Выпуск | Название | |
Том 18, № 4 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИК–ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIIBVI, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ Fe2+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. С. Курчатов, Д. М. Кустов | ||
"... of semiconductor doped with one type of ion. With the appearance of the general theory of ligand structure ..." | ||
№ 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
"... from the surface of semiconductors is presented for the conditions of ion−beam etching, consisting ..." | ||
№ 1 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев | ||
Том 23, № 3 (2020) | Кинетика люминесценции галлата кальция, активированного ионами Yb3+, Er3+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев | ||
"... activated by trivalent rare earth ions Yb3+ and Er3+. IR luminescence spectra of samples with a single ..." | ||
Том 20, № 2 (2017) | Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Ильин, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров | ||
"... The distribution of potential and parameters of potential barrier in semiconductor crystallite ..." | ||
№ 4 (2013) | ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ф. И. Маняхин | ||
"... A new method of measuring the parameters of shallow and medium−depth levels in semiconductor band ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка | ||
"... aspects of ion−electron emission. Possibilities of practical implementation of the method of operative ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ЗАРЯДОВЫХ НАСОСОВ В СТРУКТУРЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Старков, В. А. Гусев, Н. О. Кулаковская, Е. А. Гостева, Ю. Н. Пархоменко | ||
№ 4 (2013) | СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский | ||
"... is suggested. The method described is applicable to high−ohmic semiconductor samples: semiinsulating gallium ..." | ||
№ 3 (2014) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров | ||
Том 18, № 1 (2015) | МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров | ||
Том 21, № 1 (2018) | Отзыв о книге «Легирование полупроводников методом ядерных реакций» (2-е издание, дополненное) под ред. В. А. Харченко | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. Соболев | ||
"... Харченко В. А., Смирнов Л. С., Соловьев С. П., Стась В. Ф. Легирование полупроводников методом ..." | ||
Том 18, № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин | ||
№ 4 (2014) | СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов | ||
"... based on the method of low−energy and high−dose metal ion implantation into Si is proposed ..." | ||
№ 4 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич | ||
"... technological processes, such as low−energy ion implantation and rapid thermal processing (RTA) are presented ..." | ||
№ 4 (2013) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин | ||
"... вторичной ионной массспектрометрии определены концентрационные профили эрбия и кислорода в кремнии. Профиль ..." | ||
№ 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
"... is observed after Si+ (100 keV, 1 ·1015 cm−2) ion implantation followed by high−temperature annealing ..." | ||
Том 19, № 4 (2016) | Структурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, Ю. Н. Пархоменко, В. В. Привезенцев, Д. М. Мигунов | ||
"... This work deals with structural transformations in the near− surface layers of silicon after ion ..." | ||
№ 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
"... MeV krypton ions. The irradiation fluence was 108 cm–2. Deep–level transient spectroscopy (DLTS ..." | ||
№ 4 (2012) | ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов | ||
№ 2 (2013) | О ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. А. Бурдов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, Д. И. Тетельбаум | ||
"... that describes the temperature dependence of photoluminescence of ion-synthesized ensembles of Si nanocrystals ..." | ||
Том 19, № 4 (2016) | Ионная проводимость бороуглеродных нанослоев типа ВС3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Борознин, И. В. Запороцкова | ||
"... and the 6−31G basis. To study the ion conduction process we have simulated vacancy formation for each type ..." | ||
Том 20, № 1 (2017) | СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин | ||
"... stannat activated by three ions of the rare−earth elements Yb3+, Er3+, Ho3+ are described ..." | ||
Том 19, № 1 (2016) | МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МАССИВОВ СТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ В МАТРИЦЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Ю. Турищев, Е. В. Паринова, Д. А. Коюда, Д. Е. Спирин, Д. Н. Нестеров, Р. В. Романцов, Ю. А. Федотова, Е. А. Стрельцов, Н. В. Малащенок, А. К. Федотов | ||
"... gold ions at the Hahn–Meitner–Institute (Berlin, Germany). Scanning electron microscopy has established ..." | ||
Том 19, № 1 (2016) | ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. И. Таперо | ||
"... This paper is a review on total ionizing dose effects in silicon semiconductor devices ..." | ||
1 - 25 из 90 результатов | 1 2 3 4 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)