Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 4 (2013) ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. И. Маняхин
"... A new method of measuring the parameters of shallow and medium−depth levels in semiconductor band ..."
 
№ 1 (2013) ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин
"... by dimension and configuration of the silicon layer as well as the deep compensate levels concentration ..."
 
№ 3 (2014) ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. А. Шевченко, А. Н. Терещенко, А. А. Мазилкин
"... recombination (by the DLTS and photoluminescence (PL) methods, respectively) of charge carriers in deep levels ..."
 
№ 1 (2014) СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas
"... MeV krypton ions. The irradiation fluence was 108 cm–2. Deep–level transient spectroscopy (DLTS ..."
 
№ 3 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. И. Рабинович, В. П. Сушков
"... Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении ..."
 
Том 19, № 3 (2016) К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев, И. В. Щемеров, Д. С. Егоров, С. Ю. Юрчук
"... lifetime is determined by recombination through deep level centers and inversely proportional ..."
 
Том 20, № 1 (2017) РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев
"... the measured intensity ratios. The calculations were performed at low injection level for one dimensional case ..."
 
№ 3 (2013) ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ НА МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ И СПЕКТРЫГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРИСТАЛЛАХ TlBr Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, А. В. Говорков, Е. А. Кожухова, И. С. Лисицкий, М. С. Кузнецов, К. С. Зараменских, А. Я. Поляков
"... by the ionization of deep centers. Centers with activation energies of 1−1.2 eV that pin the Fermi level in donor ..."
 
№ 3 (2012) К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов
"... An analytical solution of an avalanche current in p—i—n−structures is obtained. The impurity level ..."
 
№ 4 (2012) ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова
"... накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Проведен теоретический анализ процессов ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов
"... and phosphorus). Ingot yield and cell efficiency were optimized for each source of silicon at a production level ..."
 
№ 2 (2014) ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
"... in the semiconductor volume, leading to a shift in the energy levels of electrons in the surface layer and a change ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Ильин, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров
"... экранировка поверхностного заряда происходит на ионизованных донорах, а также на свободных электронах ..."
 
Том 20, № 2 (2017) О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова
"... и эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs под такими слоями. Анодное окисление ..."
 
№ 2 (2013) ОПТИЧЕСКИЙ МОНИТОРИНГ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
C. В. Михляев
"... Problems of optical monitoring of melt level and diameter of a crystal growing from high ..."
 
№ 2 (2013) О ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. А. Бурдов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, Д. И. Тетельбаум
"... in SiO2. The four−level scheme of transitions is considered taking into account thermally activated ..."
 
№ 3 (2013) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман
"... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Численное моделирование и выбор светодиодов для фитосветильников Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. И. Супельняк, В. Г. Косушкин
"... . This article presents a prototype of a solid−state lamp based on InGaN LEDs with radiation peaks of 440, 460 ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИК–ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIIBVI, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ Fe2+ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Курчатов, Д. М. Кустов
 
Том 18, № 1 (2015) МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий
"... been calculated. It has been revealed that the energy level of the impurity depends on the magnetic ..."
 
№ 4 (2012) ИЗОТОПНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ИК–ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ–28, 29 И 30 С ВЫСОКИМ ИЗОТОПНЫМ ОБОГАЩЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев
"... данными о концентрации свободных носителей заряда, полученными из измерений эффекта Холла. Изучены ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев
 
Том 19, № 3 (2016) Магниторезистивный эффект в наноразмерном ферромолибдате стронция с диэлектрическими прослойками Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. В. Ярмолич, Н. А. Каланда, И. А. Свито, А. Л. Желудкевич, Н. А. Соболев
"... последнем случае наблюдается прыжковый механизм переноса заряда. При приложении магнитного поля ..."
 
№ 2 (2014) СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук
"... electron microscopy, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence. The main revealed ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ВЛИЯНИЕ БАЗОВОГО СОСТАВА И МИКРОСТРУКТУРЫ НИКЕЛЬ–ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ НА УРОВЕНЬ ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Андреев, С. Б. Меньшова, В. Г. Костишин, Д. Н. Читанов, А. Н. Климов, А. Ю. Кирина, Р. М. Вергазов, С. Б. Бибиков, М. В. Прокофьев
"... on the level of absorption of electromagnetic radiation by Ni—Zn ferrite absorbing materials has been found ..."
 
1 - 25 из 78 результатов 1 2 3 4 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)