Выпуск | Название | |
№ 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
Том 22, № 4 (2019) | Осцилляции Ааронова—Бома и распределения равновесных токов в открытой квантовой точке и кольцевом интерферометре | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, В. А. Ткаченко | ||
"... . Численным расчетом найдены магнитополевые осцилляции двухтерминального контактанса устройств, распределения ..." | ||
№ 1 (2014) | МИКРОСПЕКТРАЛЬНОЕ РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ НА УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЯХ БАЛКИ КАНТИЛЕВЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. П. Кузьменко, Д. И. Тимаков | ||
"... соответствовало приложенной деформации 4 ГПа. Приведены трехмерные карты распределения внутренних напряжений при ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | АНАЛИЗ ПРИЧИН НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕЛЛУРА В КРИСТАЛЛЕ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННОМ В КОСМИЧЕСКОМ ЭКСПЕРИМЕНТЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, А. Э. Волошин | ||
Том 21, № 1 (2018) | Нелокальная дисперсия и ультразвуковое туннелирование в материалах с градиентной структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Б. Шварцбург, М. Д. Малинкович, А. М. Кислюк | ||
"... Показано, что в материалах с пространственным распределением (градиентом) плотности и/или ..." | ||
Том 21, № 4 (2018) | Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be | Аннотация похожие документы |
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини | ||
"... распределения высоты барьеров на границе раздела. В то же время для высоколегированного образца подобное ..." | ||
№ 1 (2013) | ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух | ||
"... HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с неоднородным распределением состава ..." | ||
№ 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник | ||
№ 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
"... погруженного нагревателя по мере кристаллизации. Показано, что поперечное распределение второй компоненты ..." | ||
№ 3 (2014) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров | ||
"... Реализована методика неразрушающего бесконтактного контроля толщины нелегированного ..." | ||
Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
"... использованием композиций Ti—Al—Mo—Au и Ti—Al—Ni—Au. Для оценки структурных особенностей контактных областей ..." | ||
№ 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко | ||
"... /TiOx. Это свидетельствует о том, что скорость роста пористого и нанотрубчатого слоев, полученных ..." | ||
Том 22, № 3 (2019) | Новое поколение нанокомпозитных материалов на основе углерода и титана для использования в суперконденсаторных накопителях энергии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Слепцов, Л. В. Кожитов, А. О. Дителева, Д. Ю. Кукушкин, А. А. Нагаев | ||
"... пористых углеродных волокон с оксидами металлов. Направления получения композитов условно можно разделить ..." | ||
№ 1 (2012) | НАБЛЮДЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОМ ЛОКАЛЬНОМ ДАВЛЕНИИ В УСЛОВИЯХ ИНДЕНТИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Прокудин, А. С. Усеинов | ||
"... взаимодействия индентора с материалом. Обсуждено влияние изменений удельного сопротивления и контактной площади ..." | ||
№ 4 (2013) | О ВЛИЯНИИ ПОДСВЕТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦАМ CdTe | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Г. Белов, В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов | ||
"... на уровне ≈ 2 ⋅ 1017 см−3 (в шихте). В качестве контактных материалов использованы индий и золото ..." | ||
Том 21, № 4 (2018) | Осаждение легированных никелем наночастиц ZnO с повышенной чувствительностью к этанолу при низких температурах | Аннотация похожие документы |
У. Годаварти, В. Д. Моте, М. Дасари | ||
"... объясняется большой контактной площадью поверхности для электронов, кислорода, молекул определяемого газа и ..." | ||
№ 1 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев | ||
"... однородным распределением островков необходимо проводить процесс инконгруэнтного испарения при высоких ..." | ||
№ 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
"... Исследованы особенности распределения примесей в кристаллах мультикремния, выращенных из ..." | ||
Том 19, № 4 (2016) | Глубокая очистка теллура для производства материалов электроники и фотоники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Б. Гришечкин, Е. Н. Можевитина, А. В. Хомяков, М. П. Зыкова, Р. И. Аветисов, И. Х. Аветисов | ||
"... кубовым остатком, а также пространственное распределение примесей в дистилляте при проведении очистки ..." | ||
№ 1 (2014) | ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев | ||
"... разработанного релаксационного спектрометра тепловых процессов исследованы дифференциальные профили распределения ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов | ||
"... учетом реального распределения термических напряжений в кристалле при наличии как радиального, так и ..." | ||
Том 20, № 4 (2017) | Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN | Аннотация похожие документы |
Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова | ||
"... Получено дифференциальное уравнение второго порядка, включающее функцию распределения плотности ..." | ||
№ 1 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Л. Шульпина, В. А. Козлов | ||
"... исходных эпитаксиальных слоях являются сетки дислокаций с неравномерным распределением дислокаций как по ..." | ||
№ 2 (2012) | ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ИЗОЛИРОВАННЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская | ||
"... построены картины распределения индуцированного состояния и поверхностного потенциала в тонких пленках ..." | ||
№ 1 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТОВ Ni/C НА ОСНОВЕ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИК–ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. Г. Муратов, Е. В. Якушко, Л. В. Кожитов, А. В. Попкова, М. А. Пушкарев | ||
"... карбонизации ПАН, и распределенных в ней наночастиц никеля (оксида никеля), средний размер которых составляет ..." | ||
26 - 50 из 80 результатов | << < 1 2 3 4 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)