Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 1 (2015) ВЛИЯНИЕ ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ РАСЧЕТОВ НА ПРЕДСКАЗАНИЯ ЭНЕРГЕТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Г. Ганченкова, И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, В. А. Бородин
"... Point defects play a key role in many of the microelectronics device technologies. Knowledge ..."
 
Том 18, № 1 (2015) МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров
"... light−emitting diodes on the basis of silicon is theoretical research into the formation of point defect ..."
 
№ 4 (2012) ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан
"... the initial crystalline structure. The critical role in the formation of hidden defect layers belongs ..."
 
№ 2 (2014) СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук
"... Comprehensive studies of the structure and electronic properties of defects occurring ..."
 
№ 3 (2013) К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. И. Гоник, Arne Cröll
"... Разработан метод бестигельного выращивания монокристаллов кремния и его соединений с германием ..."
 
№ 3 (2012) ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова
"... , the photoexcitation no longer influenced the redistribution of radiation−induced defects. The photoexcitation favors ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин
"... of the deposition process and subsequent treatment which determine the defect composition of the material ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..."
 
№ 1 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Л. Шульпина, В. А. Козлов
"... The defects in silicon based multilayer epitaxial structures intended for power epitaxial ..."
 
№ 1 (2014) СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas
"... ) was used to examine the defects induced by high energy krypton ion implantation. The DLTS spectra were ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, Х. Х. Ильясов
"... point defects in dislocation−free silicon single crystals.  ..."
 
№ 3 (2013) ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова
"... We have studied the transformation of radiation defects generated by proton implantation in n−type ..."
 
№ 4 (2014) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов
"... , электрофизических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур на основе кремния, содержащих слои ..."
 
№ 3 (2012) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ (Bi,Sb)2Te3, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ИСКРОВОГО ПЛАЗМЕННОГО СПЕКАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. А. Драбкин, В. В. Каратаев, В. Б. Освенский, Ю. Н. Пархоменко, А. И. Сорокин, Л. П. Булат, Г. И. Пивоваров, В. Т. Бублик, Н. Ю. Табачкова
"... defects introduce essential contribution to the formation of nanostructured material thermoelectric ..."
 
№ 2 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник
 
Том 18, № 2 (2015) ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина
 
№ 2 (2012) ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник
"... and defect formation in large diameter Si wafer were investigated: the various ways of wafer fastening were ..."
 
Том 19, № 1 (2016) ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. И. Таперо
"... /dielectric interface; in addition, the paper reports an analysis of the nature of defects in Si/ SiO2 ..."
 
Том 19, № 4 (2016) XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
статья Редакционная
 
№ 2 (2014) НАНОЧАСТИЦЫ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫЕ НА ПОДЛОЖКАХ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Е. Кононова, А. С. Леньшин, М. Г. Аньчков, В. А. Мошников
"... Из золей в микрообъемах пористого кремния получены оксиды олова, железа и никеля. Морфология ..."
 
№ 3 (2012) CТРУКТУРА ОБЪЕМНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ (Bi,Sb)2Te3, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ИСКРОВОГО ПЛАЗМЕННОГО СПЕКАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Т. Бублик, И. А. Драбкин, В. В. Каратаев, М. Г. Лаврентьев, В. Б. Освенский, Ю. Н. Пархоменко, Г. И. Пивоваров, А. И. Сорокин, Н. Ю. Табачкова
"... structural defects during sintering. ..."
 
Том 19, № 3 (2016) Буферные слои в гетероструктурах Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... and low defect density in the bulk and at the layer boundaries are developed. It has been shown ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВЕРХТОНКИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРАНАТА МЕТОДОМ КОНВЕРСИОННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МЕССБАУЭРОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Мокляк
"... and, as a consequence, the formation of two types of d−positions, due to the large concentration of point defects ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... кремния. Рассмотрены основные проблемы гетероэпитаксии нитридных соединений на подложке кремния и пути их ..."
 
№ 4 (2012) НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов
"... been determined. The defect structure of the silicon substrate with deposited 3C−SiC film has been ..."
 
1 - 25 из 141 результатов 1 2 3 4 5 6 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)