Федотова, Е. А. Стрельцов, Н. В. Малащенок, А. К. Федотов
"... gold ions at the Hahn–Meitner–Institute (Berlin, Germany). Scanning electron microscopy has established ..."
 
Том 19, № 1 (2016) ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. И. Таперо
"... This paper is a review on total ionizing dose effects in silicon semiconductor devices ..."
 
1 - 25 из 90 результатов 1 2 3 4 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)