Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 4 (2013) ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. И. Маняхин
"... A new method of measuring the parameters of shallow and medium−depth levels in semiconductor band ..."
 
№ 1 (2013) ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин
"... by dimension and configuration of the silicon layer as well as the deep compensate levels concentration ..."
 
№ 3 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. И. Рабинович, В. П. Сушков
"... Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении ..."
 
№ 3 (2013) ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ НА МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ И СПЕКТРЫГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРИСТАЛЛАХ TlBr Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, А. В. Говорков, Е. А. Кожухова, И. С. Лисицкий, М. С. Кузнецов, К. С. Зараменских, А. Я. Поляков
"... by the ionization of deep centers. Centers with activation energies of 1−1.2 eV that pin the Fermi level in donor ..."
 
№ 1 (2014) СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas
"... MeV krypton ions. The irradiation fluence was 108 cm–2. Deep–level transient spectroscopy (DLTS ..."
 
№ 3 (2012) К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов
"... An analytical solution of an avalanche current in p—i—n−structures is obtained. The impurity level ..."
 
Том 19, № 3 (2016) К ВОПРОСУ ОБ ОПРЕДЕЛЕНИИ ОБЪЕМНОГО ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ ПО СПАДУ ФОТОПРОВОДИМОСТИ НА НЕПАССИВИРОВАННЫХ ОБРАЗЦАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев, И. В. Щемеров, Д. С. Егоров, С. Ю. Юрчук
"... lifetime is determined by recombination through deep level centers and inversely proportional ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов
"... and phosphorus). Ingot yield and cell efficiency were optimized for each source of silicon at a production level ..."
 
№ 4 (2012) ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова
"... накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Проведен теоретический анализ процессов ..."
 
№ 2 (2013) О ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. А. Бурдов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, Д. И. Тетельбаум
"... in SiO2. The four−level scheme of transitions is considered taking into account thermally activated ..."
 
№ 2 (2013) ОПТИЧЕСКИЙ МОНИТОРИНГ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
C. В. Михляев
"... Problems of optical monitoring of melt level and diameter of a crystal growing from high ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИК–ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIIBVI, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ Fe2+ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Курчатов, Д. М. Кустов
 
Том 18, № 4 (2015) ВЛИЯНИЕ БАЗОВОГО СОСТАВА И МИКРОСТРУКТУРЫ НИКЕЛЬ–ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ НА УРОВЕНЬ ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Андреев, С. Б. Меньшова, В. Г. Костишин, Д. Н. Читанов, А. Н. Климов, А. Ю. Кирина, Р. М. Вергазов, С. Б. Бибиков, М. В. Прокофьев
"... on the level of absorption of electromagnetic radiation by Ni—Zn ferrite absorbing materials has been found ..."
 
Том 18, № 1 (2015) МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий
"... been calculated. It has been revealed that the energy level of the impurity depends on the magnetic ..."
 
№ 1 (2014) ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев
"... ) is also considered for (001) and (111) interfaces. It is shown that such type MDs grow the level ..."
 
Том 18, № 2 (2015) КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов
"... −called yellow luminescence) is generated by deep levels in the buffer GaN layer of the ehterostructures ..."
 
№ 4 (2012) ИЗОТОПНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ИК–ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ–28, 29 И 30 С ВЫСОКИМ ИЗОТОПНЫМ ОБОГАЩЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев
"... данными о концентрации свободных носителей заряда, полученными из измерений эффекта Холла. Изучены ..."
 
№ 3 (2013) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман
"... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..."
 
№ 1 (2013) ОБЕСПЕЧЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ЗАГОТОВОК НА ИХ ОСНОВЕ СТАНДАРТНЫМИ ОБРАЗЦАМИ ПРЕДПРИЯТИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Б. Быкова, Ж. А. Гореева, И. С. Диденко, Н. С. Козлова, В. В. Сидорин
"... directly depend on the level of certified reference material completeness in laboratory. In the sphere ..."
 
Том 19, № 1 (2016) МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО: ИСТОРИЯ И РАЗВИТИЕ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. П. Маянов, А. А. Гасанов, А. В. Наумов
"... one currently used for obtaining bulk single crystals. The high technical implementation level ..."
 
№ 2 (2013) СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ЗАРЯДОВОЙ ПОДКАЧКОЙ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Гусев, В. В. Старков, А. В. Тетерский
"... носителей заряда в традиционной структуре кремниевых солнечных элементов с зарядовыми насосами. Зарядовые ..."
 
Том 18, № 1 (2015) О ПРИРОДЕ ТЕРМОАКЦЕПТОРОВ В ОБЛУЧЕННОМ ЭЛЕКТРОНАМИ ВЫСОКООМНОМ КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Кобелева
"... of deep acceptor centers that is required for changing to p−type conductivity on acceptor energy level ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев
"... , глубокие уровни. Введение Для исследования кристалличе- ской структуры полупроводниковых материалов и ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... приводит к возникновению дополнительного положительного заряда в барьерном слое. ..."
 
№ 4 (2013) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин
"... заряда при последовательном стравливании слоев. Рассчитан коэффициент диффузии эрбия при температуре 1240 ..."
 
1 - 25 из 132 результатов 1 2 3 4 5 6 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)