Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 2 (2015) МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ: РОСТ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. И. Плюснин
"... to greater intervals between deposition pulses. This growth method of atomically thin films and multilayered ..."
 
№ 2 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Гусев, С. М. Рындя, А. В. Зенкевич, Н. И. Каргин, Д. В. Аверьянов, М. М. Грехов
"... осаждение, эпитаксиальные пленки, морфология поверхности. Введение Тонкие пленки карбида крем- ния ..."
 
№ 1 (2013) ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... In present work the influence of growth conditions on structural quality of AlN layers grown ..."
 
№ 1 (2014) ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Л. Косинова, И. Г. Васильева, Я. В. Васильев, Т. П. Смирнова
"... безопасность Родины. Ключевые слова: материалы электронной техники, кремний, рост кристаллов, оксидные ..."
 
№ 4 (2012) НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов
"... with an increase in the 3C−SiC film growth temperature. We show that the 3C−SiC film heterostructure is highly ..."
 
№ 1 (2014) ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев
"... the speed of incongruent evaporation of the film material one can achieve directed growth of islet films ..."
 
№ 2 (2012) НОВЫЕ МЕТАЛЛОРГАНИЧЕСКИЕ ПРЕКУРСОРЫ И ПРОЦЕССЫ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В ТЕХНОЛОГИЯХ НАНОМАТЕРИАЛОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. А. Кузнецов, Т. П. Смирнова, Н. И. Файнер, Н. Б. Морозова, И. К. Игуменов
"... Разработаны процессы химического осаждения из газовой фазы (CVD) металлических и диэлектрических ..."
 
№ 2 (2012) МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович, И. В. Щемеров, О. В. Торопова, Ю. Н. Пархоменко
"... Temperature dependance of the resistivity of carbon−silicon 1 mkm film containing nanocise ..."
 
№ 2 (2013) ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ СОПРОВОЖДЕНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В МНОГОЗОННЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ УСТАНОВКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. М. Филиппов, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар, Ю. В. Бабушкин
"... A system for control of crystal growth process in the multizone thermal installation ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин
"... is an important task for increasing the efficiency of CdTe/CdS heterojunction based thin−film solar cells ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... covered with Si3N4 films (0.15 microns). On these substrates we deposited the Ti(12 nm)/Al(135 nm ..."
 
№ 1 (2014) О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин
"... of disproportioning reactions at etching of silicon single crystals, as is the case for epitaxial growth ..."
 
№ 2 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев
"... РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ © 2011 г. Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе*, М. Е. Сарычев ..."
 
№ 2 (2013) ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман
"... ITO thin films were prepared by electron beam deposition method over a range of processing ..."
 
№ 2 (2012) ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ИЗОЛИРОВАННЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская
"... is used to image the grains, ferroelectric domains and surface potential in lithium niobate thin films ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Моделирование процессов массообмена при выращивании кристаллов KDP из раствора Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Верезуб, В. Л. Маноменова, А. И. Простомолотов
"... Finding the conditions of high-speed single crystal growth with an appropriate quality ..."
 
№ 4 (2012) РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба
"... during film deposition and under γ−irradiation. There is a possibility to reduce the mechanical stresses ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин
"... because these films are widely used as buffer layers for GaN−based semiconductor heterostructures growth ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ОКСИДА ИТТРИЯ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ (ZrO₂)0,91−x(Sc₂O₃)0,09(Y₂O₃)х (x = 0÷0,02) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. А. Агарков, М. А. Борик, С. И. Бредихин, В. Т. Бублик, Л. Д. Исхакова, А. В. Кулебякин, И. Е. Курицына, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, С. В. Серяков, Н. Ю. Табачкова
 
№ 4 (2013) ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский
"... A significant dependence of the strain state of GaAs film lattice grown by molecular−beam epitaxy ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... акцепторной примеси. Образцы и методы исследования Рост ЭС проводили на установке МОС−гидридной эпитаксии ..."
 
№ 3 (2013) К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. И. Гоник, Arne Cröll
"... A technique for crucibleless growth of single−crystal silicon and its alloys with germanium ..."
 
Том 18, № 2 (2015) АНАЛИЗ ПРИЧИН НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕЛЛУРА В КРИСТАЛЛЕ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННОМ В КОСМИЧЕСКОМ ЭКСПЕРИМЕНТЕ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, А. Э. Волошин
"... of a rounded interface. At the same time, the defects in the field of a face growth have been revealed after ..."
 
№ 1 (2013) ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА IN SITU РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, Е. Г. Новоселова, А. А. Егоров, И. С. Монахов
"... of their formation. Experimental results on the magnetron deposition of nanoscale Si films and other materials ..."
 
№ 1 (2012) МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц
"... SiO2—SiO—SiO2 structures or after Si deposition on silicon dioxide substrate was studied. A kinetic ..."
 
1 - 25 из 151 результатов 1 2 3 4 5 6 7 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)