Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 2 (2015) НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник
"... layer of SiC of the special structure. During the crystallization, the plate was on the melt surface ..."
 
№ 4 (2014) СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов
"... In this paper a new technique for synthesis of porous silicon layers with silver nanoparticles ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин
"... of magnitude higher  than that of diffusion alloying. Thermomigration doped layers with steadily moving liquid ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ПОВЕРХНОСТНОЕ ДИПОЛЬНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ СУБМИКРОННЫХ ПЛЕНОК ПОЛИДИФЕНИЛЕНФТАЛИДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. Д. Карамов, Д. А. Киселев, М. Д. Малинкович, В. М. Корнилов, А. М. Лачинов, Р. М. Гадиев
"... This paper considers the problem of surface dipole ordering of thin polymer layers with nanometer ..."
 
Том 20, № 1 (2017) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин
"... experimental evaluation of the influence of the outer layer materials of the housings and the back side ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Функциональные 2D–наноматериалы для оптоэлектронной техники на основе ленгмюровских пленок бактериородопсина Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. И. Валянский, Е. К. Наими, Л. В. Кожитов
"... We have tested the possibility of using monomolecular layers of bacteriorhodopsin (BR ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин
"... layers. As the etchants investigated 2—20 % solution of bromine in isobutyl alcohol, 5 % solution ..."
 
Том 21, № 3 (2018) Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев
"... and other defects of the epitaxial layers of the source and drain regions of the nitride HEMT transistors ..."
 
№ 2 (2012) ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ИЗОЛИРОВАННЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская
"... with SiO2 layer. Using the electric field from a biased conducting AFM tip, we show that possible to form ..."
 
№ 4 (2012) НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов
"... parameters providing for the growth of homogeneous 3C−SiC layers with smooth surfaces and high adhesion have ..."
 
Том 18, № 1 (2015) НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович
"... density of nitride HEMTs at a given operating frequency are controlled by heterostructure barrier layer ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин
"... because these films are widely used as buffer layers for GaN−based semiconductor heterostructures growth ..."
 
Том 18, № 2 (2015) КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов
"... −called yellow luminescence) is generated by deep levels in the buffer GaN layer of the ehterostructures ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов
"... layers are  borrowed from the  literature. This process allows reproducible fabrication of Ohmic contacts ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин
"... is not observed if on the back side of the plates there is mechanical gettering layer. The mechanism explaining ..."
 
№ 3 (2013) МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ УГЛЕРОДНОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА, ПОЛУЧЕННОГО ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИК−НАГРЕВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. В. Кожитов, Нгуен Хонг Вьет, А. В. Костикова, И. В. Запороцкова, В. В. Козлов
"... content from 14 to 18 atoms in CM monoatomic layers C46N14H10, C44N16H12, and C42N18H14 and in the H ..."
 
№ 2 (2012) ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник
"... For this purpose the opportunities of perfect layer formation during RTA have been analyzed ..."
 
№ 2 (2014) ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
"... of the etching process from one layer to another and determining the end of the etching process ..."
 
№ 2 (2014) ПРОЦЕССЫ ВО ВРЕМЯ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Ti—Al—Ni И Ti—Al—Ni—Au Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман
"... the rough surface of Ti/Al/Ni/Au metallization we reduced the thickness of the Au layer to 50 nm. At this Au ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев
"... −383 photoresist masks with 2, 4 and 6.5 µm windows, the etched layer was 20 µm in depth. For a FN−11 ..."
 
№ 4 (2013) УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель
"... nanogranular nickel pillars in verticals pores of the SiO2 layer differ considerably from those properties ..."
 
№ 2 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев
"... for the determination of epitaxial layer structural parameters based on the X−ray diffractometry data. It has been ..."
 
№ 3 (2014) ОБЪЕКТНО–РЕЛЯЦИОННАЯ АРХИТЕКТУРА ИНФОРМАЦИОННОЙ ПОДДЕРЖКИ МНОГОМАСШТАБНОЙ СХЕМЫ РАСЧЕТА МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОСТРУКТУРЫ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, П. А. Сеченых, И. А. Супрядкина
"... of computational data obtained by various computational modules. Each layer of MSNS is treated separately ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин
"... Theoretical analysis of optimization options for the properties of CdTe absorber layer ..."
 
76 - 100 из 105 результатов << < 1 2 3 4 5 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)