Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 20, № 2 (2017) О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова
"... and the effective surface charge on InAs crystals under such layers has been studied. Anodic oxidation was performed ..."
 
№ 3 (2014) ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров
"... A method of non−destructive contactless control of thickness of undoped autoepitaxial InAs layers ..."
 
№ 4 (2012) ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова
"... Results on the influence of Ge ion implantation into pyrogenic SiO2 on radiation charge ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... for the heterostructures with the upper undoped i−AlGaN and i−GaN layers at thickness 15—25 A have been analyzed ..."
 
Том 19, № 3 (2016) Буферные слои в гетероструктурах Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... The problem of choosing the architecture of buffer layers is considered. This is typical problem ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко
"... of the nanoporous and nanotubular layers. The observed higher resistances of space charge region in the titanium ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner
"... and 40 mm in length grown by the modified floating zone technique from the charge of 79.8 at.% Si and 20 ..."
 
Том 20, № 1 (2017) РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев
"... A noncontact method for the determination of recombination parameters of p(n) layer local ranges ..."
 
Том 19, № 2 (2016) Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. К. Абгарян
"... heterostructures is presented. In this paper the authors formulated and solved The problem of the barrier layer ..."
 
№ 1 (2013) ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин
"... The influence of the epitaxial layer features and so silicon-sapphire interface in SOS-structures ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..."
 
№ 1 (2013) ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
"... -gap layers with elevated composition strongly affect on dependencies of the capacitance and the photo ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин
"... is not observed if on the back side of the plates there is mechanical gettering layer. The mechanism explaining ..."
 
Том 20, № 1 (2017) УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова
"... periodic structures with pseudomorphic GeSiSn layers and GeSiSn island array have been obtained ..."
 
№ 3 (2012) ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова
"... the maximum of projected ions length in the middle of the silicon layer and to minimize possible changes ..."
 
№ 4 (2012) ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан
"... This paper presents the method for obtaining hidden layers of porous and nonporous silicon ..."
 
№ 4 (2013) ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко
"... silicon layers synthesized by electrochemical anodic treatment in an electrolyte based on a 12 % aqueous ..."
 
№ 2 (2014) ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин
"... of the etching process from one layer to another and determining the end of the etching process ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин
"... piezoelectric charge in the AlGaN buffer layer. It is shown that the use of SiON films with an oxygen ..."
 
№ 4 (2012) ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Г. Пашаев
 
№ 2 (2013) О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Ю. Эрвье
"... by the host atoms and atomic exchange between dopant adatoms and atoms of the topmost crystalline layer ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Кристаллохимические особенности простейших и смешанно–слоистых оксидов висмута Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Осипян
 
№ 1 (2013) ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... In present work the influence of growth conditions on structural quality of AlN layers grown ..."
 
№ 2 (2014) КЛЕТОЧНО–АВТОМАТНАЯ МОДЕЛЬ РАЗДЕЛЕНИЯ ФАЗ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин, С. В. Коробов
"... The suggested model simulates the structural evolution of the SiOm (m < 2 ) layer with a thickness ..."
 
1 - 25 из 119 результатов 1 2 3 4 5 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)