Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 19, № 1 (2016) ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. И. Таперо
"... This paper is a review on total ionizing dose effects in silicon semiconductor devices ..."
 
Том 18, № 4 (2015) РАДИАЦИОННО–ИНДУЦИРОВАННАЯ ДЕГРАДАЦИЯ КМОП–ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МОЩНОСТИ ДОЗЫ И ТЕМПЕРАТУРЫ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. И. Таперо, А. С. Петров, В. Н. Улимов
"... irradiation at different dose rates and temperatures has been investigated. We show that such circuits can ..."
 
Том 20, № 1 (2017) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин
"... корпуса приборов с помощью пайки, в частности, эвтектикой золото—кремний, свинцовым припоем ПСр−2,5 или ..."
 
№ 1 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Л. Шульпина, В. А. Козлов
"... -diffusion devices as initial material were studied by x-ray topography techniques. It was shown ..."
 
№ 2 (2012) АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков
 
№ 4 (2013) СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si

Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева
"... and radiation strength of the devices exposed to γ−radiation in the range of doses of up to 2.94 • 106 mSv. ..."
 
Том 19, № 1 (2016) ТИПОВАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ−УСТРОЙСТВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, В. А. Харченко
"... of these devices requires modern methods of multilevel computer modeling implying various optimization techniques ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Влияние замещения алюминием на поле эффективной магнитной анизотропии и степень магнитной текстуры анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов бария и стронция для подложек микрополосковых приборов СВЧ–электроники Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Щербаков, А. Г. Налогин, В. Г. Костишин, А. А. Алексеев, Е. А. Белоконь, И. М. Исаев
"... be sufficient for the production of substrates for microstrip microwave devices in millimeter−wave region ..."
 
Том 19, № 4 (2016) XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
статья Редакционная
 
№ 3 (2012) ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева
"... to gamma irradiation showed a much higher radiation resistance of this device compared with those ..."
 
№ 3 (2012) НОВЫЕ МЕТАЛЛОУГЛЕРОДНЫЕ НАНОКОМПОЗИТЫ И УГЛЕРОДНЫЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ПЕРСПЕКТИВНЫМИ СВОЙСТВАМИ ДЛЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. В. Кожитов, В. В. Козлов, А. В. Костикова, А. В. Попкова
"... specific properties and can be used for manufacturing electronic, electrochemical and sensor devices ..."
 
Том 18, № 1 (2015) НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович
"... that the frequency limit of these devices has already been reached. The nature of these frequency constraints arise ..."
 
№ 3 (2013) НОВЫЕ ГИБРИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДНЫХ УСТРОЙСТВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. И. Аветисов, О. Б. Петрова, А. А. Аккузина, А. В. Хомяков, Р. Р. Сайфутяров, А. Г. Чередниченко, Т. Б. Сагалова, Н. А. Макаров, И. Х. Аветисов
 
Том 22, № 3 (2019) Детектор на «теплой жидкости» для измерения дозных профилей от ионизирующих излучений Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Сиксин
"... The use of “warm liquid” tetramethylsilane (TMS) in ionization chambers for measuring dose profiles ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин
"... alloying method can be used in the technology of semiconductor device  structures, provided ..."
 
№ 4 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич
"... device and process modeling system Silvaco ATHENA. It enables the use of models and calculation methods ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев
"... with a high aspect ratio in the contact and active areas of the devices during the formation of ohmic burned ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ПРОБЛЕМЫ НАДЕЖНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... principle is applied for the design of devices that allows significantly reducing the loads on single ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ВЛИЯНИЕ ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ РАСЧЕТОВ НА ПРЕДСКАЗАНИЯ ЭНЕРГЕТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Г. Ганченкова, И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, В. А. Бородин
"... Point defects play a key role in many of the microelectronics device technologies. Knowledge ..."
 
№ 3 (2013) К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. И. Гоник, Arne Cröll
 
№ 4 (2014) РЕШЕНИЕ X КОНФЕРЕНЦИИ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ФИЗИКИ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, ТЕХНОЛОГИИ И ДИАГНОСТИКИ КРЕМНИЯ, НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ («КРЕМНИЙ−2014») Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. И. Непомнящих, А. И. Елисеев
 
Том 22, № 4 (2019) Факторы, определяющие актуальность создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития России Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Зацаринный, К. К. Абгарян
"... for predictive computer modeling of the physical structure of nanoelectronic devices, the neuromorphic ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Новое поколение нанокомпозитных материалов на основе углерода и титана для использования в суперконденсаторных накопителях энергии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Слепцов, Л. В. Кожитов, А. О. Дителева, Д. Ю. Кукушкин, А. А. Нагаев
 
Том 22, № 1 (2019) Алгоритм работы электронного тракта детектора телевизионного типа и теоретические модели для описания модифицированной кривой Брэгга Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Сиксин
"... the modified Bragg curve is given. Offers the possibility of a new approach to the description of dose field ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... , mainly used in the production of integrated circuits, power high-voltage devices, nuclear-doped silicon ..."
 
1 - 25 из 47 результатов 1 2 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)