Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 19, № 4 (2016) Кристаллохимические особенности простейших и смешанно–слоистых оксидов висмута Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Осипян
"... − second oxide” type and complex precipitation structures, i.e., compounds with the so−called mixed−layered ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
"... of leakage currents in the barrier layer and at low frequencies 1-20 kHz with generation-recombination ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"... of silicon oxides. The most  important technological trend of this process is making through holes ..."
 
Том 18, № 2 (2015) О РОЛИ ВЛИЯНИЯ ЛЕГИРУЮЩИХ ДОБАВОК НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА МАГНИЙ–ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Андреев, С. Б. Меньшова, В. Г. Костишин, Д. Н. Читанов, А. Ю. Кирина, С. Б. Бибиков, М. В. Прокофьев, В. М. Прохоров
"... of the Mg−Zn−ferrite is that it is an inexpensive raw material magnesium oxide. The aim of this work ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... for the heterostructures with the upper undoped i−AlGaN and i−GaN layers at thickness 15—25 A have been analyzed ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner
"... for conditions of Sb (Ga) doped Ge growth from a thin melt layer in the presence of a heater submerged ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee
"... in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers ..."
 
Том 18, № 2 (2015) МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ: РОСТ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. И. Плюснин
"... and a transition layer consisting of melts or compounds (silicides). We have considered theoretical viewpoints ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Структурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев, Ю. Н. Пархоменко, В. В. Привезенцев, Д. М. Мигунов
"... This work deals with structural transformations in the near− surface layers of silicon after  ion ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян
"... heterostructures is presented. In this paper the authors formulated and solved The problem of the barrier layer ..."
 
№ 4 (2014) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов
"... of the silicon photosensitive structures have been represented. The structures included layers of the silicon ..."
 
Том 18, № 2 (2015) НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник
"... layer of SiC of the special structure. During the crystallization, the plate was on the melt surface ..."
 
№ 4 (2014) СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов
"... In this paper a new technique for synthesis of porous silicon layers with silver nanoparticles ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин
"... of magnitude higher  than that of diffusion alloying. Thermomigration doped layers with steadily moving liquid ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Функциональные 2D–наноматериалы для оптоэлектронной техники на основе ленгмюровских пленок бактериородопсина Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. И. Валянский, Е. К. Наими, Л. В. Кожитов
"... We have tested the possibility of using monomolecular layers of bacteriorhodopsin (BR ..."
 
Том 18, № 2 (2015) КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов
"... −called yellow luminescence) is generated by deep levels in the buffer GaN layer of the ehterostructures ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов
"... layers are  borrowed from the  literature. This process allows reproducible fabrication of Ohmic contacts ..."
 
1 - 19 из 19 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)