Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
| "... p+-n-Diodes have been studied. The diodes were manufactured on wafers (thickness 460 μm, (111 ..." | ||
| № 4 (2012) | ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Г. Пашаев | ||
| "... (where x = 52; 70; 87) Schottky diodes and the electrical properties of AuxTi100−x—nSi (where x = 10; 36 ..." | ||
| № 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
| "... параметры тиристоров при действии облучения и высоких температурных градиентов. Показана целесообразность ..." | ||
| № 3 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Рабинович, В. П. Сушков | ||
| "... and the positive results of using the silicon substrates in nanoheterostructures for light−emitting diodes. ..." | ||
| № 4 (2012) | РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба | ||
| "... , так и под влиянием γ−облучения. Найдена возможность уменьшения внутренних механических напряжений и ..." | ||
| № 3 (2012) | К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов | ||
| "... ], которая впоследствии была подвергнута критике [5]. Анализировали пере- ключения высоковольтных диодов и ..." | ||
| № 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
| "... of these nanostructures are similar to those of a system consisting of two opposite−connected Si/Ni Shottky diodes. We ..." | ||
| № 3 (2012) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева | ||
| "... Чохральского Si | ||
| № 1 (2012) | НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава | ||
| "... The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN ..." | ||
| № 3 (2013) | ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова | ||
| "... радиационных дефектов вакансионного и междоузельного типов. Установлено, что в результате отжига облученных ..." | ||
| № 1 (2014) | ВЛИЯНИЕ СОСТОЯНИЯ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ НА ЛАЗЕРНУЮ СТОЙКОСТЬ ЩЕЛОЧНО–ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Блистанов, О. М. Кугаенко, Л. А. Васильева | ||
| "... примеси контролировали методом рассеяния света. Под действием лазерного облучения в примесных центрах ..." | ||
| № 4 (2012) | ИЗОТОПНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ИК–ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ–28, 29 И 30 С ВЫСОКИМ ИЗОТОПНЫМ ОБОГАЩЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев | ||
| "... Представлены результаты исследования спектров ИК−поглощения мелких доноров и акцепторов в ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | О ПРИРОДЕ ТЕРМОАКЦЕПТОРОВ В ОБЛУЧЕННОМ ЭЛЕКТРОНАМИ ВЫСОКООМНОМ КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева | ||
| "... электропроводности с электронного на дырочный при отжигах после облучения электронами или нейтронами высокоомного ..." | ||
| № 2 (2013) | ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман | ||
| "... well as the transparent conducting electrode in the light emitting diodes based on GaN. ..." | ||
| № 4 (2013) | МЕССБАУЭРОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ НА ОСНОВЕ МАГНЕТИТА И ПОЛИВИНИЛОВОГО СПИРТА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Костишин, Б. К. Остафийчук, в. В. Мокляк, А. В. Нуриев | ||
| "... содержанием Fe3O4 30, 45, 60 и 90 %. Мессбауэровские спектры объектов измерены по стандартной методике «на ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий | ||
| "... циклотроне У−120. Изучено влияние протонного облучения и сильных магнитных полей на магнетосопротивление ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин | ||
| "... . the luminescent properties of the samples for excitation were probed by a semiconductor laser diode with a 960 nm ..." | ||
| № 4 (2014) | СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов | ||
| "... on the surface of irradiated Si with average pore sizes of 150—180 nm, pore depth of about 100 nm and wall ..." | ||
| № 1 (2014) | ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев | ||
| "... and diode emitters. ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | РАДИАЦИОННО–ИНДУЦИРОВАННАЯ ДЕГРАДАЦИЯ КМОП–ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МОЩНОСТИ ДОЗЫ И ТЕМПЕРАТУРЫ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. И. Таперо, А. С. Петров, В. Н. Улимов | ||
| "... облучении с различными значениями мощности дозы и температуры. Показано, что такие микросхемы могут быть ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | О РОЛИ ВЛИЯНИЯ ЛЕГИРУЮЩИХ ДОБАВОК НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА МАГНИЙ–ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Андреев, С. Б. Меньшова, В. Г. Костишин, Д. Н. Читанов, А. Ю. Кирина, С. Б. Бибиков, М. В. Прокофьев, В. М. Прохоров | ||
| "... , диэлек- трическая проницаемость, спектр по- глощения. Введение В настоящее время продол- жаются ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... of microwave−technology and power electronics, as well as light−emitting diodes have been reviewed. It has been ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. И. Таперо | ||
| "... , отвечающих за эти процессы. Преведены особенности отжига накопленного при облучении заряда в диэлектрике и ..." | ||
| № 4 (2013) | ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. И. Маняхин | ||
| "... спектр энергетических уровней. Показано, что определение энергетического положения глубокого уровня ..." | ||
| № 3 (2013) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ НА МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ И СПЕКТРЫГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРИСТАЛЛАХ TlBr | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, А. В. Говорков, Е. А. Кожухова, И. С. Лисицкий, М. С. Кузнецов, К. С. Зараменских, А. Я. Поляков | ||
| "... Исследованы электрические характеристики, спектры глубоких ловушек, спектры ..." | ||
| 1 - 25 из 131 результатов | 1 2 3 4 5 6 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)